C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1583476

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: выращивания, метилбензальанилина, монокристаллов, нитро

...полного растворения и-нитрои -метилбензальанилина в кристаллизатор помещают затравочный кристаллэразмером 5 ф 3 "2 мм (получают предварительно путем выпаривания раствора этого ке состава), Затравку закрепляют на фторопластовой подложке и устанавливают на дно кристаллизатора. 1 О После этого медленно снижают температуру кристаллизатора до тех пор, пока не начнется рост затравочного кристалла, Это видно по образующимся граням. Температура начала роста 38 С 15,о На этом уровне ее поддерживают за . время выращивания с точностью 0,050 С.Отбор растворителя осуществляют следующим образом, Подбирают специальные фторопластовые прокладки между 20 кристаллизатором и крышкой и устанавливают зазор. Величину зазора подбирают...

Номер патента: 1583477

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Демьянец, Мельников, Триодина

МПК: C30B 29/14, C30B 7/10

Метки: выращивания, гидротермального, кристаллов, ктр, структурой, типа

...Р, КН РО 4 при 1000 СПРоцесс ведут при соотношениижидкой и твердой Фаз, равном 10:15:1 по объему.4 1583477 Шнхт Концентрация ра створите ие ическая а мас. Стекло КГКА 1 РО Г 5О,КА 1 РО Г 100% 0,7 0,6 КА 1 РО Г (скоростьроста уменьшаетсяна порядок) КА 1 Р 04 Г (100%)кристаллы в видепластин 150 О,РО с талл100%) иэомермы 0 0,8 0 ской 5 КАУРО,Г (100%) КА 1 РОГ размером 0,5 см удлиненно Формы (100%)длиненная форма 0 4 10 100 0,7 У Г (г 0%),о КА 1 РОГ (80%)4 Г (50%) р+ Си (50%) 300 ст 5 5КНГ На дно автоклава объемом 160 см,футерованного медным вкладышем, помещают 40 г шихты, представляющейсобой фториднофосфатное стеклостехиометрического состава (КА 1 РОГ).Вкладыш с шихтом заполняют растворителем КГ концентрацией 5 мас.%с коэффициентом...

Номер патента: 1583478

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Большакова, Елкин, Козлов, Масленников, Сорокина

МПК: C30B 29/30, C30B 33/00

Метки: кристаллов, лития, танталата, травления

...1. представлена структураполидоменного образца, выявленнаяс помощью известного и предлагаемогспособов; на фиг,2 - поверхности крталла танталата лития, подвергнутогтравлению предлагаемым способом втечение 5; 7 и 10 с; на фиг.3структура монодоменного и полидоменго образцов,Гранулированный едкий кали в колчестве 7 г засыпают в керамический ится к обралата лития астности к и доменной етодами опти кроскопии.ить и сокра нокристаллы едкого кали5-7 с.нижена до роводится расплава, получитьЦов в течение 5 с (фиг.2 а), 7 с (фиг.2 б) и 10 с (фиг.2 в) в расплаве дкого кали.П р и м е р 3. Полидоменный (фиг,Зб) и монодоменный (фиг.За) образцы, изготовленные из монокристалла танталата лития, одновременно Оодвергают травлению в расплаве едкого кали при...

Номер патента: 1583479

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Педько, Сорокина

МПК: C30B 29/30, C30B 33/00

Метки: лития, монокристаллов, ниобата, травления

...существенно понизитьтемпературу травления, сократитьего время и получить четкие Фигурытравления. Монокристаллы ниобаталития обрабатывают расплавом КОНс добавкой ИаОН в количестве 35 мас.Епри 150+0,2 С в течение 5 - 7 с. Пос -ле травления образцы опускают встаканчик с кипящей дистиллирован -ной водой, через 1 мин стаканчикоснимают с плитки и охлаждают до 30 С.Затем образцы обтирают и исследуютпод микроскопом. Способ позволяетполучить большую инФормацию о реной структуре, а также выявить до -менные структуры отрицательного иположительного дисков поляризации, 1583479травления ведет к потере контрастности или искажеиию картины травления.На снимке видны домены обоих знаков Использование предлагаемого способа по сравнению с известным позволяет...

Номер патента: 1365756

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Доливо-Добровольская, Коломенский, Перелыгин, Стеценко

МПК: C30B 33/00

Метки: кубической, монокристаллов, симметрии

...фф дает либо с направлением (111)(табл.1) либо с направлением (011)(табл.2),эти направления соответствуют осям выращивания промышленных монокристал. - лов Криста лы устанавливают на станке для юстировки и резки (4) и юстируют по отражениям от гребней, боковую грань (011) совмещают с 0 на горизонтальном лимбе, Верх и них кристалла разрезают по плоскостям (211) с коррдинатами: долгота у = 90, широта= 1928, боковые стороны раз3 365756 4резают по плоскостям (011) с коорди- . тами: долгота с= 99 о 28, широтанатами; долгота= 6600,:широта= 6446.ое 90 00 ,ф о р м у л а из о б р е т е н и яАналогично отъюстировывают и раз- Способ обработки монокристалло5врезыот кристаллы, удлиненные по оси кубической симметрии, включающий рас(011), координаты...

Номер патента: 1009117

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Андреев, Каплун, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, монокристаллов, профилированных

...и тепловой оси тигля 1. Так как каждыйиз них коаксиален этим осям, то температура у любых эквивалентных частейформообразователя, расположенных пообе стороны от осей, одинакова.1Устройство работает следующим образом,В тигель 1 через отверстия в крышке 2 загружают сырье, Устройство помещают в установку для выращиваниякристаллов известной конструкции, Вростовой камере создают контролируемую среду и, повышая температуру,расплавляют сырье. Расплав по капиллярам поднимается в зону кристаллизации. Затем к формообразователямподводят затравку плоской 9 (фиг. 3)или цилиндрической 10 (фиг. 4) формы,.Затравочный кристалл 9, 10 может бытькруглого или прямоугольного сечения,перекрывающего каждый формообразователь хотя бы в одной точке. Затравку 9, 10...

Номер патента: 1587080

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Леонтьева, Литвинов, Маринин, Прохоров

МПК: C30B 11/00, C30B 29/02

Метки: ампуле, газа, криокристаллов, кристаллизацией, направленной

...существенное влияние оказывает теплообменник в виде цилиндра с открытым дном (фиг.2). Он позволяет откачивать пары жидкого хладагента с части его поверхности. При откачке его из внутреннего объема теплообменника до минимальных температур охлаждается как хладагент, так и ампула 2. При откачке хладагента, находящегося снаружи теплообменника, уменьшением давления охлаждается хладагент. тогда как ампула 2 может находиться при более высоких температурах, что важно как при получении криокристаллов, так и при проведении экспериментов с ними. Если в процессе роста криокристалла давление газа настолько увеличивается, что теплообмен стал слишком большим, его можно понизить откачкой гелия из гелиевого криостата, Если на ампулу 2...

Номер патента: 1587081

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Левенгаген, Пальчик

МПК: C30B 13/00

Метки: вещества, высокочистого, зонной, органического, плавкой, разделения, слитка

...вещество в контейнере 1 оказалось погруженным в жидкий азот, и период откачки при помещении контейнера 1 в сосуд Дьюра с жидким азотом чередуется с отсутствием откачки и повышением температуры контейнера 1 до температуры окрукающей среды. Эти последовтельные операции повторяют не менее трех раз. За,тем в процессе откачки по перетяжке (не показана), припаянной сверху к патрубку 2, отпаивают контейнер 1 от вакуумной системы, герметизируя его тем самым по патрубку 2. Проводят очистку вещества в контейнере 1 методом зонной плавки при вращении контейнера 1 до конечного рас" пределения примесей. После эонной плавки контейнер 1 через йатрубок 4 с перегородкой 5 герметично спаивают с трубкой б и устройство разделения высокочистых органических...

Номер патента: 1587082

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Александров, Варганов, Калманович, Семенов, Степанов, Юшкевич

МПК: C30B 13/30

Метки: зонной, плавки

...вращение контейнера 6 с помощью зубчатой передачи 22. Осевое перемещение контейнера 6 (рабочий ход) происходит за счет взаимодействия установленного на плите 2 пальца 23 и кулачкового механизма 24 в форме спирали Архимеда, насаженного на ось привода 25, с помощью которого можно менять скорость поступательного движения контейнера 6. Для быстрого возврата последнего в исходное положение служит пружина (не показана). Нагреватели 9 электрически соединены с системами регулирования мощности (не показаны), с которыми также соединены фотоприемники-фо.тодиоды 18.Устройство работает следующим образом,Устанавливают угол наклона плиты 2 относительно горизонтальной оси с помощью стопорного винта 20. Кварцевый контейнер 6 с очищаемым веществом...

Номер патента: 1587083

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Гилярова, Головко, Корзинкин, Мытарев, Оксентьевич, Рогачев, Фомин

МПК: C30B 25/02, C30B 33/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термической

...газов, а также - в вытяжную вентиляцию, имеющую связь с чистой зоной 16, Г 1 о окончании загрузки производят стыковку реактора 2 с коышкой 8, при этом подключают подачу инертного газа через патрубок 15, Плотное прилегание плоского шлифа между реактором 2 и крышкой 8 обеспечивают при помощи сильфона 11 и прижимных пружин 14, После продувки реактора 2 с загрукенными пластинами 5.инертным газом нагреватель 1 выводят в зависимости от процесса на необходимую рабочую температуру, контролируемую термопарой 18. Включают подачу ПГС (в случае пирогенного окисления - пары, образованные сгоранием водорода в кислороде с добавлением хлористого водорода, в случае диффузии, например РРС 1 э - инертным носителем).На нагрузочном конце реактора 2...

Номер патента: 1588813

Опубликовано: 30.08.1990

Авторы: Ашкинази, Войтович, Золотаревский, Потешкина, Шульга

МПК: C30B 31/00

Метки: диффузионного, легирования

...1 ил. в зазоре между которыми размещена ,лигатура 4. В камере 1 расположены защитные экраны 5, выполненные из кварца, алунда или арсенида галлия. Между экранами 5 размещены попарно полупроводниковые пластины 6 нерабочими стрронами одна к другой, Между каждой парой пластин 6 установлены прокладки 7 из графита. Камера 1 выполнена из графита с плотностью 1,72-2,05 г/Ьм.Устройство работает следующим образом.Собранную камеру размещают в кварцевом реакторе, имеющем нагреватель .и систему подачи и вывода инертного1588813 15 20 ФОрмула изобретения 1, Устройство для диффузионного леГирования, содержащее камеру сСоставитель В, Захаров-Черенкотрова Техред Л.Олийнык едакто Корректор О, Кравцов Заказ 2518 Тираж 344 Подписное ВНИИПИ Государственного...

Номер патента: 1590484

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Дмитриев, Черенков

МПК: C30B 19/10, C30B 29/36

Метки: роста, скорости, слоя, эпитаксиального

...катодолюминесценцию, Цвет катодолюминесценции эпитаксиального слоя - зеленый,На фоне зеленой катодолюминесценции от эпитаксиального слоя наблюдают две полости, обладающие голубой люминесценцией, характерной для эпитаксиальных слоев Я 1 С - 6 Н, легированных алюминием; Расстояние между этими полосками составляет 9 мкм, Зная фиксированный интервал времени (2 мин) и толщину слоя, выросшего за это время (9 мкм), определяют локальную скорость роста Чрл = 4,5 мкм/мин.Общая толщина эпитаксиального слоя 42 мкм, Средняя скорость роста Чр, определяемая по известному способу, составляет 2,5 мкм/мин,П р и м е р 2. Эпитаксиальный слой выщащен аналогично примеру 1, но рост проводят в диапазоне температур 1640- 1570 С. Интервал охлаждения 70 С....

Номер патента: 1590485

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Балякин, Борисенко, Ерофеев, Кистерев

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

...кристаллов и пбростить технологию процесса. КС, КВг, выколотые по плоскоакрепляют в тефлоновом держаещают в жидкость (керосин) на 0,1 - 2;0 мм от торца волновода, ют ультразвуком в режил)е кавилитудой колебаний 5 - 20 мкм в 0 мин при комнатной темпера- проводят деформацию сжатием ению с 100до величины отноеформации 60-80%. 1 табл. щую 5 мкм, контролируют элек ческим датчиком. Время обрабо Температуру поддерживают на у натной.Обработанный образец вы зажима и деформируют сжатием лению с 100до значения отн деформации 80%,В таблице представлены характеристики предлагаемого способа,Использование предлагаемого способа упрочнения кристаллов КВг и КС), включающего одноосную деформацию сжатием по направлению с 100 до значений относительной...

Номер патента: 1424379

Опубликовано: 15.09.1990

Авторы: Бочкарев, Булаев, Гранковский, Зыкова, Леонтьев, Раскутина

МПК: C30B 15/10

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

...Затем сверху напы- ляется слой кварца, толщиной 3 мм.Устройство работает следуюарам 35 образом.После загрузки тигля 1 кремнием, герметизации и создания вакуума в камере печи электрический ток подают на нагреватель 5, разогревая его до ф рабочей температуры (1600-1750 С). Загрузка (16 кг и более) состоит обычно иэ кусков поликристаллического кремния весом до 2 кг, Плавление загрузки начинается через 30 мин после выхода нагревателя на 1700 С, причем вначале низней ее части. После расплавления загрузки производФт эат" равливание и вытягивание кристалла из расплава.В данном устройстве тигель 1 в процессе работы не меняет своей фор- ию, так как сетка 2, размещенная внутри стенки и дна тигля 1, повышает его механическую прочность....

Номер патента: 1412378

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Асхабов, Ракин

МПК: C30B 7/00

Метки: насыщения, температуры

...30 точки насьпцения и опускают кристалл алюмо.-калиевых квасцов размером 5 мм в диаметре, укрепленный на проволочном кристаллоносце, Спай регистрирующей медь-константановой термопары ус танавливают на уровне центра кристалла. Холодный спай устанавливают в дьюаре с тающим льдом, ТермоЭДС медьконгтантановой термопары составляет 40 мкВ/град. Объектив 4 диаметром 4 см имеет фокусное расстояние 18 см. В фокусе объектива устанавливают круг., лую черную диафрагму 5 диаметром ., . 0,5 мм. 1 а экране 6 появляется яркое .изображение дворика кристаллизации во 5 круг растворяющегося кристалла. Тем" пературу раствора понижают в режиме естественной конвекции, По мере охлаждения регистрируют температуру, соответствующую исчезовеню изобра 50 жения...

Номер патента: 1594220

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Владимиров, Губернаторов, Кетов, Соколов

МПК: C30B 1/04, C30B 29/02

Метки: выращивания, кристаллов, металлических

...и первичнойрекристаллизации.После,проведенных обработок получают заготовку с градиентом движущей. силы вторичной рекристаллизации подлине,На. конце заготовки,. где деформацню определяют равной 40%, устанавливают, что вторичная рекристаллизация при часовой выдержке начинаетсяпри Т 1,940 С, а скорость ростакристаллов при этой температуре равна 9 мм/ч, а на другом конце заготовки при Тк = 1020 С, а скорость .ростакристаллитов 15 мм/ч, По определенньм значениям температур и наименьшей скорости роста кристаллитов вычисляют скорость изменения температуры.При окончательном рекристаллиэационном отжиге Чн 12 .град/ч. Заготовку нагревают до 1020 С со скоростью 12 град/ч. По окончании от"жига фиксируют, что заготовка приобрела...

Номер патента: 1594221

Опубликовано: 23.09.1990

Автор: Степанцов

МПК: C30B 29/16, C30B 33/00

Метки: кристаллический, материал, оптический

...полученного кристаллического оптического материала в плоскости оптичес1594221 Составитель В.БезбородоваРедактор Н.Рогулич Техред АКравчук Корректор С,Черни Заказ 2814 Тйраж 348 Подписное 5 НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 13035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5П,.оизводственно"издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 ких осей под углом 30 о к границе сращивания направляют. луч света, наблюдают его расщепление на границе сращивания на обыкновенный и необыкно 5венный лучи и измеряют угол расщеплеония, который оказывается равным 38Ма монокристалле кальцита максимальный угол расщепления равен б 4оП р и м е р 3 Два оптически одноосных кристалла сапфира...

Номер патента: 1594222

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Груздев, Карпеев, Купрюнин, Мелкумянц, Раков, Федоров

МПК: C30B 29/30, C30B 33/00

Метки: состав, травления

...нагревают до 133 С, поме.- щают в образовавшийся расплав подложки ниобата и танталата лития и травят при этой температуре. Количество исходных компонентов для приготовления травителя и температуру травления определяют из фазовой диаграммы системы КР-НР при концентрациях КР 61 мас,Ж и НР 39 мас.й. зовано для химической обработки подложек ниобата и танталата лития. Цельизобретения - повышение скороститравления, Состав для травления монокристаллических подложек ниобата итанталата лития представляет собойрасплав компонентов, взятых в количестве, соответствующем на фазовойдиаграмме НР-КР, где И-щелочной металл и/или аммоний, соотношению,мас.7: МР 48-89, КР 11-52. Скоростьтравления повьшается в несколько разпо сравнению с прототипом. 1 табл....

Номер патента: 1597401

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Логинов, Рандошкин

МПК: C30B 19/04, C30B 29/28

Метки: выращивания, пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных

...этого температуру снижают до значения Т= 865-900 Со расплав помещают подложку из гад ний-галлиевого граната с ориентаци К 1597401(111) диаметром 20 мм, предварительно прогретую до той же температуры, Под- е ложку приводят во вращение со скоростью 120-180 об/мин. Наращивание пленок проводят в течение 1-30 мин, после чего подложку извлекают из раствора-расплава, приводят ее в ускоренное вращение для стряхивания капель раствора-расплава и охлаждают.Параметры пленок скорость движения доменных стенок, коэффициент опти- СР ческого поглощения гленок, выращенных при разных составах раствора-расплава и температуре роста, даны в таблице,1597401 Ф ор м у л а и з о б р е т е и и я СоставСодержание компонентов, мол.7) Вьоа Тт Оа Реоа Сатори т, фС...

Номер патента: 1599447

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Бодячевский, Бойко, Данько, Катрич, Самсонов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/20

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...включают механизм, и контейнер перемещается со скоростьюпротяжки 8 мм/ч, В течение всего процЕсса уровень концентрат.и примесейпОддерживается на уровне, не превышающем уровень концентраций, достигнутый в ходе нагрева шихты. Процесскристаллизации проводится при постоянных значениях мощности нагрева и скорости перемещения контейнера, После 15окончания кристаллизации проводитсяотжиг путем снижения мощности от еезиачения в процессе кристаллизации(12,5 кВт) до нуля в течение 16 ч 20Полученный кристалл характеризуется отсутствием тиндалевского рассеяния и луче гелий-неонового лазера,Способ выращивания монокристаллов тугоплавки окислов, включающий нагрев и расплавление шихты в молибденовом контейнере в тепловом узле из углеграфитовых...

Номер патента: 1599448

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Акчурин, Жегалин, Уфимцев

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: выращивания, слоев, эпитаксиальных

...823 К. При этой температуре осуществляют гомогенизацию раствора-расплава в течение 2 ч после) чего снижают температуру до 773 К (температура насыщения раствора-расплава) и осуществляют контакт раствора-расплава с первой подложкой 1 пАя. После проведения подпитки раствора-расплава контакт с первой подложкой прерывают и с помощью специальных слайдеров разделяют раствор- расплав на пять равных порций, Высота каждой порции раствора-расплава 0,2 см. Далее снижают температуру на 10 К и осуществляют последовательный контакт второй подложки 1 пАя с каждой порцией раствора-расплава. Время контакта с каждой порцией 3 мин3 1599448 4 Таблица 1 Пример Состав щих Толщина Суммарное время контакта подложки с .раствором расплавом,мин оличество...

Номер патента: 1599449

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Головко, Корзинкин, Мытарев, Оксентьевич, Фомин

МПК: C30B 29/06, C30B 31/00

Метки: пластин, полупроводниковых, термообработки

...со стороны загрузки подают предварительно закрученный инертный газ - азот с расходом до 300 л/ч,Рабочую зону реактора подогреваютдо 900-1100 С. В процессе пирогенного окисления в реактор со стороны,противоположной загрузке, подают пары воды, которые образуют сжиганиемводорода с расходом 600 л/ч в кислороде с расходом 400 л/ч с добавлением хлористого водорода в количестве15-20 л/ч,В процессе проведен япластин отработанную п1599449 формула изобретения Составитель В, Безбородова Техред И,Иоргентал Корректор А, Пбручар Редактор Л. Веселовская Заказ 3123 Тираж 346 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-издательский комбинат "Патент",...

Номер патента: 1604865

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Буткевич, Коротаев, Линейцев, Хамитов, Чумляков

МПК: C30B 11/02, C30B 29/52

Метки: железа, меди, монокристаллов, никеля, основе, сплавов

...и 2%. кобальта. 15 Температура плавления сплава около 1200 С, Кристаллизацию осуществляют в аналогичных условиях.П р и м е р 5. Получают монокристаллы сплава на основе кобальта, со держащего 46% никеля и 7% титана.Температура плавления сплава около 1440 С,. Кристаллизацию осуществляют в аналогичных условиях.П р и м е р 6. Получают монокрис таллы сплава, содержащего 50% никеля и 50% титана. Температура плавления сплава около 1350 С, Кристаллизацию осуществляют в аналогичных условиях.Из данных таблицы видно,что выход годных модокристаллов по предложенному способу в 2-3 раза выше.Таким образом, способ получения монокристаллов сплавов металлов позволяет существенно повысить выход годных и, соответственно, повысить производительность...

Номер патента: 1604866

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Александров, Варганов, Калманович, Семенов, Юшкевич

МПК: C30B 13/00, C30B 13/20

Метки: веществ, зонной, методом, плавки

...Фаза - расплав происходит перераспре 50 деление примесей между твердой и жидкой Фазами за счет из различной растворимости в твердой и жидкой Фазах. Примеси при движении расплавленных зон оттесняются к концам контейнера55 в зависимости бт коэФФициентов распределения и, таким образом, осуще-ствляется очистка вещества. Количество проходов расплавленных зон выбирают в зависимости от целей эксперимен"та.При очистке веществ методом зонной плавки большая сложность состоит в необходимости использования дорогостоящих толстостенных кварцевых труб и трудоемкости работ по изготовлению шлиФовальных контейнеров. В данном . решении эта задача решается за счет изменения конструкции нагревателя, обеспечивающей воэможность работы с контейнерами, имеющими...

Номер патента: 1604867

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Васильев, Глазунов, Гуреев, Гусев, Забелышенский, Левандовский, Обрывков

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, кристаллов

...16 камеры 1 роста и передаетсяв оптическую систему телевизионнойкамеры 9. Изображение кристалла нафронте кристаллизации формируетсяобъективом 12 телевизионной камеры 9в плоскости светочувствительного элемента видикона, где происходит преобразование светового излучения вэлектрический сигнал, который передается на телевизионный приемник 13.В зависимости от параметров выбранного объектива 12, черно-белоеили цветное изображение на экране телевизионного приемника 13 может бытьполучено с различной кратностью увеличения. Регулировка масштаба изображения производится перемещением телевизионной камеры 9 вдоль оптической оси и соответствующей фокусиров-кой объектива 12. Регулировка яркости и контрастности изображения производится...

Номер патента: 1604868

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Еськов, Кривцов

МПК: C30B 15/32

Метки: выращивания, затравкодержатель, кристаллов

...штока, при меньшей длинехвостовой части возможна разориентация затравки. Соотношение длин элементов затравки определены экспериментально,Высота прямоугольного выступа(0,15 внутреннего диаметра + толщинастенки керамического штока) определяется внутренним и внешним диаметрами штока. В затравочном,кристаллеи в штоке выполнены соосные отверстия 6 для металлического штифта 5.Диаметр отверстия в штоке равен диаметру штифта + О, 1 мм, диаметр отверстия в кристалле равен диаметруштифта + 0,15 мм, что соответствуеттехнологическим допускам,Это позволяет заклинивать затравку поворотомштифта. Для этого штифт имеет изгиб,радиус кривизны которого определяютопытным путем.Затравочный .кристалл вставляютв шток хвостовой частью, совмещаяего...

Номер патента: 1604869

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Петьков, Редькин, Татарченко

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

...фронта кристаллизации.П р и м е р. Проводят выращивание кристаллов ниобата лития из тигля диаметром 40 мм, высотой 35 мм. Формообразователь имеет среднюю кривизну сопрягающей поверхности 0,1 б К в - 10, причем изменение средней кривизны ЬК по всей поверхности сопряжения не превышает 0,2. Тигель и формообраэователь выполнены из платины.Результаты экспериментов представлены в таблице.Использование изобретения позволя ет осуществлять выращивание монокристаллов в виде стержней, пластин иразличных замкнутых профилей. Формула и з обретенияСпособ выращивания профилированныхкристаллов, включающий затравление сторца формообразователя, зацеплениемениска расплава за рабочую поверхность формообразователя и выращивание при подвижном мениске...

Номер патента: 1604870

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Балюк, Ковалев, Крыжановский, Лозовский, Овчаренко, Юрьев

МПК: C30B 19/00, C30B 29/06

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...1. Пластины имеют диамето 30 мм. Как и в примере 1, из пластин формируют композицию, которую п,мещают в муфельную печь, Рядом с композицией располагают навеску алюминия массой 600 мг. Печь нагревают до 850 С и вводят при этой температуре в зазор между пластинами расплав алюминия. Снижают темпе ратуру до 650 С и фокусируют при этой температуре на поверхности пластины- источника лазерные лучи от пространственно разнесенных нескольких стеклонеодимовых источников излучения. Дли на волны облучения 1,06 мкм. Через 3 мин облучение композиции прекращают, охлаждают печь до комнатной тем-пературы. В полученном эпитаксиальном слое кремния, легированном алюминием, полностью отсутствуют микрозоны, а плотность дислокаций составляет 2,9 х х 10...

Номер патента: 1604871

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Красин, Макарова, Николаев, Николаевский, Ющенко

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: структур, феррогранатовых

...зерна 1 мкм),ляют в ппатиновом девают до 900 С. При э1604871 Составитель А, ЛихолетовТехред Л,Олийнык Корректор И.Эрдейи Редактор А.Шандор Заказ 3435 Тираж 347 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 подложку погружают в раствор-расплав, находящийся в первом тигле, иосуществляют. травление подложки соскоростью 30 мкм/мин, Скорость ВраЩения подложки в растворе"расплаве сос"тавляет 100 об/мин, Через 0,3 минпосле начала травления подложку извлекают из первого раствора-расплаваи погружают в раствор-расплав, находящийся во втором тигле, при температуре 910 С. Выращивание слоя(УЕцТтпСа)...

Номер патента: 1604872

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Епифанов, Суздаль, Цуранов, Шевченко

МПК: C30B 29/20

Метки: алюмоаммонийных, выращивания, квасцов, корунда, кристаллов, шихты

...степени ее загрязнения, вкачестве неконденсированной среды используют водяной пар, нагретый до 95 - 120 С,давление поднимают до 150 - 200 кПа, а и роцесс проводят в течение 5-10 мин. аемыйть сте- тепени ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР(56) Авторское свидетельство СССРМ 1189831, кл, С 04 В 7/00, 1984,Авторское свидетельство СССРМ 1024563, кл. Е 02 Р 5/30, 1981,(54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ШИХТЫ ИЗАЛЮМОАММОНИЙНЫХ КВАСЦОВ ДЛЯВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КОРУНДА Изобретение относится к области выращивания кристаллов, в частности к способам обработки алюмоаммонийных квасцов при приготовлении шихты для выращивания монокристаллов корунда.Целью изобретения является повышение степени измельчения шихты при снижении степени ее...