C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 161120

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 13/00

Метки: 161120

...зонной плавки с применением предлагаемого способа создания низкотемпературного фона.В кварцевой трубе 1 расположена запаянная ампула 2 с лодочкой 3, в которую помещено соединение 4, подлежащее очистке, например арсенид галлия; мышьяк 5, находящийся в отростке ампулы, нагревается печью сопротивления б. Расплавленная зона создается высокочастотным индуктором 7.Инертный газ, движение которому сообщается центробежной турбиной 8, циркулирует в замкнутой системе, нагреваясь до 1000 С в радиаторах 9 щелевого типа, и омывает ампулу 2 с соединением, нагревая ее до 600 - 650 С, Вокруг ампулы 2 с соединением образуется равномерное тепловое поле при возможности полноценного визуального контроля за процессом.Предлагаемый способ создания...

Номер патента: 161127

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 15/06, C30B 29/64

Метки: 161127

...излучения от дополнительного нагревателя на поверхность расплава. Кварцевая труба 2 вместе с лодочкой 1 помещается в электро- печь 5.Процесс ведут как в вакууме, так и в атмосфере инертного газа. В последнем случае возможно обдувание поверхности расплава газовой струей через трубку б для локального охлаждения. Лодочку нагревают преи.щественно снизу, чтобы обеспечить необходимый температурный градиент в расплаве, После расплавления полупроводникового материала мощность нагревателя понижается, поверхностный слой переохлаждается на 8 12 С и затравка 7 приводится в тангенциальное соприкосновение с мениском расплава 8.Затравка закреплена на штоке 9 затравкодержателя, совершающего во время затравливания и стягивания дендритной ленты...

Номер патента: 161488

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 13/04

Метки: 161488

...по предлагаемо.;у способу.Горизонтальная загрузка 1 металла или полупроводника имеет одинаковую высоту по длине. Расплавленные зоны 2 создают с помощью индуктороз 3, которым придают форму, нужную для образования в зоне полости нли избытка расплава. В начале цшсла зоиной перекристаллизации избыток расплава при формировании полости сливается в приемник 4 очищенного продукта. 15 Подпн 11, донь. схо ,.1)1)1 ) 1, рна О 1 слс)кнт и.татсль а, рсс.,Ол)есн 1.1.1 м".к. секиен 1 зар 5311 с:1:ОГО:1 .с",н,сн 1 О:1:н",1- нсГО матс 1 риага. В 301;ах ссх, 1соз,аст:л изоыто, Пгсп,ад, котс" ь:1 с,на етсяКО:цс цикл 1 н прис)н 1", б 3;1:)5 ансн 1 ОГО:)Одхт;1,СОооо п)н)"1,"5 нара"О 1 аотаОИ 1 нх Оез секции Загряз: сн:ОГО ГнСдмк Га, со олино)1...

Номер патента: 161690

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 29/22, C30B 7/04

Метки: 161690

...температуры, степень переохлаждения, содержание примесей и их природа.Предложен способ стабилизации скорости роста монокристаллов типа бромноватокислого натрия изоляцией растущего кристалла от всяких источников света при постоянстве основных параметров, влияющих на скорость роста. 3Пр и мер. В случае выращивания монокристалла бромноватокислого натрия при температуре 10 С и цпереохлаждении 42 С, с точностью поддержания температуры в районе затравки О,О 17.С на кристаллах до 2 мм сред ТЗЛЛОВ ОрОМНОВЗТОКИСЛОГОнее отклонение скорости роста при свете составляет 0,21 лак/лиан, без света0,07 мн/мин.При температуре 4 ОС и Переохлаждении 4,2 С влияние света не обнаружено.Способ стабилизации скорости роста криснатрия при постоянных величинах...

Номер патента: 161707

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 25/02, C30B 29/42

Метки: 161707

...1 мссей.Предлагаемый способ получения пе. ок арсеила галлия отличается от известных тем, что возгонку производят в атмосфере паров йода (перенссчнк вещества) при температуре в области источника от 750 до 1000 оС и в области подло)кки - от 600 до 800 С.Кварцевую откачанную и запаянную ампулу (длина 200 119 и диаметр 20 11,1) с источником арсенида галлия произвольных размеров, подложкой, выбираемой в зависимости от поставленной задачи, и 1 1 г/сла йода помещают в печь. Температура в области источника может колебаться от 750 до 1000 С, в области подложкиот 600 до 800 С, разность температур ме)кду источником и подложкон дол)1:.а Оыть не )1 енее 100 С,Исто 1.Пко.;1 может сл) жить нолик)нсталлпческнй арссннд Галлия, легнрованнь 1 Й нужной...

Номер патента: 161925

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 13/00

Метки: 161925

...имеющего отверстие для слива чистого продукта в центре и кольцевое отверстие для слива загрязненного продукта, расположенное перед питателем, причем загрузка в контейнере имеет уклон от периферии к центру.Это дает возможность осуществить непрерывный процесс зонной перекристаллизации по зонно-транспортному способу с непрерывным отбором чистого продукта.На чертеже представлен общий вид аппаратаа.В кольцевом контейнере 1 расположена наклонная загрузка 2. Расплавленная зона 3 создается спиральным нагревателем 4.Для подпитки исходным материалом б служит кольцевой питатель б, распо по периферии контейнера. Чистый непрерывно сливается через отвер центре контейнера.Попадание в питатель примесей вращается сливом загрязненного через...

Номер патента: 163158

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 19/00

Метки: 163158

...рычаг 5, который своим свободным концом опирается на головку штока б, сообщая ему возвратно-поступательное движение. Во время соприкосновения эксцентрика с рычагом участками а, д, с, К которые являются частями окружности, шток неподвижен и кристалл соответственно находится в расплаве или в зоне кристаллизации.При прохождении участков а, К с и с шток находится в движении и закрепленный на нем кристалл-затравка входит в расплав и выходит из него.Время полного цикла определяется скоростью вращения оси редуктора, а соотношение времени нахождения кристалла в той или иной зоне соотношением углов а и р,Перед началом кристаллизации тигель с163158 Предмет изобретения 7 Составитель Н. Н. ГрехнсваРедактор Л. К. Ушакова Тсхрсд А. А....

Номер патента: 163362

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 25/00, C30B 29/44

Метки: 163362

...Л. И. Марина и С, В. ЯкобсонСПОСОБ ПОЛУУМЕНИЯ МОНОКРНСТАЛЛОВ фОСфИДА.АДАМИЯ,3 Известен способ получения игольчатых монокристаллов фосфида галлия, основанный на восстановлении моноокиси галлия парообразным фосфором.Предложено для получения монокристаллов фосфида галлия реакцию взаимодействия паров фосфора с моноокисью галлия осуществлять в токе инертного газа, В результате указанной реакции, протекаюцгей непрерывно до полного использования исходных реагентов, удается получить значительно более крупные монокристаллы, часть которых выделяется в форме пластин.Предмет изобретенияСпособ получения монокристаллов фосфида г аллия путем взаимодействия (реакции) паров фосфора с моноокисью галлия, отлич а ю щ и й с я тем, что, с целью...

Номер патента: 163588

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 15/00

Метки: 163588

...находилась несколько ниже диафрагмы, т. е. при температуре, несколько превышающей точку плавления Т В расплав вводят затравку, после че- О го при перемешении холодильника и тигля срасплавсм вверх с заданными скоростями относительно печи происходит выращивание кристалла.Соотношение скоростей подъема холодиль ника с затравкой (11) и тигля с расплавом( Р 2) выбирают исходя из заданной величины диаметра кристалла. Так как граница кристаллизации неподвижна относительно печи (ее положение задается распределением тем- О пературы по оси печи), то при росте цилиндрического кристалла диаметром а в тигле диаметром 0 должно выполняться соотноше)к 750 по ислам изобр пр. Серова, д.Типограия, пр. Сапунов плана вблизи точки плавления), Отсюда следует д...

Номер патента: 163759

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Юбретеии

МПК: C30B 11/00

Метки: аппарат, выращивания, высокотемпературных, зонной, монокристаллов, разлагающихсясоединений

...регулируется путел 1 отпускания натянутой струны. 25 ддлов рЬлд- давлеуса, в ель ц оцокрис атурных ава под и из кор нагреваля выращивания л стки высокотемпер единений из расплго газа, состоящн рого установлен Аппарат д и зонной оч гающихся со ннем инертно полости кото В известных аппаратах для выращивания монокристаллов и зониой очистки высокотемпературных разлагающихся соединений з расплава под давлением инертного газа контейнер связан с внешним электродвигателем штоком, проходящим через уплотнение,Отличие предлагаемого аппарата состоит в том, что его корпус снабжен направляющей полостью, в которой установлены спиральная пружина и совершающий возвратно-поступательное движение поршень, связанный с контейнером штоком, а с внешним...

Номер патента: 164016

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Обуховский, Сысоев

МПК: C30B 29/16, C30B 9/12

Метки: л10нокристаллов, окислов, тугоплавких

...и сложных окислов и других соединений, растворимых в криолите; выращивание может проводить. ся при более низких температурах, чем температуры плавления кристаллизуемых соединений; возможно выращивание кристаллов стехиометрпческого состава; благодаря без.градиентномр принципу выращивания исключаются термические напряжения в кристаллах и несовершенства кристаллической 5 решетки; возможно выращивание монокрпсталлов сложных соедшенпп; отсутствуют принципиальные затруднения в получении мопокристаллов больших размеров; растворитель пе вносит существенных искажений в 10 физические и оптические свойства кристаллов; легнрующие примеси равномерно распределяются по кристаллу; криолит является технически доступным материалом крупнотоннажного...

Номер патента: 165311

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Розин

МПК: C30B 13/26

Метки: нагреватель, сопротивления

...п вытягиваметоду Чохральского,в соответствуюримецеп также кристаллов по ппя слитков по Нагреватель сопротивления, например дляустановок зоппой перекрцсталлцзашш металлов и полупроводников, представляющий со бой мюоговптковую цилиндрическую спираль,отл ич а ющи й с я тем, что, с целью обеспечения перемешпваппя расплава, оц выполпеп в виде двух плп нескольких секций, питаемых сдвипутымп по фазе токами. Подписная группа1 Известные нагреватели сопротивления, пред.ставляющие собой прямую мцоговитковую цилиндрическую спираль и применяемые для создания расплавленпой зоны, например в установках зопцой перекристаллизации, не обеспечивают перемешивация расплава.Предлагаемый нагреватель выполцец в виде двух или нескольких секций, питаемых...

Номер патента: 165541

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Бергер, Иот

МПК: C30B 13/32

Метки: веществ, зонной, перекристаллизации

...так, что ее ось все время является касательной к этой дуге. При такой конструкции уменьшаютсл габариты установки и можно использовать двигатели меньшей мощности.На чертеже изображен общий вид описываемой установки.Прямолинейная ампула 1, в которую может быть помещен слиток или лодочка с загрузкой, установлена иа стойках 2, прикрепленных к направлгцощей рейке 3. Рейка свободно установлена на подшипниках качения 4 между двумя эвольвеитиыми направляющими5. Нагреватель б с помощью держателя 7 связан с валом 8 редуктора 9 и с кареткой 10,Двигателем 11 является часовой механизм.5 При повороте вала редуктора нагревагельперемещается по дуге окружности с радиусом, равным расстоянию от оси вала редуктора до нагревателя. Каретка при...

Номер патента: 165670

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Костин, Техническдй

МПК: C30B 11/02, C30B 29/34

Метки: выращивания, монокристаллов, слюды

...перегреве в центре печи(1440 С), перепаде температуры на расстоянии 150 мм до 1380 С и при движении систе мы тиглей по 1 мм в час снижение температуры в час будет равно 0,4 С.Способ предусматривает перемещение системы тиглей со скоростью, необходимой для поддержания заданной скорости охлаждения 25 или нагрева. Спосоо выры из расплав 0 тигля с распл одписнпя группо ЛБ 33 Известны способы выращивания монокристаллов елоды (фторфлогопита) из расплава путем медленного опускания тигля с раснлавом сквозь зону максимального нагрева. Процесс требует много вр(меня и ведется ступенями.В предлагаемом спосоое, основанном на кристаллизации опусканием тигля (или ряда тиглей) сквозь разо.ретую зону нагревателя (печи), используется промежуточный...

Номер патента: 166841

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Александров, Йсессю

МПК: C30B 1/08

Метки: металлов, монокристаллов, полупроводников

...при со температуры и давлен зия таким условиям = 22 000 кг/см 2 и 1 = 19 р = 40 000 кгсл 2, г = 2 здании определеннои я, Например, для цесоответствуют р = 7 С, для рубидия - 0 С мого способа является о производят при давсоответствующих эквой плавления или криорф ного превращения вещества. При этих усия или полиморфное ят без изменения объеазование врожденных дме обретен Способ получени лов и полунровод сталлизацией расп цией в твердой фаз с целью получения сталлов, кристалли ленин и температ ремальной точке к тической точке по перекристаллизуем и ла е, лым числом дислокапособу могут быть пороцессе зонной переодписная гргггпа16 Известен сметаллов и пдислокацийрасплава илфазе.Отличием описываето, что кристаллизацилении и...

Номер патента: 167820

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Валов, Горюнова

МПК: C30B 29/40, C30B 9/12

Метки: бора, монокристаллов, фосфида

...СОБ ПОЛУЧЕН НОКРИСТАЛЛОВ ФОСФИДА БОР вой а 1300нии влы ф фосфичью осуи ВР из да бора 0 С, вы- темперас печью. Способ получения да бора, отгичающий ществлеия процесса раствора, шихту, состо и фосфида никеля, н держивают в течение туре, после чего охл монокристаллов я тем, что, с це кристаллизаци ящую из фосф гревают до 130 часа при этой ждают вместе ггисная группа39 С целью осуществления процесса кристал. лизации фосфида бора из раствора, предложен способ, согласно которому шихту, состоящую из фосфида бора и фосфида никеля, нагревают до 1300"С, выдерживают в те чение часа при этой температуре, после чего охлаждают вместе с печью. При этом растворителем для фосфида бора является фосфид никеля, который при температуре 1300 С, будучи в...

Номер патента: 167836

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: C30B 23/00

Метки: 167836

...травят в 25 кипящей царской водке пли смеси азотной и плавиковой кислот для удаления поверхностных загрязнений. Средний размер кристаллов исходного карбида кремния 0,5 в5 л и. Тигель закрывают графитовой крышкой и помещают внутрь нагревателя в таком положении, чтобы температура дна тигля была на 60 - 100 С ниже, чем в верхней его части, а с постепенным ее повышением печь откачивают при вакууме не ниже 10 - з лю рт, ст. (2 - 3 час откачки). Г 1 о достижении 1900 - 1950=С тигель выдерживают в течение 1 час повышение температуры (рабочий) до 2150 С должно занимать не более 15 лин, Прп 2100 - 2250 С процесс продолжается б - 8 час, вакуум 10 4 .ил рт. ст,Кристаллы а - ЫС легко отделяются от 1 З - ЯС. Большинство а - 1 С (по...

Номер патента: 168261

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: C03B 11/02, C30B 29/34

Метки: 168261

...калиевый полевой шпат, содержащий примеси Ма.О до 3,5%, СаО до 0,4%, Ре 20 з до 0,3% с добавками МдО и МоГ2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью улучшения кристаллизационной способности расплава и возмещения потерь летучих, в основную шихту вводят 2,5% К 51 Г. Подписная группа М 39 Известны способы выращивания синтетической слюды из расплава шихты, состоящей из различных химически чистых компонентов, взятых в стехиометрии. Эти способы не позволяют получать кристаллы больших разме ров; кроме того, они сравнительно дороги.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что получаются более крупные кристаллы с использованием реагентов меньшей стоимости. Особенность способа заклю чается в том, что берется шихта, состоящая в...

Номер патента: 168262

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Надгорный, Степанов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, щелочногалоидных

...степени поглощения ультразвука и при достижении 250 С дальнейшее охлаждение ведут практически мгногенно. Способ получения щелочногалоидныхсталлов выращиванием их из расплаваследующей термообработки, отличаютем, что, с целью придания кристаллуства поглощать ультразвук в заданнойни, в расплав вводят примеси галоидньлей двухвалентных металлов, и охлакристалла после отжига осуществляютременной скоростью. крин поигийся свойстепегх сождениес пеПодггисная груггга3 присоединением заявкиИзвестными способами щелочногалоидные кристаллы получают из расплава следующим образом. По окончании выращивания кристаллов их охлаждают до температуры отжига, отжигают, и дальнейшее охлаждение 5 ведут с постоянной скоростью. Получаемые этими способами...

Номер патента: 169063

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Аникин, Бутузов, Шушканов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов, флюорита

...ра хлорис ивания монокристаллов флюийся тем, что, с целью упроческой схемы и получения с равномерным распределемонокристаллы выращивают юорита путем перекристалли.флюорита в гидротермаль.автоклаве при 450 в 4 С и 200 атм с использованием в ителя водного 45 - 50%-ного того лития. Подпиская гоуггпа Известен способ выращивания монокр лов флюорита кристаллизацией из рас в вакууме при высокой температуре.Описываемый способ отличается от известного тем, что монокристаллы флюорита выращивают на затравку флюорита путем пере- кристаллизации исходного флюорита в гидротермальных условиях в автоклаве при 450 - 480 С и давлении около 200 атл с использованием в качестве растворителя водного 45 - 500/,-ного раствора хлористого лития. При применении...

Номер патента: 169064

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Изергин, Калашников, Сибирский, Черниговска

МПК: C30B 15/10, C30B 29/42

Метки: ампула, выращивания, кварцевая, монокристаллов

...б. Затравка 7 перемещается с помощью системы магнитного подъема 8. Заданное распределение температуры обеспечивают регулировкой печи 9, индукционного нагревателя 10 и холодильника б. Ампула соединена с фланцем 11 с помощью обычного вакуумного уплотнения 12. Вакуум-провод 13 Перед началом работы внутренние стенки ампулы и ее содержимое тщательно очища После сборки ампулу дополнительно очища путем прокаливания в вакууме мышьяка при 250 в 3 С в течение 2 - 4 час 1 галлия при температуре 600 в 8 С около 2 час). При этом температура стенок ампулы все время поддеркивается 700 С. Затем температуру мышьяка повышают до 608 С, Некоторое количество его конденсируется в наиболее холодной части ампулы вблизи холодильника. Мышьяк создает узкое...

Номер патента: 169795

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Маликов

МПК: C30B 11/00

Метки: направленного, отвода, тепла

...описываемого устройства является то, что трубки установлены внутри корпуса коаксиально друг другу и могут совместно перемещаться относительно корпуса в продольном направлении.На чертеже изображено устройство, общий вид.В цилиндрическом корпусе 1 установлена подвижная система из двух коаксиально расположенных трубок: внутренней трубки 2, через которую поступает охлаждающая жидкость, и внешней трубки , через которую она отводится. Трубки могут совместно перемещаться относительно корпуса с помощью привода или вручную. На дне корпуса укреплена металличшайба 4 с коническим углублением 5 вре, на которую устанавливают тигель сплавом, имеющий коническое дно. Скоотвода тепла в процессе выращиваниясталла регулируют. перемещая...

Номер патента: 171382

Опубликовано: 01.01.1965

Автор: Бажал

МПК: C30B 29/22, C30B 7/04

Метки: выращивания, монокристаллов

...заявкил. 12 с, 2 МПК В 01 д ДК 66,065.5(088,8 иоритет Опубликовано 26.Ч.1965. Бюллетень11 Дата опубликования описания 28.И.1965 ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛО редмет изоб Известныйсталлов метоных растворолен. посоо выращивания монокрим кристаллизации из насыщендлителен и малопроизводитеени Предлояенныи способ лишен этих недостат. ков и состоит в том, что кристаллизацию ве дут при темпер ату ре кипения насыщенного раствора в строто герметизированном объеме и постоянном давлении,одписная группаГосударственный комитет по делам изобретений и открытий СССРСпособ выращивания монокристаллов, например алюмоаммониевых квасцов, методом 5 кристаллизации из насыщенных растворов,отлссчаюи 1 ийся тем, что, с целью интенсификации процесса,...

Номер патента: 171854

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02

Метки: аб, всесоюзядя, иот, латенчо, нсмя, резников, яи, •-6

...и( и )отиГ ( с(т Г) (х)) ( (бладающцхи 1) )(стал л а и ц посл. с тем, что,к( цц) тмикц)(:)- ( ) ь )(цй цр б Подпсн(л г/)(/(тп ЛГ д11 Отжиг, например моцокристаллов 1.)Р, поизвестному способу проводят в цзотермических условиях. При этом процесс требует достаточцо высокой температуры, большой выдержки при температуре отжига и медлецного охлаждения,Предлагаемый способ быстрого цизкотемпсратурцого отжига заключаетсл в использовании цецзотермцческой релаксации прибыстром нагревании. Прц этом уровець цапряжешш искусствеццо повышается за счетцаложецил ца остаточцые цапрякеция термоупругих цапряжеций (скорость, рассеяниеостаточцых напряжений возраста(от), температура, до Которой надо нагревать моцокристалл, понижается, допустимая скорость...

Номер патента: 172287

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Волынец, Губен, Козлов, Охапин, Смирный

МПК: C30B 11/10

Метки: газопламенного, монокристаллов, отжига

...того, с целью уменьшения концентрации дислокаций В монокристалле, ВО Врсмя кристаллизации проводят поочередное, начиная сверху, подключение трубок, расположенных по спирали.Данный способ иллюстрируется конкретным примером его осуществления для выращивания и Отжига моно,рцсталлОВ корунда (температура плавлсш 1 я 2050-С) длиной 150 х 1,1 и диаметром до 25 з 1,11 с крцсталлографической ориентировкой 0, 15", 40, 60, 75 и 90 в стандартной печи. В зоне отжцга были проделаны нормальцыс к поверхности печи (стальНОИ 1 у ,Ожуку ц адуцдовой жарОВО ТрубЕ) круглые отверстия, расположенные по спцральнОи криВО 1 таким ООразом, что каждое слсду 1 ощее ОтВерстне Вын 1 с (ц 1 и нцжс) предыдущего на 12 я,11, а их Осц смс 1 цецы в проекции ца...

Номер патента: 173202

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Биол, Клевцов

МПК: C30B 29/32, C30B 7/10

Метки: монокристаллов

...(088,8) ликовано 21 Ч 1,1965. Бюллетень15 ата опубликования описания 26,Ч 111.1 Авторыизобретения цов и Л. М. Кефели П аявитель СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ Общеизвестен способ получен таллов методом гидротермаль при температуре выше 400 С. рического состава, либ олибденового катализато монокрисо синтеза тов стехио шок желе пор Предмет 5 Способ получения жащих железо, гид при температуре 450 тем, что, с целью и либдата железа, их 10 водном растворе хло лов Ге О - ЗмоО;, и молибденового катализобретен монокристаллов,ротер мальным си- 500 С, отличаюолучения кристаллвыращивание веристого железа изли из порошка иизатора. идроучаеза способ голяет пол тбдат желедут в автоклаи температуре40 - 50%, велеза. Питаткислов исход одписная...

Номер патента: 173421

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Буслаев, Козлова, Рез, Роде, Сафронов, Сперанска

МПК: C30B 29/32, C30B 9/12

Метки: выращивания, луч, монокристаллов

...кристаллы основного соединения отделять от расплава с помощью подвижной сетки-сепаратора при температуре выше температуры образования инконгруэнтно плавящегося соединения.По описываемому способу смесь исходных компонентов (В 10, 78% и Т 1 О 22%) загружают в платиновый тигель, в котором помещается также сетка, соединенная стержнем с подъемным устройством, После расплавления шихты расплав выдерживают в течение суток при 1200 С; сетка в это время служит для перемешивания расплава. После выдержки температуру расплава равномерно снижают со скоростью 1 - 2 в час до 900 С (сетка находится на дне тигля), в результате чего происходит процесс кристаллизации В 14 Т 1:04;. При 900 С сетку с кристаллами поднимают и выдерживают 5 - 6 час для...

Номер патента: 174171

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Всесоюзный, Кисиль, Крайнюков

МПК: C30B 11/00, C30B 29/50

Метки: 174171

...узком температурном интервале, Предлагаемая ампула отличается от известных тем, что в нее по скользящей посадке вставлена соответствующего размера диафрагма с отверстием для отбора монокристаллической затравки. Такая конструкция облегчает выращивание монокристаллов и повышает их выход. При этом возможна замена деформированной диафрагмы новой и, следовательно, многократное использование ампулы в широком температурном интервале.На чертеже показана конструкция предлагаемой ампулы.Она изготовлена из графита и имеет форму цилиндра с коническим дном 1 под углом 120 - 130, заканчивающимся коническим сум, но с острым углом, например 20 - ысота ее - 150 лглс В конусное дно амвставлена диафрагма 2 до упора, с тром 22 лл и высотой 12 лглс,...

Номер патента: 175480

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Аникин, Кочеткова

МПК: C30B 11/02

Метки: кристаллов, синтетическойслюды

...п подачи инертного газа в процессе опыта.После механической очистки внутренних стенок удаляют пыль тампоном, смоченным спиртом, и просушивают при температуре 60 - 70 С, Загружают шихту, состоящую цз ортоклаза, периклаза и фторцстого магния, с величиной зерен 0,05 - 1 лл, с содержанием окислов железа и влаги не более 0,1% 0,01% соответственно.Для удаления болыпей части имеющцхся в объеме тигля воздуха ц глагц в период загрузки шцхты производят неоднократное вакуум ировапие с последующим заполнением осушенным ц очищенным от кислорода газом (аргоном, азотом). Тигель в процессе вакуумировация прогревают до 120 в 1 С. После заполнения тигля шихт сго закрывают крышкой, цзготов де плоской тарелки с высоким верхнему краю которого процзв 5...

Номер патента: 184246

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Витовский, Добржанский, Нете, Чернышев

МПК: C30B 23/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...4 и закрываются сверху крышкой Б,Порошкообразное кристаллизуемое вещество засыпается в конусную часть ампулы 6с крючком для крепления 7, затем плотно утрамбовывается. После этого в цилиндриче 5 ску 10 часть ампулы помещается спрессованноеьещество и закрывающий поршенек 8 (из материала ампулы). Подготовленная таким образом ампула откачивается или наполняетсянеобходимой газовой средой и запаивается,Запаянная ампула прикрепляется к стержню9, соединенному с механизмами вращения иперемещения ампулы, Благодаря теплопроводности стержень выполняет роль дополни.тельного теплоотвода от растущего кристал 15 ла,После включения нагрева печи ампула усганавливается так, чтобы центр теплоотводанаходился в зоне максимальной температуры,после чего...