C30B — Выращивание монокристаллов
Способ получения монокристаллов соединения двойного бората бария-редкоземельного элемента
Номер патента: 1838457
Опубликовано: 30.08.1993
Авторы: Клейнман, Косяченко, Стефанович, Трунов, Хамаганова
МПК: C30B 29/22, C30B 9/06
Метки: бария-редкоземельного, бората, двойного, монокристаллов, соединения, элемента
...сдвинуты из плоскости, вкоторой расположены анионы кислорода, что создает электрические диполи, ориентированные вдоль гексагональной оси. Этой особенности кристаллической структуры отвечает существование у кристаллов сегнетоэлектрических и связанных с ними пироэлектрических, пьезоэлектрических и нелинейно-оптических свойств.Квадратичная оптическая восприимчи вость кристаллов ВазУЬ(ВОз)з определяласьметодом генерации второй оптической гармоники на порошковых препаратах разной степени дисперсности согласно, Измерения проводились с помощью лазера на иттрий алюминиевом гранате, активированномионами неодима Я=1,0 б 4 мкм) в режиме модулированной добротности по схеме "на отражение" по отношению к эталонному препарату а-кварца...
Способ получения кристаллической кремниевой пленки
Номер патента: 1422957
Опубликовано: 15.10.1993
Автор: Романов
МПК: C30B 29/06, C30B 33/04
Метки: кремниевой, кристаллической, пленки
...аморфного Р толщиной 80 нмв реакторе пониженного давлению посредством разложения моносилана при 580 С,Облучение осуществляют ионами 75 Аз+с энергией 16 кэВ дозами 10-5 105 смЗОпри температуре аморфной пленки, изменяемой от ЗОО до 700 С,С помощью метода дифракции быстрыхэлектронов на отражение исследуют структуру пленок. 35Полученные данные сведены в таблицу. Как видно из таблицы, начиная от температуры 500 ОС и выше, в аморфной пленке под действием ионов Аз образуются ориентированные по с 110 направлению кристаллические зародыши. В результате получены кристаллические пленки с осью текстуры110, параллельной направлению пучка ионов.Далее проводят второе облучение ионами 31 с энергией 60 кэВ дозой 5 1016 см. при температуре кристалла,...
Устройство для обработки пластин в газовой фазе
Номер патента: 733135
Опубликовано: 30.10.1993
Авторы: Глущенко, Ковалев, Федорова
МПК: C30B 25/08
...камеры.На чертеже показано предлагаемое устоойство.Устройств содержит корпус с вмонтированным нагревателем 1. Внутри нагревателя 1 установлена реакционная камера 2, в которой размещен держатель 3 с обрабатываемыми полупроводниковыми пластинами 4. В реакционной камере 2 имеется зона образования конденсата 5, показанная от пунктирной линии к выходу реактора, и рабочая зона б,Между рабочей зоной б и началом зоны образования конденсата 5 размещена вертикальная перегородка 7 с отверстием по центру, в которое установлен патрубок 8 для отвода газов в виде наклонной трубки.Для отвода продуктов реакции устройство имеет вытяжную вентиляцию 9.Выход реакционной камеры ограничен от внешней среды теплоизолирующим экраном 10.Работа предлагаемого...
Устройство для термического окисления кремниевых пластин
Номер патента: 716178
Опубликовано: 30.10.1993
Автор: Глущенко
МПК: C30B 29/06, C30B 31/06
Метки: кремниевых, окисления, пластин, термического
...: ,.:, .:,: , З 5 кислорода и воды с каплеобразователем 5,Наиболее близким"по"добФйгвейому ре-" имеющим наклонно размещенный в полозультату и технической СуЩностй является . сти реактора 1 патрубок 6 с коленом 7, расустройство для термического ЬКйсления, со- полоненным внижней части реактора 1 идержащее горизонтально установленныйоканчивающимся выходным отверстием 8., кварцевый реактор, внутрй когорого уста. 8 реакторе 1 установлены кассета 9 с полуновлены кассеты для размеМеййякремнив- проаодниковыми пластинами 10,вых ппастинипоперечная"йврвгородка с . Работаустройствазаключэетсявследуокном, трубопроводы подачи" кислорода и ющем,.воды и кайлеобрэзователь спатрубком. на- Вода по трубопроводу 4 от каплеобраклонно расположенным...
Способ термообработки изделий из монокристаллов корунда
Номер патента: 1476982
Опубликовано: 30.10.1993
Авторы: Коневский, Кривоносов, Литвинов, Сирота
МПК: C30B 29/20, C30B 33/02
Метки: корунда, монокристаллов, термообработки
...металлической струны в рабочем пространстве электроэрозионного станка, Возникающее придвижении струны трение приводит к износутела направляющей вставки и из-за ее разрушения к поломке станка, Условия работынаправляющей вставки напонимают шлифование корунда закрепленным абразивом.Целью изобретения является увеличение срока службы изделий иэ монокристаллов корунда,П р и м е р. Корундовые направляющиевставки помещают в закрытый молибденовый контейнер и загружают в печь СШВЛ1:3,2/25. Рабочее пространство печи откачивают до давления 5 105 мм рт.ст, Печьнагревают со скоростью 500 град/ч до температуры Т 1 (см.табл.), выдерживают приэтой температуре в течение времени т 1,снижают температуру со скоростью 500 25град/ч до температуры Т 2,...
Устройство для выращивания профилированных кристаллов с внутренней полостью
Номер патента: 1313027
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик
МПК: C30B 15/34
Метки: внутренней, выращивания, кристаллов, полостью, профилированных
...затягивается в кдпиппярный эдзар 11 между перфорираззанныл 111 кольцам 10 и кольцом 7формообразоодтеля 3. Полость 6 оказываетСЯ ИЗОПИЗОВД Н НОЙ ПЗ 1 ПО 1 лГЗЩИ ТаКОГ 0 ЖИД костного затвора, по мере роста изделия давление о ней падает, Перепад наружного и внутреннего давления приводит к изменению формы вплоть до полного здхлспывания полосги 6, после чего кольцо 10 пооорачиодется таким образом. чтобы отверстия 9 совпадали с перфорацией 12, Открыва,отся отверстия 9, при этом жидкостный затвор перестает действовать. и процесс выращивания повторяется П р и м е р. Выращивают монокристаллические пробирки из корунда наружного диаметра 8 мм, внутреннего 5 мм, длиной 40 мм, Для получения изделий используют молибденовый тигель диаметром 80 мм ц...
Способ получения кристаллов из раствора
Номер патента: 1438279
Опубликовано: 15.11.1993
МПК: C30B 7/12
Метки: кристаллов, раствора
...указанных концентраций готовят на прокипя,ченной дистиллированной воде для удаления растворенных газов,Для кристаллизации берут стеклянный кагя 1 аляр П-об 1 знай формь, длины 40-50 см, внутренний диаметр 0,5 - 0,8 мм, наружный 0,1 - 1,5 мм, Заполняют капилляр последовательно ведущим раствором, кристаллизуемым и сопровождающим рас .творами электролитов, Концентрация кристаллизуемого раствора может быть любой, но практически удобнее, чтобы она отличалась от концентрации ведущего не более, чем в 10 раз, Капилляр, заполненный рас- "0 творами, устанавливают концами в электродные сосудь 1 с ведущим и замыкающим растворами электролитов соответственно и пропускают постоянный электрической ток такой величины, чтобы не было локального перегрева и...
Способ термообработки монокристаллов дигидрофосфата калия
Номер патента: 1440098
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Атрощенко, Васильчук, Колыбаева, Сало, Селин
МПК: C30B 29/14, C30B 33/02
Метки: дигидрофосфата, калия, монокристаллов, термообработки
...м е р, Монокристаллы дигидрофосфата калия КДР) в количестве 4 шт. размером 100 х 100 х 100 мм с отполированными гранями 001) помещают в печь при комнатной температуре и нагревают со скоростью 25 град/ч до 120 С, со скоростью 4 град/ч до 150 ОС, со скоростью 0,7 ОС/ч до 170 С и скоростью 0,3 С/ч до достижения температуры 195 С; выдерживают при этой температуре 15 сут, а затем охлаждают с такой же скоростью, как и при нагреве, в тех же температурных интервалах.До и после отжига определяют величину внутренних напряжений, лазерную и механическую прочность. Величину внутренних напряжений определяют по измеренным Формула изобретенияСПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ МОНО- КРИСТАЛЛОВ ДИГИДРОФОС ФАТА КАЛИЯ, включающий нагрев, выдержку и охлаждение,...
Способ выращивания кристаллов корунда
Номер патента: 1445270
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Аверин, Данько, Катрич, Качала, Мирошников, Шерафутдинова, Шлее
МПК: C30B 11/00, C30B 29/18
Метки: выращивания, корунда, кристаллов
...проплавление. для чего включают механизм 5 перемещения тигля и со скоростью 100 мм/ч передвигают тигель 4влево до положения, когда часть его носикас затравочным коисталлом окажется в 35зоне нагрева 1 (30 мм затравочного Из приведенных данных видно, что при превышении верхнего и занижении нижнего предельных значений интервала скоро стей выход годного продукта уменьшается,Производительность электропечи при использовании предлагаемого способа увеличивается с 60 кг корунда в год до 80 кг. Материалоемкость технологического про цесса при этом снижается на 25-30,. В коисталла при этом остаются в зоне 3 отжига), В этом положении тигля 4 проводят затравление. Повышают мощность нагревателя 2 до величины, при которой длина зоны расплава в тигле...
Способ получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития
Номер патента: 1275931
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Коршикова, Коток, Моисеенко, Романова, Салийчук, Федорова
МПК: C30B 15/00, C30B 29/30
Метки: выращивания, лития, монокристаллов, ниобата, танталата, шихты
...мельницы изорганического стекла загружают 2711,74 гпрокаленной при 1150 С.в течение 4 ч пятискиси ниобия и 712,48 г прокаленного при130 С в течение 6 ч углекислого лития иперемешивают на валках мельницы в течение 4 ч, Смесь исходных компонентов загружают в платиновые лодки и обжигают вкамерной печи при 1100 С в течение 5 ч,Выход готового продукта 98,8 О.Стехиометрический состав шихты следующий, мас.о,МЬ 63,2.0 (теор. 63,19)4,46 (теор. 4,46)Содержание микропримесей, мас,о/,А 1,Ге,М 9210; РЬ,К 1,Сг,Ч1 10Я 1 10; Мп 5 10 , Длительность процесса16 ч,П р и м е р 5. В барабан мельницы изорганического стекла загружают 2711,74 гпрокаленной при 1150 ОС о течение 4 ч пятиокиси ниобия и 712,48 г прокаленного при140 С в течение 5 ч углекислого лития...
Устройство для выращивания профилированных кристаллов корунда
Номер патента: 1284281
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Бутинев, Литвинов, Пищик
МПК: C30B 15/34
Метки: выращивания, корунда, кристаллов, профилированных
...соображенийвысота Ь равна 0,150радиус а плоского сечения сегмента раРк - 2 Ьвен, где Ь - ширина капиллярного2канала;2 + Ь 2радиус шара г равенУстройство работает следующим образом,Тигель 1 нагревают до температуры плавления сырья 2050 С, На затравку выращивают кристалл 6,П р и м е р, Выращивание моноблока изсапфира диаметром 14 мм.В тигель 1, выполненный из молибденадиаметр тигля 80 мм, высота 80 мм), поме щают исходное сырье в виде отходов корунда Вернейлевского производства, На верхний торец пучка капилляров 2 помещают капиллярный формообразователь в сборе, элементы которого изготовлены из 10 молибдена, Диаметр наружной обечайки 3равен 14 мм. Внутренний элемент 4 капиллярного формообразователя выполняется в виде шарового сегмента...
Способ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дидейтерофосфата калия
Номер патента: 1345688
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Азаров, Атрощенко, Селин, Тиман, Ткаченко
МПК: C30B 29/14, C30B 33/02
Метки: дидейтерофосфата, калия, монокристаллов, радиационно-поврежденных, термообработки
...указанного выше состава, В табл, 2 представленырезультаты микроскопического исследования этих кристаллов, из которых следует, чтопосле отжига предложенным способомпрактически все радиационные дефектыструктуры исчезали, что привело к восстановлению оптических свойств кристаллов(коэффициент К),П р и м е р 3, Монокристаллы ДКДР вколичестве 5 штук, вырезанные и обработанные, как и в примере 1, подвергали воздействию электронов с энергией 10 МэВпри интенсивности потока 10 эл/см сек .одо достижения дозы 10 электрон/см 2.15Радиационно-поврежденные кристаллы помещали при комнатной температуре вмуфельную печь, повышали температуру впечи со скоростью 1 град/ч до достижениятемпературы (Тл)С, выдерживали приэтой температуре в течение 8 ч, затем...
Способ получения кристаллов селенида цинка
Номер патента: 1468023
Опубликовано: 15.11.1993
Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик
МПК: C30B 11/02, C30B 29/48
Метки: кристаллов, селенида, цинка
...полости секций 3 заполняют селенидом цинка и в горизонтальном положении контейнера 1 устанавливают одну на другую в нижнюю кристаллизационную полость 2, после чего контейнер 1 устанавливают вертикально, апитатель 4 заполняют оставшимся селени 5 дом цинка. В рабочем положении контейнера 1 цилиндрическая оськристаллизационной полости секций 3 располагается перпендикулярно направлениюкристаллизации. Загруженный контейнер 110 устанавливают в компрессионной печи нашток механизма возвратно-поступательного перемещения, компрессионную печь герметизируют, вакуумируют, заполняютаргоном. Производят оплавление загрузки15 селенида цинка из питателя 4 в кристаллизационные полости секций 3 при перегреверасплава выше...
Способ выращивания высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов на основе
Номер патента: 1515789
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Космына, Машков, Прокопович, Семиноженко
МПК: C30B 29/22, C30B 9/06
Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих
...отношение размеров кристаллов вдоль оси с и размерам вдоль оси а составляет 0.16. а для предлагаемого способа 0.9.Параметры монокриствллов 40 45 50 УВаэ хЗгСоэОт-д.НоВаэ.хЗгСцзОт-д оптимальны (температура сверхпроводящего перехода - Тс соответственно равна 85 и 80 К) и получены беэ дополнительной термообработки. Ширина сверхпроводящего переРазмеры монокристаллов составляют0,7 х 0,7 х 0,6 мм, вдоль направления оси с размер составляет 0,6 мм, отношение размеров вдоль оси с к размеру вдоль оси а составляет 0,86.П р и м е р 3, Выращивание монокристаллов 08 аг-хЗгхСозОт-д.8 платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные ве щества в количестве, г: б 20 з 53,15; ВаСОз96,94; ЗгСОз 21,66: СцО 78,25; что соответствует...
Способ выращивания высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов на основе
Номер патента: 1522792
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Воронов, Космына, Машков, Некрасов, Прокопович, Семиноженко
МПК: C30B 29/22, C30B 9/06
Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих
..."РИФ", Нагревают со скоростью 80 С/ч до 1280 С, при этом шихтурасплавляют и расплав выдерживают 10 чдля полной гомогенизации, затем охлаждают со скоростью 3 С/ч до 1140 С и далееохлаждают со скоростью100 С/ч до комнатной температуры. Монокристаллы отделяют от застывшего расплава механическимпутем. Размеры монокристаллов 0,7 х 0,7 хх 0,3 мм, 2,3 х 2,3 х 0,4 мм. Выход монокристаллов составляет 7,6/ что намного превосходит выход кристаллов поспособу-прототипу ( 1 ).П р и м е р 3. Выращивание монокристаллов Мб Ва 2 Сц 07 - д.В платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г; Кб 20 з 39,08; ВаСОз99,28; СцО 61,64, что соответствуетс оста ву, м ол, /,: 75 М б В а 2 С оз 07-4,25 (0,5 ВаО - СцО).Тигель...
Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего материала
Номер патента: 1526290
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Воронов, Космына, Некрасов, Семиноженко, Ткаченко
МПК: C30B 29/22, C30B 9/06
Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего
...материала с высокой плотностью. При этом обеспечивается увеличение размеров материала за счет разращивания слоя по диаметру и толщине, Материал представляет собой монолитную массу, состоящую из кристаллов размерами 30-50 мкм, которая в целом обладает сверхпроводящими свойствами, Концентрация основного вещества в материале составляет 95-97.Прекращение процесса кристаллизации при 1200-1210 С и извлечение материала из расплава (слой, образованный на поверхности, еще не примерз к стенкам тигля) обеспечивает целостность размеров поликристаллического материала, так как при этом исключается операция выбивания и отделения этого слоя материала от застывшего раствора - расплава.Размеры поликристаллического слитка составляат: диаметр 15 мм,...
Устройство для выращивания монокристаллов
Номер патента: 1116763
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Горилецкий, Львович, Неменов, Проценко, Радкевич, Эйдельман
МПК: C30B 15/20
Метки: выращивания, монокристаллов
...затравки 15 прекращается.Затем путем снижения температуры радиально разращиват монокристалл 14 до заданного диаметра. Затем включают систему 30автомазированного управления ростом монокристалла. При этом задают следующиезначения:1) Ь Ь - величина вертикального дискретного перемещения кристаллодержателя 3516 (в датчике 8 перемещения кристаллодержателя);2) временные интервалы (в блоке 11 задания временных интервалое).Ьт 1 - время дискретного вытягивания 40монокристалла 14 н величину Ь Ь,62- время, в течение которого осуществляется измерение и сравнение уровнейрасплава и дается коррекция на изменениетемпературы данного нагревателя 2; 45Ь 1 З - время подпитки;Ьц - время выдержки после подпитки;Ьто - общее время цикла;Ь то = ( Л т 1+ Ь т...
Способ синтеза и наплавления шихты германоэвлинита и устройство для его осуществления
Номер патента: 1649852
Опубликовано: 30.11.1993
Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Загвоздкин, Кривошеин, Литичевский, Пирогов, Рыжиков
МПК: C30B 11/00, C30B 29/22
Метки: германоэвлинита, наплавления, синтеза, шихты
...теплового поля и улучшает качество кристалла, а предотвращениеразрушения и продление срока эксплуатации платинового тигля снижает себестоимость кристалла;Скорость охлаждения до 970+70 С недолжна превышать 200 С/ч, так как дальнейшее увеличение скорости приводит к неравномерному затвердеванию расплава идеформации рабочего тигля, с другой стороны скорость менее 50 С/ч неоправданноувеличивает продолжительность процессаи, следовательно, его себестоимость.Скорость дальнейшего охлаждения должна быть не менее 200 С/ч, так как применьшей скорости возможно образование.метастабильных фаэ, и не более 600 С/ч,так как при большей скорости происходитместная закалка и появление хрупкости тигля.Наличие бункера позволяет производить весь процесс...
Способ затравливания при выращивании профилированных монокристаллов
Номер патента: 1048859
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик
МПК: C30B 15/34, C30B 29/20
Метки: выращивании, затравливания, монокристаллов, профилированных
...АИГ. Данные для. ная ( . 0,5 мм). Поэтому коэффициент расчета шаблонов приведены:в табл.З.уменьшения зазора выбран в данном сЛучае. 20: Расчетные. шаблоны .равным 0,75. Первичные операции выполне- й 1 = 4;41 мм., Ь 2 =. 2,1 мм, Ьз - 1 О 0,51 мм.ны как в примере 1 Данные для расчета. В табл.4 приведены сопоставительныешаблонов приведены в табл,2. данные способов затравливания при выраДалее процесс ведут. аналогично приме- щивании сапфироаых труб диаметром 8,8ру 1. Данйый пример отличается от пред мм,ыдущего величиной коэффициентаДанные табл,4 показьгвают, что предлолинейного расширения затравочного кри-:женный способ обеспечивает упрощениесталла и характером егожбработки; йрбцесса затравливания и повышает выходПоскольку элементы...
Способ получения пьезополупроводникового материала на основе соединений а в
Номер патента: 769836
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Загоруйко, Тиман, Файнер
МПК: C30B 29/46, C30B 33/04
Метки: основе, пьезополупроводникового, соединений
...к об разлу, врез 18 мин пссцесс обработ(и пре кращают ИзепчОт теГ 1 пеодтчрнч( за иси;:,ость удельнсга сопротивления об разца,Темнсвое удельное сопротивление аб раз 18 при 300 К составляет 1,5 10 Омсм диапазон рабочей температуры 200 - 358 К,П р и м е р 2, Палученле манакристалл. Сэ 3;Я:С к 11 звестнь 1 м способам выращивают мс 11 окристалл сульфида кадмия(СНЯ, Образеь размером 20 х 20 х 7 мм помещаот в квар ценуО 3 павлу, запаина)ст и псдверГают От жигу в парах сары при температуре 1273 1 в течение о ч. Получают образец с темновы 1 1 О у,".,ельным сопротивлениемр = 2 10 Ом с," при 300 К, На большле грзни этого образц напыля ст в вакууме10 мм рт ст) сло меди тол;цинсй - 5 .км. Образец псмеща от в муфельну 1 О печь с тдм 1...
Устройство для получения нитевидных монокристаллов
Номер патента: 1736209
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Апилат, Литвинов, Литичевский, Пищик
МПК: C30B 15/34
Метки: монокристаллов, нитевидных
...крышкой 6, в котором размещеносредство перемещения, Средство перемещения выполнено в виде двух коаксиально.55 расположенных барабанов, На валу 7 консольно укреплен внутренний барабан 8, связанный с приводом 9 вращения и осевогоперемещения, а на валу 10 в винтовой паре11 установлен наружный барабан, выполненный из двух частей 12 и 13, отъемнаячасть которого 13 фиксируется к остальной части 12 стопором 14 и имеет винтовую канавку 15 (фиг.З), шаг которой совпадает с. шагом шарико-винтовой пары 11, и прорезь 16. Внутренний барабан 8 имеет две коль цевые канавки, в которых помещен гибкий элемент - тросы 17, на концах которых укреплен затравкодержатель 18 с затравкой 19 (фиг.З), имеющий форму и размеры, точно совпадающие с прорезью 16 на...
Неорганический растворитель
Номер патента: 609230
Опубликовано: 15.12.1993
Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов
МПК: C30B 29/28, C30B 9/12
Метки: неорганический, растворитель
...необходима либо выращивать, либо отжигать В атмосфере кислородадля окисления двухвалентнога железа втрехвалентное. Выращивание в атмоСферекислорода 800 - 1300 С) вызывает разрушение платиновых изделий,Перечисленные недостатки существен, но уст ожняют процесс получения монокристаллов из раствора-расплава с использованием растворителя, содержащего окислы свинца. бора и фтористый свинец, Наиболее близким к изобретению по технической 5 сущности и достигаемому эффекту являетсярастворитель для получения монокристаллав из раствора-расплава - феррит натрия.Однако выращивание феррограната вданном растворителе не позволяет пол учить высококачественные манокристаллыиз-за высокой температуры кристаллиза- ЦИИ,Цель изобретения - повышение качества...
Сцинтилляционный материал на основе монокристалла
Номер патента: 1619755
Опубликовано: 30.12.1993
Авторы: Виноград, Горилецкий, Панова, Шахова, Шпилинская, Эйдельман
МПК: C30B 29/12
Метки: материал, монокристалла, основе, сцинтилляционный
...55 Установлено, что при регистрации жесткого излучения (Сз 137, Е у 662 кэВ) световой выход (С у) достигает максимального значения при концентрациях Сз 2 СОз (1,6 х х 10) - (8 10) мас. %, как это хорошо видно на приведенной фиг. 1, зависимость 1. При этом величина светового выхода на 30% превышает величину светового выхода Сз: Т с содержанием активатора 4 10мас. оТ 1, принятую за 100%, При введении СзгСОз до 1,6 10 мас.и более 8,0 10мас. % своой од "сцинтилляций снижается. При концентрации Сз 2 СОз до 1,6 10 мас. % значение светового выхода снижается вследствие недостаточности концентрации центров свечения, создаваемых Сз 2 СОз, для наиболее эффективной регистрации у-излучения с энергией 662 кэВ. При концентрации Сз 2 СОз...
Устройство для вытягивания кристаллов из расплава
Номер патента: 1510411
Опубликовано: 30.12.1993
Авторы: Горилецкий, Любинский, Проценко, Радкевич, Эйдельман
МПК: C30B 15/02
Метки: вытягивания, кристаллов, расплава
...обе секции б и 7 нагревателя и расплавляют сырье в тигле 2. Затем соприкасают затравку 14 с расплавом 16, разращивают кристалл 15 по диаметру и вытягивают его в вцсоту при проведении постоянной подпитки измельченным материалом через питатель 8, проходящий через отверстие 1 г экране 9, подвешенном на регулируемых Тягах 10, Подпитывающий материал расплавляется в кольцевой емкости 3, Применение экрана 9 позволяет снизить температуру перегрева расплава, который через отверстия 5 в стенке 4 перетекает в тигель 2. Поток расплава стекает вниз между стенкой тигля 2 и экраном 12 ко дну тигля 2. Преимущества устройства состоят в том, что размещение в тигле экрана позволяет направить поток расплава, текущего из кольцевой емкости, в нижнюю часть...
Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка
Номер патента: 1625068
Опубликовано: 30.12.1993
Авторы: Загоруйко, Кобзарь-Зленко, Комар
МПК: C30B 29/48, C30B 33/02
Метки: кристаллов, оптически, прозрачных, селенида, цинка
...в которой показано изменение коэффициента 3 см в зависимости от условийобработки),Это достигается благодаря воздейст 30 вию на образец термических напряжений,расположенных под углом 90 к плоскостиобразца, Расположение боковых нагревателей под прямым углом к центральному обусловливает аналогичное расположение35 градиента температур в полости нагревателей и образующихся термических напряжений в материале кристалла, чтоспособствует противоположному воздействию термических напряжений на разориен 40 тированные по объему кристалласпонтанные напряжения кристаллическойрешетки образца.Проектируя эти точки в систему координат температура (Т, С) - длина (см), получаем точки а, б, в, г, д, е, и т.дсоединяя их между собой, получаем графическую...
Способ выращивания кристаллов селенида цинка
Номер патента: 1157889
Опубликовано: 30.12.1993
Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов, Носачев
МПК: C30B 11/02, C30B 29/48
Метки: выращивания, кристаллов, селенида, цинка
...мощности устанавливают ширину расплава в графитовом тигле по сплавившемуся порошкообразно 40 последующую повторную кристаллизацию с меньшей скоростью пропускания, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств кристаллов, повторную кристаллизацию ведут при ширине эоны расплава 1,2 - 4,0 см, величине давленияинертного газа, не превышающей кристаллизационное давление, развиваемое рас тущим кристаллом. Формула и зоб рете н и я СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, включающий плавление исходного материала, его кристаллизацию при пропускании тигля с расплавом через температурный градиент под избыточным давлением инертного газа и му селелиду цинка, которая вначале не должна быть более 2 см. Руководствуясь полученными при...
Способ выращивания слоев алмаза и устройство для его осуществления
Номер патента: 1577400
Опубликовано: 30.12.1993
Авторы: Алексенко, Ботев, Буйлов, Варнин, Спицын, Теремецкая
МПК: C30B 23/02, C30B 29/04
Метки: алмаза, выращивания, слоев
...выпрямитель мощностью 10 кБт с регулируемым напряжением до 400 В и током до 40 Л. Напряжение подают на стержень 5 и один из токоваодов 2 через реоста 1 20 м. Подогрев подложек осуществпяют при пропускании переменного тока до 600 А через подложкодеркатепь и токовводы 2.П р и м е р. Дпя инициирования роста алмаза по всей площади подложки 3 на нее равномерно нпнося 1 затравки - частицы ал 5 10 15 20 25 30 35 40 50 мазного порошка размером не более 1 мкм так, что среднее расстояние между отдельными частицами составляет 1-2 мкм. После помещения подложек на рабочую поверхность подложкодержателя 1 реактор откачивают до давления 10 атм и продувают газовой смесью в течение 1 ч при зоасходе 2 л/ч, Далее при давлении около 10 атм подают...
Устройство для вытягивания монокристаллов из расплава на затравку
Номер патента: 1108787
Опубликовано: 30.12.1993
Авторы: Апилат, Вакуленко, Горилецкий, Максимов, Мюлендорф, Радкевич, Черницкий, Эйдельман
МПК: C30B 15/00
Метки: вытягивания, затравку, монокристаллов, расплава
...части 2 камеры. В нижней части камеры размещены тигель 7 с нагревателем 8 и теплоизоляционной футеровкой 9.В верхнюю часть камеры. герметично введен шток 10, связанный своим верхним концом с механизмом 11 его вращения и вертикального перемещения, установленным на карКасе 3. На свободном конце штока 10 нарезана резьба, на которой навинчен эатравкодержатель 12. Затравкодержатель представляет собой накидную гайку 12 с резьбой и свободной от резьбы частью 13 отверстия. Часть 13 отверстия имеет форму усеченнойпирамиды с вершиной, обращенной вниз, и приспособлена для охвата верхнего конца затравки 14, на нижнем торце которой выращивается монокристалл 15.Установка содержит также контейнер 16 (см. фиг,2) из жаростойкого материала и...
Устройство для обработки монокристаллов
Номер патента: 1535087
Опубликовано: 30.12.1993
Авторы: Абрамова, Герасимчук, Епифанов, Радкевич, Суздаль
МПК: C30B 33/00
Метки: монокристаллов
...нитью выносится вверх и попадает в межэлектродное20 пространство датчика 8, При этом нить 2,касаясь кристалла, получает начальное отклонение и перемещается ближе к электроду 21 датчика 8. Измерители 11 и 12фиксируют уменьшение измеряемых сопро 25 тивлений, сумматор 13 и измеритель 14 -соотношения сопротивлений, Эти режимыявляются рабочими для всего процесса резания,При резке цилиндрического монокри 30 сталла в поперечном направлении, т,е. вслучае переменной высоты контакта нити скристаллом, количество материала, разрезаемого кристалла, выносимого нитью, увеличивается до выхода на диаметр, а затем35 постепенно уменьшается. При увеличенииколичества выносимого материала концентрация его в рабочем растворе увеличивается, что приводит к...
Способ получения моноалюмината иттрия для выращивания монокристаллов
Номер патента: 1075758
Опубликовано: 30.12.1993
Авторы: Квичко, Коток, Некрасова, Рамакаева
МПК: C30B 15/00, C30B 29/24
Метки: выращивания, иттрия, моноалюмината, монокристаллов
...вследствие чего улучшается стехиометрия целевого продукта.Отделение твердой фазы от жидкой производят путем фильтрации на нутч-фильтре или упариванием. В результате одностадийной термической обработки (при температуре 1200 - 1250 С в течение 2 - 2,5 ч) происходит твердофазное взаимодействие окисловиттрия и алюминия,5 Навеску прокаленных окислов иттрия иалюминия, взятых в стехиометрическом соотношении, загружают в барабан мельницы, добавляют жидкость (вода, спирт и др.)в количестве 1-1.2 л на 1 кг смеси окислов"0 и перемешивают на валках до полной гомогенизации смеси. Полученную суспензиюупаривают или фильтруют на нутч-фильтре.Осадок подсушивают и прокаливают притемпературе 1200 - 1250 С в течение 2 - 2,5 ч,15 Полученный продукт...