C30B — Выращивание монокристаллов

Страница 26

Способ получения монокристаллов соединения двойного бората бария-редкоземельного элемента

Загрузка...

Номер патента: 1838457

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Клейнман, Косяченко, Стефанович, Трунов, Хамаганова

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: бария-редкоземельного, бората, двойного, монокристаллов, соединения, элемента

...сдвинуты из плоскости, вкоторой расположены анионы кислорода, что создает электрические диполи, ориентированные вдоль гексагональной оси. Этой особенности кристаллической структуры отвечает существование у кристаллов сегнетоэлектрических и связанных с ними пироэлектрических, пьезоэлектрических и нелинейно-оптических свойств.Квадратичная оптическая восприимчи вость кристаллов ВазУЬ(ВОз)з определяласьметодом генерации второй оптической гармоники на порошковых препаратах разной степени дисперсности согласно, Измерения проводились с помощью лазера на иттрий алюминиевом гранате, активированномионами неодима Я=1,0 б 4 мкм) в режиме модулированной добротности по схеме "на отражение" по отношению к эталонному препарату а-кварца...

Способ получения кристаллической кремниевой пленки

Загрузка...

Номер патента: 1422957

Опубликовано: 15.10.1993

Автор: Романов

МПК: C30B 29/06, C30B 33/04

Метки: кремниевой, кристаллической, пленки

...аморфного Р толщиной 80 нмв реакторе пониженного давлению посредством разложения моносилана при 580 С,Облучение осуществляют ионами 75 Аз+с энергией 16 кэВ дозами 10-5 105 смЗОпри температуре аморфной пленки, изменяемой от ЗОО до 700 С,С помощью метода дифракции быстрыхэлектронов на отражение исследуют структуру пленок. 35Полученные данные сведены в таблицу. Как видно из таблицы, начиная от температуры 500 ОС и выше, в аморфной пленке под действием ионов Аз образуются ориентированные по с 110 направлению кристаллические зародыши. В результате получены кристаллические пленки с осью текстуры110, параллельной направлению пучка ионов.Далее проводят второе облучение ионами 31 с энергией 60 кэВ дозой 5 1016 см. при температуре кристалла,...

Устройство для обработки пластин в газовой фазе

Загрузка...

Номер патента: 733135

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Ковалев, Федорова

МПК: C30B 25/08

Метки: газовой, пластин, фазе

...камеры.На чертеже показано предлагаемое устоойство.Устройств содержит корпус с вмонтированным нагревателем 1. Внутри нагревателя 1 установлена реакционная камера 2, в которой размещен держатель 3 с обрабатываемыми полупроводниковыми пластинами 4. В реакционной камере 2 имеется зона образования конденсата 5, показанная от пунктирной линии к выходу реактора, и рабочая зона б,Между рабочей зоной б и началом зоны образования конденсата 5 размещена вертикальная перегородка 7 с отверстием по центру, в которое установлен патрубок 8 для отвода газов в виде наклонной трубки.Для отвода продуктов реакции устройство имеет вытяжную вентиляцию 9.Выход реакционной камеры ограничен от внешней среды теплоизолирующим экраном 10.Работа предлагаемого...

Устройство для термического окисления кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: 716178

Опубликовано: 30.10.1993

Автор: Глущенко

МПК: C30B 29/06, C30B 31/06

Метки: кремниевых, окисления, пластин, термического

...: ,.:, .:,: , З 5 кислорода и воды с каплеобразователем 5,Наиболее близким"по"добФйгвейому ре-" имеющим наклонно размещенный в полозультату и технической СуЩностй является . сти реактора 1 патрубок 6 с коленом 7, расустройство для термического ЬКйсления, со- полоненным внижней части реактора 1 идержащее горизонтально установленныйоканчивающимся выходным отверстием 8., кварцевый реактор, внутрй когорого уста. 8 реакторе 1 установлены кассета 9 с полуновлены кассеты для размеМеййякремнив- проаодниковыми пластинами 10,вых ппастинипоперечная"йврвгородка с . Работаустройствазаключэетсявследуокном, трубопроводы подачи" кислорода и ющем,.воды и кайлеобрэзователь спатрубком. на- Вода по трубопроводу 4 от каплеобраклонно расположенным...

Способ термообработки изделий из монокристаллов корунда

Загрузка...

Номер патента: 1476982

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Коневский, Кривоносов, Литвинов, Сирота

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Метки: корунда, монокристаллов, термообработки

...металлической струны в рабочем пространстве электроэрозионного станка, Возникающее придвижении струны трение приводит к износутела направляющей вставки и из-за ее разрушения к поломке станка, Условия работынаправляющей вставки напонимают шлифование корунда закрепленным абразивом.Целью изобретения является увеличение срока службы изделий иэ монокристаллов корунда,П р и м е р. Корундовые направляющиевставки помещают в закрытый молибденовый контейнер и загружают в печь СШВЛ1:3,2/25. Рабочее пространство печи откачивают до давления 5 105 мм рт.ст, Печьнагревают со скоростью 500 град/ч до температуры Т 1 (см.табл.), выдерживают приэтой температуре в течение времени т 1,снижают температуру со скоростью 500 25град/ч до температуры Т 2,...

Устройство для выращивания профилированных кристаллов с внутренней полостью

Загрузка...

Номер патента: 1313027

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: внутренней, выращивания, кристаллов, полостью, профилированных

...затягивается в кдпиппярный эдзар 11 между перфорираззанныл 111 кольцам 10 и кольцом 7формообразоодтеля 3. Полость 6 оказываетСЯ ИЗОПИЗОВД Н НОЙ ПЗ 1 ПО 1 лГЗЩИ ТаКОГ 0 ЖИД костного затвора, по мере роста изделия давление о ней падает, Перепад наружного и внутреннего давления приводит к изменению формы вплоть до полного здхлспывания полосги 6, после чего кольцо 10 пооорачиодется таким образом. чтобы отверстия 9 совпадали с перфорацией 12, Открыва,отся отверстия 9, при этом жидкостный затвор перестает действовать. и процесс выращивания повторяется П р и м е р. Выращивают монокристаллические пробирки из корунда наружного диаметра 8 мм, внутреннего 5 мм, длиной 40 мм, Для получения изделий используют молибденовый тигель диаметром 80 мм ц...

Способ получения кристаллов из раствора

Загрузка...

Номер патента: 1438279

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Горшков, Ошуркова

МПК: C30B 7/12

Метки: кристаллов, раствора

...указанных концентраций готовят на прокипя,ченной дистиллированной воде для удаления растворенных газов,Для кристаллизации берут стеклянный кагя 1 аляр П-об 1 знай формь, длины 40-50 см, внутренний диаметр 0,5 - 0,8 мм, наружный 0,1 - 1,5 мм, Заполняют капилляр последовательно ведущим раствором, кристаллизуемым и сопровождающим рас .творами электролитов, Концентрация кристаллизуемого раствора может быть любой, но практически удобнее, чтобы она отличалась от концентрации ведущего не более, чем в 10 раз, Капилляр, заполненный рас- "0 творами, устанавливают концами в электродные сосудь 1 с ведущим и замыкающим растворами электролитов соответственно и пропускают постоянный электрической ток такой величины, чтобы не было локального перегрева и...

Способ термообработки монокристаллов дигидрофосфата калия

Загрузка...

Номер патента: 1440098

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Атрощенко, Васильчук, Колыбаева, Сало, Селин

МПК: C30B 29/14, C30B 33/02

Метки: дигидрофосфата, калия, монокристаллов, термообработки

...м е р, Монокристаллы дигидрофосфата калия КДР) в количестве 4 шт. размером 100 х 100 х 100 мм с отполированными гранями 001) помещают в печь при комнатной температуре и нагревают со скоростью 25 град/ч до 120 С, со скоростью 4 град/ч до 150 ОС, со скоростью 0,7 ОС/ч до 170 С и скоростью 0,3 С/ч до достижения температуры 195 С; выдерживают при этой температуре 15 сут, а затем охлаждают с такой же скоростью, как и при нагреве, в тех же температурных интервалах.До и после отжига определяют величину внутренних напряжений, лазерную и механическую прочность. Величину внутренних напряжений определяют по измеренным Формула изобретенияСПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ МОНО- КРИСТАЛЛОВ ДИГИДРОФОС ФАТА КАЛИЯ, включающий нагрев, выдержку и охлаждение,...

Способ выращивания кристаллов корунда

Загрузка...

Номер патента: 1445270

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Аверин, Данько, Катрич, Качала, Мирошников, Шерафутдинова, Шлее

МПК: C30B 11/00, C30B 29/18

Метки: выращивания, корунда, кристаллов

...проплавление. для чего включают механизм 5 перемещения тигля и со скоростью 100 мм/ч передвигают тигель 4влево до положения, когда часть его носикас затравочным коисталлом окажется в 35зоне нагрева 1 (30 мм затравочного Из приведенных данных видно, что при превышении верхнего и занижении нижнего предельных значений интервала скоро стей выход годного продукта уменьшается,Производительность электропечи при использовании предлагаемого способа увеличивается с 60 кг корунда в год до 80 кг. Материалоемкость технологического про цесса при этом снижается на 25-30,. В коисталла при этом остаются в зоне 3 отжига), В этом положении тигля 4 проводят затравление. Повышают мощность нагревателя 2 до величины, при которой длина зоны расплава в тигле...

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов ниобата или танталата лития

Загрузка...

Номер патента: 1275931

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Коршикова, Коток, Моисеенко, Романова, Салийчук, Федорова

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: выращивания, лития, монокристаллов, ниобата, танталата, шихты

...мельницы изорганического стекла загружают 2711,74 гпрокаленной при 1150 С.в течение 4 ч пятискиси ниобия и 712,48 г прокаленного при130 С в течение 6 ч углекислого лития иперемешивают на валках мельницы в течение 4 ч, Смесь исходных компонентов загружают в платиновые лодки и обжигают вкамерной печи при 1100 С в течение 5 ч,Выход готового продукта 98,8 О.Стехиометрический состав шихты следующий, мас.о,МЬ 63,2.0 (теор. 63,19)4,46 (теор. 4,46)Содержание микропримесей, мас,о/,А 1,Ге,М 9210; РЬ,К 1,Сг,Ч1 10Я 1 10; Мп 5 10 , Длительность процесса16 ч,П р и м е р 5. В барабан мельницы изорганического стекла загружают 2711,74 гпрокаленной при 1150 ОС о течение 4 ч пятиокиси ниобия и 712,48 г прокаленного при140 С в течение 5 ч углекислого лития...

Устройство для выращивания профилированных кристаллов корунда

Загрузка...

Номер патента: 1284281

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Бутинев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, корунда, кристаллов, профилированных

...соображенийвысота Ь равна 0,150радиус а плоского сечения сегмента раРк - 2 Ьвен, где Ь - ширина капиллярного2канала;2 + Ь 2радиус шара г равенУстройство работает следующим образом,Тигель 1 нагревают до температуры плавления сырья 2050 С, На затравку выращивают кристалл 6,П р и м е р, Выращивание моноблока изсапфира диаметром 14 мм.В тигель 1, выполненный из молибденадиаметр тигля 80 мм, высота 80 мм), поме щают исходное сырье в виде отходов корунда Вернейлевского производства, На верхний торец пучка капилляров 2 помещают капиллярный формообразователь в сборе, элементы которого изготовлены из 10 молибдена, Диаметр наружной обечайки 3равен 14 мм. Внутренний элемент 4 капиллярного формообразователя выполняется в виде шарового сегмента...

Способ термообработки радиационно-поврежденных монокристаллов дидейтерофосфата калия

Загрузка...

Номер патента: 1345688

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Азаров, Атрощенко, Селин, Тиман, Ткаченко

МПК: C30B 29/14, C30B 33/02

Метки: дидейтерофосфата, калия, монокристаллов, радиационно-поврежденных, термообработки

...указанного выше состава, В табл, 2 представленырезультаты микроскопического исследования этих кристаллов, из которых следует, чтопосле отжига предложенным способомпрактически все радиационные дефектыструктуры исчезали, что привело к восстановлению оптических свойств кристаллов(коэффициент К),П р и м е р 3, Монокристаллы ДКДР вколичестве 5 штук, вырезанные и обработанные, как и в примере 1, подвергали воздействию электронов с энергией 10 МэВпри интенсивности потока 10 эл/см сек .одо достижения дозы 10 электрон/см 2.15Радиационно-поврежденные кристаллы помещали при комнатной температуре вмуфельную печь, повышали температуру впечи со скоростью 1 град/ч до достижениятемпературы (Тл)С, выдерживали приэтой температуре в течение 8 ч, затем...

Способ получения кристаллов селенида цинка

Загрузка...

Номер патента: 1468023

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...полости секций 3 заполняют селенидом цинка и в горизонтальном положении контейнера 1 устанавливают одну на другую в нижнюю кристаллизационную полость 2, после чего контейнер 1 устанавливают вертикально, апитатель 4 заполняют оставшимся селени 5 дом цинка. В рабочем положении контейнера 1 цилиндрическая оськристаллизационной полости секций 3 располагается перпендикулярно направлениюкристаллизации. Загруженный контейнер 110 устанавливают в компрессионной печи нашток механизма возвратно-поступательного перемещения, компрессионную печь герметизируют, вакуумируют, заполняютаргоном. Производят оплавление загрузки15 селенида цинка из питателя 4 в кристаллизационные полости секций 3 при перегреверасплава выше...

Способ выращивания высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов на основе

Загрузка...

Номер патента: 1515789

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Космына, Машков, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

...отношение размеров кристаллов вдоль оси с и размерам вдоль оси а составляет 0.16. а для предлагаемого способа 0.9.Параметры монокриствллов 40 45 50 УВаэ хЗгСоэОт-д.НоВаэ.хЗгСцзОт-д оптимальны (температура сверхпроводящего перехода - Тс соответственно равна 85 и 80 К) и получены беэ дополнительной термообработки. Ширина сверхпроводящего переРазмеры монокристаллов составляют0,7 х 0,7 х 0,6 мм, вдоль направления оси с размер составляет 0,6 мм, отношение размеров вдоль оси с к размеру вдоль оси а составляет 0,86.П р и м е р 3, Выращивание монокристаллов 08 аг-хЗгхСозОт-д.8 платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные ве щества в количестве, г: б 20 з 53,15; ВаСОз96,94; ЗгСОз 21,66: СцО 78,25; что соответствует...

Способ выращивания высокотемпературных сверхпроводящих монокристаллов на основе

Загрузка...

Номер патента: 1522792

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронов, Космына, Машков, Некрасов, Прокопович, Семиноженко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: выращивания, высокотемпературных, монокристаллов, основе, сверхпроводящих

..."РИФ", Нагревают со скоростью 80 С/ч до 1280 С, при этом шихтурасплавляют и расплав выдерживают 10 чдля полной гомогенизации, затем охлаждают со скоростью 3 С/ч до 1140 С и далееохлаждают со скоростью100 С/ч до комнатной температуры. Монокристаллы отделяют от застывшего расплава механическимпутем. Размеры монокристаллов 0,7 х 0,7 хх 0,3 мм, 2,3 х 2,3 х 0,4 мм. Выход монокристаллов составляет 7,6/ что намного превосходит выход кристаллов поспособу-прототипу ( 1 ).П р и м е р 3. Выращивание монокристаллов Мб Ва 2 Сц 07 - д.В платиновый цилиндрический тигельдиаметром 60 мм загружают исходные вещества в количестве, г; Кб 20 з 39,08; ВаСОз99,28; СцО 61,64, что соответствуетс оста ву, м ол, /,: 75 М б В а 2 С оз 07-4,25 (0,5 ВаО - СцО).Тигель...

Способ получения высокотемпературного сверхпроводящего материала

Загрузка...

Номер патента: 1526290

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Воронов, Космына, Некрасов, Семиноженко, Ткаченко

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: высокотемпературного, сверхпроводящего

...материала с высокой плотностью. При этом обеспечивается увеличение размеров материала за счет разращивания слоя по диаметру и толщине, Материал представляет собой монолитную массу, состоящую из кристаллов размерами 30-50 мкм, которая в целом обладает сверхпроводящими свойствами, Концентрация основного вещества в материале составляет 95-97.Прекращение процесса кристаллизации при 1200-1210 С и извлечение материала из расплава (слой, образованный на поверхности, еще не примерз к стенкам тигля) обеспечивает целостность размеров поликристаллического материала, так как при этом исключается операция выбивания и отделения этого слоя материала от застывшего раствора - расплава.Размеры поликристаллического слитка составляат: диаметр 15 мм,...

Устройство для выращивания монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1116763

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Горилецкий, Львович, Неменов, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов

...затравки 15 прекращается.Затем путем снижения температуры радиально разращиват монокристалл 14 до заданного диаметра. Затем включают систему 30автомазированного управления ростом монокристалла. При этом задают следующиезначения:1) Ь Ь - величина вертикального дискретного перемещения кристаллодержателя 3516 (в датчике 8 перемещения кристаллодержателя);2) временные интервалы (в блоке 11 задания временных интервалое).Ьт 1 - время дискретного вытягивания 40монокристалла 14 н величину Ь Ь,62- время, в течение которого осуществляется измерение и сравнение уровнейрасплава и дается коррекция на изменениетемпературы данного нагревателя 2; 45Ь 1 З - время подпитки;Ьц - время выдержки после подпитки;Ьто - общее время цикла;Ь то = ( Л т 1+ Ь т...

Способ синтеза и наплавления шихты германоэвлинита и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1649852

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Загвоздкин, Кривошеин, Литичевский, Пирогов, Рыжиков

МПК: C30B 11/00, C30B 29/22

Метки: германоэвлинита, наплавления, синтеза, шихты

...теплового поля и улучшает качество кристалла, а предотвращениеразрушения и продление срока эксплуатации платинового тигля снижает себестоимость кристалла;Скорость охлаждения до 970+70 С недолжна превышать 200 С/ч, так как дальнейшее увеличение скорости приводит к неравномерному затвердеванию расплава идеформации рабочего тигля, с другой стороны скорость менее 50 С/ч неоправданноувеличивает продолжительность процессаи, следовательно, его себестоимость.Скорость дальнейшего охлаждения должна быть не менее 200 С/ч, так как применьшей скорости возможно образование.метастабильных фаэ, и не более 600 С/ч,так как при большей скорости происходитместная закалка и появление хрупкости тигля.Наличие бункера позволяет производить весь процесс...

Способ затравливания при выращивании профилированных монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1048859

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивании, затравливания, монокристаллов, профилированных

...АИГ. Данные для. ная ( . 0,5 мм). Поэтому коэффициент расчета шаблонов приведены:в табл.З.уменьшения зазора выбран в данном сЛучае. 20: Расчетные. шаблоны .равным 0,75. Первичные операции выполне- й 1 = 4;41 мм., Ь 2 =. 2,1 мм, Ьз - 1 О 0,51 мм.ны как в примере 1 Данные для расчета. В табл.4 приведены сопоставительныешаблонов приведены в табл,2. данные способов затравливания при выраДалее процесс ведут. аналогично приме- щивании сапфироаых труб диаметром 8,8ру 1. Данйый пример отличается от пред мм,ыдущего величиной коэффициентаДанные табл,4 показьгвают, что предлолинейного расширения затравочного кри-:женный способ обеспечивает упрощениесталла и характером егожбработки; йрбцесса затравливания и повышает выходПоскольку элементы...

Способ получения пьезополупроводникового материала на основе соединений а в

Загрузка...

Номер патента: 769836

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Загоруйко, Тиман, Файнер

МПК: C30B 29/46, C30B 33/04

Метки: основе, пьезополупроводникового, соединений

...к об разлу, врез 18 мин пссцесс обработ(и пре кращают ИзепчОт теГ 1 пеодтчрнч( за иси;:,ость удельнсга сопротивления об разца,Темнсвое удельное сопротивление аб раз 18 при 300 К составляет 1,5 10 Омсм диапазон рабочей температуры 200 - 358 К,П р и м е р 2, Палученле манакристалл. Сэ 3;Я:С к 11 звестнь 1 м способам выращивают мс 11 окристалл сульфида кадмия(СНЯ, Образеь размером 20 х 20 х 7 мм помещаот в квар ценуО 3 павлу, запаина)ст и псдверГают От жигу в парах сары при температуре 1273 1 в течение о ч. Получают образец с темновы 1 1 О у,".,ельным сопротивлениемр = 2 10 Ом с," при 300 К, На большле грзни этого образц напыля ст в вакууме10 мм рт ст) сло меди тол;цинсй - 5 .км. Образец псмеща от в муфельну 1 О печь с тдм 1...

Устройство для получения нитевидных монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1736209

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Апилат, Литвинов, Литичевский, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: монокристаллов, нитевидных

...крышкой 6, в котором размещеносредство перемещения, Средство перемещения выполнено в виде двух коаксиально.55 расположенных барабанов, На валу 7 консольно укреплен внутренний барабан 8, связанный с приводом 9 вращения и осевогоперемещения, а на валу 10 в винтовой паре11 установлен наружный барабан, выполненный из двух частей 12 и 13, отъемнаячасть которого 13 фиксируется к остальной части 12 стопором 14 и имеет винтовую канавку 15 (фиг.З), шаг которой совпадает с. шагом шарико-винтовой пары 11, и прорезь 16. Внутренний барабан 8 имеет две коль цевые канавки, в которых помещен гибкий элемент - тросы 17, на концах которых укреплен затравкодержатель 18 с затравкой 19 (фиг.З), имеющий форму и размеры, точно совпадающие с прорезью 16 на...

Неорганический растворитель

Загрузка...

Номер патента: 609230

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: неорганический, растворитель

...необходима либо выращивать, либо отжигать В атмосфере кислородадля окисления двухвалентнога железа втрехвалентное. Выращивание в атмоСферекислорода 800 - 1300 С) вызывает разрушение платиновых изделий,Перечисленные недостатки существен, но уст ожняют процесс получения монокристаллов из раствора-расплава с использованием растворителя, содержащего окислы свинца. бора и фтористый свинец, Наиболее близким к изобретению по технической 5 сущности и достигаемому эффекту являетсярастворитель для получения монокристаллав из раствора-расплава - феррит натрия.Однако выращивание феррограната вданном растворителе не позволяет пол учить высококачественные манокристаллыиз-за высокой температуры кристаллиза- ЦИИ,Цель изобретения - повышение качества...

Сцинтилляционный материал на основе монокристалла

Загрузка...

Номер патента: 1619755

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Виноград, Горилецкий, Панова, Шахова, Шпилинская, Эйдельман

МПК: C30B 29/12

Метки: материал, монокристалла, основе, сцинтилляционный

...55 Установлено, что при регистрации жесткого излучения (Сз 137, Е у 662 кэВ) световой выход (С у) достигает максимального значения при концентрациях Сз 2 СОз (1,6 х х 10) - (8 10) мас. %, как это хорошо видно на приведенной фиг. 1, зависимость 1. При этом величина светового выхода на 30% превышает величину светового выхода Сз: Т с содержанием активатора 4 10мас. оТ 1, принятую за 100%, При введении СзгСОз до 1,6 10 мас.и более 8,0 10мас. % своой од "сцинтилляций снижается. При концентрации Сз 2 СОз до 1,6 10 мас. % значение светового выхода снижается вследствие недостаточности концентрации центров свечения, создаваемых Сз 2 СОз, для наиболее эффективной регистрации у-излучения с энергией 662 кэВ. При концентрации Сз 2 СОз...

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава

Загрузка...

Номер патента: 1510411

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Горилецкий, Любинский, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 15/02

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

...обе секции б и 7 нагревателя и расплавляют сырье в тигле 2. Затем соприкасают затравку 14 с расплавом 16, разращивают кристалл 15 по диаметру и вытягивают его в вцсоту при проведении постоянной подпитки измельченным материалом через питатель 8, проходящий через отверстие 1 г экране 9, подвешенном на регулируемых Тягах 10, Подпитывающий материал расплавляется в кольцевой емкости 3, Применение экрана 9 позволяет снизить температуру перегрева расплава, который через отверстия 5 в стенке 4 перетекает в тигель 2. Поток расплава стекает вниз между стенкой тигля 2 и экраном 12 ко дну тигля 2. Преимущества устройства состоят в том, что размещение в тигле экрана позволяет направить поток расплава, текущего из кольцевой емкости, в нижнюю часть...

Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка

Загрузка...

Номер патента: 1625068

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Загоруйко, Кобзарь-Зленко, Комар

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллов, оптически, прозрачных, селенида, цинка

...в которой показано изменение коэффициента 3 см в зависимости от условийобработки),Это достигается благодаря воздейст 30 вию на образец термических напряжений,расположенных под углом 90 к плоскостиобразца, Расположение боковых нагревателей под прямым углом к центральному обусловливает аналогичное расположение35 градиента температур в полости нагревателей и образующихся термических напряжений в материале кристалла, чтоспособствует противоположному воздействию термических напряжений на разориен 40 тированные по объему кристалласпонтанные напряжения кристаллическойрешетки образца.Проектируя эти точки в систему координат температура (Т, С) - длина (см), получаем точки а, б, в, г, д, е, и т.дсоединяя их между собой, получаем графическую...

Способ выращивания кристаллов селенида цинка

Загрузка...

Номер патента: 1157889

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Коновалов, Носачев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, кристаллов, селенида, цинка

...мощности устанавливают ширину расплава в графитовом тигле по сплавившемуся порошкообразно 40 последующую повторную кристаллизацию с меньшей скоростью пропускания, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств кристаллов, повторную кристаллизацию ведут при ширине эоны расплава 1,2 - 4,0 см, величине давленияинертного газа, не превышающей кристаллизационное давление, развиваемое рас тущим кристаллом. Формула и зоб рете н и я СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА, включающий плавление исходного материала, его кристаллизацию при пропускании тигля с расплавом через температурный градиент под избыточным давлением инертного газа и му селелиду цинка, которая вначале не должна быть более 2 см. Руководствуясь полученными при...

Способ выращивания слоев алмаза и устройство для его осуществления

Загрузка...

Номер патента: 1577400

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Алексенко, Ботев, Буйлов, Варнин, Спицын, Теремецкая

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04

Метки: алмаза, выращивания, слоев

...выпрямитель мощностью 10 кБт с регулируемым напряжением до 400 В и током до 40 Л. Напряжение подают на стержень 5 и один из токоваодов 2 через реоста 1 20 м. Подогрев подложек осуществпяют при пропускании переменного тока до 600 А через подложкодеркатепь и токовводы 2.П р и м е р. Дпя инициирования роста алмаза по всей площади подложки 3 на нее равномерно нпнося 1 затравки - частицы ал 5 10 15 20 25 30 35 40 50 мазного порошка размером не более 1 мкм так, что среднее расстояние между отдельными частицами составляет 1-2 мкм. После помещения подложек на рабочую поверхность подложкодержателя 1 реактор откачивают до давления 10 атм и продувают газовой смесью в течение 1 ч при зоасходе 2 л/ч, Далее при давлении около 10 атм подают...

Устройство для вытягивания монокристаллов из расплава на затравку

Загрузка...

Номер патента: 1108787

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Апилат, Вакуленко, Горилецкий, Максимов, Мюлендорф, Радкевич, Черницкий, Эйдельман

МПК: C30B 15/00

Метки: вытягивания, затравку, монокристаллов, расплава

...части 2 камеры. В нижней части камеры размещены тигель 7 с нагревателем 8 и теплоизоляционной футеровкой 9.В верхнюю часть камеры. герметично введен шток 10, связанный своим верхним концом с механизмом 11 его вращения и вертикального перемещения, установленным на карКасе 3. На свободном конце штока 10 нарезана резьба, на которой навинчен эатравкодержатель 12. Затравкодержатель представляет собой накидную гайку 12 с резьбой и свободной от резьбы частью 13 отверстия. Часть 13 отверстия имеет форму усеченнойпирамиды с вершиной, обращенной вниз, и приспособлена для охвата верхнего конца затравки 14, на нижнем торце которой выращивается монокристалл 15.Установка содержит также контейнер 16 (см. фиг,2) из жаростойкого материала и...

Устройство для обработки монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1535087

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Абрамова, Герасимчук, Епифанов, Радкевич, Суздаль

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов

...нитью выносится вверх и попадает в межэлектродное20 пространство датчика 8, При этом нить 2,касаясь кристалла, получает начальное отклонение и перемещается ближе к электроду 21 датчика 8. Измерители 11 и 12фиксируют уменьшение измеряемых сопро 25 тивлений, сумматор 13 и измеритель 14 -соотношения сопротивлений, Эти режимыявляются рабочими для всего процесса резания,При резке цилиндрического монокри 30 сталла в поперечном направлении, т,е. вслучае переменной высоты контакта нити скристаллом, количество материала, разрезаемого кристалла, выносимого нитью, увеличивается до выхода на диаметр, а затем35 постепенно уменьшается. При увеличенииколичества выносимого материала концентрация его в рабочем растворе увеличивается, что приводит к...

Способ получения моноалюмината иттрия для выращивания монокристаллов

Загрузка...

Номер патента: 1075758

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Квичко, Коток, Некрасова, Рамакаева

МПК: C30B 15/00, C30B 29/24

Метки: выращивания, иттрия, моноалюмината, монокристаллов

...вследствие чего улучшается стехиометрия целевого продукта.Отделение твердой фазы от жидкой производят путем фильтрации на нутч-фильтре или упариванием. В результате одностадийной термической обработки (при температуре 1200 - 1250 С в течение 2 - 2,5 ч) происходит твердофазное взаимодействие окисловиттрия и алюминия,5 Навеску прокаленных окислов иттрия иалюминия, взятых в стехиометрическом соотношении, загружают в барабан мельницы, добавляют жидкость (вода, спирт и др.)в количестве 1-1.2 л на 1 кг смеси окислов"0 и перемешивают на валках до полной гомогенизации смеси. Полученную суспензиюупаривают или фильтруют на нутч-фильтре.Осадок подсушивают и прокаливают притемпературе 1200 - 1250 С в течение 2 - 2,5 ч,15 Полученный продукт...