C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 257462

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Аникин, Ишбз

МПК: C30B 29/34, C30B 9/12

Метки: веществ, монокристаллов, особенности, тугоплавких, фтор-слюды

...конечного продукта и упрощения процесса предлагается в качестве растворителя использовать смесь обезвоженных фторидов элементов 1 и 11 групп периодической системы элементов, а в качестве растворимого - поликристаллпческий конечный продукт или смесь компонентов, образующих его в процессе реакции. При этом растворитель вводят в количестве от 3 до 80% (преимущественно 20 - 60%).П р и м е р. Химически чистые ЯР, ВаР 2 смешивают со скрапом слюды КМДзА 1 Яз 01 о 1 Р 2 фракции 0,5 - 1 мм в соотношении ЯР 30%, ВаР 37%, слюда 33%, брикетируют и загружают в тигель из мало- углеродистой стали. После этого его вакуумируют и заполняют аргоном. Внутреннюю поверхность тигля предварительно очшцают от ржавчины и для удаления механических примесей и...

Номер патента: 232213

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: C30B 13/16

Метки: 232213

...устройства для зонной перекри сталлизации веществ, в состав которых входит летучий компонент, включающие установленные соосно с перекристаллизуемым образцом трубчатый нагреватель сопротивления из электропроводного материала, служащий для создания теплового фона, и кольцевой нагреватель, служащий для создания расплавленной зоны. В качестве нагревателя зоны в таких устройствах, может быть применен нагреватель сопротивления или индукционный нагреватель. При использовании нагревателя сопротивления перемешивание расплавленной зоны не обеспечивается. Отличительной особенностью описываемого устройства является то, что нагреватель зоны выполнен в виде разомкнутого кольца из электропроводного материала с токовводами присоединенными к...

Номер патента: 232214

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Баранов, Бурханов, Раскатов, Савицкий

МПК: C30B 11/10, C30B 29/52

Метки: металлов, монокристаллов, сплавов, тугоплавких

...затравку 1 из вольфрама или другоо тугоплавкого металла укрепляют на медном водоохлаждаемом штоке2, соединенном с приводом вращения и возвратно-поступательного перемещения по вертикали, В качестве источника нагрева используется плазменная струя, создаваема при помощи плазменной дуговой горелки 3, В качестве плазмообразующего газа - аргон, 1 елий, азот и другие газы, неактивные по от. ношени 10 1 перекристаллизуемому металлу, 11 сходный материал, например, в виде прутка 1, равномерно подают в процессе выращивапы в горячую зону плазменной струи, где он расплавляется и стекает в образующуюся на )Ор 110 затравки жидку 10 Ванну, удерживаезук 1 слами поверхностноо натяжения. Б качестве исходного материала может быть использоВа Также...

Номер патента: 237793

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Андрейченко, Богин, Жудинов, Заварцев, Каркер, Коган, Орлов

МПК: C30B 13/06

Метки: металлов, сплавов, тугоплавких, фасонных

...мощность и распрсдслсние источ- никоВ энергии, п 1 л чают подвижные расплавлснныс участки разлиныл рязмсроч, формы 2 и глубины.Поверхностный слой сплавляот на глубину1 - 3 л 1,5. Благодаря давлению, создаваемому с 1 лами поверкпостного натяжения в наружном расплавлснном участке, начодя 1 циеся под З 0 ним ело:1 (нагретые до тсмпоратуры, близкой К П,1 ЯЬЛСНИ 0) ПОДБСРГ;110 ТС 51 ТСР 110 ДИфф)ЗИОН.1;Ому сра;циваншо ВО всем с бъсмс. Г 1 ри этом 11 еп;.1 срывио-после 1 йвятсльнос оплав 1 сние каркяся 110 сспсиБяет ОоразйВя 1 Пс ОднороднОЙ с рктгрь 1 Опля в 1 синйГО сл 051 сз 11 сстны 1 тсрмичсскик цяпряжси.1 й. Таким оразом, можно п 1 луч 11 гь деаль с нс:1 дн 1 рйднь 1 ми свойствами Б попсрс;ном сесипи: повср.,постный слой с литой...

Номер патента: 240681

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Государственный, Дмитриев, Кроль, Кузьмин, Матвеев, Нашельский, Проектный

МПК: C30B 15/20

Метки: наблюдения, нагретыми, телами

...окно из оптического кварца. При,нагреве тел до температур, превы,шающих 500 С, в условиях избыточного давления газа в камере между нагретым телом и окном возникают конвекционные потоки, мешающие наблюдению.Описываемое устройство отличается от известного тем, что оно онабжено, входящей в полость патрубка трубкой, торцы которой закрыты пластинами из оптически прозрачного материала. Полость трубки сообщается с полостью камеры, Коаксиально трубке установлен нагреватель, При таком выполнении устройства устраняется конвекция газа между смотровым окном и нагретым телом и вследствие этого улучшаются условия наблюдения.На чертеже схематически изображена камера высокого давления с описываемым устройством. В камере 1 установлен тигель 2 с...

Номер патента: 240688

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Жевноватый, Плеханов, Шенберг

МПК: B03B 5/68, C22B 3/04, C30B 9/12 ...

Метки: выщелачивания, мелкодисперсной, промывки, твердой, фазы

...вытеснена рение легкоизой фазы пульг осадок будж:т, близком Способ выщелачивания и промывки дисперсной твердой фазы, отгичагощий 20 что, с целью интенсификации процесса,риал в виде пульпы пропускают под нпем через кольцевую полость, образо двумя коакспально расположенными тр и подагот через перфорированную стен 25 ружной трубы промывную жидкость с нием, прсвышающивг давление пульпы,чего отводят концентрированную жи через пористую стенку внутренней трумелкося тем,мате- давлеванную убами, ку нада влепосле дкость бы. Известен способ промывки осадка промывной жидкостью с вытеснением концентрированной жидкости, используемый в глиноземном производстве.Предложенный способ отличается от известного тем, что материал в виде пульпы пропускают под...

Номер патента: 240689

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Михальченков, Урсул

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: монокристаллов

...1 ез Это позволяет расширить границу кальцийванадиевых феррогранатов коротковолновую область приме 10 си. ри. рот росого сталл ос н 0 гс в сд Ъ,з примев ы со- амагместоОнь еня более8 -10 едмет пзобретени альмонокрпсталловго феррограната, например алюзиз раствора в распто, с целью упрощсвойств конечногов тигле пз окиси получе 51дЙ-всзутовоых добавкамсталлизацииссйсл тем, чи улучшенияроцесс ведутэлемента. Способ ццй-вана гированн путем кр отгссчасос процесса дукта, п рующего паве,енияпропегиНастоящее изобретение относится к области радиоэлектроники.Известен способ получения монокрпсталлов кальций - ванадий - висмутового феррограната Вз 2 з Са 2, 1.ез Ч,. О,в, легированных различными добавками, например алюминия, путем кристаллизации...

Номер патента: 242857

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Государственный, Институт, Проектно

МПК: C30B 15/00

Метки: икамеры, подвески

...плоскостей двери и фланца камеры, вследствие чего дверь уплотняется неравномерно по периметру; увеличенный люфт в шарнире петли приводит к провисанию двери и ее перекосу; в обоих случаях увеличивается усилие при уплотнении двери,Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что петли выполнены в скобах, охватывающих выступы двери по ее периметру, причем дверь установлена подвижно в направлении, перпендикулярном ее поверхности, при помощи проходящих через выступы пальцев, а нажимные винты установлены в резьбовых отверстиях скоб. Это позволяет обеспечить параллельность двери плоскости фланца камеры при ее уплотнении.На фиг. 1 изображена камера; на фиг. 2 - расположение скоб на двери; на фиг, 3 - несущая скоба, разрез по А - А...

Номер патента: 245730

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Волков, Матвеев, Мурашкевич

МПК: C30B 11/10

Метки: подачи, порошковой, шихты

...порошковой шихты в горелку аппарата для выращивания кристаллов по способу Вернейля, включающее последовательно установленные по вертикали бункер, дозатор с сеткой и приемный конус с шихтопроводом, входящим в полость горелки.Отличием описываемого устройства является то, что шихтопровод снабжен распылителем в виде спирали.Это позволяет подавать комкующиеся порошки в рабочее пространство в распыленном состоянии.На чертеже показано описываемое устройство.Оно включает бункер 1 с запасом порошковой шихты, последовательно установленный под ним дозатор 2 с сеткой 3 и приемный конус 4, расположенный под сеткои дозатора и соединенный с шихтопроводом 5. Отверстие бункера снабжено клапаном 6, который перемещается вверх или вниз в зависимости от...

Номер патента: 249350

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Имени, Ленинградский, Матвеев, Прокофьев, Руд

МПК: C30B 13/26

Метки: зоне, зонпой, перемешивания, расплава

...вьше давления, соответствующего максимальной температуре плавления исходного соединения, а для регулирования состава кристаллизуемого соединения при последнем проходе зоны парциальное давление пара элемента изменяют в соответствии с фазовым равновесием жид кость - твердая фаза - пар,П р и м е р. Синтезированный Сс 1 Те (около100 г) помещают в кварцевую ампулу. Туда же добавляют 4 - 7 г металлического Сс 1. Ампулу откачивают ( - 10 - е лл рт. ст, Нд) и 0 отпаивают. Затем вставляют в установку дляза иной перекр исталлизации инконгруэнтно плавящихся соединений. Эта установка состоит из терех печеп: зонной, фоновой и печи для контроля и регулирования 5 температуры избыточного кадмия. Температуру в зоне повышают до 1130 С ипосле расплавления...

Номер патента: 252289

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Горюнова, Орлов, Соколова, Цветкова, Шпеньков

МПК: C30B 29/10, C30B 9/06

Метки: меди, монокристаллов, основе

...и олово 45-1, что соответствует 30 20%-ному весовому содержанию тройного соединения в олове.Количество фосфора на 1 - 1,5 вес, % больше, чем следует, если исходить из формулы соединения. Это необходимо для того, чтобы скомпенсировать потери фосфора на окисление в процессе синтеза.Навеску вышеуказанных элементов помещают в кварцевую ампулу диаметром 25 лья. Эвакуированную до остаточного давления не ниже 10 з торр и запаянную ампулу помещают в печь. Вначале производится быстрьш нагрев до температуры 400 - 450 С, затем после часовой выдержки с вибрацпонным перемещением - быстрьш подьем температуры до Т,., =1050+ 50 С. После часовой выдержки при максимальной температуре расплав медленно (20+5 С/час) охлаждается до температуры 400 С....

Номер патента: 253775

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Вигдорович, Вольп, Колеснев, Марычев

МПК: C30B 27/00

Метки: веществ

...сли вом его в конце прохода вместе с загрязненным материалом,Это дает возможность повысить степень чистоты получаемого продукта.По описываемому способу исходный мате риал помещают в горизонтально или наклонно расположенный контейнер, снабженный питателем и устройствами для слива расплавленного материала в начале прохода и в конце прохода перед питателем. 30 Процесс начинается с расплавления начального участка слитка и слива части расплава, после чего поверхность зоны покрывают слоем расплавленного флюса, активш,го по отношению к примесям, содержащимся в очищаемом веществе. В процессе зонной перекристаллизации примеси из расплава экстрагируются флюсом, в результате чего происходит дополнительная очистка вещества. Флюс перемещают в...

Номер патента: 253776

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Маслов, Черномордин

МПК: C30B 13/04

Метки: веществ

...меньшим елццццы, коц цецтрируются в расплаве перел зоной. Большая часть их удаляется прц сливе загрязненного продукта в конце прохода. Подпитку произволят исходным материалом, вводимым в часть контейнера, находящуюся цд рдсстоя- О ции 1 2 длин твердой зоны от его конца."1 асть контейнера, в которую вводят подццтывающцй мдтеридл, отделяют от основной части загрузки участком твердой фдзь 1 очцщдсмого вещества. После удаления твердой зоць 5 в начале прохода на расстоянии двух се ллццпозади зоны образуется расплав, очццсцццй от примесей, имеющих коэффициент рдсцрслеления ецьшс едициць 1, которь 1 й сливается в приемшк.О В течение прохола зоны основная 1;Стьочцщаемого вещества отделена от полпцты- В д 10 щего м атерц дл а у асткоы...

Номер патента: 253778

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Государственный, Ионов, Колосов, Проектный, Прокофьева, Рейфман

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбидакремния, монокристаллов

...цссодержащий гермдццй в пающем содержание в цсм есей в 1 О- - 10 рдз. Спосоо выращцв 15 бида кремния пер го легированного тсрцала через газ тем, что, с цель 1 о щцваемых моцокр 20 ходный м атерц ал количестве, превьп акцепторцых примИзвестен способ выращивания моцокристаллов карбида кремния перекрцсталлцзацией исходного легированного поликристаллического материала через газовую фазу.По предлагаемому способу используют исходный материал, содержащий германий в количестве, превышающем содержание в нем акцепторных примесей в 10- - 10" раз. Прц перекристаллизации материала, содержащего германий, повышается чистота получаемых монокристаллов.Способ выращивания монокристаллов карбида кремния осуществляется следующим образом. Исходный...

Номер патента: 253953

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Готе, Рубальска, Рубинштейн, Титова

МПК: C30B 29/26, C30B 9/12

Метки: выращивания, монокристаллов, ферритовых, шихта

...1100 С в течение 15 - 20 час для лучшего растворения исходных компонен тов в расплаве, Охлаждение расплава проводят со скоростью 0,5 - 1/час,до 500 С. Затем печь отключают, кристаллы из застывшего расплава извлекают кипячением в разбавленной азотной кислоте, Полученные монокрис таллы имеют октаэдрическую структуру, ИзмеСостав шихты для выращивания монокристаллов,вес, %1.1 зСОз 5,2 РезОз 14,7 ХпО 1,1 РЬО 68,4 ВзОз 10 6 1.1 0 3,0 ХпО 5,4 РеОз 91,6 1.10 2,8 Таблица 1 4600 Намаг- ниченность на- сыщения, гс Состав шихты для выращивания моно- кристаллов, вес. % Состав кристаллов,вес. %1.1,СОз Рез 03 ХпО РЬО ВзОз 5,2 14,4 1,3 68,5 10,6 4700 ХпО 7,3 РезОз 89 9 1.1,СОз 5,2 РезОз 12,0 ОазОз 4,3 РЬО 68,1 ВзОз 10 4 3,0 Ре,Оз 79,24400100...

Номер патента: 255209

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бакуменко, Гашенко, Зарубин, Неймарк, Осовский

МПК: C30B 15/10, G01N 27/02

Метки: кварцевых, чистоты

...це менее 1000 о,и с,и при содержац 1 ш бора це более 5 101 З атомов/сл(сз.В держателях верхнего и нижнего штоков4 и 6 укрепляют затравки 6 и 7 из зоццоочи щенного кремния р-типа проводимости судельным электросопротивлением це менее 1000 олс слс. Для стартового разогрева шайоы 3 между затравкой 7 и изделием 1 помещают шайбу 8 из кремния с удельным элек тросопротивлением менее 1 о.и слс. После разогрева шайбы 3 затравку 7 отводят вниз, и шайба 8 сбрасывается на дно вакуумной камеры. Расплав 1 сремния В изделии выдерживают в течение времени, необходимого для 25 растворения поверхностного слоя кварца, после чего из расплава ца затравку 6 вытягивают моцокристалл.Контролируемое изделие сбрасываюдуктора 2 при помощи затравки 7,30 производят...

Номер патента: 261368

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Государственный, Проектный, Черномордин

МПК: C30B 11/06

Метки: ампула, взаимодействия, пара, расплавом

...фиправленную оединения в Предме 15 Ампула для вза вом, выполненная ложения лодочки испаряем ый комп что, с целью интен 20 жения расхода ле ная часть ампул длине лодочки с щель, а летучий к кальном отсеке,25 частью ампулы со длине, тз обретен и я теля Зависимое от авт. свиде Заявлено 14.1 Х.1967 ( АМПУЛА ДЛЯ ВЗАИМО носится к устройствам для ара с расплавом, например, равленной кристаллизации сталлизации диссоцпируючастности полупроводникоИзвестна ампула для взаимодепствия пара с расплавом, выполненная фигурной над местом расположения лодочки с расплавом и содержащая испаряемый компонент.Основными недостатками известной ампулы являются длительность процесса и большой расход летучего компонента,С целью устранения указанных недостатков...

Номер патента: 262857

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Васенин, Икорникова, Институт, Лобачев, Сабуренков, Специальное

МПК: C30B 7/10

Метки: автоклав, выращивания, гидротермальных, кристаллов, условиях

...от паров раствора, что позволяет наблюдать за ростом кристалла,в процессе его вьтращивания.На чертеже изсбражен предложенный автоклав (разрез) и разрез по А - А.В многослойном корпусе 11 автоклава размещены кристаллизационный вкладыш 2, снабженный фторпластствым силыфоном 3, газовая камера 4 и нагревательный элемент 5. Автоклав снабжен блоком терморегулирования 6. В средней части автоклава расположены три окна 7, 8, 9, два напротив одно другого, третье под углом 90 к первым. Для регистрирования процесса, идущего в автоклаве, используют блок киносьемки 10, состоящий, например, из кинокамеры Красногорск с тремя смешанными объективами и цинтрофера, регулирую щего скорость съемки.Автоклав работает следующим образом.В кристаллизационный...

Номер патента: 262860

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Институт, Киргинцев, Рыбин

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов

...способ,Исходный материал загружают в трубчатыйконтейнер 1 из графита или кварца в количестве, при котором распла загр) женного кдатериала занимает 40 - 70% объема внутренней5 полости контейнера. Контейнер устанавливают под углом 0 - 5 к горизонту и вращают со скоростью 300 - 400 об(иан. Выращивание производят на затравку 2, плотно входящую в полость контейнера. Расплав перегревают до 10 температуры не менее чем на 100 С вышетемпературы плавления кристаллизуемого материала, Затравку принудительно охлаждают для создания в твердой фазе начального осевого градиента температуры не менее 100 С 15 на 1 слд. В этих условиях происходит расслоение расплава по длине контейнера на а-расплав, примыкающий к затравке, и р-расплав, а-расплав...

Номер патента: 264250

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Иностранец, Иностранна

МПК: C30B 15/30

Метки: виamp, лйопк, техническая

...меньЭто дает возможность и вое движение затравкоде но оси тигля и устранить рации от приводных двпгаНа чертеже показана о ка,Она содержит герметичную камеру 1, в полости которой находится тигель 2 с исходным материалом. В крышке камеры имеется отверстие 3, предназначенное для установки в нем втулки 4, соединенной гибкой связью 5 с приводом б вращения, помещенным на крышке камеры. Втулка может быть установлена в отверстиипри помощи подшипника. В полости втулки расположен вкладыш 7 из материала с высоким коэффициентом трения и хорошими термостойкими свойствами, например из тефлона. По оси тигля в полости камеры размещен затравкодержатель 8, служащий для крепления затравки,264250 Заказ 1392/16 Тираж 500 одписио Типография, по,...

Номер патента: 268145

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Волков, Матвеев, Мурашкевич

МПК: C30B 11/10

Метки: аппарата, горелку, кристаллизационного, подачи, порошковых

...аппарат, включающее установленный над горелкой бункер с порошковым материалом, расположенный под ним дозирующий стакан с ситом и пневматический вибратор, Уровень порошка на сите поддерживается постоянным при помощи датчика уровня и клапанного механизма. Однако при работе клапана нарушается режим пульсации давления газа, что нарушает равномерность подачи порошка в горелку.Предлагаемое устройство отличается тем, что в дозирующий стакан выше сита встроена гопизонтальная перегородка из эластичного материала с отверстием в центре. Это отличие упрощает его конструкцию и повышает равномерность подачи порошка в горелку,Кроме того, нижняя часть дозирующего стакана введена в полость горелки, что предотвращает коагуляцию поступающего в горелку...

Номер патента: 272285

Опубликовано: 01.01.1970

Автор: Ильченко

МПК: C30B 15/22

Метки: кривизны, кристаллизации, фронта

...1 пьезокристалла 2. Ультразвуковые колебания в пьезокристалле возникают под действием электрических импульсов, генерируемых ламповым импульсным возбудителем 3 и, распостраняясь вдоль затравки 1 и ксристалла 4, частично отражаются от фронта кристаллизации 5, достигают пьезокристалла и преобразуются им в электрические импульсы, восприниисчемые приемником 6 с электроннолучевым индикатором, Импульсы для запуска возбудителя и развертки индикатора вырабатываются генератором синхронизирующих импульсов 7. Если фронт кристаллизации плоский и параллелен плоскости пьезокристалла, отраженные импульсы имеют максимально возможную для данного полупроводника и установки амплитуду. При наличии кривизны амплитуда будет меньше максимальной.Абсолютное...

Номер патента: 272286

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: C30B 15/22

Метки: движения, скорости, фронта

...на торце затравки. В процессе вытягивания моцокристалла 3 из расплава 4 пьезокристалл импульсно возбуждакл етение может быть использовано превенно прц выращивании монокристаласплава вытягиванием по Чохральламповым импульсным возбудителем 5, з- пуск которого производится синхронизатором 6. Ультразвуковые колебания частогой 30 - 50 мегагерц распрострацяотся по затрав ке 1 ц монокрцсталлу 8 и достигают фронт:кристаллизации /. 1.слп фронт крцсталлцз- ции плОский цлп цмсст ьезцачцтельцу 1 о крц" визцу, часть ультразвуковых колебац отразится от фронта кристаллизации ц досг гце О пьезокристалла 2, црсобразуОщего отраженныеые ультразв новые кол:б 1 И 151 В электри 1 ескце. Отрд;кеццые импульсы Воспрцццмются приемником 8, усцлцвдются,...

Номер патента: 272964

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Петрик, Устинова, Шварцман, Юшков

МПК: C30B 25/02, C30B 29/06

Метки: монокристаллических, слоевкремния

...слоя мелкодисперсн нием из газовой фазы происходит б номерное наращивание по площади и вания. В ропсходп порп тымструктуи загрязым кремолее рав- одложки особу в состав паролористый водород. Этов газовой фазе у почкодисперсного кремедм е изобретения Способ получ слоев кремния эпи 15 из паро-газовой лан и водород, на ператх ры 1000 -что, с целью пред зовой фазе мелко 20 став паро-газовой верхности подлон род.Известен способ получения монокристаллических слоев кремния из парс-газовой фазы, по которому парс-газовая смесь, подаваемая к поверхности подложки, нагретой до температуры 1000 - 1200 С, включает моносилан и водород.По предлагаемому спгазовой смеси вводят хпредотвратит появлениеверхности подложки ме.ния.По этому споссоу...

Номер патента: 273175

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Золотухин, Цветков, Шустов

МПК: C30B 29/22, C30B 7/00

Метки: вырашивания, искусственных, кальцита, кристаллов, оптического, шихты

...искусственных кристаллов оптического кальцита путем использования всех отходов от обогащения и обработки естественных кристаллов оптического кальцита, полученных из одного месторождения.Основным недостатком известного способа является невозможность обеспечения химической и оптической однородности выращиваемого кристалла.Для устранения этого предложено исходную шихту обогащать материалом из пирамид роста граней одной простой формы,П р и м е р. Из кристаллов месторождения Крутое вырезают, пластины, нормальные к оптической оси, плоскости пластин полируют. Пластины просматривают при помощи люминоскопа, в котором ультрафиолетовые лучи, образованные лампой БУВ, пропускают через фильтр из стекла УФС, поглощающий видимое излучение.Объем...

Номер патента: 273176

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Багдасаров, Говорков, Ильин, Институт, Неклюдова, Седанов, Специальное, Федоров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/20

Метки: 273176

...введения примесей, изменения дислокационной структуры,Основным недостатком известного способаявляется недостаточно высокая прочность монокристаллов корунда.Для устранения этого предложено в процессе кристаллизации в монокристалл вращивать высокопрочную и более тугоплавкую арматуру со скоростью кристаллизации 4 - 1516 мм/час при температуре расплава 2050 -2150 С с последующим охлаждением до комнатной температуры в течение 3 - 5 час.П р и м е р. В кристаллизационный сосуд (например, лодочку, изготовленную из молибдена) помещают затравочный кристалл, за которым располагают арматуру, температураплавления которой выше точки, плавленияА 1,0 з. Свободное пространство в объеме лодочки заполняют шихтой и производят направ ленную...

Номер патента: 273791

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Петрик, Ржеуцкий, Фалькевич, Шварцман

МПК: C30B 25/14

Метки: гидрида, дозированной, камеру, легирующего, подачи, реакционную, элемента

...элементом снабжена индукционным нагревателем, наличие которого исключает образование аэрозоля легирующего элемента вследствие воздействия искрового разряда ца пары легирующего элемента.На чертеже показано предлагаемое устроиство.Оно включает емкости 1, снабженные индукционными нагревателями 2 и введенными в полости емкостей электродами 8, соединенныхги с импульсным генератором 4, Емкости включены в газовую линию, присоединенную параллельно к линии 5 подачи водорода в реакционную камеру 6. В присоединенную к емкости входную газовую линию 7 встроен капилляр 8; выходная газовая линия 9 соединена с линией 5 при помощи эжектора 10. По линии 5 в камеру подается основной поток водорода, давление которого устанавливают при помощи релуктора...

Номер патента: 276016

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Дегт, Киселев, Лежебоков, Наройчик, Николаев, Осовский, Селиванов, Шкл

МПК: C30B 13/30

Метки: бвстигельной, зонной, плавки, процесса

...состоит в том, что профиль расплавленной зоны на определенном узком участке около фронта кристаллизации поддерживается системой автоматического регулирования постоянным путем воздействия на механизм сжатия - растяжения зоны или на изменение мощности в зоне по сигналу,деиствия контроля На чер для реал гулирова плавки,На чер расплавл кристалл и 6, зерк экран 11,ный при задатчик гатель 22Расплавленная зона 1 создается на небольшом участке слитка 2 то 1.ами высокой частоты. протекающими по индуктору 23. Сжатие - растяжение зоны осуществляется двигателем 19 через кинематическую систему 10.Посредством оптическо 11 системы, состоящей из линз 6 - 6 и зеркал 7 - 9, через смотровое стекло 4 иа экран 11 проектируется исревер нутое двойиос...

Номер патента: 276017

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Герцберг, Павлов, Розкин, Слезко

МПК: C30B 13/00, C30B 29/54

Метки: веществ, зонной

...производительности и качестве конечного вещества.Для улучшения качества конечного вещества путем непрерывного регулируемого вывода загрязненного примесями расплава непосредственно из зоны очистки в предлагаемом устройстве центральная трубка оборудована в своей верхней части расширителем, размещенным непосредственно в зоне очистки, а в нижней части - регулирующим вентилем.На чертеже схематически показано описываемое устройство.Оно состоит из герметичной емкости 1 с обогревагощей рубашкой 2, в которой неподвгггно закреплена трубка,3 с крапом 4, снабженная центральнои трубкой 5 с расширителем 6 в верхней части ц регулцровочным вентилем,г в нцжцсй части.5 Устройство работает следующим образом.Расплавленный исходный продукт подаетсччерез...

Номер патента: 279598

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: C30B 13/30

Метки: 279598

...12, измерительного прибора 18,регулятора 14, дигаеля 15 схсатпя-растяхсения, задатчика 16, электронного усилителя 17,реверсивного двигателя 18 и кпнематичсскойсистемы 19.Устройство работает. следующим образом.15 Расплавленная зона 1 создается на небольшомучастке слитка 2 токами высокой частоты, протекающими по индуктору 8. Сжатие-растяхсенис зоны осуществляется двигателем 15 черезкипематичсскую систему 19, Посредством оп 20 тической системы, состоящей пз лпнз 6, зеркал5 и 7, через смотровое стекло 4 на проекционном экране 9 с фотоприемниками 10, 11 и 12проецируется перевернутое двойное изображение части слитка 2 вблизи фронта крпсталли 25 зацип 8, На фотоприемник 10 проецируютсяоба края профиля зоны 1, Изменение профилязоны...