Устройство для получения многослойных полупроводниковых структур

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 06 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Е ис обретениппава 11 к подложке 6 и дополнительное сквозное отверстие 2 для свобод ного размещения в нем фиксатора 8. Контейнер 1 имеет выступ 13, контактирующий .с торцом пластины 9, и относится кванию для оборудо роводник ослойных кофаэ ной гическ х при на о р ме ия лол гетеро струэ пит ак сии ве дом жи Цельние ины исти у- исключ изобрете ига пла го наде контролвышени уемого с а счет э ть 16 пус 4 кр а- есткошеннымера 1 осущ едующим обраэ м. дло жку 6 помещают вывают ее пластиноэтом отверстие 12них помещают фик9 устанавливаюти 2 которого поме нак щая е 7 пласт вный ко аство ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И О 1 НРЫТИЯМПРИ ГННТ СССР(56) Авторское свидетельство СССРУ 822588, кл. СВ 19/06, 1979.(54) УСТРОЙСТВО ДИ ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР(57) Изобретение относится к получению полупроводниковых приборов на основе многослойных гетероструктур меНа фиг. 1 изображено устройство, разрез; иа фиг. 2 и 3 - относительное положение элементо в устройств а в процессе выращивания структур; на фиг, 4 - узелна фиг, 1.Устройство содержит контейнер 1 с емкостями 2 для расплавов. Емкости 2 снабжены поршнями 3. В корпусе 4 в углублении 5 размещена подложка 6, а в углублении,7 с,наклонным дном - фиксатор 8. Между контейнером 1 и подложкой 6 установлена пластина 9, имеющая отверстие 10 для подачи рас" е 801638219 д тодом жидкофазной элит аксии, Исключает неконтролируемый сдвиг пластины иповышает эа счет этого надежностьустройства. Устройство содержит корпус с, размещенной в нем подложкой.В корпусе выполнено углубление дляфиксатора. Над подложкой размещеныконтейнер с емкостями для расплава.Между подложкой и емкостями установлена пластина, имеющая отверстие дляподачи расплава к подложке и дополнительное отверстие для свободного размещения фиксатора. Контейнер имеетвыступ, контактирукщий с торцом плас"тины. 4 ил. верстие 14 для фиксатора 8. Карпу4 имеет, выступ 15, ограничивающийперемещение пластины 9, и емкосдля отработанного расплава. Корснабжен крьппкой 1 со сем. Перемещение контейнвляют штоком 18.Устройство работает сл углубление й 9, совмеи углубле; сатор 8. Наконтейнер 1 щают исход- в-р асппавов, 3. Устройверху размещают поршни1638219 10 1 Э ство закрывают крьппкой 17, помещают в реактор и выдерживают при заданной температуре для получения растворарасппава 11. Затем температуру пош- жают и приступают к выращиванию эпи 5 таксиапьных слоев. Для этого штоком 18 контейнер 1 перемещают, Крышка 17 контактирует с поршнем 3 первой емкости 2. Раствор-расплав 11 через от верстие 10 поступает в камеру 19 роста, размещенную над подложкой 6. Избыток расплава 11 поступает в емкость 16. После выращивания первого слоя контейнер 1 перемещают до взаимодействия крышки 17 с поршнем 3 следующей емкости 2. Происходит замещение первого расплава вторым. Положение элементов устройства в этот момент по. казано на фиг. 2. После выращивания следующего слоя дальнейшим перемещением контейнер а 1 совмещают отвер стие 14, выполненное в нем, с отверстием 12 в пластине 9. Отверстие 14 выполнено так, что совмещение этого отверстия 5 с отверстием 12 происходит одновременно при контакте выступа 13 контейнера 1 с торцом пластины 9. При дальнейшем перемещении контейнер 1 перемещает пластину 9, которая краями отверстия 10 удаляет раствор-расплав 11 с подложки 6, Фиксатор 8 выходит из углубления 7 и частично размещается в отверстии 14, а пластина 9 продвигается до выступа 15 корпуса 4. Положение элементов устройства показано нафиг. 3.1 При необходимости использовать подложки различных размеров в корпусе 4делают дополнительное углубление 20,в которое размещают сменную пластину21 с углублением 5, соответствунщимразмеру подложки 6. Сменную ппастину21 фиксируют дополнительным фиксатором 22, который служит опорой фиксатора 8 фиг. 4),Формула изобретения Устройство для получения многослойных полупроводниковых структур методом жидкофазной эпитаксии, содержащее контейнер с емкостями дЛя расплавов, . снабженными поршнями, установленную под ним пластину с отверстием для подачи расплава к подложке, которая размещена в корпусе, имеющем углубление для установки фиксатора, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью исключения неконтролируемого сдвига пластины и повышения за счет этого надежности устройства, дно углубления для фиксатора выполнено наклонным, в пластине выполнено дополнительное сквозное отверстие для свободного размещения фиксатора и контейнер имеет выступ, контактирующий с торцом пластины.1638219 Составитель Н.ДавыдоваРедактор А. Маковская Техред Л.Сердюкоав Коррект ская Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул, Гагарина, 10 Заказ 904 Тираж 25 бВНИИПИ Государственного комитета по113035, Москва, ЖПодписноеобретениям и открытиям при ГКНТ СССРРаушская наб., д, 4/5