C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1450438

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Арзуманян, Журавлева, Нестерова, Павлов, Циглер

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: монокристаллов, полирования, состав

Состав для полирования монокристаллов, включающий этиленгликоль и неорганическую кислоту, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности полирования монокристаллов -йодноватой кислоты с высоким классом чистоты поверхности, в качестве неорганической кислоты он содержит 24,5-25,7%-ную азотную кислоту, а дополнительно включает раствор насыщенной йодноватой кислоты и алмазный микропорошок при следующем количественном соотношении ингредиентов, %:Этиленгликоль - 9-1124,5-25,7%-ная азотная кислота - 65,5-69,5Раствор насыщенной йодноватой кислоты - 6-8Алмазный микропорошок - Остальное

Номер патента: 304784

Опубликовано: 27.05.2002

Автор: Ильин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, монокристаллов, способу

Устройство для выращивания монокристаллов по способу Вернейля, включающее кристаллизатор, систему подачи газа, бункер с дозатором, шихтопровод, входящий в полость горелки, и кристаллодержатель с приводом для его вращения, отличающееся тем, что, с целью уменьшения температурного градиента вдоль выращиваемого кристалла, горелка с шихтопроводом и бункером с дозатором размещена на каретке, перемещающейся по вертикальным направляющим при помощи привода, между шихтопроводом и верхней частью кристаллизатора выполнено уплотнение, а кристаллодержатель закреплен на одном уровне с кристаллизатором.

Номер патента: 778363

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Зелигман, Малахова, Сытин, Циглер

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом, окислов, тугоплавких

Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом Вернейля, включающий подачу кислорода по внутренним, центральному и соседнему с ним каналам и последующее чередование раздельных потоков водорода и кислорода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения более широкого фронта кристаллизации и увеличения за счет этого диаметра выращиваемых кристаллов, скорость истечения кислорода по внутренним каналам поддерживают равной 0,5 - 3,0 м/с, а в каждом последующем внешнем потоке в 1,5 - 4,0 раза большей.

Номер патента: 1294032

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Емельянов, Севастьянов, Соболева, Хапаева, Чиркин

МПК: C30B 11/00, C30B 29/28

Метки: выращивания, граната, иттрий-алюминиевого, легированного, монокристаллов, неодимом

Способ выращивания монокристаллов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом, из расплава исходных компонентов, содержащих Y2O3, Al2O3, Nd2O3, с заданной скоростью, отличающийся тем, что, с целью получения концентрации неодима в монокристалле до 2,6 мас.% при обеспечении его стехиометрического состава и удешевления процесса, исходные компоненты берут в следующем соотношении, мас.%:Al2O3 - 41,82 - 42,64Nd2O3 - 7,89 - 2,17Y2O3 - Остальноеи выращивание ведут со скоростью 0,6 - 1,0 мм/ч.

Номер патента: 1070954

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Каргин, Сытин, Циглер, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: аппарат, кристаллизационный, подачи, шихты

Устройство для подачи шихты в кристаллизационный аппарат, содержащее корпус, имеющий патрубки для присоединения к аппарату, установки бункера с шихтой и подачи газа, поворотную пробку, в которой выполнены перпендикулярно ее оси сквозные отверстия для подачи газа и шихты и два соединенных каналом паза, отличающееся тем, что, с целью сокращения времени смены бункеров и повышения за счет этого качества монокристаллов, устройство снабжено поворотным кронштейном для закрепления по меньшей мере двух бункеров, установленным на вертикальной оси с возможностью вертикального перемещения и взаимодействующим с кронштейном кулачком, закрепленным на оси поворотной пробки, а в патрубке для установки...

Номер патента: 1279279

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Стоян

МПК: C30B 13/10, C30B 29/40

Метки: insb, антимонида, висмутом, индия, кристаллов, легированного

Способ получения кристаллов антимонида индия InSb, легированного висмутом путем направленной кристаллизации из раствора - раствора исходных InSb и In2Bi, отличающийся тем, что, с целью получения высокоомного антимонида индия, исходный InSb берут с содержанием не более 4,6 1015 см-3 фоновой примеси, раствор-расплав содержит 2,6-22,5 мол.% In2Bi и кристаллизацию ведут со скоростью 0,8-3,2 мм/ч.

Номер патента: 976726

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Стоян

МПК: C30B 15/10, C30B 25/02

Метки: выращивания, кварце, контейнер, кристаллов, облицовки, расплава, углеродсодержащей

1. Контейнер для выращивания кристаллов из расплава, выполненный из кварца с углеродсодержащей облицовкой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения смачивания стенок контейнера расплавом и обеспечения возможности наблюдения за процессом кристаллизации, облицовка выполнена из -карбида кремния в виде пленки с шероховатой поверхностью.2. Способ получения углеродсодержащей облицовки на кварце путем термического разложения CH3SiCl3 в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью получения облицовки в виде оптически прозрачной шероховатой пленки, осаждение ведут при концентрации...

Номер патента: 1360266

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Васильков, Дорошенко, Ковалев, Собина, Стоян

МПК: C30B 13/00, C30B 29/40, C30B 31/00 ...

Метки: биgt, монокристаллов

Способ получения монокристаллов In Sb<Bi> путем выращивания зонным выравниванием из раствора-расплава In Sb-In2Bi в контейнере, включающий создание расплавленной зоны и ее перемещение, отличающийся тем, что, с целью улучшения структуры монокристаллов за счет уменьшения плотности дислокаций, контейнер используют из несмачиваемого расплавом материала и вращают со скоростью 60-120 об./мин, а расплавленную зону перемещают со скоростью 0,2-3,8 мм/ч.

Номер патента: 1825537

Опубликовано: 27.01.2003

Автор: Гамазов

МПК: C30B 11/06, C30B 29/40

Метки: гамазова, монокристаллов

1. Способ получения монокристаллов полупроводниковых соединений и их твердых растворов направленной кристаллизацией из раствора-расплава в тепловом поле с градиентом температуры и с добавлением компонентов по мере роста кристалла и его опускания, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса однородности и структурного совершенства кристаллов, кристаллизацию ведут на затравочный кристалл с дополнительным теплоотводом и подпиткой раствора-расплава компонентами из жидкой фазы при его конвективном перемешивании и диффузии компонентов к фронту кристаллизации при двукратном увеличении прямого градиента температуры в диффузионном слое, получаемом за счет двухслойного...

Номер патента: 1695709

Опубликовано: 10.07.2003

Авторы: Денисевич, Радучев, Штейнберг

МПК: C30B 11/02, C30B 29/10, C30B 29/36 ...

Метки: бора, боридов, карбида, карбидов, металлов, монокристаллов, тугоплавких

Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора, включающий индукционное плавление шихты в водоохлаждаемом тигле и выращивание монокристаллов при температуре 0,8-1,0 температуры плавления соединения в атмосфере защитного газа гарнисажным методом, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве шихты используют предварительно переплавленную и измельченную до дисперсности 0,1-3 мм исходную шихту или ее смесь с исходной шихтой, взятой в количестве не более 15 мас.%.

Номер патента: 1746756

Опубликовано: 10.07.2003

Авторы: Денисевич, Иванов, Радучев, Штейнберг

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов

Устройство для выращивания кристаллов тугоплавких веществ, содержащее герметичную камеру из диэлектрического материала, размещенный в ней холодный тигель, выполненный из трубчатых элементов, расположенных с зазором, и снабженный штуцерами для ввода и вывода хладагента, и индуктор, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности устройства и уменьшения потерь исходного материала, холодный тигель выполнен в форме двух полусфер, навитых вокруг оси, перпендикулярной оси индуктора, герметичная камера выполнена в виде сферической оболочки, на внутренней поверхности которой размещен герметизирующий слой, контактирующий с холодным тиглем, а штуцеры для ввода хладагента расположены соосно с...

Номер патента: 1614531

Опубликовано: 27.07.2004

Авторы: Лаишевцев, Липский, Петелькин

МПК: C30B 11/00

Метки: кристаллизацией, литья, направленной, расплава

1. Устройство для литья деталей с направленной кристаллизацией расплава, включающее керамическую форму, установленную на холодильнике и имеющую расположенные одна над другой полости для детали, стартовую полость и полость для затравочного кристалла, соединенные кристалловодами, отличающееся тем, что, с целью повышения выхода годного литья, в форме выполнена дополнительная стартовая полость в виде канала клиновидного сечения, расположенного между стартовой полостью и полостью для затравочного кристалла, а стартовая полость выполнена в виде канала прямоугольного сечения, расположенного по периметру полости для детали.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что дополнительная стартовая...

Номер патента: 811884

Опубликовано: 27.07.2004

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/10

Метки: выращивания, монокристаллов, тигель

Тигель для выращивания монокристаллов, содержащий сосуд для подпитывающего материала с отверстием в дне, установленный в верхней части тигля, и поплавок, снабженный направляющим стержнем, расположенным в отверстии сосуда, отличающийся тем, что, с целью предотвращения проливания подпитывающего расплава при приготовлении исходного раствор-расплава, поплавок снабжен тарелкой, закрепленной на направляющем стержне и размещенной в сосуде для подпитывающего материала.

Номер патента: 1635598

Опубликовано: 27.07.2004

Авторы: Лаишевцев, Липский, Петелькин

МПК: C30B 11/00, C30B 21/00

Метки: кристаллизации, фронта

1. Способ определения фронта кристаллизации при получении монокристаллов, включающий перемещение литейной формы с исходным веществом в фиксированном температурном поле и измерение во времени параметра процесса на разной высоте формы, отличающийся тем, что, с целью облегчения измерений в труднодоступных местах формы, в качестве параметра измерения используют высоту границы твердой фазы, получаемую после расплавления исходного вещества, фиксирования температурного поля и слива жидкой и/или твердожидкой его части.2. Устройство для определения фронта кристаллизации, включающее литейную форму с полостью для исходного вещества, установленную на кристаллизаторе с возможностью перемещения,...

Номер патента: 940344

Опубликовано: 10.02.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/02

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава, синтеза

1. Устройство для синтеза и вытягивания монокристаллов из расплава по Чохральскому по авт.св. № 752877, отличающееся тем, что, с целью обеспечения постоянства условий подпитки при колебаниях уровня расплава, перегородка установлена с возможностью перемещения. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно снабжено трубкой для отвода газов.

Номер патента: 752877

Опубликовано: 10.02.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/04

Метки: вытягивания, монокристаллов, раствора-расплава, синтеза

Устройство для синтеза и вытягивания из раствора-расплава монокристаллов, включающих летучий компонент, содержащее тигель для расплава, установленные сбоку трубку для подпитки расплава летучим компонентом и трубку для вывода летучего компонента, и перегородку, отделяющую область подпитки от области вытягивания кристалла, отличающееся тем, что, с целью увеличения поверхности взаимодействия подпитывающего компонента с расплавом перегородка в тигле выполнена в виде кольцевого канала, закрытого сверху.

Номер патента: 1839796

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Скребнева, Шевырдяева

МПК: C30B 11/00, C30B 29/46

Метки: aggas, монокристаллов, серебра, тиогаллата

1. Способ получения монокристаллов тиогаллата серебра, AgGaS 2, путем направленной кристаллизации расплава в запаянной ампуле, отличающийся тем, что, с целью получения более однородных и оптических прозрачных кристаллов без трещин и двойников, кристаллизацию ведут под давлением газа в ампуле выше 20 атм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что кристаллизацию ведут из расплава стехиометрического состава.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что кристаллизацию ведут из расплава с добавкой избытка Ag2S по отношению к стехиометрическому составу.

Номер патента: 1839797

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Рычик

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: монокристаллов, ртути, тиогаллата

Способ получения монокристаллов тиогаллата ртути HgGa 2S4 путем охлаждения расплава сульфидов исходных компонентов, взятых с избытком сульфида ртути, в ампуле с противодавлением, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и улучшения их оптической однородности за счет уменьшения дефектов структуры и включений примесных фаз, в расплав дополнительно вводят избыток серы при следующем соотношении компонентов, вес.%: Сульфид ртути 51,827-52,042Сульфид галлия 47,662-47,061 Сера 0,511-0,897а охлаждение ведут направленно путем вертикального опускания ампулы со скоростью 2-30 мм/сутки.

Номер патента: 1839798

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Мартынов, Матвеев, Панютин, Погосов, Троценко, Устинов, Шевырдяева, Щербаков

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46

Метки: материал, монокристаллический, нелинейной, оптики

Монокристаллический материал для нелинейной оптики, содержащий серебро, галлий и серу, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности преобразования из инфракрасной области спектра в видимую, он дополнительно содержит германий в соответствии с химической формулой AgGaGeS4.

Номер патента: 1839799

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Скребнева, Троценко

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46

Метки: монокристаллов, серебра, тиогаллата

1. Способ получения монокристаллов тиогаллата серебра, включающий его синтез путем взаимодействия элементов при нагреве в горизонтально расположенной ампуле и последующую вертикальную направленную кристаллизацию в запаянной ампуле, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптической однородности кристаллов, уменьшения в них трещин и двойников, при синтезе к элементам добавляют индий в количестве 0,04-5 вес.%.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при синтезе элементы берут в стехиометрическом соотношении, соответствующем формуле AgGaS2.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что при синтезе к элементам добавляют избыток AgS2 по отношению к стехиометрии.

Номер патента: 1839800

Опубликовано: 27.05.2005

Авторы: Бадиков, Каплунник, Матвеев, Победимская, Троценко, Тюлюпа, Шевырдяева

МПК: C30B 11/06, C30B 29/46

Метки: материал, монокристаллический, нелинейный

Нелинейный монокристаллический материал, содержащий серебро, галлий и селен, отличающийся тем, что, с целью увеличения двупреломления и снижения коэффициента поглощения в области спектрального пропускания, он дополнительно содержит германий в количестве, удовлетворяющем химической формуле AgxGaxGe1-x Se2, где 0,167 x 0,37.

Номер патента: 938642

Опубликовано: 20.06.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, эпитаксии

Устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом сдвига, включающее подвижной контейнер с емкостью для раствора цилиндрической или прямоугольной формы, установленной на подложкодержателе, имеющем ячейку для подложки, отличающееся тем, что, с целью улучшения однородности толщины получаемых слоев, в нижней части емкости выполнен вырез, имеющий в сечении форму сегмента.

Номер патента: 816206

Опубликовано: 20.06.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/30

Метки: вытягивания, кристаллов

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава в герметичной камере, содержащее установленный по оси камеры направляющий стержень и полый шток с затравкодержателем и электромагнитным приводом, отличающееся тем, что, с целью стабилизации скорости вытягивания, устройство снабжено двумя магнитными полумуфтами, соосно размещенными друг над другом на направляющем стержне, который установлен с возможностью вращения во втулке, закрепленной на стенках камеры, верхняя магнитная полумуфта жестко соединена с направляющим стержнем, а нижняя установлена с возможностью вращения и снабжена дополнительными стержнями, установленными параллельно оси направляющего стержня, шток снабжен шайбой с...

Номер патента: 963328

Опубликовано: 27.06.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 15/30

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

Устройство для вытягивания кристаллов из расплава в герметичной камере, содержащее установленные по оси камеры вал и полый шток с затравкодержателем, снабженный шайбой с прорезями, электромагнитный привод, включающий две магнитные полумуфты, соосно размещенные друг над другом на валу, верхняя магнитная полумуфта жестко соединена с валом, а нижняя установлена с возможностью вращения и снабжена направляющими стержнями, установленными параллельно оси штока, отличающееся тем, что, с целью увеличения длины вытягиваемых кристаллов, вал выполнен полым с внутренней винтовой нарезкой, а шток выполнен из отдельных трубчатых элементов последовательно уменьшающегося диаметра, имеющих внутреннюю и...

Номер патента: 1496337

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Гогин, Матвеев, Рязанов, Таширов

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: магнитной, монокристаллической, пленки, феррит-гранатовой, шихта

Шихта для получения феррит-гранатовой магнитной монокристаллической пленки с одноосной магнитной анизотропией, содержащая оксид иттрия, карбонат кальция, оксид германия, оксид железа (III), оксид бора и оксид свинца, отличающаяся тем, что, с целью увеличения подвижности цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) и расширения температурной области совпадения коэффициента температурной зависимости напряженности поля коллапса ЦМД с коэффициентом температурной зависимости намагниченности насыщения феррита, в состав дополнительно вводят оксиды европия, туллия и галлия при следующем соотношении ингредиентов, мас.%:

Номер патента: 1461319

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Гогин, Кирменский, Матвеев

МПК: C30B 19/00, H01L 21/68

Метки: держатель, жидкофазной, подложки, полупроводниковых, преимущественно, проведения, эпитаксии

Держатель подложки, преимущественно для проведения жидкофазной эпитаксии полупроводниковых материалов, содержащий втулку, опорный диск и стержни с установленными на них фиксаторами подложки, отличающийся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей, он снабжен проволочной обвязкой, втулка закреплен на опорном диске, стержни выполнены в виде консольно закрепленных на опорном диске упругих пластин, а фиксаторы подложки размещены в геометрической плоскости, наклонной к геометрической оси втулки и опорного диска, причем на концах упругих пластин выполнены загибы в форме крючка с возможностью размещения на них проволочной обвязки.

Номер патента: 1565088

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Байцар, Воронин, Красноженов, Мустафин, Островская

МПК: C30B 25/00, C30B 29/06, C30B 29/62 ...

Метки: выращивания, кремния, кристаллов, нитевидных

1. Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния для струнных резонаторов в вакуумированной кварцевой ампуле, содержащей исходный легированный бором кремний, добавки золота и оксида бора, путем переноса паров галоидом из "горячего" конца ампулы в "холодный" при постоянной температуре "горячего" конца и снижении температуры "холодного" конца в процессе выращивания, отличающийся тем, что, с целью увеличения механической прочности кристаллов, в качестве исходного кремния берут кремний, легированный бором до номинального удельного сопротивления 20 Ом·см, в ампулу дополнительно вводят медь с концентрацией (2,54-2,64)·10-3...

Номер патента: 1215378

Опубликовано: 20.12.2005

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Журавлев

МПК: C30B 15/34

Метки: волокон, выращивания, группового, монокристаллических

Устройство для группового выращивания монокристаллических волокон из расплава, включающее лодочку для расплава, снабженную формообразователем, содержащим вертикальные пластины, установленные в лодочке параллельно друг другу и образующие капилляр, и токоподводы, присоединенные к торцам лодочки, отличающееся тем, что, с целью увеличения срока использования лодочки и формообразователя и повышения надежности процесса, формообразователь снабжен формообразующим элементом, выполненным в виде расположенной над лодочкой горизонтальной пластины, имеющей наружные выступы со сквозными отверстиями, расположенными вдоль капилляра между вертикальными пластинами, в верхней части которых выполнены...

Номер патента: 826810

Опубликовано: 27.03.2006

Авторы: Газин, Милько, Промыслов, Скворчевский

МПК: C30B 31/06, C30B 31/20, F28F 13/18 ...

Метки: легирования, теплообменника

1. Способ легирования теплообменника путем нанесения на его поверхность легирующего материала и обработки ее лазерным лучом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества легирования, легирующий материал предварительно переводят в газообразное состояние и наносят его одновременно с обработкой поверхности лазерным лучом путем бомбардирования поверхности образованными газами, при этом дополнительно накладывают на них ускоряющее магнитное поле.2. Устройство для легирования теплообменника, содержащее лазер с блоком питания и фокусирующую систему, отличающееся тем, что, с целью повышения качества легирования, оно дополнительно содержит конусообразный тубус, установленный между...

Номер патента: 1137784

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Лозовский, Майстренко

МПК: C30B 19/04, C30B 19/06

Метки: жидкостной, полупроводниковых, селективной, структур, эпитаксии

1. Способ селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающий формирование на поверхности подложки микрорельефа, нагрев и приведение ее в контакт с расплавом и последующую перекристаллизацию в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и улучшения однородности легирования легколетучими примесями, легирующую примесь вводят непосредственно перед контактом подложки с расплавом путем конденсации ее паров из источника, температура которого выше температуры подложки.2. Устройство для селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающее контейнер, имеющий емкость для расплава с отверстием в дне, емкость для источника...