C30B 23/08 — конденсацией ионизированных паров

Номер патента: 810085

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Йорма, Туомо

МПК: C30B 23/08

Метки: пленокнеорганических, соединений, составных

...В не может помешать элементу В вернуться в газовую фазу. Эти чередующиеся ступени реакции повторяются до техпор, пока не будет получена необходимаятолщина соединения АВ.На фиг, 1 представлено устройство, поперечный разрез; на фиг. 2 - разрез А - А на фиг, 1.Устройство включает камеру 1, подложки 2, на которых выращивается пленка, устанавливают на диске 3, вращающемся с помощью вала 4. Под диском 3 помещают источники 5 и 6 паров, которЬе представляют собой изолированные один от другого секторы и каждый из которых рассчитан на необходи.мое давление паров элементарных компонен.тов выращиваемой пленки. При вращении диска 3 подложки 2 попеременно оказы.ваются во взаимодействии с нарами элемента А в источнике 5 и В - в источнике б, вследствие...

Номер патента: 1085510

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Арто, Свен, Туомо

МПК: C30B 23/08

Метки: пленки, составной

...Наружный корпус 36 источника выполнен из нержавеющей стали.В обоих вариантах устройства 35 (фиг.2 и 10) подложки в реакционной камере в процессе выращивания тонкой пленки находятся в неподвижном положении.,Химически активные пары импульсами проходят через камеру и перемещаются несущим газом, формирующим диффузионные барьеры между импульсами химически активных паров.Другой способ согласно изобретению включает использование вариан тов, в которых локально фиксированные потоки химически активных паров отделяют один от другого локально фиксированными потоками газов, образующих диффузионные барьеры. В таких устройствах циклического альтернативного взаимодействия между поверхностью подложек и поочередно подаваемым каждым потоком химически...

Номер патента: 1555401

Опубликовано: 07.04.1990

Авторы: Ломовой, Марошек, Строцкий

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...включает вакуумную камеру, в которой размещен подложкодержатель.Подложкодержатель соединен со средствами вращения и наклона, Отличия устройства относятся к выполнению средст ва наклона, которое позволяет проводить измерения наращиваемого слоя в процессе роста, позволяет регулироо вать угол наклона в пределах 0-5 1 ил. разом,Упоры 8 и 9 регулируют по в 1 соте,при этом в исходном положении сланец13 взаимодействует с упором 3, а приповороте корпуса 7 фланец 13 взаимодействует с упором 9 и обеспечиваетнаклон подложкодержателя в пределахоПри проведении измерений выраого на подложке 14 слоя, не остандвливая вращение штока 2, с помоцью винта 12 фланец 13 поднимают до взаимодействия с упором 9, при этом штифт 11 перемещается .по пазу 10 сф...

Номер патента: 1574698

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Ангилов, Белоусов, Исаев, Михайлов, Потоков

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...этом на внешней боковой поверхности криопанели 2 находятся в основном соединения группы В(АЯ,Р), а на внутренней поверхности - как соединения группы Аз (ба, 1 п), так и соединения группы Вь(АБ, Р), и соединения АзВь. Из криопанелей 2 при помощи газообразного подогретого до 40 - 100 С азота удаляют жидкий хладагент, В дополнительную криопанель 3 непрерывно заливают жидкий хладагент. Включают нагреватель 6, блок молекулярных источников 5, внешние нагреватели ростовой камеры 1, средства 19 и прогревают камеру роста 1 до 100 - 200 С. Давление в камере 1 поддерживают при помощи средства 19 и путем сорбции на охлажденную поверхность дополнительной криопанели 3 при непрерывной заливке жидкого хлад- агента.Включается при помощи ЭВМ 49 черезблок...

Номер патента: 1638220

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Войтенко, Заславский, Санфиров

МПК: C30B 23/08

Метки: источник, молекулярных, пучков

...температуры, обусловленной радиапьнымградиентом температур. Седло 4 поджи- ффеф мают к тиглю 1 при помощи упругого фф элемента из нитрида бора, выполненно- (1 го в виде трубы 6 с поперечными про- (ф резями 7. При сборке источника трубу Я 6 сжимают так, что при любых изменениях температуры в пределах рабочегодиапазона она остается в сжатом состоянии. Кроме того, упругое состояние трубы 6 обеспечивается наличием вкорпусе 8 снизу вставки 9, а сверху тигель 1 зафиксирован лапками 10.Источник молекулярных пучков рабо"аю 3 тает следующим образом.В тигель 1 загружают исходное ве- щество и размещают источник в камере роста установки молекулярно-лучевой эпитаксии Тигель 1 нагревают,16 38220 Составитель Н. ДавыдТехред Л Сердюкова рректор Н...

Номер патента: 1686043

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Кемарский, Кульчицкий, Надирашвили

МПК: C30B 23/08, C30B 29/40

Метки: методом, многокомпонентных, молекулярно-лучевой, структур, эпитаксии

...атомов и молекул, полностью осаждается криопанелями сверхвы соковакуумной технологической камеры.На чертеже приведены зависимости интенсивности молекулярных пучков от времени, где 1 - зависимость для первичных молекулярных пучков, 2 - зависимость для потока десорбированных атомов и молекул при непрерывном осаждении компо 10 20 25 30 35 40 45 50 55 нентов, 3 - зависимость для потока десорбированных атомов и молекул при импульсном осаждении (по предлагаемомуспособу),Площадь, ограниченная кривыми 2 и 3 иосью времени, отображает число десорбированных атомов или молекул за время 1, При непрерывном осаждении в течение достаточно длительного периода почти всеатомы или молекулы, попадающие на поверхность подложки, оказываются десорбированы...

Номер патента: 799521

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Гребнев, Денисов, Дорджин, Крошков, Кузнецов, Ржанов, Томашевский, Щекочихин

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярнолучевой, эпитаксии

...к выключению установки на 40-50 ч, что также снижает производительность этих установок,Кроме того, такая компановка камер и наличие жесткой связи существенно усложняет ремонт и запуск устройства, .ограничивает возможность перестройки на другую технологию.Цель изобретения - повышение производительности и чистоты процесса.Эта цель достигается тем, что средствадля загрузки и выгрузки подложек размещены в отдельных камерах, снабженных ваку 15 умными затворами, а система дляперемещения подложек выполнена в видетранспортного канала, снабженного самостоятельным средством вакуумирования,кареткой, соединенной с механизмом пере 20 мещения и размещенной внутри канала нанаправляющих, и боковыми фланцами длясоединения с вакуумными затворами...

Номер патента: 1231920

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Денисов, Кузнецов, Ляпин, Никандров

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...на базе магниторазрядного или гелиевого насоса с криогенератором. Вакуумные шиберные затворы 8. имеют злектроприводы 71 для открытия и закрытияуплотнительных клапанов,Технологические вакуумные камеры 4,5 и 6 выполнены по единой схеме и отличаются компановкой и составом технологических и аналитических устройств входящих в них. Каждая камера имеет автономные откачные средства, прецизионные манипуляторы 72 с5 10 15 20 30 35 40 45 50 55 приводами 73 для поворота подложек 62 внутри камеры относительно технологических и аналитических устройств, перемещения и управления захватом при передаче подложек в камеру и обратно. На приводах всей установки снаружи расположены датчики (не показаны), контролирующие перемещение и взаимодействие механизмов...

Номер патента: 1700113

Опубликовано: 23.12.1991

Автор: Блинов

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...иэкраном 22. Полость кольцевой камеры 16соединена с питателем 23 веществ с помощью трубки 24, снабженной компенсатором 25. На питающей магистрали камера 16- питатель 23 установлен вентиль 26, Камера 16 может быть выполнена иэ отдельныхнезависимых секторов. 15В варианте исполнения (фиг.2) камера1 соединена с питателем 23 через тигель27, окруженный электронагревательнойспиралью 28, закрепленной в изоляторах 29и помещенный в корпус 30. Для конроля 20температуры испаряемого вещества предусмотрена термопара 31,Работа устройства может быть описанана примере использования варианта исполнения с тиглем (фиг.2), 25При нагреве электрической спирали 28происходит испарение вещества в тигле 27.Пары, поступая через трубку 25 в кольцевуюкамеру 16,...

Номер патента: 1705426

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Войтенко, Заславский, Санфиров

МПК: C30B 23/08

Метки: источник, молекулярных, пучков

...охлаждаемого экрана 4 имеется внутренняя полость А, служащая для равномерного распределения хладагента по периметру экрана. Поступая через входной патрубок 6 хладагент поднимается. заполняя весь внутренний объем и дальше через открытые концы трубок 5 вытекает иэ охлаждаемого экрана 4 (направление течения хладагента показано стрелками), Экран 4 выполнен в виде металлических цилиндров 7 и 8, присоединенных с одного торца к цоколю 9. а с другого - соединяются между собой. В пространстве между цилиндрами 7 и 8 размещены трубки 5. С одной стороны трубки 5 соединены с цоколем 9, так, что открытые концы находятся в полости Б, являющейся выходным коллектором, Патрубок 6 для ввода хладагента проходит насквозь через цоколь и оканчивается в и...

Номер патента: 1730218

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Конников, Улин, Шайович

МПК: C30B 23/08, C30B 25/02, C30B 29/08 ...

Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых

...превышения (сфалерит- вюртцит) а = а р/3, где р - наблюдаемая линейная плотность дефектов упаковки относительно кубической фазы, в обратных нм,Вторым необходимым условием реализации предлагаемого способа является выбор подложки, ее ориентации, Этот выбор должен обеспечить на поверхности кристалла - подложки высокую плотность центров адсорбции с максимальной глубиной потенциальной ямы для адатомов (адмолекул) кристаллизируемого вещества, и, главное, - отсутствие к нее подобия по потенциальному рисунку плоским сеткам кубического кристалла. Это обуславливает необходимость использования в качестве подложки монокристалла гексагональной симметрии со структурным типом вюртцита, а выбор ориентации подложки в соответствии с приведенными выше...

Номер патента: 1761824

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Егоров, Копьев, Леденцов, Максимов, Мамутин

МПК: C30B 23/08, C30B 29/22

Метки: выращивания, оксидных, слоев, сложных, соединений

...по толщине слоев, Для калибровки потоков атомов металлов слои металлов напылялись на холодную подложку, часть поверхности подложки маскировалась, После выращивания измерялась толщина слоев в электронном или интерференционном микроскопе, Интенсивности потоков молекул ВаО и ВаР 2 калибровались по толщине эпитаксиальных монокристаллических слоев ВаО и ВаЕ 2, выращенных при температуре подложки 400- 600 С, Интенсивности потоков рассчитывались из измеренной толщины слоев и их плотности.В процессе выращивания интенсивность потоков атомов и молекул контролировалась масс-спектрометром Ва 1 еггОМа 140. Все слои выращивались на подложках ОаАз(100), прошедших химическую очистку, травление и пасси вацию поверхности слоем естественного окисла,...

Номер патента: 1801992

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Вотяков, Ковнер, Мерзляков, Семенов, Широбоков

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...так и относительнога перемещения. Вал 12 манипулятора подложкодержателя снабжен приводам 13. В нижней части транспортной магистрали 2 размещен привод 14 манипулятора-доставщика 15, с помощью которого осуществляется захват и передачаподложкодержателя на вал 12 манипулятора подложкодежателя,Работа линии установки осуществляется следующим образом: Каретку 4 с подложкоде ржателями 5 устанавливают в загрузочную камеру 1. Производят откачку камеры 1. После чего открывают.шиберный затвор 3, расположенный между загрузочной камерой 1 и транспортной магистралью 2, Каретку перемещают в транспортную магистраль 2 и останавливают напротив выбранной позиции рабочей камеры 6, шиберный затвор закрывают, Привод 9 выбранной. рабочей камеры отводит...

Номер патента: 1307905

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Васин, Неизвестный, Шумский

МПК: C30B 23/08

Метки: пленок, растворов, твердых

1. Способ получения пленок твердых растворов, включающий напыление на подложку из молекулярного пучка элементов твердого состава, образуемого при их нагреве в источниках, в сверхвысоком вакууме, отличающийся тем, что, с целью получения пленок с заданным профилем химического состава по толщине, на поверхность растущей пленки направляют монохроматический электронный пучок с энергией, в 1,5-3 раза превышающей энергию возбуждения характеристического рентгеновского излучения наиболее тяжелого химического элемента твердого раствора, под углом к поверхности подложки 1-5o, регистрируют возбуждаемый в поверхностном слое пленки спектр рентгеновского излучения, сравнивают отношение...