Способ выращивания монокристаллов

(56) Патент ФРГ М 33310кл. С 30 В 30/00, 1985. Изобретениеыращивания кри относится к технол таллов и может быть водниковой промыш ии ри- ененено олуп ности.Цель изобретерованных кристаистой структурдеформации.На чертеже прства, реализующег ния - получение ориенти ллов цепочной или сло ы с низкой степенью ставлена схема устроипредложенный способ. ствляется следующи ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР ТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1/2681. Бюл, М 4(54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКСТАЛЛОВ Способ осуще м способом.Через контейнер 1, загруженный гранулами с сечением большим, чем сечение капилляра 2, с открытым затвором 3 прогоняют в течение некоторого времени инертный газ из баллона 4 при небольшом давлении Р 1. Контроль за давлением осуществляют манометром редуктора 5. Затем без прекращения подачи инертного газа, закрывается затвор и с помощью терморегулятора 6 и регулирующей термопары 7 в печи устанавливается и поддерживается необходимая температура, Контейнер 1 располо(57) Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов и позволяет получать ориентированные кристаллы цепочной или слоистой структуры с низкой степенью деформации. Расплав соединения Тбп Яе 2 выдавливают через капилляр иэ герметичного тигля, помещенного в контейнер, под действием перепада давления в них. Давление в тигле и контейнере 0,5-0,7 и 0,2 - 0,3 атм, соответственно, Градиент температуры обеспечивает кристаллизацию внутри капилляра. Получают кристаллы, ориентированные по 110, с гладкой пове)- хностью, 1 ил. жен в печи таким образом, чтобы часть капилляра 2 находилась ниже условной линии 8, определяющей область начала кристаллизации, После образования расплава 9 дав ление инертного газа над ним увеличивают дО ЭначЕния Р 2 Р 2Р 1),г 1 од действием разности давлений происходит медленное выдавливание расплава 9 через капилляр 2 с последующей кристаллизацией первого и формирование стержня у конца капилляра,Скорость выдавливания расплава 9 с последующей кристаллизацией регулируют изменением разности давления в двух частях контейнера 1. Длина капилляра 2 определенным образом связана с диаметром канала.Получают соединение ТйпЯе 2. Готовые образцы размером 1 х 1 х 5 мм получают раскалыванием монокристаллического слитка по двум взаимноперпендикулярным естественным плоскостям кристалла, выращенно. го методом зонной плавки.Данный способ позволяет получать готовые образцы с минимаЛьной степенью де1624064 Составитель Н. ПономарегэТехред М,Моргентал Корректор С. Шекма Сеглян Редак Заказ 171 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открыт 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5и ГКНТ ССС зводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород арина, 10 формации и с воспроизводимой заданной кристаллографической ориентацией 110). При этом время, в течение которого инертный газ прогоняется через систему при Р 1 = 0,2 - 0,3 атм, составляет не менее 10 мин; давление над расплавом примерно равно Р 2 = 0,5 - 0,7 атм, а отношение длины капилляра к диаметру канала не менее 10 - 15. Последнее обьясчяется двумя причинами: во-первых, при длине капилляра 2, равной примерно 15 или 20 мм, устраняется необходимость достаточно тщательного определения местоположения контейнера, во-вторых, если длина расплава 9, находящегося в капилляре 2, больше диаметрапримерно в 10 раз, то создаются благоприятные условия для воспроизводимой кристаллографической ориеитации растущего кристалла, Выбор разности давлений определяется диаметром капилляра и местом начала кристаллизации и в каждом конкретном случае имеет одно определенное численное значение, которое подбирается в процессе эксперимента так, чтобы скорость выдавливания находилась в интервале 2 - 3 мм/ч.Предлагаемый способ дает возможность получать образцы с воспроизводимой заданной кристаллографической ориентацией и с минимальной степенью деформации без использования в устройстве, реализующем данный метод, затравки, системы вытягивания затравки, отсутствие жестких, связанных между собой, параметров техно логического процесса (температура, давление, высота канала капилляра и т.д.).Большой класс слоистых соединений(ТЬе, 1 пЯе, ТВ, Тп 32, ТТе, ТИп Бег) имеют одинаковые кристаллические решетки. Тех нологические особенности выращиваниясоединения ТцпЯе 2, приводящие к определенной кристаллографичегкой ориентации растущего кристалла, будут также способст.вовать формированию лишь определенной 15 ос чтации и других идентичных ему покристаллической структуре соединений.Формула изобретения пособ выращивания монокристаллов,включающий выдавливание расплава иэ 20 герметичноо тигля, помещенного в контейнер, под действием перепада давления инертного газа в них и кристаллизацию в зоне с градиентом температуры, о т л и ч аю щ и й с я тем, что, с целью получения 25 ориентированных кристаллов цепочкой илислоистой структуры с низкой степень о деформации, выдавливание ведут через капилляр, расположенный в зоне с градиентом температуры при давлении в 30 тигле и контейнере ниже атмосферного.