Шахрайчук

Номер патента: 1633032

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Лаворик, Нечипорук, Новоселецкий, Филоненко, Шахрайчук

МПК: C30B 29/10, C30B 31/06

Метки: гетероструктур, полупроводниковых

...7 ч, затем производятснижение температуры до комнатной эа5 ч.Рентгеновские исследования, приведенные иа дифрактометре ДРОН-З, показывают наличие слоев СдхЕп, хСеР наповерхности обоих монокристалловСс 1 СеР и ЕпСеР, Это значит, что. одновременно получают две гетерострукту 45ры:Сдк 7 п, хбеРг - СЙСеРг ,Сйх Еп, хСеРг - ЕпСеР,причем последнюю гетероструктуру по 50 лучить по известному способу не представляется возможным.Монокристаллы, используемые для получения гетероструктур, получают следующими методами и имеют следующре характеристики: ЕпсеР методом5 Бриджмена, р-тип проводимости, поверхностное сопротивление 1 О Ом.см;СЙСеР методом химических транспортных реакций, и-тип проводимости, поверхностное сопротивление более О Ом.см. Слои...