C30B 35/00 — Устройства вообще, специально предназначенные для выращивания, получения или последующей обработки монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой

Номер патента: 430532

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Иностранна, Иностранцы, Конрад, Херберт

МПК: C30B 35/00

Метки: корпусов, полупроводникового, трубообразных

...могут быть сняты с трубок 8.При этом, однако, важно, чтобы температура наружной стороны трубок 8 не превышала в последующем 1250 С, так как иначе углеродная основа будет реагировать с полупроводником и полученный корпус не может быть легко снят с углеродной трубки. Такими температурами являются, С:при получении корпуса из кремния 1250 из германия 900 из СаАз 1150 из ЯС 1300 из ЯпБЬ 850 Трубки 8, мостик б и электроды 5 состоят из графита одного сорта, а вводы трубок 8, 9, 11 и вывод трубы 10 - из резистивного металла. Токопроводящие части должны быть при этом изолированы одна от другой соответствующим изоляционньгм слоем.В устройстве, изображенном на фиг. 2, также имеется подовая плита 1 и герметически связанный с ней кварцевый...

Номер патента: 1142533

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Круглова, Пилат, Пироженко, Чайка

МПК: C30B 35/00

Метки: загрязнений, металлов, поверхностных, расплавов

...градиент температуры, который направляет плавающие окислы и загрязнения в противоположную сторону от сифона. Длядополнительных удобств сифон всвоем начале и конце выполнен вформе капилляра, Первый капиллярв начале сифона способствует пре. -дотвращению поступления плавающихокислов в сифон. Второй капиллярв конце сифона служит местом отпайки части ампулы с очищенным материалом. Весь процесс проводится не винертной атмосфере, а.при непрерыв;4цой откачке в вакууме 10 - 1 С мм рт. стчто дает возможность одновременнопровести дегазацию расплава и избавиться от летучих .;омпонентов. Дополнительный нагреватель имео ет температуру на 100-150 С выше температуры основного нагревателя, благодаря чему создается мощный градиент температуры вдоль...

Номер патента: 1157147

Опубликовано: 23.05.1985

Авторы: Грошенко, Гусев, Недвига, Старостин

МПК: C30B 35/00

Метки: перемешивания, расплава

...иэ тигля на них застываютостатки раствора-расплава, что ведет к неизбежной потере кристаллиэуемого дорогостоящего материала,Целью изобретения является интенсификация перемешивания при выращивании кристаллов из расплава и жид 47 2кофазной эпитаксии с подачей подпитывающего кристаллизуемого,материала и снижение его потерь.Поставленная цель достигаетсятем, что устройство для перемешивания расплава, включающее вал, соединенный с приводом, вертикальныелопасти, размещенные на П-образнойраме, укрепленной на валу, снабженоплатформой, укрепленной в нижнейчасти П-образной рамы и выполненнойс углублениями по всей поверхности,имеющими отверстия, вертикальнымстержнем, расположенным в центральной части платформы для размещениятаблеток...

Номер патента: 1551750

Опубликовано: 23.03.1990

Автор: Голубков

МПК: C30B 35/00

Метки: герметизации, контейнеров

...и закрывают крышкой из того же материала, Затем устанавливают контейнер в водоохлаждаемыйдержатель 6, Торец контейнера в месте сварного цаава помещают в отверстие 11 снцентрдторд 10 при помощи средства 9 подъема и вращения.5Пл вакуумное уплотнение 3 устанавливают кварцевый стакан 2, вакуумную камеру 1 откачивают. Затем подают напряжение высокой частоты ат ВЧ-индуктора 5 на рабочий контур.10В концентраторе 10 генерируется ток, который вызывает в зоне сварки контейнера 7 вторичный ток.После снятия мощности место расплава затвердевает и образуется непроницаемое соединение между крьццкоп и контейнером. Затем извлекают контейнер 7 из камеры 1, при этом в контейнере сохрдняется вакуум или соответствующая газовая атмосфера в зависимости от...

Номер патента: 1624065

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Борисов, Косенко, Маслов, Федоров

МПК: C30B 13/28, C30B 35/00

Метки: исследования, кристаллизации, направленной

...или фотоаппаратом) процесс направленной кристаллизации. Затем паво ротол 1 кольца 3 изменяют угол Рс требуел 1 ым шагамл многократно повторяот списанные опеоации и исследуют вл.1 яние днизст опии лавер:ностной энергии гран 1- цы оаз. дгд и кинетического коэфф(1 ииентд 15 нд с(дб 1 льнссть и маофологию Чэоантд ,-,;,Г 5 ь; в об= тйрсны ст нулевой От; -т и .,ме. Гдзл .р ндпэдвляОщих ",.епэр- с., з;О(., ссяГ;:,(.;Лет с толщи(10 й 1,"а 1,",1, ОЬ( Н Д И З С Л И й (,Л С 1 ЧХ П Л Д С Т И г 1 ВД Г Р Е В Я .(эль,х эгелдн Гэ; составляет 4 мл 1,Уста(,; стас расс;.е; следус 1,. эбрдс. н ы;: . ( . Гэ.та- с мадан "р 1ы 1 .т.:,"10 "1. 1 ои г.Я = 1 "э 1;С.(.ЭЮТ,-.ССТ-.Рвг.УЛНРНРДСЛ;ЛС:.КЕ- -э.х с 1 метри:;ых 15 сксеые эетэи с:.;-1:.; с (-с э и р-. к - .;...

Номер патента: 1172316

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Зубова, Севастьянов, Станишевский, Старостин, Циглер, Чиркин

МПК: C30B 35/00

Метки: выращивания, кристаллов

...камеры повернут на 90 вокруг оси 0-0 относительноосвоего положения, изображенного на фиг. 1) .На фиг.4 - устройство, смонтированное для выращивания кристаллов вертикальными методами, с вертикальным расположением продольной оси 0-0 корпуса камеры, горизонтальным расположением оси 0- 0 фланцев, механизмом вытягивания, установленным на 20 фланце одной из крышек и подсоединением патрубка вакуумно-газовой системы к одному иэ фланцев корпуса камеры (для этого корпус камеры повернут относительно своего положения, изображенного на фиг.1, на 90 вокруг точки пересечения осей 0-0 и 0 -0 в плос 1 4 - кости, определяемой этими осями).Возможны и другие варианты размещения указанных элементов устройства относительно друг друга.. Устройство содержит...

Номер патента: 1799402

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Волынчиков, Дереченик, Згурский, Ковалевский, Олтушец, Харитончик, Яцук

МПК: C30B 35/00

Метки: осаждения, структур, техники, тонкопленочных, электронной

...смесей на выходе из реактора.Осаждение тонкопленочных структур осуществлялось в установке ИзотронМ с вакуумным агрегатом АРВ - 160 и расходомером типа В-15 и Рагтег 125-Яег ез фирма ЯИп 1 сег Еес 1 г 1 с ЧаП Соарапу на линияхдихлорсилана. моносилана, арсина, фосфина, диборана. Общее давление парогазовой смеси в реакторе поддерживалось в пределах 40120 Па, Скорость подачи газовой или парогазовой смеси через реактор поддерживалась на уровне 60.140 дм /ч. Отходы отработанных токсичных и агрессивных газов и парогазовых смесей в процессе осаждения тонкопленочных структур все время откачиваются из реактора и через специальный патрубок вводятся в оросительную колонку противопотоком распыляемому через форсунку раствору-абсорбенту, который...

Номер патента: 1061533

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Бобырь, Иванов, Радкевич, Рябовол, Смирнов, Стадник

МПК: C30B 35/00

Метки: ампуле, выращивания, кристаллов, расплава

Устройство для выращивания кристаллов из расплава в ампуле, содержащее вертикальную шахтную печь, состоящую из двух камер с нагревательными элементами, охлаждаемую кольцевую диафрагму, ампулу с кристаллизуемым веществом, механизм перемещения ампулы в вертикальном направлении и приводы перемещения ампулы в горизонтальной плоскости в двух взаимно перпендикулярных направлениях, отличающееся тем, что, с целью увеличения выхода качественных кристаллов за счет обеспечения центровки ампулы относительно диафрагмы в течение всего процесса выращивания, оно дополнительно содержит дифференциальные термопары, установленные диаметрально противоположно на внутренней поверхности охлаждаемой кольцевой диафрагмы перпендикулярно направлению перемещения...

Номер патента: 1746755

Опубликовано: 10.06.2006

Авторы: Барабаш, Лапчинский, Морейнис, Перепеченко, Черницкий, Шулым

МПК: C30B 1/00, C30B 35/00

Метки: кристаллов

Устройство для получения кристаллов, включающее камеру роста, держатели кристалла, нижний из которых закреплен в опорной плите, электронно-лучевой нагреватель, кинематически связанный с приводом вертикального перемещения, и высоковольтный источник питания, отличающееся тем, что, с целью повышения чистоты получаемых кристаллов, расширения технологических возможностей устройства и повышения его надежности, нижний держатель кристалла снабжен съемным теплопроводным кольцом, закрепленным в опорной плите, выполненной охлаждаемой и разделяющей камеру на две части, привод и источник питания установлены в нижней части камеры, а нагреватель - в верхней.