C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1059029

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Безматерных, Близняков, Мащенко, Чихачев

МПК: C30B 9/12

Метки: монокристаллов, раствора-расплава

...сокращается температурный интервал кристаллизации, рост идет при более низкой температуре, где раствор-расплав более вязок и, .следовательно, скорости роста ниже.П р и м е р 1. Исходные компоненты берут при следующих соотношениях, вес.Ъ; Ре 0 4,87 ф, В 203 50,77, РЬ.О 763 РЪР 36,73, и наплавляют в платиновйй тигель емкостью 800 см, Тигель с приготовленным раствором-расплавом помещают в печь для выращивания кристаллов. Температуру в печи повышают до 950 С.При этой температуре в раствор-расплав загружают кольцевой кристаллоносец и вращают его со скоростью 60-80 об//мин. Перемешивание ускоряет процесс растворения кристаллообразующих окислов. Растворение длится 12-16 ч. Затем температуру понижают до 835-845 С,о что соответствует...

Номер патента: 1059031

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Голубев, Новиков, Шмарцев

МПК: C30B 19/06

Метки: электрожидкостной, эпитаксии

...более тугоплавкого компонента, вкладыш выполнен в форме цилиндра, диаметр которого меньше диаметра.токоподвода подложкодержателя.Кроме того, с целью получения слоев с уменьшающейся концентрацией более тугоплавкого компонента, вкладыш выполнен в форме цилиндра с отверстием в центре й диаметром, равным диаметру токоподвода.Наличие диэлектрического вкладыша позволяет создат неоднородный контакт к .подложке - токоподвод тем самым осуществляют лишь к участкам, находящимся вне вклацыша. Это в свою очередь позволяет перераспределить рабочий ток по площади подложки и, следовательно, получить изменение состава по поверхности слоя. В частности, для достижения дополнительных целей токоподвод осуществляют к подложке с помощью кольцевого либо...

Номер патента: 1059032

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Егорова, Иванов, Мытарев, Насонов

МПК: C30B 25/14

Метки: осаждения, слоев

...разбавителя размещен но внутренней трубе.На чертеже представлено предлагаемое устройство, общий вид, н разрезе.Устройство для осаждения слоеввключает вакуумную камеру 1 с зонойдемпфирования, внутри которой раз".мещена наружная труба 2 и внутренняятруба 3 реактора, Внутренняя труба 3уплотнена по наружной трубе 2 в зоне,демпфирбйания, а полость между внут 60ренней 3 и наружной 2 трубами соединена с камерой 4 загрузки-выгрузки,Наружная труба 2 реактора уплотненана вакуум в нодоохлаждаемом корпусевакуумной системы 5. Внутренняя тру- Я ба 3 реактора выполнена по длине больше, чем наружная. и своим концом входит н камеру 4 загрузки-выгрузки. Трубки б ввода реагентов направлены под углом к внутренней трубе, а одна из этих трубок 7 для напуска...

Номер патента: 1059033

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Сорокина, Улин

МПК: C30B 33/00

Метки: антимонида, индия, полирующий, травитель

...чтопри большой скорости травления приводит к созданию неровностей типа"апельсиновой корки" .Кроме того, очень высокая скорост/травления около 800 мкм/мин) непозволяет контролировать малые толщины удаляемых слоев,Цель изобретения " улучшение качества обработки поверхности и снижение скорости травления.Поставленная цель достигаетсятем, что травитель для антимонидаиндия, содержащий концентрироваиную плавиковую кислоту и окислитель, дополнительно содержит 7,610,4-ный водный раствор щавелевойкислоты и в качестве окислителя перекись водорода и концентркрованнувсерную кислоту при следующем соотно-,шении компонентов, об.ч.;Плавиковая кислота 2-4Перекись водорода 0,3-1,5Серная кислота 2-47,6-10,4-ный водныйраствор .щавелевойкислоты...

Номер патента: 1065507

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Клубович, Михневич, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, раствора

...пропеллеров.Кроме того, держатель установленс возможностью реверсивного вращенияНа фиг. 1 приведена схема предлагаемого устройства для выращиваниякристаллов из раствора; на Фиг 2 схема движения раствора относительнорастущего кристалла при вращениидержателя против часовой стрелкина Фиг. 3 - схема движения раствораотносительно растущего кристалла привращении держателя по часовой стрелке.Устройство .содержит кристаллнзатор 1 с раствором держатель 2, выполненный с возможностью реверсивного вращения с закрепленным на немрастущим кристаллом 3, зеркальносимметричные пропеллерные мешалки4, закрепленные на оси.держателя 2 65 по обе стороны от растущего кристаЛ ла 3.Устройство работает следующим образом.При вращении держателя 2 вместе с ним...

Номер патента: 1065508

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Валентинов, Кириллов, Фурсов

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы

...реакционную камеру со сторонызагрузки устанавливают подложкодержа" 65 тель 3 с обрабатываеаааи пластинами4 на нагреватель 5. Загрузочный люкзакрываютЧерез средство 6 подачи газа подают реакционные газы для . обеспечения осаждения слоев.В качестве примера можно привести следующие реакции образования слоев81 СХ+2 Н в + +4 НСХ (поли- и моно)81 Н+20 -8102+2 НО (диэлектрические пленки 8102) .Скорость осаждения определяется переносом масс в газовой фазе. В связи с этим форма и скорости газовых потоков являются определяющим фактором, действующим на распределение толщины, т.е. на качество осаждаемых слоев. Поток газа в устройстве формируется под воздействием подъемной силы (свободная конвекция), возникающей из-за разницы температур на...

Номер патента: 1068551

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Добровольская, Кирьянов, Ласков, Неймарк, Ратников, Спиридонов

МПК: C30B 13/32

Метки: бестигельной, зонной, плавки

...достигается тем, что устройство для бестигельной эонной плавки, содержащее герметичную камеру, установленный в ней индуктор, нижние держатели исходных заготовок, имеющие привод вращения вертикального перемещения, и верхний держатель, дополнительно снабжено верхними держателями по числу загото-. вок, имеющими привод вращения и привод вертикального перемещения, все держатели снабжены корректирующими индивидуальными приводами вертикального перемещения, а индуктор выполней в виде последовательно соедйненных витков по числу заготовок.На фиг. 1 представлено устройство, разрез; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1.Устройство представляет собой герметичную камеру 1, в которой располагаются три заготовки 2 кремния, индуктор 3. Слитки удерживаются...

Номер патента: 1068554

Опубликовано: 23.01.1984

Авторы: Семенов, Соколов, Фоминов

МПК: C30B 33/00

Метки: полупроводников, термообработки

...ионизированной среды последние оказываются в особых, экстремальных условиях. У нагреваемой по-.верхности образца образуется двойной электрический слой, в составкоторого входят ионы калия или натрия, являющиеся металлами со свойствами сильно действующих поверхностно-активных веществ, которые могутзначительно понизить свободную по;верхностную Энергию, Эффект понижения поверхностной энергии приводит 40к изменению физических свойств вовсем объеме обрабатываемого образца.1Кроме того, у нагреваемой в плазме ионизированной среды образца 45 образуется электрическое поле весьма высокой напряженности. Если электрическое поле вблизи поверхности металла при электролизных процессах имеет напряженность 106 -10 В/см, то при нагреве в электролите...

Номер патента: 877991

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Литвинов, Ольшевский

МПК: C30B 11/10

Метки: вставка, корунда, монокристаллического, ювелирная

...фианита алюмоиттриевого граната,легированных редкоземельными элвментами.Целью изобретения является получение более тонкого оттенка и мерцания цвета,Цель достигается тем, что окрашивающая добавка размещена в нижней части павильона у шипа и составляет одну треть его высоты.Способ получения предлагаемой ювелирной вставки, включающий выращиваниемонокристалла корунда переменного состава по методу Вернейля при изменении состава подаваемой шихты, последующую резку монокристалла на заготовки и их огранку, отличается от известного тем, что состав шихты изменяют от чистой окиси алюминия до окиси алюминия с окрашивающей добавкой после выращивания неокрашенного слоя толщиной в 2-2,2 раза большей толщины окрашенного слоя, резку ведут на...

Номер патента: 1076502

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Васильев, Голянов, Елесин, Михеева

МПК: C30B 29/36

Метки: материал, сверхпроводящий

...пленки, определяют скорость распыления технеция и углерода,Эти скорости оказываются постоянными и независящими от времени распыления. Скорость распыления технеция составляет 10,0 А/мин. Скорость радпиления углерода составляет 2,2 А/мин.Толщину моноатомного слоя технеция принимают равной удвоенному металлическому радиусу атома технеция, толщину моноатомного слоя углерода принимают равной удвоенному ковалентному радиусу атома углерода. Эти величины равны 0,77 Ъ для углерода и 1,36 А для технеция. Зная время распыления и толщины моноатомных слоев технеция и углерода, определяют время осаждения одного моноатомного слоя технеция или углерода. Эти величины составляют 16,3 и 42,0 соответственно. За 16,3 с осаждается 482 атома технеция на...

Номер патента: 1081244

Опубликовано: 23.03.1984

Автор: Боллманн

МПК: C30B 15/00

Метки: бесцветных, молибдата, монокристаллов, свинца

...в области400-4000 нм, не снижая при этомпрочие ценные качества, такие какоптическая гомогенность и ненапряженность. При известных способах после ступени выращивания из расплава для устранения напряжений предпринимается последующая обработка выращенных РЬМоО, -кристаллов путем отжига при 800-900 С в воздухе и при нормальном давлении. В результате окисляющего50 действия, содержащегося в воздухекислорода, появляется возможностьвозникновения или стабилизации вРЬМоО+-кристаллах ионов РЬз, а .также происходящих из загрязненийионов Ре+ и других, легко меняющих валентность ионов. Их следуетрассматривать в кристаллической решетке как электронные центры дефектов, и в качестве таковых они приводят к мешающим окрашиваниям и абсорбционным...

Номер патента: 1081245

Опубликовано: 23.03.1984

Автор: Любалин

МПК: C30B 15/36

Метки: границ, множеством, наклона, полупроводника, слитка

...двух взаимно перпендикулярных направлениях.При этом удается получить полу.:проводниковый материал в виде матрицы с сеткой границ заданного строения,Положительный эффект достигаетсяза счет использования всех воэможностей кристаллографически эквивалентных поверхностей затравок.На фиг. 1 изображена схема относительного расположения затравокдвух типов в исходном монокристалле;на фиг. 2 - схема состыковки затравок в единый блок,Способ осуществляют следующимобразом.Из монокристалла или из разныхмонокристаллов вырезают два типа одинаковых по размерам эатравок 2 и 3 с боковыми гранями(ЬМо) и (Ь%о) соответственно, Состыковывают затравки в единый блок, чередуя, в двух. взаимно перпендикулярных направлениях затравки 2 и 3 с разными боковыми...

Номер патента: 1082777

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Андреев, Титов, Шварцман

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, лития, танталата, травления

...фигур травления на поверхности кристал.лов танталата лития.Цель изобретения - получение контраст.ных фигур травления при контроле степенимонодоменности кристаллов,Поставленная цель достигается тем, что вкачестве органической кислоты используютщавелевую кислоту и обработку ведут при85 - 95 С в течение 13-17 мин при следующем соотношении компонентов смеси, об.%:Блавиковая кислота 31-35Насыщенный прикомнатной температуре растворщавелевой кислотыв азотной кислоте 65 - 69Введение щавелевой кислоты благоприятно изменяет кинетику травления, вследствиечего возрастает степень контрастности фигуртравлеиия. При микроскопическом наблюдении оЭистн разноименных доменов резко отлваиотвя, видны междоменные границы и отдельные хорошо ограниченные ямки....

Номер патента: 1082874

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Баграмян, Туманьян

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, молибдата, полировки, свинца, химической

...обработке кристаллов и может быть использовано для химической полировки монокристаллов иолибдата свинца.(РЬМоО) а также при обработке изделий из кристаллов РЬМо 04,.Известен способ химической полировки,кристаллов молибдата свинца,включающий погружение образца на2-8 г в раствор хромного ангидрида 1 Ов .концентрированной ортофосфориойкислоте с соотношением 1:3 при 40100 С. Согласно данному способу проводят полировку любых граней произвольно ограненного кристалла. 15Недостатки способа - большаяпродолжительность процесса полировки(или малая скорость растворения, вуказанном интервале температур,составляющая,-2 мкм/ч), высокая тем Опература полировки (до 100 С) - приотаких температурах манипуляции собразцом нежелательны, посколькумогут...

Номер патента: 1082875

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Восканян, Геворкян, Туманьян

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, молибдата, полировки, свинца, химической

...соляную кислоту (уд. вес.1,19 г/см) при отношении ее к ортофосфорной кислоте (уд.вес.1,7 г/см,)равном 1:2 (в об.ч.) и процесс ведут при комнатной температуре втечение 3-5 мин.Комнатная температура позволяетвести процесс химического полирования в стабильных условиях, что исключает растрескивание образцовмолибдата свИнца, которое возможнопри незначительных тепловых ударах.Высокая скорость нормального растворения (60-70 мкм/ч) позволяетоперативно вести процесс полировки,время пребывания образца в растворезависит от толщины удаляемого слояс поверхности кристалла,Концентрированная соляная кислота не может быть использована в качестве травителя для кристаллов РЬМоО из-за образования на поверхности образца белого,...

Номер патента: 1082876

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Генкина, Мусаев, Панков, Шитова

МПК: C30B 33/00

Метки: висмута, кристаллов, силиката

...В+ Р дозами 10"ион/смс .энергией 52-100 кэВ, при этом вимплантированном слое происходитструкторное разупорядочение, приводящее к образованию аморфного, слоя. ЗО Обработку производят для улучшенияакустических свойств кристаллов. Данные об изменении оптических характеристик,не приведены ГЗ 3., Однако для просветления кристалловизвестный способ непригоден в результате того, что дозы, которые в немиспользуются ( ф 10 "Ь ион/см), приводят к аморфизации поверхностногослоя. Образование аморфного слояне только не приводит к просветлению кристалла, но и снижает оптичес-.кое пропускание. Основные положения,просветляющей оптики требуют, чтобыглубина слоя, обеспечивающего прос 1 145 ветление, составляла - Л, что дости-,4гается выбором определенной...

Номер патента: 1083915

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Джон, Дэвид, Ричард

МПК: C30B 31/22

Метки: алмаза, полупроводникового

...приводящийк аморфности алмаза,Показатель рассеивания, т,е. число атомов, удаляемое с поверхностикристалла при ударе иона, менее единицы, поскольку в противном случаепроисходило бы сжатие кристалла,подвергаемого бомбардировке.Преимуществом предлагаемого способа является то, что поверхность алмаза, подвергаемая бомбардировке,не обязательно должна быть идеальной и может даже быть покрыта поверхностным слоем загрязняющего материала. Поэтому, как правило, нет 15необходимости прибегать к методамтщательной очистки, включающей, например, удаление смазки с последующим окислением для получения идеальной поверхности. На практике ионы20углерода, как правило, имеют единичный заряд и представляют собой изотоп С, однако могут представлятьсобой и иной...

Номер патента: 1085510

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Арто, Свен, Туомо

МПК: C30B 23/08

Метки: пленки, составной

...Наружный корпус 36 источника выполнен из нержавеющей стали.В обоих вариантах устройства 35 (фиг.2 и 10) подложки в реакционной камере в процессе выращивания тонкой пленки находятся в неподвижном положении.,Химически активные пары импульсами проходят через камеру и перемещаются несущим газом, формирующим диффузионные барьеры между импульсами химически активных паров.Другой способ согласно изобретению включает использование вариан тов, в которых локально фиксированные потоки химически активных паров отделяют один от другого локально фиксированными потоками газов, образующих диффузионные барьеры. В таких устройствах циклического альтернативного взаимодействия между поверхностью подложек и поочередно подаваемым каждым потоком химически...

Номер патента: 1089178

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 7/00

Метки: блоков, виннокислого, выращивания, калия, косого, кристаллов, среза

...требуемым образом 1.Пьезоэлектрические резонаторы из крис О таллов виннокислого калия, как правило, ориентированы относительно граней кристалла под различными углами, что необходимо для достижения малого температурного коэффициента частоты. Обычно для того, чтобы вырезать нужного среза кристаллические пластины для резонаторов предварительно вырезают соответственно ориентированный прямоугольный блок, который затем распиливается на пластины. При этом способе получается много отходов кристалла, поэто О му выгодно выращивать кристаллические блоки, ориентированные под нужными углами к граням кристалла.Цель изобретения - облегчение получения кристаллов и улучшения их качества.Указанная цель достигается способом выращивания косого среза из...

Номер патента: 1089181

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Абдурахманов, Кустов, Николайкин, Рогачев, Сигалов, Харченко

МПК: C30B 25/08

Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы

...камеру, полый подложкодержатель, расположенный в камере, индуктор, установленный в защитном колпаке внутри подложкодержателя, теплоизоляционный экран, размещенный у внутренней стенки камеры, и средства ввода и вывода газа, теплоизоля О ционный экран выполнен в виде кольцевойкамеры, соединенной со средствами подачи газообразного теплоносителя и вакуумной откачки и выполненной с внутренней стенкой, имеющей участки конического сужения по высоте подложкодержателя и расшире ния, соединенные между собой под тупымуглом.На чертеже представлено устройство, разрез, общий вид,Устройство имеет реакционную водоохлаждемую металлическую камеру 1 с водяной рубашкой 2, снабженную средствами ввода (показано стрелками) и вывода газов -...

Номер патента: 1089182

Опубликовано: 30.04.1984

Автор: Яблонский

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, ориентации

...дифрации и преломления падающего света (ЬЧ(Ед) или дифракции света люминесценции в плоскости кристалла наблюдается дифракционная кар тина в виде ярких световых фигур (преимущественно точек), количество и форма расположения которых определяются формой элементов дифракционной структуры, которая в свою очередь зависит от кристаллеческой структуры полупроводника или диэлектрика.Размер этих элементов 0,2 мкм сЬ 10 мкм определяется условиями возникновения дифракции. При ЬВ Ь ъ 10 мкм) возникает зеркальное отражение и фигуры дифракции не наблюдаются, а при в (ф- (в (0,2 мкм) не выполняются условия для дифракции и 15 может наблюдаться только рассеяние света, Величина диаметра сечения пучка света или возбуждающего излучения определяется из...

Номер патента: 272954

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Григорьев, Поспелов

МПК: C30B 13/16

Метки: аппарат, разделения, соединений

...тем, что по всей длиневнутри корпуса на равных расстояниях 15друг от друга помещены теплообменныеэлементы, соединенные секционно.Ба чертеже представлен предлагаемый аппарат, общий вид,20Аппарат состоит иэ колонны 1 круглого, квадратного или иного сечения, по высоте которой в плоскостях поперечного сечения расположены теплообменные элементы 2, подогревателя 3 25 теплоносителя, конденсатора-холодиль. ника 4, испарителя 5, промежуточных сборников б и 7, насосов 8 и 9, плавильника 10 и разгрузочно-дозирующего устройства 11.Теплообменные элементы соединены в секции (не менее чем по три). Вклю-, чением первых элементов всех секций создают расплавленные зоны, которые можно перемещать вниз по колонне при последовательном переключении нагре-...

Номер патента: 1096312

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Войцеховский, Николаева, Якобсон

МПК: C30B 7/00

Метки: насыщения, раствора, температуры

...насыщения), раствор 1 в дворике растворения имеет более высокую концентрацию и, следовательно, более высокий показатель преломления по сравнению с окружающей массой раствора. При росте кристалла т.е. при температурах ниже точки насыщения (при концентрациях вьппе концентрации насыщЕния, концентрация раствора и показатель преломления в дворике кристаллизации ниже, чем в основной массе раствора. В насьпценном растворе, когда кристалл не растет и не растворяется, отсутствует различие в концентрациях, а следовательно, и в показателях преломления в основной массе раствора и в слое, примыкающем к кристаллу. чтобы часть очертаний предмета просматривалась через дворик кристаллизации. Искажения очертаний предметов или их линий при росте и...

Номер патента: 693575

Опубликовано: 07.06.1984

Автор: Мавлонов

МПК: C30B 11/00

Метки: веществ, разделения

...центробежные силы, возникающие при вращении, подвоздействием которых примеси удаляются от Фронта кристаллизации, Эффект 35 удаления примеси иэ дифФузионного слоя тем больше, чем выше плотность удаляемой примеси в случае, если Фронт кристаллизации перемещается от центра к периферии. 40На фиг.1 схематически изображено предлагаемое устройство; на фиг, 2 график распредЕления примеси в зависимости от скорости вращения центрифуги. 45Устройство состоит,иэ герметичного горизонтально установленного контейнера 1 с очищаемим веществом, помещенного в центрифугу 2. Для создания расплавленной зоны предназначен нагреватель 3 выполненный в виде печи, для передвижения которой вдоль контейнера 1 предусмотрен механизм 4 передвижения и вращения.Устройство...

Номер патента: 1105519

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Голинка, Головей, Крафчик, Шпырко

МПК: C30B 13/00

Метки: зонной, плавки

...зокной плавки многократно повторяют до установления конечного распределения примесей в очищаемом слитке, Массоперенос при зонной плавке устраняют наклонением очищаемого слитка на экспериментально определяемый угол. Применение контейнера закрытого типа позволяет изолировать очищаемый слиток от окружающей среды.Недостатками устройства являютсяневозможность разделения очищенногозонкой плавкой слитка вещества начасти с различным содержанием примесей до извлечения слитка из контейнера и следовательно невозможность сохранения чистоты очищенного зонной плавкой вещества ввиду неизбежности механического разделения слитка посче извлечения его из контейнера.110551Цель изобретения - повышение чистоты материала слитка путем разделенияготового...

Номер патента: 807691

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Григорьев, Демин

МПК: C30B 19/06

Метки: электрожидкостной, эпитаксии

...боковых стенок тигля, заметным радиальным градиентам температуры раствора-расплава, через который пропускаются электрический ток, а следовательно, к неоднородным толщинам и неоднородному легированию выращиваемых слоев. Получаемые прессованием порошка при высоких температурах изоляторы иэ нитрида бора имеют шероховатую поверхность, и, как правило, не отвечают требованиям полупроводниковой чистоты. Кроме того, использование пластин и колец в качестве изоляторов сопряжено с существенными сложностями изготовления ячейки для проведения процесса выращивания. Так, например, пластину изолятора необходимо герметично крепить к графитовому блоку для того, чтобы исключить возможность затекания раствора-расплава в зазор между изолятором и...

Номер патента: 869386

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Демин, Кузнецов, Румянцев

МПК: C30B 19/06

Метки: электрожидкостной, эпитаксии

...осаждение на подложку. Кроме того, использование больших объемов галлия в качестве токоподводовможет привести к растворению подложки, вытравливанию в ней отверстия вместо контакта, приводящеек касанию галлия из держателя с раст 55вором-расплавом, а следовательнок прекращению роста пленки. Отсутст"вие крепления подложки к подложко 386 2держателю не позволяет сбрасыватьналипший раствор-расплав с подложки, что ведет к неконтролируемомуосаждению растворенного компонентана выросшую пленку после охлаждения подложки,Целью изобретения является повышение однородности выращенных слоевпо толщине и электрофизическимсвойствам.Цель достигается тем, что держатель подложки выполнен в виде цилиндра с отверстием в центре и установлен с возможностью...

Номер патента: 1109485

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Павлык, Сухоребрый, Цал

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, натрия, хлорида

...Москва, Ж, Раушская наб., д.4/5 филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная,4 П р и м е р 2. Опыт осуществляютаналогично примеру 1, нагрев образцахлорида натрия проводят до 450 С иоблучают в течение 45 мин,П р и м е р 3. Опыт осуществляютаналогично примеру 1, при этом нагрев проводят до 400 С и облучаюти -ечение 55 мин. В течение укаэанного времени, происходит полноевыделение водорода,После полного выделения водородаиэ обраэца 1 что определяется массспектрометрическим методом)в оптическом спектре поглощения отсутствуетсоответствующая О -полоса поглощения,обусловленная ионами водорода.Таким образом, предлагаемый спо соб позволяет очистить монокристаллыхлорида натрия от примеси водородабеэ разрушения кристаллическойрешетки...

Номер патента: 1116100

Опубликовано: 30.09.1984

Автор: Степанцов

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, сращивания

...бо"лее легкоплавкого из них с последующей выдержкой при этой температуре.П р и м е р 1. Иэ кристаллов фторидов лития и натрия. вырезают. эагоО 2товки в форме цилиндров диаметром 30 мм и высотой 25 мм, полируют их торцовые поверхности до 12 класса частоты, совмещают по торцам и нагревают в атмосфере азота со скоростью 100 град/мин до 860 С (0,99 температуры плавления фтористого лития), нагружая со скоростью 10 г/си с до давления 10 г/си (0,99 предела упругости фтористого лития). Производят выдержку под нагрузкой приданной температуре (860 С) в течение 1 с, затем разгружают со скоростью 1 О г/см с и охлаждают до комнатной температуры со скоростью 100 град/мин. Прочность композиции по границе раздела, измеренная методом четырехточечного...

Номер патента: 1117344

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Назарова, Остащенко

МПК: C30B 33/00

Метки: изменения, минералов, окраски

...муфельную печьи в течение 40 мин выдерживают при150 С, Образец приобретает зеленуюокраску. При выдержке 1 ч 30 минобразец полностью приобретает желтый цвет, При увеличении времени термообработки до 2 ч 20 мин происходитобесцвечивание образца. При увеличении температуры отжига свьппе 180 Сцвет образца изменяется от зеленогодо светло-салатного, а при температуре 220 С полностью обесцвечиваетсяв течение 10-15 мин,П р и м е р 3. Кристалл пренитаоблучают гамма-излучением дозой10 Мрад, после чего он приобретаеткоричневый цвет, затем помещают нмуфельную печь и выдерживают при180 С н течение 50 мин, Кристаллприобретает зеленую окраску. Увеличение температуры, при которой выдерхслнают образец в муфельной печи,до 200-220 С приводит к...