C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1122762

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Демиденко, Дунаев, Рыжиков

МПК: C30B 33/00

Метки: оптического, основе, поликристаллического, соединений, щелочно-галоидных

...определяют для каждого соединения отдельно.Щелочно-галоидные блоки получают гаэофазным осаждением в вакууме, причем для их получения возможно применение сырья, степень очистки которого гораздо меньше, чем у сырья, из которого выращивают монокристаллы и изготавливают оптическую керамику из порошков. Переход из твердой или жидкой фазы в газообразную происходит без диссоциации щелочно-галоидных соединений, поэтому блоки получают стехиометрического состава. При этом происходит очистка материала как от легколетучих примесей, так как при данных температурах подложки предотвращается конденсация или захват летучих примесей конденсирующимся паром, так и от высококипящих, в т.ч. и от кислородсодержащих, При скоростях конденсации 0,0005 -...

Номер патента: 1125305

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Атаманенко, Богословская, Казимиров, Макеев, Розенталь, Розин, Соболева, Ульянов, Шишкова, Щегляева, Юшкин

МПК: C30B 15/20

Метки: исходного, легирования, монокристаллов, производстве, процессом, сырья

...следующие данные,С устройства 1 индикации данныхвводятся параметры сырья, лигатуры изадается марка кристалла.Посредством устройства 5 межпроцессорной связи передаются величинызамеров удельного сопротивления выращенного монокристалла, полученныес вычислительного комплекса 2,В вычислительном комплексе 2 производятся следующие расчеты.Расчет массы лигатуры на следующую плавку по формулеММ Йр 1- ) Р;3 11253 производится с использованием параметров сырья и лигатуры, а также величины замеров удельных сопротивлений монокристаллов.Обработка величины замеров по 5 удельному сопротивлению монокристалла по разработанному алгоритму: отбраковка недостоверных измерений по удельному сопротивлению; отбраковка по нарушению технологии выращи вания,...

Номер патента: 1127920

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Бик, Ильин, Клауч, Кущева

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов

...заготовокили получения на поверхности дефектов в виде трещин и сколов. На практике при обработке плоскостей кристалла необходимо заранее установить, возможно :ли резание по этой плоскости. Кроме того, часто возникает задача обработки плоскости в кристалле произвольной формы,3 112Целью изобретения является повышение качества обработки хрупких металлических монокристаллов с объемно центрированной кубической решет- кой.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу обработки моно- кристаллов с ориентированием монокристалла и резание по заданной плоскости в заданном направлении резание про О водят по плоскости, наклоненной к плоскости 110) или 111, на угол менее или равный 15.Кроме того, резание по плоскости, наклоненной к...

Номер патента: 1142532

Опубликовано: 28.02.1985

Автор: Багай

МПК: C30B 29/02, C30B 33/00

Метки: висмута, монокристаллов, полировки, травитель

...дислокационной структуры,Поставленная цель достигается тем, что травитель для полировки монокристаллов висмута, содержащий азотную, уксусную и плавиковую кислоты, содержит компоненты при следующем соотношении, об.ч.:Азотная кислота(ледяная)Плавиковая .кислота (50%-ная) 0,02-0, 16 20253040 П р и м е р 1. Монокристалл висмута, имеющий Форму цилиндра, плоский торец которого имеет ориентацию 111, а с противоположной стороны ограничен полусферой, в которой сколом обнажена плоскость (111), обрабатывают в травителе, содержащем азотную кислоту (плотность 1,36), уксусную кислоту (ледяную) и плагиковую кислоту (50%-ную), взятые в соотношении (об,ч.) соответственно 4,00:8,00:0,04. Обработку ведут при встряхивании слитка и температуре травителя...

Номер патента: 1142533

Опубликовано: 28.02.1985

Авторы: Круглова, Пилат, Пироженко, Чайка

МПК: C30B 35/00

Метки: загрязнений, металлов, поверхностных, расплавов

...градиент температуры, который направляет плавающие окислы и загрязнения в противоположную сторону от сифона. Длядополнительных удобств сифон всвоем начале и конце выполнен вформе капилляра, Первый капиллярв начале сифона способствует пре. -дотвращению поступления плавающихокислов в сифон. Второй капиллярв конце сифона служит местом отпайки части ампулы с очищенным материалом. Весь процесс проводится не винертной атмосфере, а.при непрерыв;4цой откачке в вакууме 10 - 1 С мм рт. стчто дает возможность одновременнопровести дегазацию расплава и избавиться от летучих .;омпонентов. Дополнительный нагреватель имео ет температуру на 100-150 С выше температуры основного нагревателя, благодаря чему создается мощный градиент температуры вдоль...

Номер патента: 1147774

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Алешкин, Епифанов, Зименкова, Масляков, Стрельников, Суздаль, Цуранов

МПК: C30B 11/10, C30B 29/20

Метки: алюминия, загрузки, окиси, шихты

...последнего питателя сигнал с элемента контроля обеспечивает прекращение подачи шихты в пневмопровод, выгрузку шихты иэ питателей в кристаллизационные аппараты и подачу избытка шихты в исходную емкость, 1 ОНедостатком способа и устройства для его осуществления является его сложность из-за наличия дополнительного питателя для каждого кристаллизационного аппарата и специального механизма (например,вибратора) для равномерного заполнения стакана крис таллизационного аппарата, причем при выгрузке из питателя она попадает в кристаллизационный аппарат в уплот ненном состоянии, что затрудняет ее дальнейшую подачу на затравку кристалла, а последовательное заполнение бункеров снижает производительность труда за счет значительного увеличе...

Номер патента: 1111515

Опубликовано: 30.04.1985

Авторы: Атабекян, Винецкий, Геворкян, Езоян, Ерицян

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: корунда, монокристаллов

...эл/см температура 1073 К) зачастую приводят к возникновению дефектов в виде дислокационных петель из междоузельных катионов.Целью изобретения является повышение прозрачности монокристаллов вультрафиолетовой области спектра.Поставленная цель достигается тем,что в известном способе обработкимонокриста лов корунда, К -А 1 п 03включающем облучение их потокомэлектронов, обработку ведут потокомэлектронов с энергией 2 ф 10б5 10 эВ дозой 10 - 10 эл/см .Повышение прозрачности достигается благодаря тому, что при облучениикристалла малыми дозами высокоэнергетичных электронов происходит разрушение или изменение зарядового состояния структурных дефектов. Структурные дефекты, например вакансиии междоуэельные ионы, возникают впроцессе выращивания...

Номер патента: 469285

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Батюков, Жадан, Кузьминов, Лейбович, Нагорнов, Сухарев

МПК: C30B 15/28, C30B 15/30

Метки: вертикального, взвешивания, вращения, вытягиваемого, перемещения, расплава, слитка, способу, чохральского

...подвешен на тяге, проходящей в полости штока и передающей усилие 1 О на тензоэлементы, Тензоэлементы вра щаются вместе со штоком и соединены с контрольно-регистрирующей аппаратурой через вращающиеся контакты, поэтому полезные сйгналы значитель но зашумйены помехами (до 257. по амплитуде) ог термо-ЭДС, наводимой в результате трения неподвижных контактов о вращающиеся контактные кольца. 26 Целью изобретения является разработка устройства, позволяющего устранить указанные выше помехи контроля и регулирования технологических параметров за счет исключения применения скользящих контактов для передачи сигналов с устройства на тенэоэлементы.Для этого тяга, на которой подвешен держатель слитка, выполнена в виде упругой нити, шарнирно связанной...

Номер патента: 1154383

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Бугай, Выдай, Загарий, Цирлин

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: гамма-излучения, детекторов, мягкого, рентгеновского, термообработки

...высокое значение параметра пик/допина.Цель изобретения - увеличение параметра пик/долина детекторов рентгеновского и мягкого гамма-излученияи сокращение продолжительности термообработки.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу термообработкидетекторов рентгеновского и мягкогогамма-излучения на основе монокристаллов иодистого натрия, активированных таллием, включающему отбор детекторов по задаваемому параметру, ихнагрев до температуры термообработки,выдержку и охлаждение, отбор ведут- гпо концентрации активатора (3-4)10(2-3) 10 мас.7., нагрев - до 80-90 С,а выдержку осуществляют в течение4-5 ч.Сущность способа заключается в том,что при концентрации активатора в основе детектора (3-4) 10 мас.Е наблюдается низкое значение...

Номер патента: 1155630

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Алексанян, Костанян, Осипян, Савченко

МПК: C30B 1/10, C30B 29/30

Метки: висмута, станнат-ванадат

...записи формулы соединения В-гйЧЦ 6 БР 1/60 г в виде слоев (В 0) (В 1 ц 6 Ч 66 БПЦбОф Видноу что состав Вг Чр Бп 1 Оггц изоструктурен Вг.гИО 6(В Мо 06), в котором позиции Ыф (Моб) заголнены ионами Ч и Бп6 Ф Ф 4+ в отношении 5; 1 - подрешетка вольфрама В в ВгВО разбивается на две "подподретешки", - В В 6 - ванадия и олова, При этом вследствие тре бования сохранения электронейтральности формульной единицы в подрешетВке кислорода образуется вакансионная дефектность; из разрешенных 0 позиций заполнены 06 г . Другим принципиально новым структурным мотивом яв,ляется наличие подрешетки А в соединении с числом п=1. Таким образом,з 1155630 ОтносительИнтерфеМежплоскостныерасстоянияЙ/й экспериментальные, А ные интенсивности, 7 ренционные...

Номер патента: 776101

Опубликовано: 15.05.1985

Авторы: Иванов, Лейбович, Сухарев, Федоров, Шушков

МПК: C30B 9/00, G05D 27/00

Метки: диаметра, кристалла

...Второйвход усилителя через аттенюатор 19подключен.к выходу основного интегратора 20, Выход усилителя 18 непосредственно соединен с интегратором 20. Для уменьшения ошибки оценивания сигнала производной следящей система 3 содержит дополнительйый интегратор 21, который подключен к входу основного интегратора 20..На фиг. 1 показаны также водоохлаждаемая камера 22, находящийсяв ней кристалл 23, выращиваемый изтигля 24 с расплавом, нагреватель25 с силовым блоком 26, электроприводы с регулятором 27 перемещенияи регулятором 28 вращения кристалла, с регулятором 29 перемещения ирегулятором 30 вращения тигля.Введены следующие обозначения;Ч иЪ у а - скорости перемещения, вращения кристалла и тиглясоответственно;С - температура нагревателя;.К...

Номер патента: 1157147

Опубликовано: 23.05.1985

Авторы: Грошенко, Гусев, Недвига, Старостин

МПК: C30B 35/00

Метки: перемешивания, расплава

...иэ тигля на них застываютостатки раствора-расплава, что ведет к неизбежной потере кристаллиэуемого дорогостоящего материала,Целью изобретения является интенсификация перемешивания при выращивании кристаллов из расплава и жид 47 2кофазной эпитаксии с подачей подпитывающего кристаллизуемого,материала и снижение его потерь.Поставленная цель достигаетсятем, что устройство для перемешивания расплава, включающее вал, соединенный с приводом, вертикальныелопасти, размещенные на П-образнойраме, укрепленной на валу, снабженоплатформой, укрепленной в нижнейчасти П-образной рамы и выполненнойс углублениями по всей поверхности,имеющими отверстия, вертикальнымстержнем, расположенным в центральной части платформы для размещениятаблеток...

Номер патента: 406402

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Батюков, Воронов, Казимиров, Ктиторов, Лейбович, Макеев, Рогожин, Смирнов, Ульянов, Хлус

МПК: C30B 15/28

Метки: вытягивания, расплава, слитков

...передается с мембраны на консольнуюбалку 6 с тенэоэлементами 7 посред ством скобы 8.Для возможности ликвидации перепада давления по сторонам мембраны,консольная балка с тензоэлементамиустановлена в полости герметичного 15 корпуса 9.Изобретение относится к вытягиванию и расплаву слитков, преимуще"ственно монокристаллов полупроводников по способу Чохральского.В известном устройстве для вытя"гивания слитков из расплава на затравку, включающее введенный сверху в полость камеры полый шток сзатравкодержателем, прикрепленнымк нему при помощи тяги, передающей,соответствующее весу слитка усилиена тензоэлементы,С целью повышения точности контроля веса вытягиваемого слитка впредлагаемом устройстве тяга с длиной, превышающей длину штока, подвешена...

Номер патента: 1159965

Опубликовано: 07.06.1985

Автор: Пугачев

МПК: C30B 13/16

Метки: зонной

...проводящие кольца, видправильной центровки во время протяж- сверху.ки необходимо, чтобы ее диаметр был Объем для аьем для заполнения очищаемымнезначительно меньше (на 1-1 5 мм)Увеществом представляет собой разомвнутреннего диаметра центральнойтрубьц при этом возможно заклинива радиус которого равен 5,5 см. Внутние ампулы в зонах холода из-закон- ренний радиус тр бу ки, из котороиденсации и последующего замерзания сделан тор - 1. 2тор - , см, толщина стеноктам влаги из воздуха; заклинивание, 0,1 см.в свою очередь, ведет к неравномерной. В месте зазора в торе равногпротяжке амп лы т,е, нау . . . рушению тер" 30 1,5 см, припаивают одноходовые стекмодинамического равновесия, а значит лянные краны 2 для ввода вещества1к худшей очистке;...

Номер патента: 1160483

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Днепровский, Мамедов, Михайлов, Яковук

МПК: C30B 29/46, H01L 21/302

Метки: варианты, его, стекол, травитель, халькогенидных

...74,3. Время. растворения облученных участков пленки 2 мин. Через 2 мин подложку с пленкой вынимают из травителя, ополаскивают спиртовым раствором уксусной кислоты и высушивают. Измеряют высоту рельефа толщину необлученных участков пленки) по сдвигу интерференционных полос в микроскопе ИИИ, Толщина оставшейся пленки - (0,18+0,01) мкм - близка к начальной, Опыт с экспонированной пленкой повторяют, измеряя времярастворения незасвеченных участков,30 которое равно 10 мнн, Таким образом, отношение скоростей облученного .и необлученного участковпленки, т.е. селективность травителя, составляет 5: 1.35 П р и м е р 2. Аналогично предыдущему примеру подготавливают пленку состава Аз Яе , толщиной 0,28 мкм. Для формирования рельеФа используют...

Номер патента: 248637

Опубликовано: 15.06.1985

Авторы: Либин, Носоновский, Пищик

МПК: B01J 29/16, C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, методу, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...ся от известного тем, что основная и дополнительная горелки расположены так, что их факелы направлены в ра- бочее пространство печи.Это позволяет уменьшить градиент 26 температур в осевом и радиальном направлениях монокристалла.На чертеже изображено предложенное устройство.25Оно содержит питатель 1 порошка с вводом 2 кислорода и основную горелку, состоящую из центральной трубки 3 с соплом 4,. трубы 5 с соплом 6 и вводом 7 кислорода, трубы 8 с соплом 9 и вводом 10 водорода, Устройство также включает дополнительную горелку, состоящую из трубы 11 с соплом 12 и вводом 13 гаэообразного топлива, печь, состоящую из корундового цилиндрического стакана 14,шамотной изоляции 15, легковеснойтеплоизоляции 16, металлическогокожуха 17 и...

Номер патента: 1168635

Опубликовано: 23.07.1985

Авторы: Билоголовка, Волощук, Кустов, Мазуркевич, Пешехонова, Щербина

МПК: C30B 33/00, H01L 21/00

Метки: жидкофазной, кассета, поверхности, подложек

...10 в межоперационный период.На фиг. 1 изображена кассета для жидкофаэной обработки поверхности подложек, общий вид; на фиг. 2 - то же, вид сверху. 15Кассета состоит иэ корпуса, содержащего основание и фиксатор подложек, которые при помощи направляющей стойки 1, гайки 2 и шпилек 3 жестко соединены между собой. Осно ванне кассеты образовано тремя параллельно расположенными распределяющими трубками 4, которые посредством несущей трубки 5 соединены с направляющей стойкой 1. В последней имеет ся осевое отверстие для подачи газа, сообщающееся посредством несущей трубки 5 с полостью распределяющих трубок 4, в которых прорезаны попе,речные пазы для размещения подложек, 30 причем глубина пазов больше толщины стенок распределяюидх трубок, что...

Номер патента: 1172946

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Багдасаров, Затуловский, Мунчаев, Цивинский

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: кристаллов, налета, поверхности, профилированных, сапфира, удаления

...- 0,2 ч приводит к растворению осевших из пара металлов, 20основных и атмосферных окислов,Прополаскивание в концентрированном растворе ИНОН при комнатнойтемпературе 0,5 - 0,7 ч способствуетрастворению кислотных и атмосферныхокисловОтжиг на воздухе при 800-1000 С соответственно в течение 1,5-0,5 ч приво"дит к возгонке летучих соединений,которые, в частности, могут образоваться при взаимодействии налетас воздухом.Химический состав налета практически не исследован, однозначно определить химические и физические про- З 5цессы, происходящие при этих обработках, в наст.вящее время не представляется возможным.Вне указанных режимов обработкане приводит к получению поверхности 40нужного качества, Увеличение темпе 6 гратуры травления выше 80 С,...

Номер патента: 1045642

Опубликовано: 23.08.1985

Авторы: Белобородов, Иванов, Ишбулатов, Капустин, Комаров, Рыжков, Щербаков

МПК: B01J 3/06, C30B 7/10

Метки: аппарат, высокого, давления, температуры

...ния на Обгазег особенно при высоких темп )ра гурах )О обусловленная принцип)ом,)абст) т п)п Рата, ОСЦОБаННОМ На И. - :Г)ЕГ)тзГЗ, ЦИ:ТвтРЧт)ГОЙ СРЕГЬ) тот)1 )1 ЗРЕ)А) ) Рт ТТНЕЗОБМОЖНОСТЬ тО)11)ОГО 133 Гр)Н)5 1;)БПения связана, по кр; йнсй мере,. Г;1:, -М 51 П)ГНИ НаМИ, ВО-".1)тпБЬГХ; ГтС) бо;11, -КИМ УДЕЛЬНЫМ УСИЛИЕМ (ттсК) Итсс-Н;Ощад)Ь, тБЕрдОЕ ЭЕщЕСТВО ХараКТЕри")тетСЯ СЛОЖН 1 тм НаП,"ЯЖЕ ННЫ ) СОСТОЯ:110)Г, ШИ КОТОРОМ ТЕН 3 ОРЬГ;.Тат;ТРГКГ тт)5:. Гт; - О ЮТ ЕЗЛИЧНЫЕ 3 НЗЧС 1 Я, НГ) - )ТТО",)ЬГХ зт) Г)ГЕТ БНУТРЕЦ 1)ГЗГО ГРЕН 5, Д: ЯПОЦ)тз ЗОВОЙ ЯЧЕЙКИ ХРРЕТКТЕР)111 1 Г)БЕТ)Г т ь ет а Вл е и и я г 0 о т 0 му д Г) )351 Р Г иР, 01) Р ДРЛЕН)ОР Б СЕной ТО 1;Р:):ГС СОСТБ;)Т - СТЗТУЕТ Б РУГОИ. т Е, )ГаЛЕНГГт Обр)зтчт ожет быть Опрее;с)Ясно...

Номер патента: 1175977

Опубликовано: 30.08.1985

Автор: Багай

МПК: C30B 29/02, C30B 33/00

Метки: висмута, кристаллов, травления

...вершины трещин в кристаллах висмута.Необходимо обеспечить возможность проведения металлографических исследований процесса разрушения кристал 40 лов путем изучения дислокационной структуры вершины трещин в кристаллах висмута.Целью изобретения является увеличение четкости изображения дислокационных ямок травления в вершинах трещин кристаллов висмута.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу травления кристаллов висмута в растворе, содержащем об.ч.:Азотная кислота(50%-ная) 0,02-0,16при заданной температуре и времени, травление ведут при (-5) - (+4) С в течение 30-40 мин,Травление при температуре менее -5 С и времени более.40 мин не приводйт к выявлению на вершинах трещин в кристаллах ямок травления.оПри температуре...

Номер патента: 324781

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Дербенева, Зверев, Зубкова, Цейтлин

МПК: C30B 11/10, C30B 29/20

Метки: алюминия, вернейля, выращивания, корунда, методом, монокристаллов, окиси, приготовления, пудры

...пудры окиси алюминия для выращивания монокристаллов корунда, которые могут быть использованы в ювелирной и,часовой промышлен ности, а также в других областях, где требуются окрашенные качественные кристаллы корунда.Известен способ приготовления пудры окиси алюминия для выращивания 1 О монокристаллов корунда и рубина методди Вернейля путем совместного осакд 4 ния исходных компонентов с последующим отжигом полученного продукта при высокой температуре. 15Недостатками известного способа являются низкие концентрации легирующих добавок, низкие .скорость выращивания и выход качественных кристаллов, а также сложность получения рО различных оттенков монокристаллов.По предлагаемому способу в исходную шихту вводят фторид алюминия в...

Номер патента: 1075600

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Давтян, Налбандян, Шархатунян

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: калия, монокристаллов, пентабората, травления, химического

...травление ме 34 3ханически либо химически полирован -ных пластин.,ЬЩз. МнокристаллыЬд 10 з полируют-.з ВИ, затем опускают в воду при 75 С на 3,5 с. Получалась дислокационная картина травления монокристаллов 1.д 10. Однакоприведенные составы полирующихрастворов не полируют кристаллпецтабората калия и не дают четкойизбирательной картины травления.Известен также способ выявлениядислокационной структуры, заключающийся в полировке монокристалла 25Ьд 10 в НьО + ННОЕ + К.СгО, затемв химическом травлении в НО ++ МаОН.Однако при действии указанныхсоставов полирующего и травильногорастворов на гранях монокристаллапентабората калия не наблюдаетсяэффекта полировки и травления. Кнастоящему времени составы полирую "щего и травильного...

Номер патента: 669695

Опубликовано: 23.03.1986

Авторы: Берлин, Локтаев, Лягущенко, Марквичева, Нисневич, Петрова

МПК: C30B 31/06

Метки: диффузии, донорной, источника, примеси, раствор

...при диффузии,происходит уменьшение поверхностной концентрации фосфора ниже требуемых значений.Тетраэтоксисилан 7 - 19Кроме того, раствор может содержать азотнокислые соли элементов 111 группы главной подгруппы при содержании азотной кислоты 0,2-1,0 мас.7 или элементов 11 группы главной подгруппы при содержании азотной кислоты 1,0-9,0 мас. .При приготовлении раствора в эти-, ловом спирте растворяют сначала азотнокислые соли элементов, затем ортофосфорную кислоту. При этом часто выпадают в осадок фосфаты элементов, которые затем растворяются при введении в раствор азотной кислоты.П р и м е р. Было испытано несколько растворов для получения источника диффузии (составы представлены в табл.1-3), которые наносят на поверхность пластин...

Номер патента: 403241

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Анохин, Базаров, Бакун, Докучаев, Лапидус, Московский, Скворцов

МПК: C30B 31/02

Метки: бором, легированных, слоев

...Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. ужгород, ул. Проектная, 4 Известен способ получения легированных бором слоев, например, дву"окиси кремния, осаждением их на подложку из газовой фазы с добавкойсоединения бора,Концентрация легирующего вещества в окисле контролируется относительными концентрациями легирующеговещества и вещества, содержащего полупроводниковый материал, в частности кремния, в газовой фазе,Однако, известный способ связав ,с использованием взрывоопасного и. высокотоксичного диборана. Разбавление диборана аргоном приводит к нестабильности смеси во времени изза разложения диборана, что существенно влияет на воспроизводимость результатовЦель изобретения - обеспечение безопасности процесса и повышение...

Номер патента: 1258329

Опубликовано: 15.09.1986

Авторы: Киндзи, Нобуюки, Тосихико, Ясунори

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06

Метки: выращивания, кремния, кристаллов

...температуры незначительны.Если сравнить сечения кристаллов, выращенных без вращения, то в сечении кристаллов, полученных без применения магнитного доля, ясно видны полосы из-за различной концентрации примесей, вызванной различиями в ско- рости выращивания из-за колебаний температуры, однако такие полосы не наблюдаются в сечении кристалла, выращенного с применением магнитного поля.В данном случае тигель 1 и затравка 5 не вращаются или вращаются сравнительно медленно со скоростью 0,1-0,2 об./мин.График на фиг. 3 показывает связь между относительной скоростью вращения тигля 2 и затравки 5 и концеиграцией кислорода в кристалле: лома ная линия А указывает на отсутствие магнитного поля, а спловная линия В- .на применение магнитного...

Номер патента: 687654

Опубликовано: 23.03.1987

Авторы: Бевз, Березенко, Гашенко, Данилейко, Епихин, Тимошин, Фалькевич

МПК: C30B 15/34, C30B 29/06

Метки: кремниевых, полых, труб

...область диаметра 0,4-0,9 диаметра тигля в приповерхностных слоях расплава создается восходящим конвективным потоком в центре тигля и подогревом пе 5 10 15 риферийной части расплава непосредственно от нагревателя, Восходящие конвективные потоки создаются в расплаве при отношении удельных тепловыхпотоков, подводимых к боковой и донной частям тигля, равном 0,4-0,6.Кроме того, на столбик расплавав мениске действуют три силы: собственный вес, силаповерхностного натяжения и центробежная сила,Изменяя скорость вращения трубыможно изменять центробежную силуи тем самым регулировать Форму менискаСкорость вращения трубы должна быть оптимальной и рассчитывает 15 5 - 4 с 1ся по формуле иа с 1 где и - скорость вращения трубы,об/мин, Й - наружный...

Номер патента: 1301878

Опубликовано: 07.04.1987

Авторы: Дембовский, Илизаров, Подкопаев, Чечеткина

МПК: C30B 23/00, C30B 29/02

Метки: селена, стеклообразного

...Затем материал нагревают выше температуры плавления и подвергают 20 охлаждению (закалке) в магнитном поле, создаваемом электромагнитом объемом 70 см, напряженностью 470 Э со скоростью 1 град/с до затвердения25 стеклообразного селена, который в процессе закалки подвергают обработке в магнитном поле напряженностью 250-700 Э, составляет 1,5"-2 года (пример 1 Ь,и д ) при отсутствии последующей обработки в процессе эксплуатации и хранения, Т; стекло образного селена, не подвергнутого обработке магнитным полем в процессе 78 2о(ДО 30 С), При этом доля кристалли ческой фазы в затвердевшем стеклообразном селене ниже чем 10 . При охлаждении без магнитной обработки доля кристаллической фазы в стеклообразном селене в указанных условиях составляет...

Номер патента: 1308653

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Клот, Леман, Липпитц, Пурпс, Хейдборн

МПК: C30B 33/00

Метки: возникающих, отходов, переработки, полупроводниковых, приборов, производстве

...8653 2арсина и фосфина при помощи очистительной системы отработавшего газа,состоящей из установки 13 обратнойпромывки с водой и газоочистителя14, наполненного раствором гипохлорита натрия, и направляется в вентиляционную установку -15.Контроль ядовитых газов в отходящем воздухе производится при помощи10 трубок Дрегсра для арсина и фосфина.После кратковременного пропуска промывочной жидкости клапаны 8 - 11 зак"рывают. Отложения удаляются в прифланцованных частях установки припомощи инструмента, например сверла,с последующим полосканием водой, которая подводится через гибкий шлангпри открытом вентиле 16,После интенсивного продувания азо 20 том очистительная камера открывается, и прифланцованные, очищенныечасти установки после...

Номер патента: 1318618

Опубликовано: 23.06.1987

Авторы: Борщев, Клембек, Меньшиков, Старков

МПК: C30B 31/14

Метки: диффузии, кассета

...6 источника и 9 полупроводника установлены в рамках 1 и 2 вдоль их 3 О продольной оси. Кассета работает следующим образом.Рамку 1 загружают пластинами 6 ис точника и помещают в рабочую зону реактора. Затем загружают рамку 2 пластинами 9 полупроводника и с помощью толкателя 11 устанавливают в 8 2реактор. При этом скоба 10 рамки 2 скользит по направляющей штанге 4 рамки 1, обеспечивая тем самым устойчивость и направление движения рамки 2 в рабочую зону. После установки рамок 1 и 2 в рабочую зону начинают процесс диффузии, После завершения процесса рамку 2 с пластинами 9 извлекают из реактора, а рамку 1 с пластинами 6 источника оставляют вреакторе.С помощью кассеты проводят операцию термической диффузии фосфора в кремний для создания...

Номер патента: 684810

Опубликовано: 30.08.1987

Авторы: Георгобиани, Котляревский, Лавров, Михаленко, Урусов

МПК: C30B 31/00

Метки: группы, кристаллов, металлоиды, полупроводниковых, содержащих, соединений, составом, стехиометрическим, цинка

...Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для управления стехиометрическим составом кристаллов полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды Ч 1 группы.Известен способ управления стехиометрическим составом кристаллов полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды Ч 1 группы, включающий отжиг кристаллов в парах металлоида при давлении 0,01-3 атм и температуре 200-1200 С.Недостатком указанного способа является то, что он не позволяет получать кристаллы полупроводниковых соединений цинка, содержащих металлоиды 71 группы, с проводимостью. дырочного типа...