C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 13194

Опубликовано: 31.03.1930

Авторы: Богословский, Савицкий

МПК: C30B 9/12

Метки: детекторов, кристаллических, сплава

...сплао п. 1, авляют кислоту выполнения способ я тем, что в массу пр ением вольфрамовуТип. Гидрогр. Упр. Управл. В.-Ы, Сил РККА, Ленинград, здание Гл, Адмиралтейст Наилучшие кристаллы Галена получаются лишь тогда, когда окончание сплавления устанавливается точно, так как переплавка дает недетектирующий материал, что сильно повышает процент брака; недоплавленные же кристаллы Галена очень неустойчивы к внешним реагентам идетектирующие свойства их быстро теряются при работе, Предлагаемый способ имеет целью получать сплав, не боящийся переплавки и дающий устойчивые детектирующие кристаллы путем сплавления массы, состоящей из серы, глета, азотно-кислого серебра и буры, в которую перед плавкой прибавляют вольфрамовую кислоту.Способ состоит в...

Номер патента: 13378

Опубликовано: 31.03.1930

Авторы: Богословский, Савицкая

МПК: C30B 9/12

Метки: детекторов, кристаллических, сплава

...дополнительного патента простирается на срок до 81 марта1945 года.Предмет патента,Тип, Гидрогр. Упр. Управл. В.еМ. Сил РККА. Ленинград, здание Гд, Адмиралтейства. В патенте М 13194 описан способ получения сернистого свинца.для радиодетекторов нагреванием смеси окиси свинца, серы, азотнокислого серебра и буры. Получаемые этим способом кристаллы быстро изнашиваются и темнеют. С целью устранения этого недостатка, по вредлагаемому способу получения сплавадля кристаллических детекторов к указанным компонентам добавдяют металлического мышьякаилимышьяковистого ангидрида.Предлагаемый способ состоит в следующем:На 100 весовых частей свинцового глета берут 20 - 25 в. ч. серы, 5 - 20 в, ч, азотно-кислого серебра (ляпис), 10 - 20 в, ч....

Номер патента: 28905

Опубликовано: 31.01.1933

Авторы: Ильин, Кнапский, Федоров

МПК: C30B 11/10, C30B 29/20

Метки: аппарат, искусственных, камней, корунда

...обойма 1 б для проводки светильного газа к горелке, состоящая из двух кольцевых упоров, куда в ставлены восемь латунных трубок и ., снаружи их надета еще одна латунная трубка, на которую надета рубашка 77 с наконечником-колпачком 79, Кожух в зависимости от требуемого объема светильного газа для горения или опускается книзу или поднимается кверху посредством кольца с нарезкой 17 а. Наверху обоймы установлен приемник 12 светильного газа с укрепляющей гайкой 15, имеющей асбестовый сальник и штуцер 13; для подводки светильного газа посред. ством шланга в приемнике 12 имеется предохранительный шарик 14.Весь аппарат на специальном каркасе или доске, покрытой асбестом, вешается на стену на кронштейнах 20 и 21.Для равномерной подачи...

Номер патента: 48277

Опубликовано: 31.08.1936

Автор: Беркфельд

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: искусственных, камней, цветных

...исходить взамен окиси непо. средственно из тонких фракций так называемого микроналюминия", применяемого при термитной реакции Гольд- шмидта и изготовляемого путем распыления металлического алюминия.Материалом в этом случае должен служить исключительно только алюминий высококачественного состава (99,97%).При применении окиси алюминия засыпаемая в закрытый стакан горелки пудра окиси, падая по нижнему конусу стакана, передается в трубку для плавки, двигаясь непосредственно в токе кислорода, вводимого в стакан и оттуда в трубку.Падающая в потоке кислорода пудра окиси у нижнего конца трубки вводится в атмосферу водорода, где и происходит горение и дальнейшая плавка окиси.Расплавленные капельки окиси, выходя из зоны пламени, падают и...

Номер патента: 50391

Опубликовано: 01.01.1937

Авторы: Егоров, Шаховцев

МПК: C30B 15/02

Метки: аппарат, искусственных, монокристаллов

...ется валиком 50 лентопротяжного механизма, в свою очередь приводимого во вращение часовым механизмом.Штоки 33 при помощи укрепленных на них поршней 35 направляются стенками неподвижных трубок 36, выходящих из кожуха кристаллизационного аппарата через его вращающуюся крышку 37, в которой они закреплены, Через эти же трубки 36 пропущены труоки 38, подводящие воду в полость свечей, и трубки 39, выводящие отработанную воду наружу и присоединенные к водопроводу при помощи гибких шлангов 40. Скорость подачи вверх свечей 26 и скорость вращения цилиндра 27 регулируются соответственно свойствам кристалли. зуемого вещества таким образом, что бы скорость подачи вверх свечи была несколько меньше возможной в данных условиях скорости роста...

Номер патента: 65325

Опубликовано: 01.01.1945

Авторы: Попов, Шефгаль

МПК: C30B 7/00

Метки: монокристаллов, растворов, солей

...с кристаллом и при попытках ускорить рост охлаждением на кристаллах возникают неоднородности.Предлагаемый способ,получения монокристаллов из растворов солей с вращением вырагцйваемого кристалла )в растворе заключается в том, что кристаллу сообщают двойное вращение -- вокруг геометрической оси затравки и вокруг эксцентричной по отношению к кристаллу оси вращения.Кристаллическая затравка в виде пластины, стержня,затравочного кристаллика и т, д. укрепляется эксцентрично )па отношению к оси вращения и )приводится в движение соответствучощим механизмом. Кроме вращения вокруг эксцситри гио расположенной оси, затравка вращается одновременно вокруг собственной оси. Двойное движение обеспечивает быстрое и равномерное поступление свежего...

Номер патента: 66668

Опубликовано: 01.01.1946

Автор: Шефталь

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...а ИИВ с Н И 51 К 1)1 СБ.СОБ 1 Ь) 1): СБ 1) 01 ЧС 1 С)110СКО)(0151 И)01 сссс, Н)ОН 5 ЮТ 11 Кс 1 с)ССТБО ИС (ОД 30(0 01)ЯЗО 1 с НИ Я Г)1(ТО тагОН ЬКОГО К) 1 СТ с 5,1 И К; БЫ )(:с 131 К) ИЗ К)ИС тс, 1, с 1 00,СС К)ИИ)10 (10 Чс 1 СТЬ. ОДс КО Б 51 То)атт О НОТ т КНЗИ 1 И 1, Кс)КИ)1 ОЙ) БЗО) . (0,1 К И;3ЫТЬ БЫ)ОЗс)1 с 1 БТН 1 С 3 Ь ГЬ 35 110 Г(И И 5 )с)г(.Н с),Ь 1 ОГЭ".Ь(1)(10;1, И 11)ИК Г 1 ЧОСКИ Б КСЧ( СТВО .)сТ)1 ВО 3(р 1)ОН(5)Н)Т ) 3"10 СТО)5 СИИИ, тс г КИ , 131) 3 БОССБ БОБ,1( Иэ Зс)Т 3)И)КОИ 110)3 БЛ ЬНО 1 К) ИСТИ 1 Ч(.- СКОБ ИО(103)НОС эИ 1)СГСНБэ)а 1 сОННЫИ С;ОИ 00 а.т ОТ" Я .1) 1 Нэт 11 11 Т66668 1 1 ) )1 си ;1 0 ) 1) сс и и 5 Х 1 омптет по дета)1 и:)о)рстеип 1 и от 1 рыти) пи Совете Мппистроп СССР Редактор Л, К. Лейк)и)а 11 ис...

Номер патента: 72182

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Штернберг

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...исключает необходимость тратить время на рсгенергцшо затравкиКрпсталлик, вырастая под восковой сумочкой, охватывает тонкуюшпильку и, развиваясь во все стороны, укрепляется на кристаллоьосцс, врастая в пазы.При пепрсрывном вращении кристалла со скоростью 30 - 60 аб/иин происходит его рост при снижении температуры раствора.Вначале устанавливается температура на 1,5 ниже температуры насыщения раствора; при этом кристаллы растут со скоростью 10,ил 1 в сутки по оси 7. тля поддержания этого псресыщения суточный спад темпера гуры рассчитан по формуле;= / 2 где Р и - искомая температура; х - длительность роста в сутках; Р - объем раствора; Рв - исходная температура.72182 Предмет изобретения 1. Способ для выращивания кристаллов сегнетовой соли,...

Номер патента: 72801

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Шефталь

МПК: C30B 7/02

Метки: аппаратах, выращивания, кристаллов, пересыщения, раствора, устранения

...в кристаллизатора и ра в аппа применени сенного вн ля устранения пересыщения раств ния кристаллов, о т л и ч а ю щ е е с де сосуда с растворителем, распол единенного с ним трубкой. При выращивании кристаллов в аппаратах, обычно примендля этой цели, часто наблюдается местное пересыщение расвызывающее образование паразитических кристаллов.Для предупреждения возможности подобных псресыщенийбретения предложил специальное приспособление - увл ажнлажнитель представляет собой сосуд с растворителем; он расн вне кристаллизатора и соединен с ним трубкой.Аппарат для выращивания кристаллов и расположение увлтеля показано на чертеже.Температура растворителя в увлажнителе 1 поддерживаетсядушным термостатом 2 постоянной, что обеспечивает...

Номер патента: 78449

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Поздняков

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: блока, выращивания, косого, кристаллов, сегнетовой, соли, среза

...выращивании кристаллических блоков косого среза, стороны которых составляют углы в 4 Г с осями В и С кристалла (фиг. 1), обычно берут кристаллическую затравку косого среза, которую располагают на дне кристаллизатора между ограничивающими стенками, Однако кристалл растет мутным до тех пор, пока не образуются грани, полностью ограничивающие кристалл сверху (фиг. 2). Такие блоки практически оказываются непригодными из-за того, что мутная дефектная область значи тельна по площади и расположена крайне неблагоприятно,Предлагаемыи способ выращивания блоков косого среза из кристаллов сегнетовой соли с применением кристаллической затравки, вырезанной параллельно грани В кристалла, устраняет указанные недостатки, и весь выращенный блок является...

Номер патента: 95747

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Поздняков

МПК: C30B 29/14, C30B 7/04

Метки: аммония, выращивания, кристаллов, однозамещенного, пьезоэлектрических, фосфата

...ОГН,)Н(;:;, ; Н(,;, 1;сс)ЯЛОВ (1)Ос(1)Н)151 (1)Г)с)1 Ср 1) 110- 11(Р(:;Ч)И 1 ( ) 1(1,(. И,11 с),0 301 А с) 1. 1, . 1 1: . 1ГО В( д)101 0 РЯСГВОРс -.то.1 СЛИ В 1)ОГ)СС( 1)Ос 1 Я и)1 СтсГЛОВ 11(1(.ЕГ 1(СГО явлс)И(. БЫ 1 т И 1111) Я 1)я, с)С )1(ГЧ Я:) СЕС 51 В 11 Г)с- )(1 с 111(.ИИ ХрисЯ, Ь(1;3 Гр. 5 Ы С 110 Ч 311 )с 11(Ы 11 0:,НОВ.НЯМ 1 )ИРЯ 1 ГУ.Пр(.ЛГягясмыЙ с)ос. о Вы)Г)Цива) И 51 1103 ВОГ 5(.1 СТР с)1 ИГ и ВЛ СНИЕ Способ Выращивания пьезоьлек- ТРИЧЕСКИК КР 11 СТ 11;ОВ (ДНО:)ЯЕЦЕННОГО фОСфЯТЯ с.Мл 101)и ИЗ 1)ЕРЕСЫЦЕШОГО Рс)С 1:)ОРЯ Зто. С;ЛИ, О т Л и- Ч Я ГО ЩИ Й С я тЕМ с)тс) С )ГЕЛЬ)0 ПОВЫКЛИН)Вс 111 И) В НОЦ(.ОСЕ 1). . а КРНСТЯГЛОВ.ЭГО ДОСТИГс 1 СТСЯ ОЛснОДЯ)Я ВВЕДСИИ 0 В Нс 1 СЫ 1 ЦЕ 111 ЫЙ РЯСТВ 0) )10 вс- ененного фосфата...

Номер патента: 96144

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Штернберг

МПК: C30B 7/02

Метки: выращивания, кристаллов, способа, этого

...1 НИ 51 кристаллов. Непрерывная работа установки обеспечивается тем, что каждая из форм снабжена охлддителем для переохлаждения раствора внутри этой формы при неизменной темперд гуре раствора в баке. На сертеже схематически предслч 1 всена конструкция предлагаемой установки в двух проекциях,Выращивание кристаллов осуществляется в разборных формах 1, погруженных в бак 5 с ненасыщенным раствором 3. Для выращивания блоков заданного размера или пластинок определенной толщиныЛ" 9 б 144 11 р од к сн зобретения тв. редактор Г. А, Лапушки тандартгиа. Подп, к печ, 4/1-1957 г. Объем 0,125 и. л, Тираж 250. Цена 25 коп Гор. Алатырь, типография2 Министерства культуры Чувашской АССР. Зак. 3998 формы 1 могут бьп ь разделены редкими нли частыми пг...

Номер патента: 96229

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/02

Метки: выращивания, кристаллов, растворов, способа, этого

...5 ГС)3(".,СП 1 И В 111151 )3.СГВОРс 3 15 СЛ" , - с Я С 1 ( П ОД В П Е 1 Н)103 с С П ОЛ 0 Ж (П 51 кристялгов) .1 ц)ьпЗе 3 Оячкс 1 ) я 55 ястся 0;(335 ИСМЕП 30 ЕПД(13 СсТО)30) ПЯ)ОВ Ря(Т ГСГ 51, 5, и 1(ГО (313 33 С 13 сОЖС 3 Я 1503;3 ЛИПЦ М: Г П ВО 5 ИЦ;1 (3(Г и ,1; 1".- ГГСГ 1 4 И С(3033;3(3135 531 С;(с,;,; , (3-) ж( ло я,б). 31(;рс ( (;о)31:3 к ) гстойник б - служит для задержания частиц нерастворешюго кристяллизусмого вещества. Вмонтированные в крышо воронки 7 и 8 предназначены для ввода В ко:дспсят твердого кр 1 Стал.1 изуе)Ог) вещества и растворителя.(.ОгсЯсн изоорстснию,вспиос выращивание кристаллов пз рдстьоря крпстяллпзуемого вещества ОСУ 1 ПССТВЛЯСТС 51 ПРИ ПОМОЩИ ОППСЯН- ного устройства следующим образом.Испаряясь из раствора,...

Номер патента: 98040

Опубликовано: 01.01.1954

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...от скорости притока свежего пересыщенного раствора к поверхности растущих кристаллов, Перемещение кристалла относительно раствора способствует росту за счет отвода от его поверхностей пленки обедненного, слабо- насыщенного раствора и прдтока свежего раствора, имеющего большее пересыщ ение.Известные способы выращивания кристаллов, в целях быстрого восстановления пересыщендя вокруг растущего кристалла, предусматривают пер емешпвание раствора или вращение кристалла в растворе.Предлагаемый способ позволяет повысить скорости роста кристаллов благодаря тому, что кристаллы в процессе роста приводят в колебательное движение, причем это движение может осуществляться с большой частотой от десятков герц до десятков килогерц и сочетаться с...

Номер патента: 100124

Опубликовано: 01.01.1955

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллизатор, кристаллов, способа, этого

...заканчивается отростком 2, сияружи которого рзсио- ЛОЖЕН ЭЛЕКтрИЧЕСКИй ИЯГрСВатепп. о, иагреваюший раствор в отростк, до температуры, прсвышающс и тс 1 иср- туру раствор в кристяллизаторс. С помощью электроиягреватс;1 я т и терморегулиру 1 оиего устройств (и 1 чертеже ис ио 1 сяз 11 и) достигается и поддерживается иужиая тсмперятура раствора и кристаллизаторс. сс)ез к 1 зыпку 1 с 1)истяллизятор 11 Грс 1 ходит ось б кристллоиосця, которая имеет постояисюс или рсвсрсивиос вр;нцси ис. Кристаллизуемос всцсство вводится в кристаллизатор чсрсз трубку б, проходяпую сквозь крышку.Вводмыс в кристаллизятор чстицы кристаллизусмого вссцсств, п- дая на диище, скатываются ио сго коиичсской повсрхиости вниз и иои- дают в отросток, гдс происходит их...

Номер патента: 100988

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, затравок, кристаллов

...выращивания кристаллов весьма вакен правильный выбор формы, размеров и ориентировки затравок, позволяющий выращивать однородные лишенные дефектов кристаллы, имеющие наряду с этим наиболее удобные размеры и форму, опредсляемые требованиями производства.Для выращивания кристаллов с большим поперечным сечением предлагается использовать стержнеобразную затравку, необходимая ориентировка которой, согласно изобретению, осуществляется путем вырезания ее из тела кристалла параллельно ребру, образованному пересечением быстрорастущих граней.В частности, в случае использования фосфата аммония, кристаллы которого, как уже указывалось, имеют вид призм квадратного сече:н я, сочетающихся по обоим основаниям с четырехугольными пирамидами,...

Номер патента: 101179

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...явлений регенерации для получения однородных кристаллов большого размера пред,.1 агается использовать пластинчатую затравку, помещаемую в щелеобразЛ/450364 в Министерстредств связи ные углубления (карманы) плоского кристаллоносца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образованная пересечением быстрорастущих граней кристалла.Для осу 1 пествленця предлагаемого способа выращивания кристаллов веществ, обладающих резко выраженным односторонним ростом, в частности, кристаллов виннокислого этилецдиамцна, головка кристалла разрезается на пластины рядом плоскостей, параллельных или почти параллельных диагональной плоскости, рассекающей кристалл по длине. Прц этом образуется несколько пластин треугольной...

Номер патента: 101189

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: виннокислого, выращивания, затравок, калия, кристаллов, последних, этих

...образованному пересечением грс 1 и С(00) иииаода с одной 1;.; б:.:с-. - рорастущих граней диэдра.Полученные таким образом затравки при выращивании кристаллов располяга отся на плоском кристал;Оносцс тяк, что оы Грань, Охтядяощая на;большей скоростью роста, была направлена наружу.Сущнос; изобретения поясняется 1 ертежом, изобряжяющ 1 м полю 1 О естественнуо форму кристалла ":инокислого калия.Как показа;и исследования, скорости роста различных граней кристалла виинокислого кал.я сущестгеино различны.ДЛЯ ПООИЗЬОДСТВа ЖЕЛЯТЕЛЬНО иметь кристаллы, имсО 1 цис широкие, хорошо развитые гря;и С. Зто обусловлено тем, что пластины д,.я пье зорезснаторов выреза;отся -араллельно этой грани так, ;то д,-,иня их состазляет угол г 45 с высотой...

Номер патента: 103067

Опубликовано: 01.01.1956

Авторы: Васильева, Степанов

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, искусственных, кристаллов, крупных, печь, электрическая

...дополнительное нагревание дна отдельно регулируемым, нагревателем, позволяющим изменять Форму изотерм роста кристаллов.Принципиальная схема печи изображена на чертеже.Печь состоит из кожуха, кварцевого, ФарФорового илн платюнового тигля вьгбор которого зависит от температуры плавления и хпмическпх свойств кристаллизуемой соли, и огнеупорной керамической подставки для нагревателя, расположенной под тиглем.Непосредственно на тигель (1) намотано сопротивление (2) (нагреватель) с меныиим шагом в верхней части тигля по сравнению с нижней. Снизу тигля на дне огнеупорной керамической подставки (3) расположен отдельно регулируемый нагреватель (4).Свободное пространство в кожухе (5) заполнено пзоляционнъгм материалом.Работа печи протекает...

Номер патента: 107450

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Кокориш, Красилов, Шефталь

МПК: C30B 25/02, C30B 29/06

Метки: германия, заданным, кремния, монокристаллов, примесей, содержанием

...еще далеко це совершенны ввиду трудностей регулировки концентрации и распределения примесей.13 этом гаправлеции описываемый спосоо полусци 5 аОцористаялических пленок германия ц крстпия является перспективным,С пинось способа за я в меется возможность гдллическую плсцспределением прибыл получен мо- слоИ германия с иостьо толнной гике чистого гернесколько десятых цокрцстд, иическиидыро иой проводло 40 ,иг ца пластаация толщиной вмиллиметра.Такие пласгиць)леция в гих индиядов типа Р Р игодцы для вила получения три Грсдтст цзобретени овле- соедисокоИФподя ил фазу те га- И, ко- водосте с следующем.Пленки германия и кремния,зующцеся в результатс восставцця волоролом цх хлорисаыхцсций зеС 1 и 51 С 1) при вьтемпературе, кристаллизуются...

Номер патента: 108078

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Жванко, Шамовский

МПК: C30B 11/06, C30B 29/12

Метки: монокристаллических, фосфоров, щелочно-галоидных

...способ получениямонокристаллических щелочногалоидных фосфоров позволяет получать новый вид сцинтилляторов соспектром люминесценции, смещенным в красную часть спектра.Это увеличивает эффективностьсцинтилляторов и позволяет использовать в существующих марках фотоэлектронных умножителей болееширокий круг солей, вкл 1 очая бромиды и хлориды щелочных металлов.Предлагаемый способ отличаетсяот общепринятых тем, что, с цельюсмещения люминесценции монокристаллических щелочногалоидных фосфоров в красную часть спектра,в качестве активатора используетсяне таллий, а индий.Выращивание монокристаллов попредлагаемому способу производится из расплавов полностью обезвоженных солей.Процесс осуществляется при высокой температуре в...

Номер патента: 108256

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Попов, Шефталь

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, динамического, монокристаллов

...промежутками ПОК 051.2, Прием выполнения спосооа по п. 1, о т л и ч а ю щ и 1"1 с я тем, что выращивание монокристаллов производят из расплавов, а также из газовой среды.3, Прием выполнеция способа по П,1 и 2, отличающийся тем, что при кристаллизации из раство ров и газовой фазы в одном кристаллизаторе получают несколько кристаллов. ИСАНИЕАВТОРСКОМУ В известных способах выращиваци 51 крист аллоя . для Оптического, пьсзоэ,н ктрического и иных цазцаеп ццй с укрепленными в крцсталлцза Гор 1:1 дтравочными кристалла ми применяют динамические методы выращивания монокристаллов, со. стоящие во вращении растуцего кристалла или в перемешивани и раствора.К недостаткам известных способов относится однообразный характер движения, что...

Номер патента: 108648

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Добровенский

МПК: C30B 15/26

Метки: выращивания, вытягивания, методом, монокристаллов, по, процесса, расплава, чохральскому

...дополнительного устройства.ДОПОЛНИТЕЛЫНОЕ УСТРОЙСТВО, ЯВЛЯЮ 1 ЦЕЕСЯ ЭТаЛОННОЙ ЧаСТЬЮ СХЕМЫ,состоит из радНоактинного источника 9, аналогечеоо источнику 1, клива 10 поглотителя со стрелкой, приемника излучения 11, аналогичногоприемнИку 6 и формируемого блока 12,РазностныЙ сигнал должен модулиронаться, уоиливаться и подаватьзатем к исполнительно)у механизму 13, который изменяет положениесердечника индукционной катушки 14, являющей:я датчиком телеметрической системы вторичного прибора 15, воздействуОщего лИбо на регуляровочный трансформатор нагрева, либо на скорость )ытягивания кристалла, либо на то и другое одновременно. Необходимый диаметр кристаллаустававлИвается за время процес а один раз рукояткой 6 путем вводсния спбциально пРОт 21)1...

Номер патента: 108804

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Попов, Шефталь

МПК: C30B 7/00

Метки: выполнения, выращивания, динамического, монокристаллов, прием, способа

...ноябри 1956 г. на имя тел же лин способ динамического 1 я кристаллов для оптиоэектрического н иных с укреплением в крие затравочных нристалсв.108256, где беспоижение раствора по отмонокристал.чу создают сивного вращения криа по горизонта.чьнон льной оси, чередуюшссутками покоя. Эт 11 м доорения роста и пмуце.однородного монокрипособа выпутсм ре- исталгчоносряле случасталлов появляется витнем динамического с ращивания кристаллов, версивного вращения кр ца или мешалки, что в ев получения монокри динамическому способу единственно возможным Известенвыра шиван едмет изобретенн полнения динамическовыращнвания монокрнавт. св.108256, отй с я тем, что хаотиче. ие среды выращиваемоа создают реверсивным криста,члоносца и.чи меПредложен метод...

Номер патента: 109262

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Мочалов, Пипко, Шифрин-Крыжаловский

МПК: C30B 13/00

Метки: германия, монокристаллических, прутков

...длине его, монокристя,г 11 Сскпе прутп гсрмяшя полу- :5 ю 1 Гз полпкрпсталлчсскГх загоОво, отлитых и гряфптовые формы, путем зопной пронаявки зготовки, сплавленной с монокр Стялгпсско 1 :1 ятрявОЙ, прнчс. мсждм 31 Отов.Ой и з 1 тр 1 вло вводнтс 51 легрую 1 няя тяблсга пз германия, содержяиего расчетное оличество примеси,Рс 0:сде:11 я техно,ОГ 11 Я заключается в сгсд ющем.Сия 1 л Пз пог 1 икрпст 1 ГгпчссОГО ГСР.131 Я нзГОтовлЯетсЯ п 1 зУтокГОотлив,и в графитовм 10 форму и последующего быстрого охлаждения слитя.Пос.с атого иуток-зготовка, р 1 спол 01:сины всГ)т 1 яльно, сплавляст- СЯ С .0110 ЕПИСТ 1 ГЛПЧССЕ 01 ЗЯТРЯЬ- кой, причем между ппмп вводится гсгп рукина я таблетка, прсдст 11 всЯющая собой цилиндрический кусочек германия,...

Номер патента: 111956

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Макеев, Минаев, Чертков

МПК: C30B 13/04

Метки: действия, зонной, индукционная, металла, непрерывного, печь

...2, башмакиводяным охяждением ), фланцы скрышками 4, газовые завесы о.эектродвигатель 6, редуктор 7,толкатель 8 и трубку для подачиГЯЗ 1 9.Процесс очистки металла заклк)чается в том, что в торцевое отверстие трубчатой печи со сторонытолкателя загружают графитовьслодочки с металлом. Лодочки, проходя через зоны нагрева многозонного индуктора, нагреваются и находяшийся в них металл плавится. ЗОБРЕТЕНИЯСВИДЕТЕЛЬСТВУ По.)е ка)кдой зон ь; расплавлсн- ИЫИ МСЯЛ 1 ОХЛЯ)КДЯСТ 51 П 1)ОТОЧН 01 Водой, 11 зятех, пй;151 исколко 3 О П . Л 0 ДО Ч К 1 О 1 И 1 К О М ХС Т 1,1,11 также Охлаждаютя и рязгружяют через Задний торец трубчатой печи. Г 1 роцсс осушствлст я В ;таО 1)ерс ппср гного гязя. При :1 ГР 3,. и РЯЗГ)зкс мст;11,1,1 В с- П СОЗДЯСТ 5 1 ЯЗОВЯ...

Номер патента: 112211

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Братчик, Мочалов, Оконишников

МПК: C30B 13/04

Метки: зональной, карборундовыми, карусельная, легкоплавких, металлов, методом, нагревателями, перекристаллизации, печь, рафинирования

...плавки в атмосфере инертного газа требуется для прсдуп 1 теядения Окисл(.ния кэлми 51, Ге 1 учесть котороГО из-зя низкой упругости паров кадмия в условиях зональной плавки весьма значительна. Одновременно инертцый газ исГОГьзуется как охладитель мсжзональных участков слитка.Карусельная печь закрывается воздухонепроницаемой кахеро 1, из- ГотОВ,е.ной из неряавею 1 цсй ста,н. Каме)с ВО в)См 51 Вращения каруев Н 1 ОСГастея нЕПОДВижнОй. Для сОЗданИЯ Уплотнения Делается гидРавличе- скиЙ затвор 9, оосспечивающий возможность вращения карусели без шрушеция герметичности =оединеций. Гидравлическим затвором служит жидкость с температурой вспышки не ниже 200.Для установки и удаления изложниц и загрузки в цих металла в стенке камеры предусмотрен...

Номер патента: 113495

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Абрамов, Аветисов, Ильин, Скотников, Соколин

МПК: C30B 11/02, C30B 29/32

Метки: выращивания, монокристаллов, электроустановка

...клапаном с жесткои передачей от электрических часов.Конструкция печи поясняется чертежом.Электропечь состоит из корпуса 1, имеющего теплоизоляцию 2. Печь имеет в качестве нагревательных элементов силитовые стержни 3, Внутри электропечи заключен жаропрс)щяй, например из алунда, глухой в виде цилиндра экран 4, который имеет отверстия с керамическими трубками для впуска и выпуска сжатого воздуха. Внутри экрана проходит воздухопровод 5, в виде спирали, дающей возможность омывать и равномерно охлаждать стенки экрана воздухом.Расход сжатого воздуха, проходящего внутри спирали, обеспечивает программное регулирование температуры рабочего пространства печи.Таким образом, темп;ратура тигля б с расплавом, потоком воздуха в алундовом...

Номер патента: 113626

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

Номер патента: 113806

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Добровенский

МПК: C30B 15/26

Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава

...попадает в приемник излучения б, сигнал усиливается усилителем б и попадает в электронный преобразо.ватель 7, где сравнивается с сигналом от эталонного устройства, состоящего из источника 8, приемника 9 излучения, клина-поглотителя 10 и усилителя 11,Скорость кристаллизации задается скоростью вращающихся от мотора 12 винтов 13, с помощью которых перемещаются источник и приемник излучения. Если скорость процесса кристаллизации изменится, то изменится положение границы раздела твердой фазы и расплава В этом случае изменится интенсивность попадающего на приемник излучения, а значит изменится разйостный сигнал на выходе электронного преобразователя. Этот сигнал, воздействуя на исполнительный механизм 14, перемещает сердечник...