C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 280449

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Сабуренков, Штернберг

МПК: B01J 3/04, C30B 7/10

Метки: автоклав, выращивания, гидротермальныхусловиях, кристаллов, синтеза, соединений, химических

...изображено предложенное устройство, общий вид. Автоклав состоит из многослойного корпуса, собраннного из конических, впрессованных друг в друга втулок (1 - .т) 1-1 а наружной поверхности внутренней втулки Л нарезана винтовая канавка для прохождения охлаждающей установку воды. В центральном канале втулки 8 помещен нагреватель 4 (вкладыш). В нижней части автоклава имеется обтюратор затвора 5 с резиновым и медным уплотнительным кольцами. Через этот оотюратор пропущена опаянная серебрянымприпоем термопара б.Обтюратор 5 подпирается нажимной гайкой 7, Автоклав легко поворачивается вокруг5 своей Оси.Автоклав поворачивают обтюратором 5вверх, отвинчивают нажимную гайку 7 и извлекают обтюратор. В нагреватель 4 помещаюттермопару б с...

Номер патента: 280450

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Ангерт, Баранов, Толчинска, Фарштендинер

МПК: C30B 29/30, C30B 33/00

Метки: 280450

...монодоменных кристаллов .ЮЬО, 0ориентации, являющегося материалом дляквантовой электроники,Известеп способ получения монодоменныхкристаллов .1 ХЬОз 0 ориентациями, заключающийся в том, что выращивание кристалловведут в электрическом поле, когда затравка ирасплав находятся .под постоянным напряжением.Однако известным способом получать круп:ные кристаллы сложно. Кроме того, выходконечного продукта низкий.С целью увеличения кристаллов и повышения выхода конечного продукта, выращенныйдо нужных размеров кристалл отжигают при1160 - 1180 С в течение 30 - 60 мин под напряжением 15 - 25 в. Затем кристалл охлаждают до 1075 - 1125 С при снижении напряжения на 25 - 40% с последующим охлажденнем кристалла со скоростью 26 - 30...

Номер патента: 280452

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Засецкий, Калашник, Кириченко, Кузнецов

МПК: C30B 25/00

Метки: ампула, восстановления, газовой, полупроводниковой, фазе, чистоты

...выполнена в виде капилляра с теплоизолирующей рубашкой, а перегородки - в виде вогнутых дисков с центральным соплом и каплеотбойником.Кроме т а с выходным и из о бр ете и 25 1. Ампула для восс фазе материала полуп 1 например, восстановлет ка из его хлорпда, содер тановленпя в газовой оводнпковой чистоты, пя водородом мышьяжащая куб-пспаритель ого, рабочая камера соединен ттуцером при помощи шлифа. Авторыизобретения Э .П. Засецкий,11 а чертеже схематически пзооракена предлагаемая ампула.Ампула содержит куб-испаритель 1 с входными штуцерами для подвода водорода н три 5 хлорида мышьяка и рабочую камеру 2 с перегородками(в зоне воостановления) и вставкой 4 (в зоне конденсации), В хвостовой части ампулы имеется штуцер 5 вывода продуктов...

Номер патента: 280789

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Вители, Институт, Трудового, Экспедици

МПК: C03C 25/68, C30B 29/00

Метки: 280789

...тому, что процесс ведут путем последовательного травле,ния поверхности смесью муравьиной и уксусной кислот и соляной келото 1,П р и м е р. Кристаллы тщательно промывают чистой водой, затем погружают в кюветус травителем, состоящим из 12 ч. воды, 2 ч.85%-ной муравьиной ич. ледяной уксуснойкислот. Для более равномерного травленияповерхностей кристаллы необходмо систематически переворачивать и изменять их уголнаклона по отношению к горизонту от 30 до90. Травление в этом травителе длится 3 -5 ии. Вынутые з кюветы кристаллы промывают водой.В результате перечисленных операций споверхности кристаллов удаляют (путем растворения) верхний деформированный слой.Однако она остается еце матовой и не позволяст 1 росматревать Внутреннее строение...

Номер патента: 282298

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Лобода, Чайковский

МПК: C30B 23/02, C30B 29/02

Метки: монокристаллических, олова, пленок

...осаждения в таких условиях дает возможность получать пленки олова ориентации (020) в вакууме 5 10- 10мм рт. ст., в связи с чем упрощается аппаратурное оформление процесса,Получение пленок производится следующим образом. В качестве исходного материала используют олово чистотой 99,9998%, дополнительно очищенное зонной плавкой. Подложку Описываемый с для получения п следований в облИзвестные спос лических пленок на монокристалл ют получать плен условиях остаточ - 10 9 мл рт, ст. одложку из хлористого катемпературы 320 - 350 К, давлении газа 5 10- -размером 20 Х 20 люле устанавливают в полости вакуумной камеры на расстоянии 50 - 55 лм от испарителя исходного материала, Во время разогрева исходного олова подложку экра нируют,...

Номер патента: 283983

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Вакуленко, Либин, Носоновский

МПК: C30B 11/10

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...винтом 28.Все узлы и детали установки жестко закреплены на станине.Устройство работает следующим образом,Перед окончанием выращивания включают дополнительную горелку 1 б, факел которой омывает пространство между наружной поверхностью стакана 12 и внутренними поверхностями огнеупорных половин - полумуфелями 10 и 11. При нагревании стакана до температуры порядка 1800 в 18 С и по окончании выращивания монокристалла в ростовом блоке несколько снижают температуру основного факела. Затем подвижные полумуфели ростового блока 7 и одного из отяиговых блоков 11 перемещают по направляющим 9 и 15 в положение, необходимое для перемещения готового кристалла в вертикальной плоскости. Стакан при помощи подъемного приспособления 13 приподнимают в...

Номер патента: 284981

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Акуленок, Багдасаров, Байков, Говорков, Ильин, Институт, Классен, Лобачев, Рогов, Специальное, Федоров, Хаимов, Чернышева, Яшин

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: корунда, кристаллов, механически, обработанных, повышения, прочности

...из них изделий.Однако во время дальнейшего иапользования полученных изделий, например в качестве часовых камней, наблюдается большой покол их вследствие образования на поверхности при механической обработке аморфного наклепанного,слоя, содержащего царапины и микротрещины, которые значительно снижают ,прочность изделий из кристаллов корунда.Для повышения выхода качественньох механически обработанных изделий из кристаллсв корунда предлагается термообработку последних проводить в замкнутом объеме жаростойкого контейнера, например из лейкосапфира при 1200 - 1300 С в течение 0,5 - 1 час со скоростью нагрева и охлаждения 400 - 500 град/час при вакууме приблизительно 5 10 з мм рт. ст.П р и м е р. Механически обработанные изделия из...

Номер патента: 289665

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Институт, Киргинцев, Рыбин

МПК: C30B 11/00

Метки: 289665

...соединенные с источником охлаждающей среды, Для создания в полости контейнера вакуума он снабжен отростком 9 10 с вакуумным краном 10, расположенным возле одного из шлифов.Выращивают монокристаллы следующимобразом.На выступе керна олного из шлнфов 15 укрепляют затравку 11, имеющую диаметр,близкий к диаметр контейнера. Исходную загрузку в виле стержня помешают в полость контейнера, На выступе керна другого шлпфа укрепляют стаканообразный приемник 12 заг-о рязненного материала. Контейнер эвакуируют,по трубкам 8 полают воду в полости кернов шлифов и сообщают контейнеру вращательное движение. С помощью нагревателя 3 созлают зону в контакте с затравкой после чего -"5 нагреватель приводят в лвнжение вдоль контейнера.По окончании прокола зоны...

Номер патента: 291736

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бел, Некрасов, Родионов

МПК: C30B 11/00, C30B 15/10

Метки: высокочастотной, индукционной, нлавки, тигель

...соед)шснпй могут быть использованы тшли изкварца, питрида бора, нитрида а;)юминия, окиси а,помпнпя, окиси мапшя, окиси циркоппя,окиси бериллия, крбида кремния и дрм) их Высокотемпературных соедппсшп. ласти мсталлур ние относится к ободикоВ.тигли для высокочастотной индукавки, материал в которых расплав)ет разогрева токами высокой частовой подставки для тигля. Недостатиглей является то, что в них невозавать большое электрическое сопротсм самым получить необходимое ния количество тепла. Изобрстс.гии полупро Извсстпь циоппой пл, )яетс 5 За с ты графито ком таких т можно созд тивлснис и для плавлеасмый тиге;сть нагреваиэлектричсскотличается тзазор мсткдпорошком.теже изобраи ь позволяет уве,.шчить эфи использовать его для их...

Номер патента: 291737

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Селиванова, Хейфец

МПК: C30B 11/06, G01N 25/04

Метки: жидкой, коэффициента, л1ежду, нелетучей, примеси, распределения, твердой, фазами

...осуществляют в условиях, при которых перемешивание расплава происходит за счет диффузии. В процессе перекристаллизации производят остановку температурного профиля, При перемещении профиля у фронта кристаллизации в жидкой фазе возникает концентрационная неоднородность примеси, величина которого зависит от величины коэффициента распределения, Для примесей с коэффициентом распределения, меньшим единицы, максимальная концентрация примеси у фронта кристаллизации определяет более низкую величину равновесной температуры плавления.При остановке температурного профиля постепенно пончжается концентрация примеси у фронта кристаллизации из-за диффузии. В реЗаказ 430/2 Издат. М 211 Тираж 473 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий...

Номер патента: 291874

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Золотухин, Короленко, Цветков, Шустов

МПК: C30B 29/16, C30B 33/00

Метки: двойников, исправления, механических

...по спайности из кристаллов.Описываемый способ позволяет исправить 10 двойники в заготовках, не ограниченных плоскостями спайности, пригоден для выправления объема с множеством двойниковых пластин.Это достигается тем, что сжатие осущест вляют в направлении оптической оси.Сжатие производят в слабо пластичных прокладках, например асбестовых, до полного исчезновения двойников, которое наступает при давлениях порядка 30 в 1 кг/сл. 20Например, из кристалла оптического кальцита вырезают заготовку в форме куба с ребром 20 для на поляризационную призму системы Глана, Две противоположные грани куба являются базовыми - они нормальны оптиче ской оси кристалла.Базовые грани заготовки подвергают сжатию гидравлическим прессом силой 400 кг,...

Номер патента: 292888

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: C30B 29/14, C30B 7/04

Метки: 292888

...,001 пзо;шруют :; т ттц т ыцение-псреохла/птдеццеПосле 22 дне.", роста Рт,П/ЦО ОДПСРОДОй Ц .тО. Поверхности роста прп помощи ьакуумной рсдмет изобретения Изобретене относится к способам разра:циВяция 32 трявок для ВырящиВяц 1 я .рсталлов однсзамсшецпого фосфата калия (КДР) .1/ЗВССТСт. СПОСОО р 2302 ЩИВЯПИя 32 ТраВОК д,1 яОристал;10 В ОДнозаъ 1 ецснного фссфата калия 5(КДР) кристаллизацией из водных раствсровпри знаешш рН раствора, равном 7 - 8.ОСЦОВЦ,тР НЕДОСТЯТКЯМИ ИЗВССТНОГО СПОСООЯявляются большая длительность процесса ислоткцость получения качественных затравок. 10ДЛЯ УСКОРЕНИЯ ПРОЦЕССЯ И 110 ГУтЕт;и КЯЧЕСТвенных 3;травок большого сечения В направлении 1001 процесс ведут при величине рН,равной -1,5 - -4,7, пересьпцеции -...

Номер патента: 293633

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Соловьев, Центральный

МПК: C30B 13/30

Метки: бесконтактного, датчик

...катушки и имеющих в сумме равное с ней число витков,Иа фиг. 1 дана схема устройства для бссконтактного контроля границы раздела двух электропроводпых сред при кристаллизации цил ндрического слитка; на фиг. 2 дана схема устройства для бесконтактного контроля границы раздела двух электропроводных сред при кристаллизации прямоугольного слитка,Датчик имеет измерительную катушку, состоящую из двоих секций 1 и 2, измерительную катушку 3, токовую катушку 4. При контроле длины зоны кристаллизации, например олова, измерительную катушку 3 размещают против границы 5 кристаллизации, при этом 5 секции 1 и 2 другой измерительной кагушкинаходятся над расплавленной зоной 6 и твердой зоной 7Секции 1 и 2 соединены между собой согласно и...

Номер патента: 293765

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лебедь, Мосель, Титова, Яковлев

МПК: C30B 29/28, C30B 9/12

Метки: выращивания, иттриевого, монокристаллов, основе, ферритовых, феррограната, шихта

...кристаллы состава 1 з оба;с АоОз имеют намагниченность насыщения 300 гс, цри этом изменение намагниченности насыщения в интервале темпсрдтур от минус 150 до плюс 90 С составляют мснсс 5%.Прсдмст изобретенияШихта для выращивания ферритовых моно кристаллов на основе иттриевого феррограна. Изобретение отвыращивания фссостава Уз хЫ.,ГеИзвестна шихтатовых монокристалфсррограната, в кты берут в следуюУзОзГе 20 зРЬОРЬ,материалам для монокристаллов осится к рритовы 5 - АтО 2. для выр лов на о оторой ис щих отно ащивания ферриснове иттриевого ходные компоцсцпециях вес %:8,2816,1030,6844,94 Кристаллы имеют на ма щения 1750 гс, которая мсн температур от минус 100 пределах от 200 до 1400 гс вестный состав имеет боль магцичснности насыщения т...

Номер патента: 295579

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Барсукова, Кузнецов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/32

Метки: метатитанатасвинца, монокристаллов

...не менее 1350 С в течение 30 мин,затем со скоростью 2 град(мин расплав охлаждают до 1100 С, после чего нагрев выключают.Способ заключается в следующем. 30 Кристаллизацию РЬТ 1 Оз производят из расплава под давлением воздуха 110 в 1 атл в пластиковых ампулах. Исходной шихтой является предварительно прокаленная при температуре 1100 С смесь окислов РЬО и Т 102. Ампулу с шихтой помещают в установку, представляющую собой стальной сосуд высокого давления с внутренним нагревателем, В установку нагнетают воздух до давления 110 - 120 ат.и и ампулу нагревают до температуры 1350 С. Давление воздуха препятствует улетучиванию РЬО и нарушению стехиометрпи кристаллов, а также восстановленшо свинца до металла из его окиси, что возможно прп использовании...

Номер патента: 297389

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Вельский, Гин, Государственный, Иванова, Новиков, Проектный

МПК: C30B 15/10

Метки: вытягивания, расплава, слитков, способу, чохральского

...только одного слитка.В предложенной установке нижняя камера и тигель имеют форму кольца, по окружности которого неподвижно установлены верхние камеры, что позволяет повысить ее производительность.На чертеже изображена предложенная установка в плане и разрезе.Установка включает нижнюю кольцевую камеру 1 с тиглем 2 и несколько установленных неподвижно по окружности тигля верхних камер 3, снабженных тянущими штоками 4. Камеры 3 отделены от нижней камеры герметичными затворами 5. Для перемешивания расплавленного материала установка сиабжена электромагнитным насосом б, смонтиро.ванным на тигле.При использовании установки для получения слитков легкоплавких металлов, напри мер галлия, нагрев расплава в тигле производится при помощи...

Номер патента: 298165

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Левинзон, Нижегородов, Пеллер, Шаповалов, Шершель

МПК: C30B 15/00, C30B 29/08

Метки: 298165

...полупроводниковых приборов неизбежное запрязнение монокристаллов лепкодиффундирующими рекомбинационными примесями, например медью.Предлагаемый опособ позволяет уменьшить отрицательное влияние рекомбинационных примесей и структурных дефектов. Для этого монокристаллы германия и-типа (проводимости получают выращиванием из расплава или зонным выравниванием в смеси инертного газа с кислородом при парциальном давлении последнего 4 - :6 мм рт, ст, (при общем давлении 760 мм рт. ст.), что обеспечит содержание атомарного кислорода в монокристаллах германия и-типа проводимости (5 - 7) 10" атом(смз,Такое содержание атомарного кислорода вмонокристаллах германия опособствует нейтрализации вредного влияния лепкодиффундирующих рекомбинационных...

Номер патента: 298368

Опубликовано: 01.01.1971

МПК: C30B 9/00

Метки: 298368

...12, вал 13, коцическук, передачу 14 и вал 5. Ти.гель при сливе поддерживается ложем 15. едмет цзобретеци а вокруг уг гориу упраг,.меха Манипул я вертикальной зоцтальцой о пения, соедш Изобретение может быть использовано преимущественно в устройствах для выращивания мопокристаллов из раствора в расплаве, например для перемещения тигля в полости камеры и слива расплава.Известен манипулятор, при помощи которого можно производить поворот объекта ц вращение его вокруг горизонтальной оси путем вращения укрепленной на поворотном валу рукоятки управления. Манипулятор включает исполнительный механизм, соединенный с рукояткой управления жесткими кинематическими цепями. Однако такой манипулятор не обеспечивает блокировки от одновременного...

Номер патента: 298369

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Басов, Козлов, Коновалов

МПК: C30B 13/26

Метки: зонной, плавки, электропроводящихматериалов

...магнитопровода. Такое выполнение дает возможность осуществлять пропускание тока по слитку без присоединения к нему токоподводов, так как слиток служит вторичной обмогкой, в которой индуктируется ток катушкой возбуждения электромагнита,На чертеже показано описываемое устройство.Оно включает контейнер 1 в виде замкнутого кольца и электромагнит с трехстержневым магиитопроводом 2, в зазоре 3 одного из крайних стергкней которого установлен контейнер, размещенный соосно среднему стеркшо 4 магнитопровода. Расплавленная зона создается нагревателем 5, расположенным в области зазора д, и перемещается по слитку при вращении контейнера 1 вокруг вертикал;,- ной оси при помощи привода б, При включс. нии катушки 7 возбуждения электромагнита в сеть...

Номер патента: 305907

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Лакеенков, Лубенец, Оплеснин, Стол, Чече, Ястребков

МПК: C30B 13/00, C30B 29/60

Метки: бикристаллов

...ведут скво плавлением прутка, разв 20 относительно другой на последующим охлажден зоны.ристаллов из моноотлачающийс тем, процесса и получеисталлической гразным местным прооротом одной части требуемый угол и ем расплавленной Известен способ получения бикристаллов из монокристаллического прутка, заключающийся в том, что пруток делят на затравки, обрабатывают механически предполагаемые места их соединения, ориентированно совмещают и затем сваривают.Лля упрощения процесса и получения качественной межкристаллической границы предложено процесс вести сквозным местным проплавлением прутка, разворотом одной части относительно другой на требуемый угол и последующим охлаждением расплавленной зоны.П р и м е р. Получение бикристаллов молибденаа.Мол...

Номер патента: 323153

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Нефедов, Прилипко, Цихоцкий

МПК: C30B 13/20

Метки: зонной, плавкой, электропровадящйх

...м иееся тем,включений тор, выпол с витками, стройства позв ючения от ф ссе зонной плав ющий на поверх оля рон ки длаена схема водочку 1, например, ЗО Изобретение мож очистки металлов и плавкой.Известные устро тропроводящих мате в лодочке, включаю аксиально лодочке например, цилиндри ляют производить о мого материала от окисных пленок, ос сти слитка. ано 1 О,Х 11,1971, Бюллетень1 за 197 из графита, в которую помещают исходный материал, подвергаемый зонной плавке. Лодочку устанавливают в полости камеры, например, из кварцевой трубы 2, коаксиально которой расположен индуктор 3. Выполнение индуктора в виде усеченного конуса обеспечивается увеличением диаметра последующих витков относительно предыдущих. Плоскости витков составляют с...

Номер патента: 327942

Опубликовано: 01.01.1972

МПК: C30B 13/30

Метки: 327942

...к индуктору, и положением механизма рас тяжения-сжатия зоны соответственно черезрег зяторьт 7 и 8 измерение волизпв узкой се части энергии, подводижением механизма ПрСпособ20 процесса кртельной зонцие поперечся тем, что,гулпрованпя25 заданного дсечения зоньсталлизацицмощностьюи положение30 зоны. Изобретение касается области полупроводникового производства и может быть использовано при выращивании кристаллов методом бестигельной зонной плавки.Известен способ автоматического регулирования процессом кристаллизации методом бсстигельцой зоццой плавкц, осиоватшый па измерении поперечного сечения зоны. Однако известный способ обладает тем недостатком, что при регулировании це учитывается информация о состоянии зоны в наиболее узкой ее...

Номер патента: 338247

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Булаев, Государственный, Збарский, Каратаев, Кулагин, Проектный, Смирнов, Шендерович

МПК: C30B 13/30

Метки: автол1атического, бестигельной, зонной, плавкивсесоюзнаяпа, процесса, тно-тх«гес1библиотека

...техгпературы расплавленной зоны.Это достигается тем, что в качестве стабилизируемого параметра используют температуру индикатора, отражатощего изменениетемпературы расплавленной зоны. Чертежпоясняет предлагаемый способ,На токоведущем проводе 1 плавильного ипдуктора 2 устанавливают индикатор 3, отражающий изменение температуры расплавленной зоны 4, и стабилизируют температуру индикатора,В стержне полупроводникового материалаБ создается расплавленная зона, при этом токами высокой частоты разогревается рабочеетело индикатора 3. Термоэлектродвижущая сила, возникающая в горячем спае одной из термопар б поступает на показывающий прибор 7 для измерения абсолютного значения температуры индикатора 3, Термоэлектродвп жущая сила, возникающая в...

Номер патента: 341519

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Джугастер, Катрич, Розенберг, Шаповалова

МПК: C30B 23/02

Метки: 341519

...12.Вся установка, за исключением диффузионного насоса, изготовлена из нержавеющей стали, собрана на металлических уплотнениях в виде колец из медной проволоки, зажатых между коническими поверхностями, Благодаря этому установка допускает прогревание до 400 С.Установка работает следующим образом.После размещения в кристаллодержателе образца 12 установку откачивают форвакуумным насосом 1, затем заливают жидкий азот341519 го 731 Тираж 40Подписно елам изобретений Министров СССР я наб., д. 4/5 каз 4115/4 а Изд.ЦНИИПИ Комитета пон открытий при СоветеМосква, Ж-З 5, Раушс ипография, пр. Сапунова в азотную ловушку 4 и включают диффузионный насос 2, Через 1 - 1,5 час начинают нагревание ростовой камеры. В течение 3 4 час камера нагревается до...

Номер патента: 342661

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ордена, Павликов, Патг, Тресв

МПК: C30B 29/12, C30B 29/62, C30B 9/12 ...

Метки: монокристаллов, соединений

...с атомным номером, большим трех.Отличием предлагаемого способа является осуществление кристаллизации охлаждением нагретого до температуры 1200 - 1250 С раствора, содержащего 5 - 15 вес. % фтористого магния, со скоростью 300 - 800 С/мин. Это дает возможность получать манокристаллы фтористого магния игольчатой формы.По описываемому способу исходные компоненты смешивают, смесь плавят при температуре 1200 - 1250 С и после гомогенизации расплава охлаждают, Полученный твердый сплав обрабатывают горячей водой до полного растворения хлорида (или хлоридов), после чего осадок промывают и высушивают. Размеры игольчатых монокристаллов регулируют, изменяя скорость кристаллизации в диапазоне 300 - 800 С/мин,П р и м е р, Навески фтористого магния...

Номер патента: 347073

Опубликовано: 01.01.1972

Автор: Новиков

МПК: C30B 13/28, H04N 17/00

Метки: стабилизации, телевизионное

...стробировацного видеосигнала с кадровым задержанным импульсом, мультивиоратор задержк 10, переклочатель программ 11, импульсный счетчик 12, триггер 18 привязки к первому импульсу видеосигнала) олок совпадения 1; строчных задержанных импульсов и сигнала триггера привязки к первому импульсу видеосигнала, блок задержки 15 строчных;в пульсов, блок совпадения 16 сигналов эталонного триггера со строчньвц задержанными импульсами, триггер 17 эталонного сигнала, счетно-решающее устройство 18, усилитель электропрцвада 19, электродвигатель 20, механизм перемещения штока 21 регулировки диаметра слитка 1.Работа устройства осуществляется следующим образом.Изображение расплавленной зоны 2 слитка 1 проецируется на мишень передающей трубки телевизоцной...

Номер патента: 351574

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Денисюк, Ордена, Сорин

МПК: C30B 11/00

Метки: немагнитных, плавки

...устройство отличается от известного тем, что индуктивно нагреваемый элемент выполнен с двойными стенками, сплетенными из проволоки, промежуток меж- ДУ КОТОРЫоМИ ЗЙПОЛНЕН ОТРЕЗКа МИ ПРОВОЛОКЦ.Такое вьсполнение устройства ооеспечцвает улучшение условия теплопередачи ц предотвращение разрушения.На чертеже изображена схема ичными та 2, стенки ой, например 1 стром 0,4 - нкамц заполо,волоки,диаеме.нт выдоробления Предмет изобре ни редлагас- формамц исла, карбида так, чтобы на дна было выустановки инмого устроиства с разлитигля.Тигель 1 из тугоплавкогоили нитрида изготавливаютего боковой поверхности иполнецо посадочное место д дуктивно нагреваемого элеменкоторого сплетены цз тугоплав 1вольфрамовой, проволоки дца1 .ил 1, а...

Номер патента: 351575

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Галкин, Киргинцев, Новосибирский, Селиванов, Соловьев, Степанов

МПК: C30B 13/26

Метки: зонной, лодочке, плавки, электропроводных

...1 Мпереыешотдельнрожек,30 лодочки Зависимое от авт. свидетельстваИзобретение относится к получению ве. ществ высокой степени чистоты зонной плавкой.Известно устройство для зонцой 11 лавки электропроводных материалов в лодочке с радиационным нагревателем зоны и присиооблецисм для индукционного иеремешивания расплава в виде электромагнитной дорожки,Предлагаемое устройство отличается ог известного теы, что приспособление для индукционного перемешивания расплава выполнено из двух отдельно питаемых электрическим током дорожек, установленных по боковым сторонам лодочки.Такое выподнение устройства дает возможность изменять форму поверхности расплавленной зоны и управлять массоперецосом в процессе зонной плавки.На фиг, 1 изображено...

Номер патента: 353469

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Овчинников, Урсул

МПК: C30B 7/02

Метки: 353469

...находятся сообщающиеся с камерами конденсаторы 9 и 10,которые связаны перешеиком 11 для перетока паров. Каждый конденсатор снабжен независимым нагревательным устройством 12.Камера 5 заполняется компонентами раст вора, а камера б - компонентами чистого растворителя или его летучей составляющей, Далее кристаллизатор закрывают крышкой и жидкостные затворы заполняют целетучим легкоплавким компонентом, температура плав лецпя которого ниже температуры плавлениячистого растворителя. Подготовленный кристаллизатор помещают в печь так, что конденсаторы находятся в наиболее холодной области.15 В процессе нагрева сначала расплавляетсялегкоплавкое вещество жидкостных затворов, прц более высоких температурах происходит расплавление растворителя в...

Номер патента: 356873

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова, Сахаров, Фалькевич, Шашков

МПК: C30B 15/36, C30B 29/06

Метки: 356873

...пло войникования проПолученные криторное строение. ора, полученного в 11221. Плоскостяскости 1122). изобретени ред ия двойниковых нием из расплава гранной призмы, ленин 1100, отл обеспечения одно всем граням ок у, боковые гра лографическими 15 Способ кремния в ку в виде ванную в тем, что,20 двойников пользуют являются ми 1110).кристаллов на затрав- ориентироичаюи 1 ийся временного таэдра, исни которойплоскостяполучен ытягива четырехнаправ цельюания по затравккристал Изобретение о и полупроводников.Известно, что при выращивании монокристаллов кремния вытягиванием из расплавов на затравку, имеющую форму четырехгранной призмы и ориентированную в направлении 11001, может происходить образование двойников, являющееся, как правило,...