Патенты с меткой «рекристаллизации»

Номер патента: 171417

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Анцышкин, Белоусов, Гололобов, Дашкевич, Лебедев, Менушенков, Петров, Петухов, Сергеев, Тищенко, Хасин, Чикина

МПК: C21D 1/10, C21D 1/30

Метки: отжига, проката, рекристаллизации, стального

...через индукторы предназначены зажимные ролики - верхние 7 и нижние 8. Фотореле 9 предназначено для контроля выхода нагретого прутка,Разгрузочная линия состоит из наклонной плоскости 10 с прорезями, поддерживающих роликов 11, которые смонтированы в шарнирно установленных рамах 12, и пневмо- или гидроцилиндров 18. Рекристаллизационный отжиг прутков осуществляется следующим образом, Пакет заготовок в прутках краном подают на наклонный цепной транспортер. Изменением угла наклона движущегося транспортера производят раскладку и выравнивание прутков в один ряд, В дальнейшем прутки непрерывно поступают на наклонную плоскость 2 и с помощью стопора 3 осуществляют автоматическую подачу прутка за прутком на магнитные ролики задающего...

Номер патента: 443291

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Бабад-Захряпин, Герт, Минашкин

МПК: G01N 23/00

Метки: рекристаллизации, скорости, собирательной

...текстура) скорость рекристаллизации максимальна.На чертеже представлен график реализации предполагаемого способа.Необходимо предварительно построить для выбранного покрытия с заданным типом текстуры зависимость скорости рекристаллизации от ограниченности текстуры. Эта зависимость определяется с помощью эталонов. Ограниченность текстуры может быть определена рентгенографически по полюсным фи44329 Предмет изобретения И Ва 7 П И ЯО 1 ап цп га граеыгиоулрнслурь Ц Составитель В. Вощанкин Редактор Л, Цветкова Техред Е. Подурушина Корректор А. ДзесоваТираж 651 Подписиовета Министров СССРткрытийаб., д. 4/5 аказ 1218/2 Изд.1281ЦНИИПИ Государственного комитетапо делам изобретений иМосква, Ж, Раушская Типография, пр. Сапунова, 2 гурам. В...

Номер патента: 464818

Опубликовано: 25.03.1975

Авторы: Бабад-Захряпин, Герт

МПК: G01N 33/20

Метки: рекристаллизации, скорости, собирательной

...шлиф,изгодящей через вьрмаль к поверхно на- наИзвестный способ определения скорости собирательной рекристаллизации заключается в нанесении окисных пленок, отражающих структуру подложки исследуемого материала, отжцге и металлографическом анализе перемещения границ зерна, при этом скорость рекрцсталлизациц определяется среднестатическим методом.Однако прц помощи такого способа невозможно определить фактическую скорость перемещения границы зерна, так,как канав. ки термического травления оказьввают тормозящее действие на перемещсние границы зерна.Предлагаемый способ позволяет опреде. лить фактическую скорость перемещения границы зерна. Для этого на поверхность диффузцонно неактивной подложки наносят слой и:следуемого материала в...

Номер патента: 1606540

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Кицюк, Маткова

МПК: C30B 13/22

Метки: кремниевых, пластин, рекристаллизации

...нижний блоки снабжены электроприводами, обеспечивающими их вращение в противоположных направлениях. Равномерность распределения температуры по пластине составляет 5 С. Количество ламп сокращено в 2 раза. 2 ил. Устройство работаетследующим образом, В механизм 3 загрузки и выгрузки закладывают пластину 4 и вводят в камеру 1, Температуру отжига пластины 4 доводят до температуры, установленной технологией, например 1100 С. В момент ввода пластины 4 в кварцевую камеру 1 начинают вращать навстречу друг к другу блоки 5 со скоростью, например, 10 об/мин, выравниваятемпературу нагрева, что и обеспечивает равномерный нагрев пластины 4, Для того, чтобы не перегревались блоки 5 и кварцевая камера 1 и для поддержания в камере 1 нужной температуры,...

Номер патента: 1826815

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Демчук, Лабунов

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, рекристаллизации, слоев

...40 50 55 слоя поликристаллического кремния формируется слой монокристаллического кремния с большой плотностью двойников, однородно распределенных по толщине.0 двойниковании в структуре свидетельствовало появление симметричных точечных рефлексов в электронограммах поверхности и характерного рельефа .травленной поверхности. При этом данный способ позволяет формировать микронные дендритные слои однородные по толщине и достичь поставленной цели,П р и м е р 2, В отличие от примера 1 длительность импульса лазерного излучения составляла 7 нс. Положительный эффект достигался.П р и м е р 3, В отличие от примера 1 длительность импульса лазерного излучения составляла 0,5 нс (лазер работал в режиме синхронизации мод). Положительный эффект не...

Номер патента: 1818764

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Алымов, Зеленский, Коваленко, Морохов

МПК: B22F 3/14

Метки: горячего, подавления, прессования, процессе, рекристаллизации

...подавления рекристаллиэации, хотя и рост зерен замедлен, Давление прессования менее 200 МПа не позволяет уменьшить размер зерен в 4 - 5 раэ. Оптимальным является давление прессования 200 - 300 МПа. Приложение давления прессования в течение,40-60 мин позволяет получить плотность изделий 98 - 100 ь относительно теоретической плотности при минимальных затратах, Выдержка более 60мин не приводит к значительному измене,нию плотности изделий. а менее 40 мин не позволяет достичь необходимой плотности,П р и м е р. В качестве исходного материала при практической реализации предлагаемого способа выбран ультрадисперсный порошок железа, полученный химико-металлургическим методом, со средним размером частиц 40 нм; содержащий 5 мас,кислорода,...