C30B 13/22 — облучением или электрическим разрядом

Устройство для бестигельной зонной плавки стержней из полупроводникового материала

Загрузка...

Номер патента: 791260

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Вольфганг, Ханс

МПК: C30B 13/22

Метки: бестигельной, зонной, плавки, полупроводникового, стержней

...конденсаторами 2, также соединенными с выходом высокочастотного генератора полыми трубами 3. Конденсаторы 2 расположены на медных пластинах 4 и 5, в которых имеются каналы 6 и 7 для протекания воды и помещены в герметичную камеру 8, заполненную трансформаторным маслом.Герметичная камера 8 жестко подсоединена к генератору полой трубой 9, Конденсаторы установлены на Ц -образные изогнутые радиаторы 10 из меди.Медные пластины 4 и 5, между которыми находятся конденсаторыскреплены посредством изолированных стержней 11 на плите 12 герметичной камеры 8. Высокочастотные каналы 6 и 7, выполненные в виде змеевиков охлаждения,подводят холодную воду к коаксиальному проходному каналу 13. При этом внутренний проход канала 1 3 соединен винтами с медной...

Устройство для рекристаллизации кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: 1606540

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Кицюк, Маткова

МПК: C30B 13/22

Метки: кремниевых, пластин, рекристаллизации

...нижний блоки снабжены электроприводами, обеспечивающими их вращение в противоположных направлениях. Равномерность распределения температуры по пластине составляет 5 С. Количество ламп сокращено в 2 раза. 2 ил. Устройство работаетследующим образом, В механизм 3 загрузки и выгрузки закладывают пластину 4 и вводят в камеру 1, Температуру отжига пластины 4 доводят до температуры, установленной технологией, например 1100 С. В момент ввода пластины 4 в кварцевую камеру 1 начинают вращать навстречу друг к другу блоки 5 со скоростью, например, 10 об/мин, выравниваятемпературу нагрева, что и обеспечивает равномерный нагрев пластины 4, Для того, чтобы не перегревались блоки 5 и кварцевая камера 1 и для поддержания в камере 1 нужной температуры,...

Устройство для выращивания монокристаллических пленок

Загрузка...

Номер патента: 1647042

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Ганин, Лиманов, Лифшиц, Мусатова

МПК: C30B 1/08, C30B 13/22

Метки: выращивания, монокристаллических, пленок

...поликремниевой пленкой 5, Размеры зоны нагрева определяют с одной стороны длиной и диаметромспирали источника 1, а с другой стороны - условиями фокусировки. Подложку 4, установленную нэ подложкодержателе 3 с вмонтированным в него нагревателем 7, перемещают со скоростью 5 10 м/с. При этом для компенсации ассиметрии теплового распределения в зоне нагрева собирающую линзу 2 смещают в направлении перемещения подложки 4 с держателем 3 на 1,5 10и, что удовлетворяет соотноше,Чнию Лх = А . Для осуществления смеащения собирательной линзы 2 в системе фокусировки последнюю закрепляют в каретке, установленной на направляющей типа "ласточкин хвост" (не показано). Величина смещения регулируется дифференциальным винтом. Переводной коэффициент А...

Способ получения монокристалла сложного оксида

Загрузка...

Номер патента: 1696616

Опубликовано: 07.12.1991

Авторы: Буш, Журов, Иванов, Косяченко, Романов, Стефанович

МПК: C30B 13/22, C30B 29/26

Метки: монокристалла, оксида, сложного

...мельнице а течение 1,0 ч, полученную смесь кальцинируют при 900 С 8 ч, Кальцинированный продукт гомогенизируютв шаровой мельнице в течение 2 ч и формуют из него стержни в специальной пресс-форме, Формованные стержни спекают при 1400 С в течение 8 ч. Часть охлажденного стержня(57) Изобретение относится к синтезу моно- кристаллов и может быть использовано в радиоэлектронной технике. Цель изобретения - получение монокристалла ЯГА 204 с высокой кислородно-ионной проводимостью. Способ включает бестигельную зонную плавку с оптическим нагревом поликристаллического вертикального стержня, спеченного из шихты стехиометрического состава, в воздушной атмосфере со скоростью, соответствующей скорости роста монокристалла, равной 3-10 мм/ч. В качестве...