C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 650273

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Черников

МПК: C30B 15/10, C30B 15/34

Метки: волокон, вытягивания, монокристаллических, нескольких, одновременного, расплава

Устройство для одновременного вытягивания из расплава нескольких монокристаллических волокон, включающее тигель и установленный в его полости блок линейно расположенных формообразователей с вертикальными капиллярными каналами, выполненными из электропроводного материала, и источник тока, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности процесса и прочности получаемых волокон, тигель имеет форму лодочки, торцовые стенки которой присоединены к источнику тока при помощи токоподводов, и блок выполнен из двух пластин, установленных вдоль лодочки параллельно одна другой, причем боковые торцы пластин прикреплены к торцовым стенкам лодочки и на их верхних торцах между капиллярными...

Номер патента: 1811725

Опубликовано: 10.06.2006

Авторы: Иващук, Коваленко, Колесниченко, Латаш, Шаповалов, Шейко

МПК: C30B 11/10

Метки: выращивания, металлов, монокристаллов, тугоплавких

Устройство для выращивания монокристаллов тугоплавких металлов, включающее камеру роста, поддон с затравкой, установленный в камере с возможностью вертикального перемещения, плазменный источник нагрева, размещенный над поддоном, высокочастотный индуктор с токоподводами, прикрепленный к стенкам камеры соосно поддону и снабженный охлаждаемыми металлическими секциями, имеющими торцы в виде сопряженных криволинейных поверхностей, установленными последовательно с зазором в полости индуктора по контуру его внутренней поверхности и закрепленными на нем через электрический изолятор, отличающееся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и повышения их качества за счет регулирования...

Номер патента: 1746755

Опубликовано: 10.06.2006

Авторы: Барабаш, Лапчинский, Морейнис, Перепеченко, Черницкий, Шулым

МПК: C30B 1/00, C30B 35/00

Метки: кристаллов

Устройство для получения кристаллов, включающее камеру роста, держатели кристалла, нижний из которых закреплен в опорной плите, электронно-лучевой нагреватель, кинематически связанный с приводом вертикального перемещения, и высоковольтный источник питания, отличающееся тем, что, с целью повышения чистоты получаемых кристаллов, расширения технологических возможностей устройства и повышения его надежности, нижний держатель кристалла снабжен съемным теплопроводным кольцом, закрепленным в опорной плите, выполненной охлаждаемой и разделяющей камеру на две части, привод и источник питания установлены в нижней части камеры, а нагреватель - в верхней.

Номер патента: 976733

Опубликовано: 27.12.2006

Авторы: Нестерович, Сурвило, Трофимов

МПК: C30B 29/46, C30B 31/02

Метки: aiibvi, активации, пленок, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых, типа, фоточувствительности, шихта

Шихта для активации фоточувствительности пленок полупроводниковых соединений типа АIIBVI и их твердых растворов, содержащая основу и легирующие примеси в виде галогенидов металлов общей формулы MeX, где Me - Cu, Cd, Bi, Pb, X - Cl, Br, J, отличающаяся тем, что, с целью повышения стабильности активирующих свойств шихты, в качестве основы используют двуокись титана при следующем соотношении компонентов, вес.%: Me0,70 + 4,85 Х0,60 + 2,15 Двуокись титана

Номер патента: 1331140

Опубликовано: 10.06.2007

Авторы: Вербицкая, Гринштейн, Гучетль, Еремин, Соболев, Строкан, Шек, Шлимак, Шокина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/20

Метки: высокоомного, кремния

Способ получения высокоомного кремния, включающий облучение нейтронами слитка кремния р-типа проводимости и отжиг радиационных дефектов, отличающийся тем, что, с целью получения кремния с удельным сопротивлением, превышающим 50 кОм·см, контрольную часть исходного слитка кремния отжигают при температуре, соответствующей температуре отжига радиационных дефектов, и измеряют в ней изменение концентрации электрически активных центров N, причем для облучения используют слитки с величинами концентрации акцепторной примеси на торцах и

Номер патента: 888606

Опубликовано: 20.04.2008

Авторы: Голубятников, Дмитрук, Черников

МПК: C30B 15/34

Метки: волокон, монокристаллических

Устройство для получения монокристаллических волокон по авт. св. № 736424, отличающееся тем, что, с целью увеличения интенсивности теплоотвода по вытягиваемым волокнам и повышения за счет этого производительности процесса, нижние края охлаждаемых элементов дополнительно снабжены с внутренней стороны валиками из легкоплавкого металла или сплава.

Номер патента: 1282582

Опубликовано: 10.11.2009

Авторы: Ассанович, Бодячевский, Ковалева, Лингарт, Симонов, Чередниченко

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, тугоплавких

1. Способ выращивания монокристаллов тугоплавких материалов, включающий расплавление исходного материала в вакууме и направленную кристаллизацию расплава в контейнере с затравкой при наличии температурного градиента на фронте кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности свойств монокристаллов и повышения производительности, направленную кристаллизацию ведут в неподвижном контейнере при перемещении фронта кристаллизации со скоростью 18 - 20 мм/ч и температурном градиенте 25-30°С/см, создаваемом с помощью тепловых экранов со стороны затравки, а кристаллизацию ведут при распределении температуры вдоль контейнера по параболическому закону с минимумом в его...

Номер патента: 987912

Опубликовано: 10.03.2013

Авторы: Смольянинов, Спицын

МПК: C01B 31/06, C30B 25/02

Метки: алмаза, выращивания, слоев

1. Способ выращивания слоев алмаза на поверхности затравочного кристалла разложением паров углеродсодержащих соединений в потоке водорода, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса и получения монокристаллических слоев, пары углеродсодержащего соединения получают непосредственно в процессе выращивания нагреванием твердого материала, например, графита, расположенного рядом с затравочным кристаллом.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при нагревании твердого материала до температуры 1500-2500°С, температуре затравочного кристалла 500-1500°С и температурном градиенте между ними 103-107 град/см.

Номер патента: 1319645

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Исянова, Лобанов, Максимова, Цирульник

МПК: C30B 17/00, C30B 29/42, C30B 33/00 ...

Метки: монокристаллов, натрия, фтористого

Способ получения монокристаллов фтористого натрия, содержащих лазерноактивные -центры окраски, включающий вытягивание исходного вещества с добавкой гидроокиси натрия на вращающуюся затравку, остающуюся в расплаве, и облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности монокристаллов и термической устойчивости -центров, в расплав дополнительно вводят азотнокислый натрий и фторид кальция при следующем содержании компонентов, мас.%:

Номер патента: 1649858

Опубликовано: 27.11.2013

Авторы: Бельский, Иванов, Купченко, Майонов, Нестерович, Поко

МПК: C30B 21/02, C30B 29/52

Метки: ванны, жидкометаллической, кристаллизации, направленной, охлаждающей, процесса, состав

Состав охлаждающей жидкометаллической ванны для процесса направленной кристаллизации эвтектических сплавов, включающий алюминий, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса, он дополнительно включает медь при следующем соотношении компонентов, мас.%: Медь20-70 Алюминий30-80