Патенты с меткой «щелочно-галоидных»

Номер патента: 108078

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Жванко, Шамовский

МПК: C30B 11/06, C30B 29/12

Метки: монокристаллических, фосфоров, щелочно-галоидных

...способ получениямонокристаллических щелочногалоидных фосфоров позволяет получать новый вид сцинтилляторов соспектром люминесценции, смещенным в красную часть спектра.Это увеличивает эффективностьсцинтилляторов и позволяет использовать в существующих марках фотоэлектронных умножителей болееширокий круг солей, вкл 1 очая бромиды и хлориды щелочных металлов.Предлагаемый способ отличаетсяот общепринятых тем, что, с цельюсмещения люминесценции монокристаллических щелочногалоидных фосфоров в красную часть спектра,в качестве активатора используетсяне таллий, а индий.Выращивание монокристаллов попредлагаемому способу производится из расплавов полностью обезвоженных солей.Процесс осуществляется при высокой температуре в...

Номер патента: 912779

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Быков, Ивченко, Кузнецов

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

....выдержать кристалл без растрескивания. Недостатком . гндроэкструзии является трудность первоначального уппотнения очка матрицы, особенно при сложном профиле экструдата.Известно устройство, реализую способ получения поликристалличес сцинтилляторов иэ ионных монокристаллов 21.В этом устройстве монокристаллическую заготовку помещают в канал контейнера, имеющего на одном конце матрицу, а на другом - жесткий плуни.ер. Нагретая до высоких температур заготовка под действием жесткого плунжера выдавливается через матрицу меньшего поперечного сечения. Полученное методом горячей экструзии иэделие имеет прочность по крайней мере вдвое превышаю. щую исходную, а оптические свойстваЬ 91277гаемом устройстве под действием жидкости высокого давления,...

Номер патента: 966122

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Зайцева, Иванов, Финкель

МПК: C30B 33/00

Метки: залечивания, кристаллах, трещин, щелочно-галоидных

...субзерен значительно меньших разориентапий (до нескольких 1 О мин), йругим признаком полученнбй.границы бикристалйа является также восстановление оптического контакта между двумя изогнутыми половинками после их отжига, хотя это и не является абсолютно .достоверным признаком появления кристаллографической границы зерен. Это явление наблюдается, например при схлопывании трещин в щелочногалоидных кристаллах после сдавливания, Поскольку не сухо ществует критериев для определения механической прочности "собственно границы зерна", (например, разрушение может в зависимости от условий испытаний проходить вдоль границы или по телу зерна) авторы ограничиваются известными диагностическими признаками, на основании которых и сделано утверждение о...

Номер патента: 1122762

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Демиденко, Дунаев, Рыжиков

МПК: C30B 33/00

Метки: оптического, основе, поликристаллического, соединений, щелочно-галоидных

...определяют для каждого соединения отдельно.Щелочно-галоидные блоки получают гаэофазным осаждением в вакууме, причем для их получения возможно применение сырья, степень очистки которого гораздо меньше, чем у сырья, из которого выращивают монокристаллы и изготавливают оптическую керамику из порошков. Переход из твердой или жидкой фазы в газообразную происходит без диссоциации щелочно-галоидных соединений, поэтому блоки получают стехиометрического состава. При этом происходит очистка материала как от легколетучих примесей, так как при данных температурах подложки предотвращается конденсация или захват летучих примесей конденсирующимся паром, так и от высококипящих, в т.ч. и от кислородсодержащих, При скоростях конденсации 0,0005 -...

Номер патента: 1590485

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Балякин, Борисенко, Ерофеев, Кистерев

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

...кристаллов и пбростить технологию процесса. КС, КВг, выколотые по плоскоакрепляют в тефлоновом держаещают в жидкость (керосин) на 0,1 - 2;0 мм от торца волновода, ют ультразвуком в режил)е кавилитудой колебаний 5 - 20 мкм в 0 мин при комнатной темпера- проводят деформацию сжатием ению с 100до величины отноеформации 60-80%. 1 табл. щую 5 мкм, контролируют элек ческим датчиком. Время обрабо Температуру поддерживают на у натной.Обработанный образец вы зажима и деформируют сжатием лению с 100до значения отн деформации 80%,В таблице представлены характеристики предлагаемого способа,Использование предлагаемого способа упрочнения кристаллов КВг и КС), включающего одноосную деформацию сжатием по направлению с 100 до значений относительной...

Номер патента: 1604873

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Криштопов, Куличенко, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

...увеличения предела текуче- сти в 3 - 5 раз. 2 табл. сти электрического поля Е. Определяют по ней, что пороговая величина Епор электрического поля, при которой эта зависимость начинает отклоняться от линейности, равна 25 кВ/см. Измеряют по дислокационным ямкам травления скорости перемещения краевых дислокационных диполей Ч при напряженности электрического поля 140 кВ/см и устанавливают, что она равна 1 мм/с. Берут кристалл КС в виде пластины толщиной Ь, равной 2 мм. Определяют для него минимальную 1 мин и максимальную 1 макс длительность воздействия электрическим полем напряженностью 140 КВ/СМ, раВНуЮ СООтВЕтСтВЕННО тмин ==,23 с.Воздействуют на кристалл постоянным электрическим полем напряженностью 140 кВ/см в течение 5 с. Для...

Номер патента: 1649398

Опубликовано: 15.05.1991

Авторы: Акерман, Нестерюк, Шрайбман, Шубина

МПК: G01N 21/64, G01N 23/223

Метки: люминесценции, солей, щелочно-галоидных

...части азотом устанавливается кварцевое окно, ячейка готова к измерениям,Использование предлагаемого способа исследования люминесценции ще лочно-галоидных солей обеспечивает по сравнению с известными следующие преимущества: возможность измерения люминесценции расплавов ЩГС; возможность изучения процесса люминесцен ции кристаллических ЩГС в более широком температурном диапазоне вплоть до температуры плавления; использование молибденовой фольги и инертной атмосферы в невакуумном объеме умень шает число необходимых разборок установки, что повышает надежность работы и значительно экономит время Формула изобретенияСпособ измерения люминесценции щелочно-галоидных солей, заключающийся в возбуждении исследуемого образца, помещенного в...

Номер патента: 1694716

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Мельникова, Сафин, Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02, C30B 33/04 ...

Метки: кристаллов, молекулярных, примесей, щелочно-галоидных

...электрод заменяли на плоский, Замена острийного электрода на плоский осуществлялась для прекращения введения электронных центров и осуществления дальнейших процедур очистки. Температуру в ячейке поднимали до 610 С, а через образец пропускали ток 10 мА (при больших1694716 Формула изобретения Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей путем введения электронных центров окраски, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью повышения степени очистки, центры вводят с помощью острийного электрода, после чего проводят отжиг кристалла при температуре на 10 - 15 С ниже температуры плавления при пропускании электрического тока не более 10 мА и одновременном облучении светом УФ-диапазона до исчезновения полос поглощения...

Номер патента: 1726573

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Береснев, Карлов, Мелентьев, Надгорный, Осипян, Пересада, Понятовский, Прохоров, Сисакян, Трушин

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, упрочнения, щелочно-галоидных

...к пределу упругости исходного кристалла при испытании на сжатие; Р - максимальное давление обжатия образцов.Кристаллы подвергают при комнатной температуре воздействию гидростатического давления до величины, при которой кристалл претерпевает фазовый переход первого рода, т.е, до величины, при которой исходная гранецентрированная решетка кристалла перестраивается в объемноцентрированная решетку. После достижения фазового превращения давление в камере сбрасывают до атмосферного. В процессе сбрасывания давления кристаллическая решетка упрочняемого материала перестраивается в исходную, т,е. происходит1726573 Формула изобретения Составитель В. БезбородоваТехред М.Моргентал Корректор О.Ципле Редактор А.Огар Заказ 1252 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1730220

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 31/08

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...течение 12 ч. Избыток цезия в образце после введения составил 0,005 мол Образец с избытком цезия прогревали в атмосфере аммиака (давление 2 атм) при 500 С в течение 6 ч, Прогрев, как показали опыты, можно осуществлять при иной температуре, в течение периода времени, достаточного для обесцвечивания образца. Определение гидрид-ионов осуществляли спектрофотометрическим способом на спектрофотометре Яресогб - М 40 по полосе поглощения с максимумом 246 нм, Результаты определения представлены в таблице.П р и м е р 2, Проводили получение монокристалла КВг, легированных гидридионами. Для этого взят промышленный монокристалл КВг; выращенный в Ленинградском оптико-механическом объединении (ЛОМО). Введение сверхстехиометрического количества калия...

Номер патента: 1730221

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...ч обработки концентрация брома в кристалле составила 10 см з. этот способ не позволяет получать монокристаллы бромидов с избытком брома.Цель изобретения - получение моно- кристаллов бромидов с избытком брома,Поставленная цель достигается тем, что бром вводят в монокристалл бромида электролизом самого монокристалла, используя плоский и острийный электроды, при подаче положительного потенциала на острийный электрод при температуре на 30 - 50 С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 мА.Как показали опыты, электролиз для введения брома целесообразно осуществлять при температуре на 30 - 50 С ниже температуры плавления, При более низких температурах может возникать неравномерность распределения брома в образцах.П р и...

Номер патента: 1730222

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...МЭтот способ не требует использования атмосферы галогена, однако не позволяе 1 производить очистку кристалла, Цель изобретения - очистка монокримй сталлов от примесей.Поставленная цель достигается тем, что электролиз монокристалла, подвергаемого очистке, ведут при температуре на 30 - 50" С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 МА и после отключения тока кристалл выдерживают при указанной температуре не менее 30 мин,Заказ 1492 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Как показали опыты, электролиз для введения галогена целесообразно осуществлять...

Номер патента: 1538557

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Любинский, Неменов, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: активированных, выращивания, монокристаллов, щелочно-галоидных

...до 820 С и бокового - до 850 С. Через 2 ч после расплавления сырья в тигле соприкасают затравку с расплавом, оплавляют ее до удаления поверхностых дефектов и корректируют температуру донного нагревателя до достижения теплового равновесия,Затем соприкасают щуп с поверхностью расплава и включают систему автоматизированного радиального разращивания монокристалла до заданного диаметра (270-320 мм) с подпиткой неактивированной шихтой, После окончания разращивания по диаметру начинают автоматизированный рост по высоте с подпиткой шихтой, в которую вводят активатор концентрацией в шихте С 1, в течение времени 1, затем с концентрацией в шихте С 2 до окончания выращивания.Конкретные примеры различных вариантов режимов двухстадийной...

Номер патента: 1818365

Опубликовано: 30.05.1993

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...последовательно помещали в ячейку, представляющую собой острийный и плоский электроды, помещенные в нагревательное устройство. После выдержки образцов монокристаллов в течение 10 - 15 мин при 580 С, через каждый пропускали ток 5 мА в течение 0,05; 0,1; 0,5; 1,5 мин соответственно подавая на острийный электрод положительный потенциал, Затем образцы охлаждали до комнатной температуры и спектрофотометрически контролировали количество брома в образце. В дальнейшей для удобства из образца выпиливали пластины толщиной 2 мм и подвергали термической обработке 0,3 ч при 773 К, При более высокой температуре бром выходит из кри1818365 Составитель В.ШапуркоТехред М.Моргентал Корректор М,Максимишинец Редактор Заказ 1927 Тираж Подписное ВНИИПИ...

Номер патента: 1304442

Опубликовано: 20.01.1997

Авторы: Бобырь, Иванов, Любинский, Нагорная, Смирнов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, сцинтилляционных, щелочно-галоидных

1. Способ получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов, включающий плавление исходной соли в контейнере, имеющем коническую и цилиндрическую части, введение в расплав соли активатора, выдержку расплава при заданной температуре и выращивание конической и цилиндрической частей кристалла путем опускания контейнера из зоны плавления через водоохлаждаемую диафрагму в зону кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, после выращивания конической части вводят активатор, поднимают контейнер в зону плавления на 3 5 мм, осуществляют выдержку в течение 6 8 ч и проводят выращивание цилиндрической части кристалла.2. Способ по п.1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1610942

Опубликовано: 20.03.1997

Авторы: Бобырь, Илькин, Любинский, Смирнов, Чиненов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, щелочно-галоидных

Способ выращивания щелочно-галоидных кристаллов, включающий вертикальное перемещение ампулы с коническим дном, заполненной расплавом, перегретым выше температуры плавления, через охлаждаемую диафрагму, увеличение перегрева после выращивания конусной части кристалла, выращивание цилиндрической части и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса, ампулу перемещают с постоянной скоростью, конусную часть кристалла выращивают в течение временипри перегреве t1= 30-50 C, затем перегрев...