C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1468025

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Ефремова, Космына, Левин, Машков

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: крупногабаритных, лития, монокристаллов, ниобата

...после охлаждения, и, следовательно, предотвращает электрический пробой и образование трещин.Высохшая пленка электроизоляционного лака, покрывающая монокристалл, защищает его поверхность от загрязнения, Имея высокую электрическую прочность (20-60 кВ/мм) пленка электроизоляционнаго лака предотвращает электрические пробои по поверхности монокристалла нескомпенсированного заряда, возникающего при хранении монокристалла в обычных условиях из-за небольших колебаний температуры, и, следовательно, предотвращает образование трещин в кристалле.Способ получения состоит из следующей последовательности операций;1468025- вытягивание кристалла из расплава на затравку;- послеростовой отжиг и охлаждение выросшего кристалла до температуры окружающей...

Номер патента: 613544

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Добровинская, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: вытягивания, кристаллов, профилированных

...2 - капилляр, поперечное сечение. соте тигля капиллярами, поперечные сечения которых представляют собой фигуры, ограниченные кривыми, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью увеличения длины вытягиваемых кристаллов путем увеличения высоты подъема расплава в капиллярах и емкости тигля, поперечные сечения капилляров представляют собой фигуры, ограниченные гипоциклоидами.2.Устройство поп.1,отличаю щеес я тем, что каждый капилляр образован тремя цилиндрическими элементами с одинаковыми диаметрами, контактирующими один с другим по образующим.%Устройство (см. фиг. 1) состоит иэ тигля 1 с крышкой 2, в которой закреплен формообразователь 3, состоящий из цилиндрических элементов 4 одинакового диаметра, Я прижатых один к другому по всей...

Номер патента: 475075

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Гринченко, Добровинская, Литвинов, Пищик, Тучинский

МПК: C30B 15/34

Метки: вытягивания, монокристаллической, нити, расплава

...чертеже изображено предлагаемоеустройство, разрез.Оно состоит из тигля 1 с крышкой 2, вкоторой встроен формообразователь 3, состоящий из капиллярных трубок 4, смачиваемых расплавом. Нижние торцыкапиллярных трубок открываются в придонную область тигля, верхние выведены изкрышки. Трубки расположены так, что верхняя часть формообразователя имеет форму уменьшения времени заобразователь выполненров, верхняя часть котоконуса.2. Устроиствося тем. чточгл иляет 90 - 170.3. Устройство по и. 1с я тем, что крышка тигляцевой канавкой вокруг фоснабженной отверстием. конуса с углом при вершине 90-170, Вокруг формообразователя в крышке выполнена кольцевая канавка 5 с отверстиями 6. Над тиглем установлен кристаллодержатель 7 с затравкой 8...

Номер патента: 415916

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Гуревич, Мустафина, Панова

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, сцинтилляционных

...позволяет использовать их при работе в сильных переменных полях ядерной радиации, ЬП р и м е р, Предварительно дегидрати- д рованную соль Йа при постоянном вакуу- ц мировании нагревают до расплавления.Затем в расплав добавляют 0,1 мол.ТП и 0,4 мол.ИаЮЭ и производят выращивание в вакуумированной герметичной ампуле при ее опускании в печи со скоростью -2 мм/ч, Получены монокристаллы 6 40 мм, Счетные характеристики счетчиков, изго- а товленных их этих кристаллов, после облучения в течение 1 ч гамма-радиацией мощностью 50 рад/ч не изменяются. к технологии интилляционй кристаллиГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(54)(57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИКРИСТАЛЛОВ СЦИНТИЛЛЯЦМАТЕРИАЛОВ на основе йодидо.: ных металлов с активирующей добправленной...

Номер патента: 1806038

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Биктимирова, Козаренко, Обидов, Солиев

МПК: B22D 21/00, B22D 7/00, C30B 13/14 ...

Метки: алюминиевого, заливки, многоструйной, расплава

...1 в виде тигля выпуска расплава, Под рассекатель 3 потока р ный в виде сетки с я являются квадратным мм, и перегородками 5 ной 04-06 мм. Под ра Лена графитовая форма Устройство работа зом.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ МНОГОСТРУЙНОЙ ЗАЛИВКИ АЛЮМИНИЕВОГО РАСПЛАВА (57) Использование: в технике получения особо чистого алюминия, в частности в устройствах многоструйной заливки металла в графитовую форму. Сущность: при выпуске расплава из стаканачерез выпускное отверстие расплав, растекаясь по рассекателю, выполненному в виде сетки с квадратными ячейками размером 0,4-0,6 мм и перегородками шириной 0,4 - 0,6 мм между ними, разделяется рассекателем на массу отдельных струй, которые, не сливаясь в общий поток, попадают в форму, 2 ил. каясь по рассекателю...

Номер патента: 1806224

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Дербенева, Райская

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: монокристаллов, рутила

...окончания распыления продолжают перемешивэние в гечение 5 мин., фф лассе чего лоаученную сусленсию отфиаатровывают на воронке Бюхнера и отжатый осадок ТКОНк НтО отжигают е камернои (Д печи при температуре 900 .фС в течение 1,5 ч. Пудру ТО 2 просеивают через сито й 0,056, Выход мелкой фракции 85-90%, Частицы изометрической формы. Содержание фракции размером 0,31,2 мкм = 78%. Из полученной пудры выращивают монокристаллы рутила методом Вернейля со скоро1806224 Таблица 1 Та стью 3 мм/ час при соотношении газов Н 2:02 = 1:2 с ориентацией оптической оси к оси роста 0.Затем монокристаллы отжигают при 1400 ОС в течение 24 ч в печи с продувкой кислорода. Кристаллы рутила не содержат пузырей и непроплавов, Выход качественных...

Номер патента: 1806225

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Дерновский, Корнеенков, Криворотов

МПК: C30B 25/08, C30B 25/14

Метки: газофазного, методом, нитридов, осаждения, слоев, тугоплавких, химического

...5 и б подают реакционные газы. После охлаждения снимают образец с подложки,1806225 Таблица 1 Содержание примесей мас, Ох 10 (метод 3 СР)" ф Знак - ниже предела чувствительности метода, +"-" - не определялиобр, 1 получен с использованием предлагаемого устройстваПример 1.Для полученияизделийиз пиролитического нитрида бора используют специально подготовленную подложку изграфита МПГдиаметром 10-50 мм и высо-. той 50-120 мм, давление в камере устанавливают 1-20 торр и нагревают подложку до 1750-2000 С с применением ВЧ-нагревателя. Через внутреннюю трубку подают аммиак, (йНз), через внешнюю - хлорид бора (ВСз) и азот (И 2), Скорость осаждения составляет 200,и/ч.В табл, 1 приведены данные по чистоте пиролитического нитрида бора, полученного...

Номер патента: 1807101

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Гриднев, Ростовцев, Рудницкий, Сидоров, Стукалов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/52

Метки: выращивания, магнитных, монокристаллов, сплавов

...на боковой поверхности формы не происходит. П р и м е р, Выплавляют сплавыНДК 35 Т 5, ЮНДК 40 Т 8 по ГОСТ исходные поликристаллдиаметром 24 мм. Загото180 101 Таблица 1Зависимость качества кристаллов и производительности технологического процесса и кратности использования огнеупорных форм от условий изготовления (выращивание на установке"Кристалл ЕМ", диаметр кристалла 24 мм) Кратность использования огне- упорных Количество Темпера- Скорость турный гра- выращива Магнитная Производи"паразитэнергия,кДж/м тельность тех, процесса выращивания моно ния,мм/минных" кристалловв верхней части отливки, шт диент град/ммсвойствам защигцают и помещакп в кер мические формы и окиси алюминия, собранные формы усганавливлют в тепловой узел...

Номер патента: 1807102

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Варавин, Козырь, Сидоров

МПК: C30B 23/02, C30B 29/48

Метки: паровой, пленок, фазы, халькогенидов

...выходящей из горячей зоны в холодные части реактора. Величина зазора л 1 ежду источникол 1 ртути и стенками реактора равняетсч 1-2 мм, При расстояниях, больших 2 мм. источник ртути не является для реактора заглушкой и в холодных частях реактора происходит конденсация большого количества ртути, вышедшей из горячей эоны реактора. При расстояниях, меньших 1 мм, невозможно осуществить загрузку кварце- "0 вого источника ртути в кварцевый реакториз-за эллиптичности кварца, Конструкция источника ртути обесг 1 ечивает уплотнение выхода из реактора, достаточную вместимость по ртути и создание необходимого 15 давления паров ртути в реакторе.Давление паров теллура на два порядкаменьше, чем давление паров ртути, и перенос теллура в сторону...

Номер патента: 1658668

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Адонкин, Данько, Калашников, Катрич, Качала, Мирошников

МПК: C30B 11/00, C30B 13/00, C30B 15/00 ...

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, тугоплавких

...паров воды (более 3:10 мг нэ 1 дм) приводит к увеличению расхода вольфрама и молибдена и загрязнению кристаллаэ этими примесями.Аналогично связывается кислород, десорбирооэнный с поверхности.экраноо и нагревателя, Дальнейшее пооьииение температуры не приводит к каким-либо процессам, способным вызвать мзссоперенос молибдена и оольфрэма в зону нагреоа.В процессе плавления оксида алюминия и его кристаллизации при указанных выше давлениях сколько-нибудь заметной реакции между расппэоом и компонентами газовой середы не установлено. Таким образом, проведение кристаллизации о защитной восстановительной а 1 мосфере/ состоящей иэ Лг, И 2 и СО, в отличие от вакуума ипи атмосферы инертного гзэз (зргона) полностью ликвидирует процесс...

Номер патента: 1808887

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Барсукова, Кузнецов, Набахтиани, Реснянский, Сулайманкулов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: 6ос, кристаллов

...кристалла, Выращивание кристалла методом сниже . ния температуры позволяет более точно регулировать процесс роста. Регулирование температуры осуществляется контактным термометром. Средняя скоровть снижения температуры 0,2 С/сут. 30Выращивание кристалла нэ точечной затравке, укрепленной на вращающейся платформе, создает благоприятные гидро- динамические условия для роста. Вести и роцесс выращивания при скорости вращения 35 платформы меньше чем 40 об/мин нецелесообразно, так как уменьшаются скорости роста кристалла, Увеличение скорости вра. щения платформы выше 60 об/мин ведет к образованию воронки в растворе, распле скиванию раствора, вследствие чего образуются паразитические кристаллы.П р и м е р 1. Для получения Ч=165 мл раствора взято...

Номер патента: 1808888

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Кожевников, Колесников

МПК: C30B 13/00, C30B 29/48

Метки: кристаллических, пластин, селенида, цинка

...Сущины выращивают стью 7 - 20 мм/ч с лизации, находяравлению движеуд ч+Ь, где ть движения зоны 50Ь 60. Полржанием газовых . 1 табл., 1 ил.на плоскости фронта кристаллизации у найден экспериментально.На графике представлена экспериментальная зависимость диаметра газовых включений О от скорости движения зоны ч.Из графика видно, что величина О линейно уменьшается с ростом скорости, При значении у -50 достигается эффективное удаление газовых включений любого размера (для интервала скоростей движения зоны 7-20 мм/час). Создание больших углов наклона нецелесообразно, т.к. ведет к снижению оптических характеристик кристалла, что связано с ухудшением очистки ЕпЯе от посторонних примесей. Нижняя граница интервала допустимых значений у зависит...

Номер патента: 1039253

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Бобырь, Васецкий, Даниленко, Заславский

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, основе, сцинтилляционного, щелочногалоидных

...освобожденным от органических примесей сырьемпомещают в ростовую печь, плавят в ампулесырье и выращивание ведут, как обычно,методом направленной кристаллизации (т.е. 750-760 С и 560 - 580 С), ампулу перемещают иэ горячей зоны в холодную через. водоохлаждаемую диафрагму со скоростью2 мм/ч, градиент гемпературы в зоне кристаллизации 25 - 30 С/см,Процессы выращивания кристалловИаЦТ 1) с предварительной термо-кислородно-воздушной обработкой сырья в ампулепо методике, описанной в примере 1, проводили с различным количественным составом кислородно-воздушной смеси,содержание кислорода в которой составляло 45,50,55 и 60 об, .Сцинтилляционные параметры детекторов на основе кристаллов Ма 1 Т 1), выращенных в ампулах, подготовленных согласнопримеру...

Номер патента: 1809846

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Конюшко, Малочко, Шадрин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/00

Метки: диоксида, олова, основе, пленок, полупроводниковых, раствор

...в воде, растворяют 0,2 г ЯЬС 3, доводят объем до 50 мл. Далеекак в примере 1. Полученная пленка имеетследуощие характеристики:р=72 Ом см5 ТКС= 1,9 /Т=79 о Раствор сохраняет свои свойства не менее1 года.Состав раствора:10 ЯпС 204 100 гНг 02 18 гЯЬСз 4,1 гИ-оксид третичного амина 0,16 гН 20 до 1 л.15 П р и м е р 4. 6 г ЯпС 204 растворяют в 5мл 30 % раствора Н 202 в воде, растворяют0,38 г ЯЬСз и 0,5 мл 4 ораствора й-оксидатретичного амина в воде, доводят растворводой до 50 мл. Далее как в примере 1,20 Полученная пленка имеет следующие характеристики,р = 63 Ом смТКС = 1,6Т= 78 %Раствор сохраняет свои свойства не менее,.чем 1 годСостав раствора:Яп С 204 120 гН 202 . 30 г30 ЯЬСз 7,5 гИ-оксид третйчного амина 0,2 гН 20 до 1 л.П р и м е р 5. 6...

Номер патента: 1809847

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Антонов, Булеков, Косушкин, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/40

Метки: арсенида, галлия, кристаллического

...кристаллизацией.При скорости охлаждения менее 300град/ч эффективность очистки ниже, чем в предлагаемом оптимальном диапазоне, скорость охлаждения более 320 град/ч труднодостижима технически и не повышает эффективность ояистки по таким примесям как кремний и марганец,Охлаждение расплава с целью кристаллйзации со скоростью менее 70 град/ч снижает чистоту арсенида галлия и производительность процесса, а охлаждение со скоростью выше 100 град/ч приводит к мелкокристаллической структуре слитков и большей вероятности спонтанной кристаллизации со снижением степени чистоты арсенида галлия.Полнота окисления примесей влагой определяется концентрацией остаточной воды в оксиде бора и его массой, температурой расплава, временем контакта расплава...

Номер патента: 1143128

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Даниленко, Заславский, Колоколова

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, монокристаллов, расплава

...покрытие выполнеове фторопластэ толщиной, - 0,005 толщины стенки камеры. мещенныи женный с щий. тепло установлен чем на внут поверхност крытие, о т целью увел и повышен нокристалл но на осн равной 0,6 центральный штуцер в крышке 3 в обьем камеры введен вращающийся водохлаждаемый шток 7 затравкодержателя. Охлаждающая вода циркулирует между внутренними стальными обечайками 8 полукорпусов 1 и 2 и рубашками 9, а в крышке 3- между нижней плитой 10 и рубашкой 11, Подача охлаждающей воды и вывод ее осуществляется через патрубхи 12 Фторопластовое защитное покрытие 13 нанесено на рабочие поверхности обечаек 8, крышки 3 и на наружную поверхность штока 7.Устройство работает следующим образом. В тигель 4 загружается исходное сырье (йодистый...

Номер патента: 820277

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Апилат, Ефременко, Заславский

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, кристаллов, расплава

...размера смотрового окна.2. Устройство по и. 1, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что уплотняющие прокладки выпол-.нены из антифрикцион ного материала.Это устройство имеет сложную конструкцию, трудоемко в изготовлении и малопригодно для наблюдения при выращивании кристаллов из расплавов, содержащих летучие компоненты. Во время наблюдения оператор периодически (через 10-30 мин) осматривает всю,поверхность растущего кристалла, Практически одно наблюдение длится в течение одного оборота кристалла 1-5 мин.При выращивании сцинтилляционныхкристаллов, активированных таллием; этого .времени достаточно, чтобы одно из стекол потеряло прозрачность из-за осаждения конденсата. Устройство наблюдения долж. но иметь большое количество стекол, чтобы...

Номер патента: 1122014

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Васецкий, Гавриш, Даниленко, Заславский, Соломаха, Стадник

МПК: C30B 15/00

Метки: вытягивания, кристалла, процессом, расплава

...Расплав при этом вытекает по трубке 9 вдозатор 5 да восстановления контакта щупрасплав,В момент касания поверхностью расплава кончика щупа клапан 11 закрываетсяи подпитка прекращается. Расплав из дозатора б через переточное отверстие перетекает в тигель 5, но контакт щуп - расплав приэтом сохраняется за счет образования нового предельно вытянутого мениска и т,д. Таким образом, величина дозы подпитки, аследовательно, и точность поддержанияуровня расплава, определяется диаметромдоэатора 6 (оптимал ьный диаметр 25-30 мм)и величиной предельно вытянутого мениска(порядка 1 - 1,5 мм), При регулированииуровня расплава в тигле 5 подпиткойпосигналу датчика уровня расплава, работаюьц го на предельно вытянутом мениске, легка дас гигае 1 ся...

Номер патента: 1122015

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Апилат, Даниленко, Заславский, Лисовиченко, Мюлендорф

МПК: C30B 15/02

Метки: вытягивания, кристаллов, расплава

...сечения,Внешний диаметр питателя равен 600мм(500 Х 1,2), внутренний 400 мм(500 Х 0,8),высота 200 мм, толщина стенок 1 мм,Дозатор 5, представляющий собой цилиндрический сосуд диаметром 30 мм и высотой 120 мм,. расположен с внешней стороны тигля 2 параллельно его оси на кратчайшем расстоянии и соединен с тиглем Горизонтальной переточнай трубкой 7 с внутренним диаметром 5 мм, Перетпчная трубка 7 вварена в нижних частях конического тигля 2 и дозатара 5, что дает возможность задавать л,обой исходный уровень расплава в .Тигле. Транспортнач трубка 4 диаметрам 5 мм для подачи расплава из питателя 3 в дозатор 5 введена вер 1 икальна из объема питэтеля в дозатор через ега дно, причем ось трубки 4 смещена ат оси дозато,ра 5 на четверть...

Номер патента: 1700954

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Загвоздкин, Кривошеин, Пирогов, Тиман

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов

...при этом увеличивается, и кристалл начинает подплавляться. Поэтоиу в этом случае для сохранения прежнего поперечного сечения необходимо понизить температуру расплава эа счет уменьшения мощности нагревателя с помощью ЛСУТП. При этом происходит быстрая кристаллизация в центре фронта кристаллизации внизу кристалла. В результате в течение некоторого времеви в расплаве формируется нижний конус кристалла, содержащий большое количество дефектов 1 пузырей и включений). Такая дефектная структура имеет значительномевьиую теплопроводность, так как поглощает н рассеивает излучение, цдущее от расплава, что уменьшает передачу, тепла от расплава к кристаллу,Вследствие этого при отделении кристалла (со сформированным таким образом нижним...

Номер патента: 176565

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Захарин, Коновалов, Костенко, Куцикович, Мохир, Эйдельман

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: активированного, выращивания, йодистого, монокристаллов, натрия, спектрометрических, таллием

...или в гтредварительно вакуумированных ампулах Однако полученные монокристаллы содержат примеси, влияющие на их спектрометрические свойства.По предложенному способу непосредственно перед выращиванием монокристаллов проводят полную дегидратацию сырья в вакууме вплоть до его расплавления. Затем впускают в ампулу сухой воздух для сжигания органических примесей. содержащихся в расплаве, и удаляют летучие продукты химических реакций дополнительным вакуумированием.П р и м е р. Соль йодистого натрия заливают в ампулу с длинной трубкой, выходящей наружу из печи, На конце трубки имеются два патрубк один из которых используется для откачки и впуске воздуха, к 5 Ц 17 б 565 А.1 Пэ С 30 В 11/02, 29/12 другому с помощью гибкого вакуумного...

Номер патента: 1609211

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Зеленская, Кривошеин, Пирогов, Рыжиков

МПК: C30B 29/32, C30B 33/04

Метки: кристаллов, сцинтилляционных, термообработки

...кристаллы со ско" ростью 50-100 град/ч до 930+30 С и д- лее до комнатной температуры со скоростью 100-20 ф град/ч. После охлаждения ячейку вынимают нз печи и извле 1609211кают кристаллы (или сцинтилляторы),Кристаллы передают на оптико-механи:ескуа обработку, а спинтилляторына измерение сцинтилляционных параметров,Были проведены лабораторные испытания известного.и предлагаемого способов, Термообработке. подвергалосьболее 35 кристаллов германата висмута и сцинтилляторов из них, Характерные результаты испытаний приведены втаблице (для сцинтилляторов размером4040 мм и 5 ПМ 50 мм),В абсолютном значении световой выход увелицивается на 3,0-393, энергетицеское разрешение улучшается на2,0-7,33,Относительное улучшение сцинтилляционных параметров...

Номер патента: 1810400

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Кизяев, Кожемякин, Косушкин, Курочкин

МПК: C30B 15/00, C30B 29/42

Метки: арсенида, галлия, монокристаллов

...1 атм, Загруженные в тигель арсенид галлия и флюс оасплавляют, опувювЪ скают в расплав затравку, проводят затравливание, включают ультразвуковой генератор с частотой 5 10 кГц и вытягива.зют на затравку монокристалл при постоян ной скорости вытягивания при увеличении частоты ультразвуковых колебаний в предеказ 1422 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 КНТ Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 10 лах 8 - 10 кГц на 1 см длины выращиваемого монокристалла. После исчерпания расплава в тигле монокристалл охлаждают и после остывания извлекают из камеры установки,Выращивали монокристаллы арсенида галлия полуизолирующего по технологии...

Номер патента: 1810401

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Загвоздкин, Кривошеин, Мартынов, Пирогов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов

...части, а во втором случае наоборот. Например, для германата висмута в одном из опьтов температура стенок тигля в первом случае снижается с 1146 до 1024 С в течение - 60 с., а во втором случае с 1148 до 972"С в течение того же времени.Таким образом, в результате снижения подводимой к индуктору высокочастотной мощности в 1,5-2,5 раза в течение 2 - 10 с (непосредственно сразу после отделения кристалла от расплава увеличением скорости вытягивания) кристалл не растрескивается и у него отсутствует дефектный нижний конус. При этом доля годного качественного кристаллического материала близка к 100, (т,е. увеличивается по сравнению с прототипом на 5 - 10 ), отсутствуетдеформация тигля. производительность ростовых установок увеличивается на "...

Номер патента: 1810402

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Кожевников, Колесников

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Метки: кристаллов, оптически, прозрачных, селенида, цинка

...к низуТребуемый для проведения отжига по кристалла 3 град/см и скорости сниженияпредлагаемому способу интервал темпера- температуры 26 град/ч так, что по окончатур верха кристалла в начальный момент 5 нии отжига температура верха кристалла соотжига 1240 - 1280 С выбран эксперимен- ставляет 650 С. Получен кристалл селенидатально и соответствует температуре верха цинка с коэффициентом поглощения излукристалла по окончании его выращивания. чения свето ИК-уиапазона с длиной волныПри начальной температуре свыше 1280 С 10,6 мкм 1,3 10 см .происходит термическое травление верх Дополнительные примеры приведены вней части образца за счет испарений селе-таблице (строки 1 - 8).нида цинка, что ведет к неоправданным...

Номер патента: 1649859

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Иванына, Коневский, Кривоносов, Литвинов

МПК: C30B 29/20, C30B 33/00

Метки: лейкосапфира, термообработки

...специальных требований к оборудов 4 нию, работающему при повышенных давлениях.П р и м е р. Полированные пластины (окна для деФекторов) из сапФира (диаметром 25 мм, высотой 50 мм) помещают в открытый молибденовый контейнер и загружают в печь с граФитовым нагревателем. Рабочее пространство печи откачивают до давления 1.10 Па и затем заполняют природным газом до давления 7.10 Па. Печь нагревают со скоростью 700 град/ч до температуры Т, В процессе подъема температуры давление в печи увеличи49859 6ционному упрочнению отжигаемого иэделия, Применение длительности изотермической выдержки больше предлагаемой(пример 1) малоэффективно и сопровождается увеличением изменениямассы отжигаемого кристалла (3),Уменьшение давления срсы отжига до2 10 ф...

Номер патента: 1813126

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Калинин, Сипягин

МПК: C30B 29/04, C30B 33/04

Метки: кристаллов, упрочнения

...к упрбчнениюкриСталлбв в результате быстрого обжигайапряжений в областях, прилегающих к указаннь 1 м микродефектам,Облучение осуществляют с плотностьюмощнбсти излучения В импульсе определяемой из зависимости;ом-КБВеличина коэффициента К изменяется в диапазоне 2,5 - 4,2 и его изменение обратно пропорцйональнс изменению линейного размера кристалла. Для малых размеров Я = 0,2, К=4,0-4,2, адля 8=2,0-2,8 и К=2.5 - 2,6.Следует Отметить, что если даже принять прямую линейную завйсимость 3 = 0,2 - -К=4,2; Я =2;8 - К= 2,6, для нахождения по известной величине, значений К и псдстановки их в экспериментальную зависимость, то полученная величина р обеспечит эффект упроцнения, но не максимальновозможный, В действительности же зависимость К- Я...

Номер патента: 904347

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Асланов, Скоробогатов, Стрювер

МПК: C30B 15/12, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, основе, сложных

...механизма 10 подачи через трубку 11. В процессе подачи шихты образуется слой гарнисажа 15,удерживающий образовавшийся расплав,Различный перегрев расплава определяет эффективность его очистки. Перегревниже 100 С не дает существенного эффектапо очистке сырья и улучшает качество кристаллов незначительно,Перегрев в сторону более высоких тем 10 ператур, свыше 150 ОС, ограничивается температурой плавления материала тигля.Поэтому можно считать предлагаемый диапазон перегрева расплава оптимальным,П р и м е р. Выращивают монокристалл15 УЗА 5-012:Иб, Общий вес загрузки исходного сырья при этом составляет 4200 г.После получения заданного уровня расплава увеличением мощности йсточника индукционного нагрева уменьшают толщину20 слоя гарнисажа...

Номер патента: 1813816

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Кашевич, Михневич, Цыбин, Шуть

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: выращивания, монокристаллов, раствора, сегнетоэлектриков

...в пределах впемени раста даменай кристалла,Заявляемым способам можно также выращивать кристаллы с необходимыми параметрами чз кристаллизуемой жидкости с прилес,о, концентрация которой ниже, чем концеТрация примеси в известном способе, так как ее неоднородное распределение создает такую же униполярнасть о кристалле, как о случае однородного распределения, но с большей концентрацией примеси. Ниже приоедены кОРкратные примерыОсуществления заявляемого спОсаба. 10 15 20 25 П р и м е р 1. Проводилось выращивание кристаллов триглицинсульфата (ТГС) из раствора с примесьО 1: а-аланина в качестве добавки для стабилизации спонтанной направленной поляризации данного кристалла. Готовили насыщенный раствор ТГС с примесьо 1=а-алаР 1 ина,...

Номер патента: 1813817

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Александров, Демидов, Юшкевич

МПК: C30B 11/02, C30B 29/54

Метки: веществ, кристаллов, органических

...когда закристаллизовано 80-857 ь расплава. После этого останавливают привод возвратно-поступательного движения и термостат, нагнетающий теплоноситель в рубашку 2. Теплоотводящий элемент 15 с кристаллом поднимают над уровнем расплава, Обогащенный примесями расплав стекает на днососуда 1, Разделительную диафрагму 8 поднимают до верхнего уровня расплава и с помощью дополнительной емкости через патрубок 13 вытесняют из нижней части рубашки 2 термостатирующую жидкость, заменяя ее хладоагентом, Уровень хладоагента доводят до диафрагмы 8, В холодильник 12 пропускают охлажденную воду и понижают температуру хладоагента под диафрагмой 8 до температуры несколько ниже температуры кристаллизации расплава. При этом загрязненный расплав...