C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 138062

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Иноземцева

МПК: C30B 29/06, C30B 31/08

Метки: заготовок, кремниевых

...Из предварительно легированного добавками йодидов тетрахлорида кремния путем термического разложения получают кремниевую заготовку, легированную одной или несколькими примесями.Описываемый способ позволяет проводить легирование кремния в более чистых условиях и дает возможность получить при вытягивании легированной кремниевой заготовки монокристалл с хорошими свойствами с первого вытягивания.В качестве легирующих добавок использовались йодиды бора, фосфора, мышьяка и сурьмы, которые добавлялись к очищенному фракционной дистилляцией тетрайодиду кремния, и полученная смесь под. вергалась термическому разложению в аппаратуре трубчатого типа.В полученных трубчатых заготовках кремния определялись концентрации введенного элемента по...

Номер патента: 138755

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Васильев, Кочергин, Петров, Слухоцкий

МПК: C30B 15/10

Метки: плавки, полупроводниковых, тигель-индуктор

...устраняет загрязнения расплава примесями ма я, механически прочен и прост в изготовлении. Эти преимущества достигаются за счет того, что тигель-индуктор выполнен в виде двух соосно расположенных. витков с покрытой серебром рабочей поверхностью.Тигель представляет собой медный или танталовый посеребренный с поверхности водоохлаждаемый каоксиальный индуктор. Порошок вещества, которое требуется расплавлять, засыпают внутрь индуктора, куда вводят та же и затравку из того же материала для обеспечения первоначальног разогрева шихты,По расплавлении затравки в индукторе образуется жидкая фаза в виде кольца, расплавляющая частицы порошка. Однако, благодаря интенсивному водоохлаждению стенок тигля, слои порошка, прилегающие к ним, не плавятся...

Номер патента: 139440

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Бамунер, Васильев, Данилков, Дудин, Кочергин, Малинин, Моргун, Пекерис, Петров, Слухоцкий

МПК: C30B 13/28, C30B 29/06

Метки: кремния, монокристаллов

...1 предназначен для одновременного воздействия на зону расплава токов двух частот: высокой (5 Мгц) и низкой, регулируемой в пределах от 8 до 25 Кгц. Это обеспечивает проведение плаво". слитков различных диаметров, каждому из которых соответствует своя частота тока, создающего необходимый электромагнитный подпор и поддерживающие усилия.Низкочастотный генератор собранра, в котором используются импульсыугольной форме, которую имеет и на по схеме электронного инверто анодного тока, близкие к прямопряжение на аноде генераторнойМ 139440лампы За счет постоянного напряжения на аноде лампы в период ее проводимости и прямоугольной формы анодного тока резко до 90% возрастает к.п.д. лампы и мощность. отдаваемая ею,Плавильная печь (фиг 2)...

Номер патента: 139842

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Банков

МПК: C30B 15/30

Метки: монокристаллов, поликристаллов, способу, чохральского

...находящийся в кассете, подходит под поднятый шток 5 затравки. Оператор вклочает медтснное опускание этой затравки так, чтобы резьбовой конец итока затравки навернулся на держатель, При этом плоскости а не дают проворачиваться держателю. В момент, когда шток затравки ввернулся в держатель, выключается опускание штока затравки. Шток, вращаясь, остается на месте, а держатель, не имея возможности вращаться, поднимается до тех пор, пока шестигранник, держагеля не выйдет из соприкосновения с плоскостью а. После того как держатель навернется на шток затрав139842ки, происходит поворот верхней кассеты 1 на следующий шаг , в эгом положении имеется возможность затравить монокристалл или поли- кристалл.По окончании процесса вытягивания...

Номер патента: 141629

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Губенко

МПК: C30B 15/00

Метки: германия, монокристаллов, например

...вследствие того, что на штоке для вытягивания монокристаллов вмонтированвращающийся экран, выполненный в виде воронки с вырезами.На чертеже изображено предлагаемое устройство, общий вид.Устройство состоит из тигля 1, обогреваемого нагревательным элсментом 2, по периферии которого установлены экраны 3 и 4. На штоке,з для вытягивания кристаллов при помощи закрепляющей гайки б помещен вращающийся верхний воронкообразный экран 7 с расположенными в нем на оавном расстоянии друг от друга как в конусообразной,так и в цилиндрической частях вырезами 8. В нижней части штока припомощи патрона крепят затравку 9. Тепловые экраны 3 и 4, окружаю.щие нагреватель 2, могут быть выполнены конусообразной формы, подобной конусной части вращающегося...

Номер патента: 143477

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Ходаков, Шолохович

МПК: C30B 29/32

Метки: монокристаллы, сегнетоэлектрические

...характеристики и относительно пологую петлю гистерезиса. Это не позволяет использовать монокристаллы в качестве запоминающих устройств,Для увеличения нелинейности характеристики и повышения прямоугольности петли гистерезиса предлагается к титанату бария добавлять 1,2/о гафната бария.Описываемые монокристаллы имеют вид плоских прозрачных треугольных пластин с длиной ребер в среднем 0,5 сл, Толщина пластинок от 100 до 50 мк. Кристаллы не поглощают влаги, Петля гистерезиса кристалла отличается хорошей прямоугольностью. Насыщение наступает при напряженности поля в 5 кв/ся, Кристаллы обладают высокой зависимостью диэлектрической проницаемости от величины напряженности поля, Ее максимум достигается в поле напряженностью 1 кв/с,к1 и...

Номер патента: 144153

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Волынец, Губенко, Козлов, Никитичев, Черневская

МПК: C30B 15/06

Метки: виде, вращения, монокристаллов, полых, тел

...со скоростью кристаллизации г оставитель В. М. Крол актор С, А. Барсуков А. Кудрявицкая Корректор П А. Евдокимо Поди: к печ 6.11-62 гЗак. 1242 Формат бум 7 Тираж 1250 рп Комитете по делампри Совете Министр сква, Центр, М. Черкас8 изд л а 4 коп м О зобрстенииов СССРкий пер.,и открытий 2/6 ипограФия ЦБТИ Комитета пр. Советс Министров о делам изобрстений и откры ий СР, Москва, Петровка, 4. 1) Выращенный монокристалл заданной формы исключает необходимость выращивания крупных монокристаллов-блоков,2) Значительно упрощается последующая холодная обработка кристалла и получение заданного изделия.3) Способ допускает одновременное выращивание из одной ванны нескольких заготовок.Схема установки для выращивания из расплава кристаллов заданной формы...

Номер патента: 146049

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Дашевский, Лазарев, Миргаловская

МПК: C30B 29/40, C30B 31/04

Метки: антимонида, дендритах, индия, переходов, полупроводникового, создания, электронно-дырочных

...антимонида индия зашлифовки, полировки и травления лектронно-дырочный переход на опрефигурации,ма установки для осуществления спор - и переходов ведут следующим обр нь 1 помещают в печь 2 сопротивления температуру которой измеряют при поз иевого стерпня, обращенный к плоскост ом режим печи подбирают таким, чтоб от падения силами поверхностного натя) оя индия на поверхность дендрита 4 ст в сторону дендрита и, касаясь его пов азом.(с регу ОЩИ тЕР- и дендриы капля кения.ерпень 1 ерхности,ц лируе мопар та 4, индия мопе смачи Кдиевыи стержень 1 и печь 2 могут перемещаться в ости, что позволяет регулировать размеры поверхлоя индия. Как показано на схеме, тигель 5 с расертикости роцесс создачиндиевый стерпмым нагревом)ы 3, Конец...

Номер патента: 146282

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гаврилова, Гиваргизов, Кеворков, Спиридонова, Шефталь

МПК: C30B 25/08

Метки: вещества, монокристаллических, наращивания, паровой, пленок, фазы

...вдоль ее оси, проходит держатель, на котором крепится нагреватель, Держатель во время наращивания вращается.2, Нагреватель расположен внутри реактора и нагревается инду- ционными токами высокой частоты. В качестве нагревателя используется графит, кавещество химически стойкое и нереагируюшее с подложками при температурах процесса, Нагреватель представляет собой тело вращения, по форме приближающееся к конусу. Нижней, узкой, частью он закрепляется на держателе так, что его верхняя, плоская, часть перпендикулярна оси трубки и направлению потока газовой реакционной смеси. Нагреватель располагается несколько выше индуктора, в области неоднородного по высоте аксиально-симметричного высокочастотного поля. Необходимость специальной формы и...

Номер патента: 146953

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Вигдорович, Крестовников, Розин

МПК: C30B 13/04

Метки: зонной, непрерывной

...расплавленной зоны. В нижней части колонны имеется отверстие б для выпуска продукта очистки.Нагреватель или система нескольких нагревателей при своем движении снизу вверх вызывает перемещение расплавленной зоны А вместе с полостью Б, которая в этом случае выполняет роль амортизатора и определяет скорость перемещения материала в колонне. В нижней части колонны находится отверстие для выпуска продукта очистки. Работа устройства складывается из четырех основных стадий. Стадия 1 - формирование зоны,;остоящей из поло:ти Б и расплав ленной зоны А.Стадия 2 - зонная перекристаллизация, совмещенная с перемещением материала вниз вдоль колонны фиг. 2 а. б),Стадия 3 - разбавление расплавленной зоны исходным материалом на участке последней зоны при...

Номер патента: 147576

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Багдасаров, Беляев, Добржанский

МПК: C30B 15/00, C30B 29/64

Метки: большого, диаметра, дисков, монокристаллических

...другая - для поддержания температуры в зоне выращиваемого кристалла), Затравку в виде диска или цилиндра заданной толщины закрепляют в кристаллодержателе, После того, как вещество в тигле расплавится, а затравка примет соответствующую температуру, включают механизм вращения кристаллодержателя с затравкой.С помощью подъемного механизма тигель подводят к затравке до соприкосновения ее с расплавом. Во избежание образования двойников затравку оплавляют перед началом кристаллизации, агля этого темп ратуру расплава поддерживают выше температуры плавления кристаллизуемого вещества на - 100 для шелочногалоидньх) и на 15 дляЛ 1 47576 органических кристаллов 1 типа толана, нафталина и др.). После оплавления затравки температуру в зоне...

Номер патента: 148016

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Касаткин, Петров, Трейвус

МПК: C30B 29/22, C30B 7/04

Метки: выращивания, йодноватокислого, калия, монокристаллов

Номер патента: 148017

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гулевич, Фаивусович, Циглер

МПК: C30B 11/10

Метки: аппаратам, веществ, выращивания, монокристаллов, печь, тугоплавких

...обмазкой 3, наружным цилиндром 4 и снизу ограничена фигурным кольцом 5, а сверху крышкой б. Через отверстия в фигурном кольце 5 горячие газы и избыточный водород, необходимый по технологии выращивания монокристаллов, поступают в кольцевую камеру. Отверстия в днище 7 служат для подсоса воздуха, необходимого для сгорания избыточного водорода. Вверху над камерой находится кольцевой сборник 8 для отработанных газов. Снизу печь имеет шлюз, закрывающийся съемной втулкой 9,Таким образом, при выращивании монокристаллов в предлагаемой печи в кольцевой камере образуется тепловой барьер, препятствующий отдаче тепла от муфеля 1 печи в окружающую среду.Предлагаемая конструкция печи более инерциогна по сравнению с известными и снижает температурные...

Номер патента: 148380

Опубликовано: 01.01.1962

МПК: C30B 11/10

Метки: 148380

...изображена в разрезе кислородная трубка. части 1 и 2, соединя частей 1 и 2 на вн ая выточка, в котор 1 я 10 шая сооой цилин ным сквозным отвер направлена в сторо .цюю часть 2 кисло фрагмы шихта, даж .,метрично относите дством наклонных с ИСАНИЕ ИЗОБРЕ ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ С. Ш. Генделев и И ИСЛОРОДНАЯ ТРУБКА ГОРЕЛКИ ПОПОВА ДЛЯ ВЫРАЦИВАНКислородная трубка имеет две бой на резьбе. В месте соединения верхности выполнена цилиндрическ металличе"кая диафрагма, представ. дыш 3, выполненный с воронкообраз ная цилиндрическая часть которо-о наконечника 5, навинчеццого на ц 4При наличии металлической диа если она из бункера поступает исси родной трубки, фокусируется посре емые между сотренней их поой установлена дрический вкластцем 4, суженцу...

Номер патента: 149395

Опубликовано: 01.01.1962

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: 149395

...галлия и сестабилизированное напрям помещается в центре стоящей из держателя ам149395пулы 4, направляющего штока 5, соединенного через привод с электродвигателем 6, Температура в печи замеряется термопарой 7.При выращивании монокристаллов хлористого и бромистого таллия диаметром от 18 до 24 мм применяется скорость вытягивания 8 ммlчас.Ампулы изготовляются из пирексового стекла. Ампула, наполненная веществом, присоединяется к вакуумной системе и при вакууме 10 - з - 10 - 5 мм рт, ст, производится тщательное эвакуирование газов при температуре 170 - 190 в течение 4 - 6 час, После этого ампула за паивается при непрерывном откачивании и затемняется слоем асбеста, смешанного с жидким стеклом.Использование затемненных ампул вызывается...

Номер патента: 149759

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гольцман, Кун

МПК: C30B 15/34, C30B 27/02

Метки: монои, поликристаллов

...напграфитовый поплженный теплоизбой 7.Предлагаемымнаправленныесечения из полуВ 1,Те, и тройной методом были п поликристаллы ква проводникового со сплав В 1 - Те - ЯЬ. олученьдратногодинения На щаяпоясняючертеже представленаредлагаемый способ.поверхности расплава, из кается образец, расположенвок 1, в центре которогощееся кверху отверстие сного сечения, соответствующобразца 2.плав и графитовый поплам, инертным по отношениюый защищает расплав отения и служит одновременндающей среды. Для охлажд схем В качестве флюса примен сплав 40 о/с 1.1 С 1+60% КС 1 исходит взаиморастворени ваемого поликристалла, а ленпя флюса (350 С) н плавления В 1 Тех (585), ность в области кристал большой температурный гр вающий хорошую напр кристаллов. Образцы В 1...

Номер патента: 150488

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Калнач, Одзиня

МПК: C30B 15/04

Метки: введения, испаряющихся, легко, полупроводниковых, примесей, расплав

...устройство исключает казанный недостаток. Достиется это тем, что оно снабжено поплавком,На чертеже изображено предлагаемое устройство.Устройство состоит из пузырька 1 грибовидной формы с цилиндрической ножкой 2, имеющей отверстие 3, которое плотно закрыто пришлифованным к нижней поверхности ножки поплавком 4. Держатель 5 прикреплен к концу штока для вытягивания кристаллов.Принцип действия устройства следующий. Пузырек 1 через отверстие 3 заполняют легкоиспаряющейся примесью. После расплавления полупроводникового материала устройство опускают в расплав так, что в последний погружены поплавок и часть ножки пузырька, При этом примесь в пузырьке нагревается и испаряется. По достижении соответствующего давления пары примеси отталкивают...

Номер патента: 150495

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Большаков, Буленков, Федоров, Цирлин

МПК: C30B 11/02

Метки: полупроводниковых

...тигли. Нижняя часть каждого тигля имеет внешний шлиф, а верхняя часть - внутренний шлиф. Тигли устанавливают таким образом, что дно верхнего тигля служит крышкой нижнего. Батарею, состоящдо из трех-четырех тиглей с шихтой, помещают в кварцевую ампулу, после чего ампулу вакуумируют до разрежения, равного 10 -- 10 -и.и рз. ст, Ампулу запаивают и нагревают до температуры синтеза. Шлиф тиглей пропускает газ при откачке ампулы, но практически он непроницаем для конденсирующихся паров и жидкости, так как капилляры шлифа быстро забиваются конденсатом.При синтезировании из чистых компонентов сплавов системы Мд - с 1 - ,зЬ и М - 5 п - ЯЬ с длительной выдержкой при высоких температурах с применением виброперемешивания, на внутренней...

Номер патента: 151297

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Аникин, Шушканов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: i1ата1т13-тхшне, виблиотенч, всесоюзная

...ется элок11 агревплавного следуи стабилсагреватедо комна способу были обесц(темно-фиолетовые вые) кристаллы флю отерь на растрескив По предлагаемому О пы разноокр ашенныелсные, голубые, розо та практически без п ече- зе- ориние. ен природныхита нагреваниечасосссссссся тем,астрескиваниянагревание ихированных ралением до 350 окрам до что, обес- про- ствоат,с. Обесцавтокласталловворе хорристогокислоты ечнвание ах, приме пдротерм ошо раство лития, хло под давлпроводитс яемых для льным сп римого эл истого ка нием 250 -в стальных синтеза крисобом в растстролита (хлольция, борной 350 атм,Известен способ обссцвечивания природных кристаллов нагреванием их до высоких температур.При этом способе происходит растрескивание кристаллов, особенно...

Номер патента: 151299

Опубликовано: 01.01.1962

МПК: C30B 15/34

Метки: 151299

...от нег ивы. Это позния монокристалла оля корить и епрерыв осуществленииопределяет пос оба выращивания монокристаллов ФОРМ формой кристаллизационноляет выращивать крист тру я которой и рост боковых астей кристалла огранич пересыщенного непрерывн Ы в Йщи вани едут кулир кристалла раств ПОС ОБ ИРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТИШОВИВЯНОГО ПРОФИЛЯ ИЗ РАСТВОРОВ естен способ выращивания монокрис ой камеры, коналл в одном напр н стенками камПо Мере роста кристалл вытягивается из камеры и отнего отрезают блоки нужной величины без прекращения процесса выращивания. ПРЕДМЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯ Способ выращивания монокристаллов заданного профиля из растворов, растущих в одном направлении,с дальнейпим отрезанием от кристаллов биоков нужной величины, о т л ич а ю щ и й...

Номер патента: 151473

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Вигдорович, Черномордин

МПК: C30B 13/24, C30B 15/18, C30B 29/02 ...

Метки: кристаллизаций, металлов, направленной

...тока вдоль слитка в течение всего процесса.Исходным материалом служил алюминий марки АВ 0000.Длина слитка 240 мм, длина расплавленной зоны 30 - 40 мм. Скорость движения зоны 1,25 мм(мин. Число проходов равно 5. Лодочка изготовлялась из графита .высокой чистоты, прошедшего специальную химико-термическую обработку. Лодочка помещалась в кварцевую ампулу. Зона перекристаллизации создавалась нагревателем электросопротивления. Процесс проводился в вакууме (1.10 з мм рт. ст.) при непрерывной откачке..% 151473 Таблица Сравнение чистоты алюминия, полученного в опытах без пропускания и с пропусканием переменного токаАлюминий после зонной перекристаллизации с пропусканием переменного токаАлюминий после зонной перекристаллизацииИсходный алюминий...

Номер патента: 151474

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Бабушкин, Ганель-Буданцев, Миленин

МПК: C30B 13/28

Метки: зонной, металлов, печи, холодильник

...металла.На чертеже схематически изображен описываемый холодильник.В корпусе 1 холодильника установлены восемь самоустанавли. ваюшихся охлаждающих элементов 2. Самоустановка охлаждаюших элементов по кварцевой трубе 3 осуществляется их перемещением в пазах корпуса под действием эластичных резиновых колец 4, стягивающих охлаждаюшие элементы к центру трубы. Охлаждающие элементы могут быть отведены от трубы поворотом рукоятки б, ввернутой в кулачковый копир б.Регулировка охлаждающих элементов в радиальном направлении осушествляется гайками 7. В корпусе выполнены две полости 8 и 9, которые служат коллекторами для питания охлаждаюших элементов водой. Вода поступает через штуцер 10 в полость 8 и далее через штуцер 11, резиновую трубку...

Номер патента: 152741

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C23C 14/14, C30B 7/00

Метки: 152741

...каждого островка соответствуют определенной ячейке сетки. Так как при собирательной рекристаллизации (в частности в тонких слоях) рост кристаллов прекращается практически при достижении определенного размера кристалла, зависящего в основном от условий проведения опыта (температуры отжига, чистоты материалов и пр.), диаметр ячейки сетки должен быть меньше указанного предельного размера кристалла, а также достаточно малым, чтобы поперечные размеры кристаллов в островке позволяли сохранить высокую скорость роста.Полученный образец подвергался затем длительному отжигу в высоком вакууме (или в атмосфере инертного газа) при температуре, обеспечивающей требуемую скорость роста кристалла. Для германия такая температура лежит в интервале 900...

Номер патента: 155003

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C30B 13/00

Метки: 155003

...1 схематически изооражен описываемьш аппарат, вид сбоку; па фиг, 2 - камера аппарата, вид сбоку с частичным разрезом.На станине 1, снабженной механизмом 2 ее поворота, смонтированы шлюзовые загрузочное устройство 3 и разгрузочное устройство 4, привод 5 толкателя б и герметическая камера 7, Последняя выполнена из отдельных алюминиевых секций А, Б, В, соединенных между сооой т;нгеляи 8 с водоохлакдаезызт сеами 9, В каждой секции камеры установлены электрические нагревательные элементы 10 и ролики для передвижения металлов, подвергающихся зонной очистке. Кроме того, в камере устроены смотровые окна 11 и установлены датчики 12 инфракрасных сигналов.Излучаемая нагревателями энергия сосредоточивается вокруг слитка металла (на чертеже не...

Номер патента: 155288

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C30B 13/08, C30B 29/06

Метки: 155288

...с этим для изготовления кварцевых тиглей (лодочек ООХОи.10 испо ьзов 2 ть кварц тякОЙ жк 11 стОты. Кяк 1 пстота кре (10- 10 ,); ПОЛуЧЕНИС таКСГО КЬариа и ИЗдСЛцй ИЗ цЕГО цс З слоакцо, чем получсше чцстогкремни. Зядя 11 эта до цястог Бремени це решена.1(р. описанцьх способах очистки кремния т:гс ь (ло;1 чка) кяакдой Опсраг 1 ци рязруцяетс 51, коро;1 ск 1 етялсОцдя, ткаке, К 2 К и ло, р 23 Э 1 шается, и п(зоконтрэли(зсвать сО свйствс цевоззОжцо, ъ 1 е то О, РасхОд стсЯ ДО(ц) Ой ква 1 ц Бьсок 011 11 стГ . 1;.М 150253Во изос(ание таких 51 влсии, ка( Сма 151 вание кварца, растрескиваиис тигг)51 и слитка, предлагастс 5 Проодиь зонную Очистку кремния в Окисг 1 ительнОЙ атз 10 сфеГе (кислород и.1 и смесь кислОрода с 1 нертными Газами) с...

Номер патента: 157785

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C30B 15/00, C30B 29/64

Метки: 157785

...работы аппарата и уменьшить потери гисходного м атер и ал а.На фиг. 1 изображен вакуумный аппарат; на фпг. 2 - устройстводля резки дендритных лент.157785Предлагаемый аппарат представляет собой камеру 1, присоеди. ненную к вакуумной системе 2, Внутри камеры установлен тигель 3 с расплавом, имеющий графитовый нагреватель 4 и механический привод 5 для вращения и перемещения по вертикали как самого тигля, так и штока 6 затравки,Для складирования отрезанных дендритных лент 7 установлен контейнер 8, укрепленный на штоке 9, который позволяет поворачивать контейнер в горизонтальной плоскости, Для резки дендритных лент в рабочий объем аппарата введено устройство 10, состоящее из спектрально чистых графитовых электродов 11, кварцевого изолятора...

Номер патента: 158068

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C30B 13/32

Метки: 158068

...на который навинчена маточная гайка 18 с наружной зубчатой нарезкой, входящая в зацепление с шестеренкой 9 или 10,158068Упорные шарикоподшипники 19 Фиксируют маточную гайку от осевого перемещения. На ходовом винте 17 имеется диск 20, который при осевом перемещении взаимодействует с вилкой 13. Левый конец ходового винта, находящийся в камере печи, связан с кюветой 21.При вращении червяк 1 вращает шестеренки 2 и 3, а также ходовой винт 17 и вал 4 только в противоположные стороны. Вал 4 вращается с ббльшей скоростью чем ходовой винт 17. Шестеренка 5 через шестеренку 9 вращает маточную гайку 18 в противополокном направлении вращению ходового винта 17. Поскольку маточная гайка не имеет осевого перемещения, ходовой винт, вращаясь, движется...

Номер патента: 159293

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C30B 15/16

Метки: 159293

...с краем в виде дуги. Это дает возможность при бестигельном расплавлении исходного материала в печах вытягивания монокристаллов по методу Чохральского создать строго кольцевую зону нагрева и получить равномерное тепловое поле.На чертеже изображена схема бестигельного вытягивания монокристалла с помощью предлагаемого нагревателя.Нагреватель состоит из шести - восьми электронных пушек 1, формирующих вертикальные плоские пучки электронов. Каждая электронная пушка имеет линейный вольфрамовый катод 2, расположенный в щели фокусирующего электрода 3, ускоряющий анод 4, отклоняюшую пластину б и экран б. Отклоняющая пластина 5 находится под по. тенциалом фокусирующего электрода и выполнена с краем в виде дуги. Плоский пучок электронов 7,...

Номер патента: 159795

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Васильева, Письменный, Шевахина

МПК: C30B 15/32

Метки: выращивании, затравок, крепления, кристаллов, кристаллодержатель

...креплениятами кристаллодержатновлены гофрированнькоторых расположенытов, а выступы помещвок,Известны кристаллодержатели для крепления затравок при выращивании кристаллов, содержащие траверсу с двумя платами, на которых размещены винты, зажимающие затравку. Однако винты этих кристаллодержателей по мере увеличения веса кристаллов до нескольких десятков килограммов не удерживают затравку и кристаллы выпадают. Кроме того, при завинчивании винтов затравки скалываются,Предложен кристаллодержатель, в котором между платами и затравкой установлены гофрированные прокладки, впадины которых расположены против зажимных винтов, а выступы помещены в бороздки затравок.На чертеже изображена схема кристаллодержателя.В отличие от известных...

Номер патента: 160829

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: C30B 25/00, C30B 29/08, C30B 29/62 ...

Метки: 160829

...Навески исходного германия или кремния и брома помещают в большую часть кварцевой ампулы с перетяжкой. Затем автпулу опускают в жидкий азот, откачивают до давления 1 О 5 мм рт. ст. и отпаивают. Запаяиную ампулу помещают в двухзонную печь так, что часть ампулы снавесками выдерживается при температуре 115 ОС для кремния и 85 О 9 ООС Для германия. Давление паров компот-тента-растворителя при этих температурах составляет 3-4 атм. Другой конец ампулы поддерживается притемпературе 8509 ООС для кремния и 60 ОС для германия.В результате создаваемого перепада температур между частями ампулы в холодном коице ее из паровой фазы выпадает сначала слой поликристалтлического осадка, состоящего из многих тиелких втонокрттстадтлов, а затем на этом...