Поезжалов

Номер патента: 1773952

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Поезжалов, Трегубченко

МПК: C30B 29/54, C30B 7/00

Метки: монокристаллов

...Разращивание такой затравки происходит бездефектно. Для этого амплитуду колебаний постепенно уменьшают и доводят до вполне определенной постоянной величины. Дальнейший рост монокристалла проводят по общеизвестной методике. Поскьльку при образовании затравки, обладающей сингулярными гранями, ее объем не увеличивается, та выращенный кристалл имеет минимальную зону регенерации, равную объему затравки, и может быть использовано почти полностью, за исключением объема, занятого затравкой, который, как правило, не превышает объема нескольких десятков мм,П р и м е р 1. Затравка п,п-диоксидифенилсульфона помещалась в кристаллизатор с насыщенным при 38 С раствором. Кристаллизатор находится в жидкостном термостате, температуру которого...

Номер патента: 1721287

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Галеев, Гулин, Комаров, Поезжалов

МПК: F03D 7/02

Метки: ветроколеса, лопастей, механизм, поворота

...комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Изобретение относится к ветроэнергетике и может быть использовано в механизмах поворота лопастей ветроколеса,Цель изобретения - повышение надежности,На чертеже изображен механизм поворота лопастей,Механизм поворота лопастей ветроколеса содержит установленные в полостях ступицы 1 ветроколеса втулки 2 со стержнями 3, периферийные части которых связаны с основаниями лопастей 4, Ступица 1 снабжена неподвижной осью 5 с двумя размещенными на ее концах подпружиненными ползунами 6, стержни 3 снабжены расположенными в их корневых частях подшипниковыми узлами 7, связанными при...

Номер патента: 1701755

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: ароматического, выращивания, монокристаллов, соединения

...что сильно растягивает время выращивания монокристаллов, а при температурах выше 40 С усиливается разложениевещества, цвет раствора изменяется, Этипримеси входят в кристаллическуа решеткуманокристэллэ, ухудшая его оптическое качество. Температура (35 - 40 С выбрана в достаточной мере условно, зависит от степениочистки исходных веществ и растворителейи является усредненной из большого количества экспериментов,Экспериментально было установлночто монокристалль 1 3-метокси-аксибензальдегида вырастают из смеси бензола иэтилового эфира в соотношении 1:1 в видетонких(да 0,1 мм толщиной) гексагонэльныхпластин. Добавка пропиленкарбоната приводит к разращиванию монокристалла втолщину.В приведенном примере рассматривалось влияние...

Номер патента: 1633030

Опубликовано: 07.03.1991

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: выращивания, диоксидифенилсульфона, монокристаллов

...мешалка. Кристаллизатор помещают в жидкостный термостат, темпетура в котором поддерживаетсятоянной с точностью до 0,1 С.оЗатравочные кристаллы получаютпредварительно испарением из раство"ра, аналогично помещенному в кристаллизатор. Их помещают в перегретыйраствор на дно кристаллизатора наспециальной фторопластовой подложкетак, что направление роста кристалла.1633030 Продолжение таблицы перпендикулярно подложке. После этого медленно снижают температуру кристаллиэатора до тех пор, пока не начнется рост эатравочнаго криоталла, что видно по блеску образующихся граней. ТеМ- пературу во время опыта фиксируют и поддерживают постоянной.Так как крьппка охлаждается проточной водой, то на ней образуется кон ,денсат, который стекает в...

Номер патента: 1583476

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: выращивания, метилбензальанилина, монокристаллов, нитро

...полного растворения и-нитрои -метилбензальанилина в кристаллизатор помещают затравочный кристаллэразмером 5 ф 3 "2 мм (получают предварительно путем выпаривания раствора этого ке состава), Затравку закрепляют на фторопластовой подложке и устанавливают на дно кристаллизатора. 1 О После этого медленно снижают температуру кристаллизатора до тех пор, пока не начнется рост затравочного кристалла, Это видно по образующимся граням. Температура начала роста 38 С 15,о На этом уровне ее поддерживают за . время выращивания с точностью 0,050 С.Отбор растворителя осуществляют следующим образом, Подбирают специальные фторопластовые прокладки между 20 кристаллизатором и крышкой и устанавливают зазор. Величину зазора подбирают...