C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1294027

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Денькина, Исаенко, Якушев

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: liio3, выращивания, иодата, лития, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов иодата лития -LiIO3 из нейтрального исходного раствора иодата лития, включающий регенерацию затравки и последующий рост при изотермическом испарении раствора при температуре 60 - 65oC и поддержании постоянной его степени пересыщения, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром 50 - 70 мм с высокой оптической стойкостью, используют исходный раствор иодата лития, общее содержание микропримеси в котором не превышает 10-5%, регенерацию затравки осуществляют при подъеме температуры со скоростью 10 - 15oC/сутки и рост ведут при степени...

Номер патента: 1764285

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Белов, Исаенко, Мазур, Овечко, Петренко

МПК: C30B 29/54, C30B 7/08

Метки: 3-метил-4-нитропиридин-1, выращивания, монокристаллов, оксида, ром

Способ выращивания монокристаллов 3-метил-4-нитропиридин-1-оксида (РОМ) из его раствора в органическом растворителе путем снижения температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения оптического качества и стойкости к лазерному излучению, в качестве растворителя используют ацетон с добавкой воды в количестве 3 - 15 об.%.

Номер патента: 1764338

Опубликовано: 10.04.2000

Авторы: Белов, Исаенко, Косинов, Мазур

МПК: C30B 29/54, C30B 7/00

Метки: затравки, крепления

Способ крепления затравки для выращивания изометрических кристаллов из раствора, включающий ее контакт с иглообразным кристаллодержателем, отличающийся тем, что, с целью более надежного крепления затравки из низкоплавного органического кристалла и исключения образования в ней дефектов, перед контактом конец кристаллодержателя нагревают до температуры, превышающей температуру плавления кристалла на 50 - 70oС, затем этот конец вводят внутрь затравки на глубину не менее 0,3 мм, после чего проводят выдержку и охлаждение.

Номер патента: 1005511

Опубликовано: 10.05.2000

Автор: Забродский

МПК: C30B 29/06, C30B 31/20

Метки: кремния, легированного

Способ получения легированного кремния путем выращивания его, облучения медленными нейтронами и отжига, отличающийся тем, что, с целью получения материала n- или p-типа проводимости с заданной степенью компенсации, в кремний в процессе выращивания вводят германий, атомарную долю которого x определяют из соотношениягде К - заданная степень компенсации полученного материала;КGe - степень компенсации нейтронно легированного германия;m = -1 или +1 соответственно в материале n- или p-типа проводимости; - содержание изотопов...

Номер патента: 849795

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Мустафин, Попов, Серяпин, Смирнов

МПК: C30B 31/22

Метки: полупроводниковых, структур

1. Способ получения полупроводниковых структур, включающий создание на поверхности полупроводниковой пластины аморфного слоя и нанесение примеси на полупроводниковую пластину для регулирования скорости кристаллизации в процессе последующей термообработки, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения качества полупроводниковых структур, примесь наносят на пластину со стороны, противоположной аморфному слою.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что с целью получения структуры требуемой конфигурации, примесь наносят локально.

Номер патента: 623298

Опубликовано: 27.05.2000

Авторы: Александров, Ловягин, Симонов

МПК: C30B 29/06, C30B 33/02

Метки: кремния

Способ обработки кремния n-типа проводимости, включающий выдержку пластин при 1250-1300oC в вакууме, отличающийся тем, что, с целью повышения качества поверхности кремния, обрабатываемую пластину экранируют кремниевой пластиной n-типа проводимости с образованием микрополости и создают между пластинами температурный градиент 100-200o град/мкм с поддержанием максимальной температуры на обрабатываемой пластине.

Номер патента: 1307905

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Васин, Неизвестный, Шумский

МПК: C30B 23/08

Метки: пленок, растворов, твердых

1. Способ получения пленок твердых растворов, включающий напыление на подложку из молекулярного пучка элементов твердого состава, образуемого при их нагреве в источниках, в сверхвысоком вакууме, отличающийся тем, что, с целью получения пленок с заданным профилем химического состава по толщине, на поверхность растущей пленки направляют монохроматический электронный пучок с энергией, в 1,5-3 раза превышающей энергию возбуждения характеристического рентгеновского излучения наиболее тяжелого химического элемента твердого раствора, под углом к поверхности подложки 1-5o, регистрируют возбуждаемый в поверхностном слое пленки спектр рентгеновского излучения, сравнивают отношение...

Номер патента: 683064

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Квашнин, Рейтеров, Соколов

МПК: C30B 11/00

Метки: веществ, термической

Устройство для термической обработки веществ в контролируемой атмосфере, включающее рабочую камеру с вертикально расположенным цилиндрическим нагревателем, стопу тиглей чашеобразной формы, установленную на подвижной по вертикали опоре, загрузочную и разгрузочную камеры, отделенные от рабочей камеры шиберами, и транспортные средства для перемещения тиглей, отличающееся тем, что, с целью создания в тиглях осевой симметрии теплового поля и возможности выращивания кристаллов, шибера укреплены на штоках, расположенных по вертикальным осям загрузочной и разгрузочной камер, тигли выполнены с выемками на внешней боковой поверхности и транспортные средства - в виде захватов, консольно укрепленных на...

Номер патента: 948170

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Кантер, Сидоров, Шахина

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов, полупроводниковых

Способ выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов из расплава в запаянной ампуле, включающий предварительный перегрев расплава, затравливание в носике ампулы и последующую направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода монокристаллов, предварительный перегрев ведут не более чем на 5-10oC выше температуры плавления, затравливание проводят с регистрацией температуры в носике ампулы, и при наличии пика на температурной кривой процесс затравливания возобновляют.

Номер патента: 764208

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Лисовенко, Марончук

МПК: C30B 25/08, C30B 29/40

Метки: выращивания, полупроводниковых, слоев, соединений, эпитаксиальных

Устройство для выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений методом газотранспортных реакций, включающее вертикально установленный кварцевый реактор с подложкодержателем внутри, снабженный патрубками для подачи реакционного газа сверху и поддува инертного газа снизу и патрубком для отвода продуктов реакции, отличающийся тем, что, с целью исключения осаждения продукта на стенках камеры и попадания поддуваемого газа в зону осаждения, улучшения за счет этого структурного совершенства и воспроизводимости электрофизических параметров получаемых слоев, реактор снабжен кварцевой рубашкой, соединенной с реактором через отверстия, выполненные в его стенке ниже размещения...

Номер патента: 218324

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Клименко, Ржанов, Строителев

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллических, слоев

1. Способ выращивания монокристаллических слоев преимущественно полупроводниковых материалов, например германия, в вакууме из расплава при температуре, близкой к точке плавления, отличающийся тем, что, с целью получения слоев на подложках, не эпитаксиальных кристаллизирующемуся веществу, с близкими коэффициентами термического расширения, приводят в контакт нормально расплавленному слою в область минимума теплового поля иглообразную монокристаллическую затравку, кристаллографическая ось которой совпадает с ее геометрической осью, и снижают температуру расплава по заданной программе.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения слоя на несмачивающейся подложке, растягивают...

Номер патента: 706994

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Максимов, Сидоров

МПК: C30B 25/02

Метки: переменного, состава, структур, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных структур переменного состава на основе твердых растворов полупроводниковых соединений III-V методом газовой эпитаксии, включающий подачу в зону осаждения галогенидов, элемента III группы из его источника и паров элемента V группы потоком газа-носителя и изменение состава подаваемой парогазовой смеси в процессе осаждения, отличающийся тем, что, с целью расширения интервала изменения состава твердого раствора и упрощения процесса, для элемента III группы используют источник с полузакрытой поверхностью, а изменение состава парогазовой смеси ведут путем изменения подачи галогенида элемента V группы за время 0,01 - 1,0 мин.

Номер патента: 774293

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Литвин, Марончук

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, кассета, полупроводников, эпитаксии

Кассета для жидкостной эпитаксии полупроводников, выполненная в виде этажерки с установленными горизонтально и параллельно друг другу подложками, разделенными прокладками, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности и улучшения условий заливки и удаления раствора-расплава из зазора между подложками, кассета выполнена в виде каркаса с горизонтальным сечением в форме правильного шестиугольника, в центре и в вершинах которого установлены вертикальные стержни, и вписанного в окружность радиусом, равным диаметру подложки плюс радиус центрального стержня, а в качестве прокладок использованы шайбы, размещенные на стержнях.

Номер патента: 666700

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Александров, Матвеев, Райман, Симун, Соколов, Фритсше

МПК: C30B 11/00

Метки: вертикальной, выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, нескольких, расплава

Устройство для выращивания нескольких кристаллов вертикальной направленной кристаллизацией расплава, включающее несколько контейнеров, имеющих форму чаш, с отверстиями, установленных в стопу, и питатель, расположенный сверху, отличающееся тем, что, с целью упрощения изготовления устройства за счет исключения притирки контейнеров друг к другу, облегчения выгрузки кристаллов вследствие предотвращения затекания расплава в места контакта контейнеров и возможности очистки расплава от летучих примесей, отверстия выполнены в виде вертикальных каналов в боковых стенках контейнеров, соседние контейнеры установлены со смещением отверстий относительно друг друга.

Номер патента: 342395

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Лобачева, Черневская

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов

Устройство для выращивания монокристаллов направленной кристаллизацией расплава, контактирующего с газообразным реагентом, включающее герметичную камеру с неподвижно установленным нагревателем и тиглем, перемещаемым по вертикали при помощи введенного снизу полого штока, и расположенный вне камеры источник реагента, отличающееся тем, что, с целью увеличения эффективности воздействия реагента на расплав и уменьшения коррозии камеры и нагревателя, тигель установлен на опорах в полости укрепленного на штоке стакана с крышкой, причем полость стакана соединена с источником реагента посредством выполненного в штоке осевого канала.

Номер патента: 1141799

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Абрамов, Гуревич, Долбенко, Минц, Фишер

МПК: C30B 13/16

Метки: зонной, металлов, плавки

Способ зонной плавки металлов, включающий нагрев образца электрическим током под действием приложенного к его концам напряжения, создание зоны расплава и перемещение ее изменением температуры нерасплавленной части металла, отличающийся тем, что, с целью увеличения градиента температур вдоль образца, нагрев осуществляют с помощью стабилизированного напряжения, которое при нагреве увеличивают до значения, равного 0,9-0,95 величины тока, необходимого для расплавления металла, зону расплава создают импульсным нагревом заданного участка образца и перемещают охлаждением одного из ее торцов.

Номер патента: 1396644

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Волков, Липатов, Рязанов

МПК: C30B 19/00, C30B 29/06

Метки: выращивания, полупроводников, эпитаксиального

1. Способ эпитаксиального выращивания полупроводников, включающий введение раствора-расплава в зазор между вертикально расположенными нагретыми подложками, рост слоев на подложках при их вращении, отличающийся тем, что, с целью увеличения скоростей роста слоев, раствор-расплав вводят в зазор до уровня центра подложек с отклонением не более 0,05Д, где Д - диаметр подложки, а вращение подложек проводят вокруг оси, проходящей через центр подложек перпендикулярно их поверхности.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения эпитаксиальных слоев кремния, процесс ведут при величине зазора между подложками 1,5-15,0 мм и скорости вращения подложек 0,1 - 20,0 об/мин.

Номер патента: 1340255

Опубликовано: 27.06.2000

Автор: Нисневич

МПК: C30B 31/02

Метки: пленкообразующего, приготовления, раствора

Способ приготовления пленкообразующего раствора для получения поверхностного источника диффузии примеси в кремний, включающий гидролиз тетраэтоксисилана в присутствии катализатора в растворе, содержащем органический растворитель и воду, с введением нескольких легирующих примесей в виде эфиров элементов III и V групп, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы раствора, эфиры элементов III и V групп предварительно смешивают друг с другом, а в раствор смесь вводят после гидролиза тетраэтоксисилана.

Номер патента: 1037690

Опубликовано: 27.07.2000

Авторы: Лисицын, Лисицына, Рейтеров, Трофимова, Чинков

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, металлов, фторидов, щелочноземельных

Способ получения кристаллов фторидов щелочноземельных металлов из расплава шихты, содержащей добычу фторида иттрия, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационно-оптической устойчивости кристаллов, процесс ведут из шихты, содержащей одновременно примесь фторида натрия или калия при весовом соотношении между добавкой фторида иттрия и примеси 0,2 - 0,5 и концентрации фторида иттрия не более 1 мол.%.

Номер патента: 1496325

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Детков, Киржайкин, Лебедева, Скачкова, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов, раствора-расплава

Способ выращивания монокристаллов из раствора-расплава нормальной направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, кристаллизацию ведут с переменной скоростью R = min {R1, R2},где R1 - максимально допустимая скорость кристаллизации с устойчивым плоским фронтом, м/с;R2 - максимально допустимая скорость кристаллизации, когда концентрация на фронте ниже эвтектической, м/с,удовлетворяющие выражениямгде G - осевой градиент температуры, К/м;

Номер патента: 813979

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Кузнецов, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 29/10, C30B 9/06

Метки: рубидия, тетраиндида

1. Способ получения тетраиндида рубидия путем нагревания в вакууме смеси рубидия и индия до температуры, превышающей температуры ликвидуса, с последующей кристаллизацией охлаждением, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов, рубидий и индий в смеси берут в мольном соотношении 0,15 - 0,02 : 0,85 - 0,98, охлаждение ведут со скоростью 20 - 40 град/час, а полученный продукт помещают в жидкий галлий, находящийся под слоем трансформаторного масла, извлекают кристаллы и очищают их от расплава.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кристаллы очищают с помощью резиновых пластин и пластилина.

Номер патента: 1069457

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Климин, Кузнецов, Мелехов, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 11/02, C30B 29/10

Метки: cs3sb, соединения

Способ получения соединения Cs3Sb, включающий его синтез из цезия и сурьмы, смешиваемых в стехиометрическом соотношении, в тигле, помещенном в стальной контейнер при нагревании, кристаллизацию из расплава охлаждением и извлечение продукта, отличающийся тем, что, с целью получения продукта в виде монокристалла, синтез ведут в вакууме в тигле из молибдена при его периодическом подогреве от комнатной температуры до 350 - 400oС, охлаждение ведут направленно со скоростью 0,5 - 10 град/час.

Номер патента: 1110222

Опубликовано: 20.12.2000

Авторы: Лебедева, Орлов, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 29/10, C30B 9/06

Метки: индия, металла, монокристаллов, соединения, щелочного

Способ получения монокристаллов соединения щелочного металла и индия, включающий нагрев смеси исходных компонентов в вакуумированной ампуле и последующую кристаллизацию расплава, отличающийся тем, что, с целью возможности получения кристаллов CsIn3 увеличенных размеров, исходные компоненты берут при соотношении In и Cs в смеси в мольных долях 0,83 - 0,88 : 0,12 - 0,17, нагрев ведут в ампуле, оснащенной воронкой, размещенной под поверхностью расплава основанием вниз, а кристаллизацию проводят со скоростью 7 - 17oC/ч вытягиванием ампулы вверх.

Номер патента: 1313037

Опубликовано: 10.04.2001

Авторы: Бамбуров, Борухович, Жиляева

МПК: C30B 29/46

Метки: халькогенидная, хромкадмиевая, шпинель

Хромкадмиевая халькогенидная шпинель, содержащая Cd, Cr и Se, отличающаяся тем, что, с целью повышения удельного ферромагнитного момента при 4,2 K, она дополнительно содержит Te и имеет общую формулу CdCr2Se4-xTex, где 0,15 x 0,24.

Номер патента: 1498074

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Коршунов, Никитин, Петровнин, Поташный, Прохоров, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/22

Метки: кремния

Способ обработки кремния путем облучения его поверхности пучком ионов бора при средней плотности ионного тока 2 j < 3 мкА/см2, отличающийся тем, что, с целью формирования сплошного слоя тетраборида кремния, облучение ведут дозой 6,25 1016 - 1,00 1017 см-2.

Номер патента: 1391168

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Козлов, Коршунов, Павлов, Петровнин, Прохоров, Старикова, Тимашева, Щербина

МПК: C30B 29/06, C30B 31/22

Метки: бором, кремния, легирования

1. Способ легирования кремния бором, включающий облучение кремниевой подложки пучком ионов бора и последующий отжиг одиночными импульсами лазерного излучения в режиме модулированной добротности на длинах волн в полосе собственного поглощения кремния с образованием линий скольжения в слое, отличающийся тем, что, с целью увеличения проводимости слоя, подвижности дырок в нем и коэффициента использования примеси, облучение ведут дозой 6,25 1015 D < 6,25 1016 см-2...

Номер патента: 731645

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Бородин, Малахова, Пискун, Стериополо, Татарченко, Федоренко, Циглер, Чернышева, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: алюминия, выращивания, газопламенным, методом, монокристаллов, окиси, основе

1. Способ выращивания монокристаллов на основе окиси алюминия газопламенным методом, включающий подачу исходного порошка через факел пламени на затравку, разращивание кристалла до заданного диаметра, выращивание кристалла при поддержании постоянных условий процесса, сужение диаметра кристалла в конце процесса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода кристаллов 30-90o - ориентации, сужение диаметра кристалла производят на 40-80% до соотношения высоты суженной части к диаметру, равного 1 : (0,3 - 1,5).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что сужение диаметра кристалла производят путем одновременного уменьшения расхода сжигаемых газов и подачи исходного порошка.

Номер патента: 805667

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Сытин, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методу

Устройство для выращивания кристаллов по методу Вернейля, включающее кристаллизатор со смотровым окном и горелку, установленную над ним, отличающееся тем, что, с целью более равномерного обогрева торца растущего кристалла и улучшения за счет этого его оптической однородности, нижний торец горелки выполнен сферическим с радиусом R = 2F, где F - расстояние от нижнего торца горелки до оси смотрового окна, и имеет зеркальную поверхность.

Номер патента: 403236

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Пискун, Сытин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейля, выращивания, методу, монокристаллов

Установка для выращивания монокристаллов по методу Вернейля, содержащая кристаллизационную камеру, нагревательное устройство, например водородно-кислородную горелку, бункер с дозатором и шихтопроводом, кристаллодержатель с механизмом для его вертикального перемещения и вращения, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности введения дополнительных компонентов на периферию кристалла, она снабжена дополнительным бункером с дозатором и шихтопроводом, введенным в кристаллизационную камеру эксцентрически относительно ее вертикальной оси.

Номер патента: 522567

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Пискун, Сытин

МПК: C30B 11/10

Метки: вернейлю, выращивания, кристаллов

Устройство для выращивания кристаллов по Вернейлю, содержащее кристаллизационную камеру с переменным поперечным сечением, отличающееся тем, что, с целью увеличения диаметра выращиваемого кристалла, кристаллизационная камера выполнена в виде четырех секций при следующем соотношении диаметров d1 : d2 : d3 = (3 - 4) : (6 - 7) : (5,5 - 5) и высот h1 : h2 : h3 : h4 = (11 - 13) : (4 - 6) : (3 - 4) : (15 - 32).