Способ получения кремния
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1515795
Авторы: Бабичев, Назарова, Страшинский
Текст
Г3 3,.,55 Ь . 1 РЕТЕНИЯ 1, 1,:.",. ГГ/ц ТВУ ОПИСАНИЕ ИЗОБ Н А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЪС(54) СиаСО (57) Спосо ПОЛУЧЕНИЯ КРЕМНИЯ б отцоситпленок изентов для к технологии получениятонов эл разделенных изоядерно-физичесименно пленоктомным весом 28(Г и 81 читывают необх начале ОГЦИ ЦГ) ч/и 1(зото(а( Ч С К(ГХ кремни го соо химиче зотомкг/гм ссле- лхгз- обллс- изул фос 3810+ 4 В На ацалитичес381 О х весах еряю деция 11 ть иепользоцл 1 ОГО КРЕМИ/1 ДЛ/ чис рц цолученисцтгецовских иль тров, 1 елью изобретшецие чистоты кр енин яв;ястся .мция, увеличе (е процесса.Получают кре в ие его выхода и упрощен Приме риз сырья, обоглщс.го изо Эф "1ф , СОЮЗ СОВЕТСНИХ1( -. СоцидлИСТичЕСНиХ4 - Г- РЕСПУБЛИН ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР",.Зь.лс81 то)1(/(ицс)и0 - 50Г обхсч(цмых, в члс гцости, Дл/( идолцин реакции рядил ццо//ного зта протонов ядрами крени//н 29ги цсргии 1-2 МэВ, л тлкжс. длнеия резонансных согтояций ядрфора 3 О, Гэ б р а з ую(цс го с н рс л к ц(ги)5 С 30 В 29/06, 23/02 позволяет снизить пот изотопа кремния и упростить процесс.Шихту, содержащую оксид кремния ибор, прессу(Г/т, нагревают в вакуумедо 18002 ОК и выдерживают до полнойотгоцки оксида бора. Для полученияМ/Ш/ЕНЕй ДЛЯ ЯДЕРЦО-ФИЗ(ГЧЕСКИХ ИССЛЕдоваций после выдержки кремний испаряют при 670+;)ОК в вакууме ц осаждаютца холодные подложки. 1 з.п. Ф-лы. димые количества исходньх оксидо и бора для стехиометрическоцешеция их в соответствии с кой рсаГ ц/(ей. ходное рассчитанное количество оксида кремния 0,050 г и соответствующее количество аморфного порошкообразного бора 0,010 г. Компоненты тщательно перемешивают в агатовой ступке и образовавшуюся шихту засыпают в пресс-форму, где прессуют с усилием 8-10 т/см . Полученную таблетку диаметром 7 мм помещают в танталовый реактор ив вакуумную камеру, которую откачивают до давления10 арпа. При установке реактора напротив его отФормула изобретения Преимущества предлагаемого способа по сравнению со способом-прототипом, заключается в том, что предлагаемый способ позволяет получить цэ элементарного кремния мишени, фильтСоставитель Б, БезбородоваРедактор 11.Самерхацова Техред Л.Олийнык Корректор Т.Палиц Заказ 673 Тираж 254 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета ло иэобретениям и открытиям при ГЕНГ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., и. 4/5 Производственно-иэдательсний комбинат Патент", г.ужгорол, ул. Гагарина, 10 3 1)1579верстия располагают подложку для чистого кремния,Реактор цэготавливают иэ тацталас толщиной стецок 50 мкм. Применяют5токовый нагрев. Подложку изготавливают из тантала. Помещенную в реактор таблетку из оксида кремния и бора вначале обезгаживают при температуре 1000-1100 К ц давлении в вакуумцой камере 10 Па, затем температуру реактора поднимают до температурыпротекания реакции восстановления иотгоцки образующейся окиси бора (Т==1400 К) и проводят выдержку при этой 15температуре.После восстановления кремния и отгоцкп окиси бора над реактором размещают подложку, Температуру реактораповышают до 1670 К и поддерживают 20до конца испарения всего кремния.Толщицу пленки кремния ца подложке опре"дсляют по массе пленки. Реакторы используют многократно. Восстановленный кремний получают в виде компактной таблетки, которая иэ-эа точечныхконтактов со стенками реактора и температуры 1670 К, це допускающей расплавление кремния, це проплавляетреактор,30 5 4ры, пороговые детекторы повышеннойчистоты ц высокого качества, исключая мцогооперационность, Более высокое качество выражается в том, чточистота кремния соответствует требованиям ядерно-физического эксперимента. Технологический процесс исключает воэможность внесения дополнительных примесей в получаемый кремний,Потери изотопа кремния при использовании способа по изобретению 5-107.,т.е. в 5-8 раз меньше, чем по способу-прототипу. 1. Способ полученйя кремния,включающий нагрев прессованной шихты, содержащей оксид кремния и восстанови- тень, и последующую выдержку, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения чистоты кремния,увеличения его выхода и упрощения про" цесса, в качестве восстановителя используют бор, нагрев ведут до 1400ф 20 К, а выдержку проводят до полной отгоцкц оксида бора,2. Способ по и.1, о т л и ч а ющ и й г. я тем, что, с целью обеспечения воэможцостн изготовления мишелей для ядерно-физических исследований после выдержки кремний испаряют при 1670 20 К в вакууме и осаждают на холодные подложки.
СмотретьЗаявка
4365473, 14.01.1988
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ В-8851
НАЗАРОВА Т. С, БАБИЧЕВ Е. О, СТРАШИНСКИЙ А. Г
МПК / Метки
МПК: C30B 23/02, C30B 29/06
Метки: кремния
Опубликовано: 07.01.1991
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1515795-sposob-polucheniya-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кремния</a>
Предыдущий патент: Средство для уничтожения личинок комаров, питающихся у поверхности воды
Следующий патент: Камера для подготовки замороженных биообъектов к исследованиям
Случайный патент: Способ получения светотехнического замутненного органического стекла