C30B 7/00 — Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов

Номер патента: 65325

Опубликовано: 01.01.1945

Авторы: Попов, Шефгаль

МПК: C30B 7/00

Метки: монокристаллов, растворов, солей

...с кристаллом и при попытках ускорить рост охлаждением на кристаллах возникают неоднородности.Предлагаемый способ,получения монокристаллов из растворов солей с вращением вырагцйваемого кристалла )в растворе заключается в том, что кристаллу сообщают двойное вращение -- вокруг геометрической оси затравки и вокруг эксцентричной по отношению к кристаллу оси вращения.Кристаллическая затравка в виде пластины, стержня,затравочного кристаллика и т, д. укрепляется эксцентрично )па отношению к оси вращения и )приводится в движение соответствучощим механизмом. Кроме вращения вокруг эксцситри гио расположенной оси, затравка вращается одновременно вокруг собственной оси. Двойное движение обеспечивает быстрое и равномерное поступление свежего...

Номер патента: 66668

Опубликовано: 01.01.1946

Автор: Шефталь

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...а ИИВ с Н И 51 К 1)1 СБ.СОБ 1 Ь) 1): СБ 1) 01 ЧС 1 С)110СКО)(0151 И)01 сссс, Н)ОН 5 ЮТ 11 Кс 1 с)ССТБО ИС (ОД 30(0 01)ЯЗО 1 с НИ Я Г)1(ТО тагОН ЬКОГО К) 1 СТ с 5,1 И К; БЫ )(:с 131 К) ИЗ К)ИС тс, 1, с 1 00,СС К)ИИ)10 (10 Чс 1 СТЬ. ОДс КО Б 51 То)атт О НОТ т КНЗИ 1 И 1, Кс)КИ)1 ОЙ) БЗО) . (0,1 К И;3ЫТЬ БЫ)ОЗс)1 с 1 БТН 1 С 3 Ь ГЬ 35 110 Г(И И 5 )с)г(.Н с),Ь 1 ОГЭ".Ь(1)(10;1, И 11)ИК Г 1 ЧОСКИ Б КСЧ( СТВО .)сТ)1 ВО 3(р 1)ОН(5)Н)Т ) 3"10 СТО)5 СИИИ, тс г КИ , 131) 3 БОССБ БОБ,1( Иэ Зс)Т 3)И)КОИ 110)3 БЛ ЬНО 1 К) ИСТИ 1 Ч(.- СКОБ ИО(103)НОС эИ 1)СГСНБэ)а 1 сОННЫИ С;ОИ 00 а.т ОТ" Я .1) 1 Нэт 11 11 Т66668 1 1 ) )1 си ;1 0 ) 1) сс и и 5 Х 1 омптет по дета)1 и:)о)рстеип 1 и от 1 рыти) пи Совете Мппистроп СССР Редактор Л, К. Лейк)и)а 11 ис...

Номер патента: 72182

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Штернберг

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...исключает необходимость тратить время на рсгенергцшо затравкиКрпсталлик, вырастая под восковой сумочкой, охватывает тонкуюшпильку и, развиваясь во все стороны, укрепляется на кристаллоьосцс, врастая в пазы.При пепрсрывном вращении кристалла со скоростью 30 - 60 аб/иин происходит его рост при снижении температуры раствора.Вначале устанавливается температура на 1,5 ниже температуры насыщения раствора; при этом кристаллы растут со скоростью 10,ил 1 в сутки по оси 7. тля поддержания этого псресыщения суточный спад темпера гуры рассчитан по формуле;= / 2 где Р и - искомая температура; х - длительность роста в сутках; Р - объем раствора; Рв - исходная температура.72182 Предмет изобретения 1. Способ для выращивания кристаллов сегнетовой соли,...

Номер патента: 78449

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Поздняков

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: блока, выращивания, косого, кристаллов, сегнетовой, соли, среза

...выращивании кристаллических блоков косого среза, стороны которых составляют углы в 4 Г с осями В и С кристалла (фиг. 1), обычно берут кристаллическую затравку косого среза, которую располагают на дне кристаллизатора между ограничивающими стенками, Однако кристалл растет мутным до тех пор, пока не образуются грани, полностью ограничивающие кристалл сверху (фиг. 2). Такие блоки практически оказываются непригодными из-за того, что мутная дефектная область значи тельна по площади и расположена крайне неблагоприятно,Предлагаемыи способ выращивания блоков косого среза из кристаллов сегнетовой соли с применением кристаллической затравки, вырезанной параллельно грани В кристалла, устраняет указанные недостатки, и весь выращенный блок является...

Номер патента: 98040

Опубликовано: 01.01.1954

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...от скорости притока свежего пересыщенного раствора к поверхности растущих кристаллов, Перемещение кристалла относительно раствора способствует росту за счет отвода от его поверхностей пленки обедненного, слабо- насыщенного раствора и прдтока свежего раствора, имеющего большее пересыщ ение.Известные способы выращивания кристаллов, в целях быстрого восстановления пересыщендя вокруг растущего кристалла, предусматривают пер емешпвание раствора или вращение кристалла в растворе.Предлагаемый способ позволяет повысить скорости роста кристаллов благодаря тому, что кристаллы в процессе роста приводят в колебательное движение, причем это движение может осуществляться с большой частотой от десятков герц до десятков килогерц и сочетаться с...

Номер патента: 100124

Опубликовано: 01.01.1955

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллизатор, кристаллов, способа, этого

...заканчивается отростком 2, сияружи которого рзсио- ЛОЖЕН ЭЛЕКтрИЧЕСКИй ИЯГрСВатепп. о, иагреваюший раствор в отростк, до температуры, прсвышающс и тс 1 иср- туру раствор в кристяллизаторс. С помощью электроиягреватс;1 я т и терморегулиру 1 оиего устройств (и 1 чертеже ис ио 1 сяз 11 и) достигается и поддерживается иужиая тсмперятура раствора и кристаллизаторс. сс)ез к 1 зыпку 1 с 1)истяллизятор 11 Грс 1 ходит ось б кристллоиосця, которая имеет постояисюс или рсвсрсивиос вр;нцси ис. Кристаллизуемос всцсство вводится в кристаллизатор чсрсз трубку б, проходяпую сквозь крышку.Вводмыс в кристаллизятор чстицы кристаллизусмого вссцсств, п- дая на диище, скатываются ио сго коиичсской повсрхиости вниз и иои- дают в отросток, гдс происходит их...

Номер патента: 100988

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, затравок, кристаллов

...выращивания кристаллов весьма вакен правильный выбор формы, размеров и ориентировки затравок, позволяющий выращивать однородные лишенные дефектов кристаллы, имеющие наряду с этим наиболее удобные размеры и форму, опредсляемые требованиями производства.Для выращивания кристаллов с большим поперечным сечением предлагается использовать стержнеобразную затравку, необходимая ориентировка которой, согласно изобретению, осуществляется путем вырезания ее из тела кристалла параллельно ребру, образованному пересечением быстрорастущих граней.В частности, в случае использования фосфата аммония, кристаллы которого, как уже указывалось, имеют вид призм квадратного сече:н я, сочетающихся по обоим основаниям с четырехугольными пирамидами,...

Номер патента: 101179

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...явлений регенерации для получения однородных кристаллов большого размера пред,.1 агается использовать пластинчатую затравку, помещаемую в щелеобразЛ/450364 в Министерстредств связи ные углубления (карманы) плоского кристаллоносца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образованная пересечением быстрорастущих граней кристалла.Для осу 1 пествленця предлагаемого способа выращивания кристаллов веществ, обладающих резко выраженным односторонним ростом, в частности, кристаллов виннокислого этилецдиамцна, головка кристалла разрезается на пластины рядом плоскостей, параллельных или почти параллельных диагональной плоскости, рассекающей кристалл по длине. Прц этом образуется несколько пластин треугольной...

Номер патента: 101189

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: виннокислого, выращивания, затравок, калия, кристаллов, последних, этих

...образованному пересечением грс 1 и С(00) иииаода с одной 1;.; б:.:с-. - рорастущих граней диэдра.Полученные таким образом затравки при выращивании кристаллов располяга отся на плоском кристал;Оносцс тяк, что оы Грань, Охтядяощая на;большей скоростью роста, была направлена наружу.Сущнос; изобретения поясняется 1 ертежом, изобряжяющ 1 м полю 1 О естественнуо форму кристалла ":инокислого калия.Как показа;и исследования, скорости роста различных граней кристалла виинокислого кал.я сущестгеино различны.ДЛЯ ПООИЗЬОДСТВа ЖЕЛЯТЕЛЬНО иметь кристаллы, имсО 1 цис широкие, хорошо развитые гря;и С. Зто обусловлено тем, что пластины д,.я пье зорезснаторов выреза;отся -араллельно этой грани так, ;то д,-,иня их состазляет угол г 45 с высотой...

Номер патента: 108256

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Попов, Шефталь

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, динамического, монокристаллов

...промежутками ПОК 051.2, Прием выполнения спосооа по п. 1, о т л и ч а ю щ и 1"1 с я тем, что выращивание монокристаллов производят из расплавов, а также из газовой среды.3, Прием выполнеция способа по П,1 и 2, отличающийся тем, что при кристаллизации из раство ров и газовой фазы в одном кристаллизаторе получают несколько кристаллов. ИСАНИЕАВТОРСКОМУ В известных способах выращиваци 51 крист аллоя . для Оптического, пьсзоэ,н ктрического и иных цазцаеп ццй с укрепленными в крцсталлцза Гор 1:1 дтравочными кристалла ми применяют динамические методы выращивания монокристаллов, со. стоящие во вращении растуцего кристалла или в перемешивани и раствора.К недостаткам известных способов относится однообразный характер движения, что...

Номер патента: 108804

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Попов, Шефталь

МПК: C30B 7/00

Метки: выполнения, выращивания, динамического, монокристаллов, прием, способа

...ноябри 1956 г. на имя тел же лин способ динамического 1 я кристаллов для оптиоэектрического н иных с укреплением в крие затравочных нристалсв.108256, где беспоижение раствора по отмонокристал.чу создают сивного вращения криа по горизонта.чьнон льной оси, чередуюшссутками покоя. Эт 11 м доорения роста и пмуце.однородного монокрипособа выпутсм ре- исталгчоносряле случасталлов появляется витнем динамического с ращивания кристаллов, версивного вращения кр ца или мешалки, что в ев получения монокри динамическому способу единственно возможным Известенвыра шиван едмет изобретенн полнения динамическовыращнвания монокрнавт. св.108256, отй с я тем, что хаотиче. ие среды выращиваемоа создают реверсивным криста,члоносца и.чи меПредложен метод...

Номер патента: 113626

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

Номер патента: 132615

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Беляев, Витовский, Добржанский, Карпенко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллизатор, кристаллов, раствора

...сосуда 1 - растворение кристаллизуемого вещества и прием конденсата; промежуточный сосуд 2 служит проводником раствора и затвором против попадания зародышей во внутренний сосуд 3, Во внутреннем сосуде происходит рост кристалла на подвешеннойг на нити 7 затравке 8,132 б 15Кристаллизатор снабжен магнитной мешалкой 9 для механического перемешивания раствора в сосуде 3.Выращивание кристаллов из раствора происходит так. Кристаллизатор заполняется насыщенным при заданной температуре раствором. Уровень заполнения кристаллизатора показан на чертеже. На дно между стенками сосудов 1 и 2 вводится избыток кристаллического вещества 6, заведомо больше веса кристалла, котоый желательно получить. За счет некоторого повышения температуры в донной...

Номер патента: 136057

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Петров

МПК: C30B 29/10, C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...ия монокрист щийся тем, араметров в п травкс прида Ррхности ж 1 Д 1 выращиван,отличаюлогических пистальной зсительно пов Спосо ных кисло ства техно ла, монок жение отн крис 1 алл.истале дви- ивают Существующие методы выращивания монокристаллов имеют ряд недостатков, одним из которых является то, что форма движения кристалла (вращение или покачивание кристалл 1 затора) не обеспечивает надежную гермитизацию и не позволяст выращивать кристаллы в ускоренном режиме в формах.Зля обеспечения постоянства технологических параметров в процессе образования монокристалла предлагается способ, в котором моно- кристальной затравке придают возвратно-поступательное движение относительно поверхности жидкой среды, пз которой выращивают кристалл. При...

Номер патента: 152741

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C23C 14/14, C30B 7/00

Метки: 152741

...каждого островка соответствуют определенной ячейке сетки. Так как при собирательной рекристаллизации (в частности в тонких слоях) рост кристаллов прекращается практически при достижении определенного размера кристалла, зависящего в основном от условий проведения опыта (температуры отжига, чистоты материалов и пр.), диаметр ячейки сетки должен быть меньше указанного предельного размера кристалла, а также достаточно малым, чтобы поперечные размеры кристаллов в островке позволяли сохранить высокую скорость роста.Полученный образец подвергался затем длительному отжигу в высоком вакууме (или в атмосфере инертного газа) при температуре, обеспечивающей требуемую скорость роста кристалла. Для германия такая температура лежит в интервале 900...

Номер патента: 197505

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Бирман

МПК: C30B 7/00

Метки: вращающийся, кристаллизатор

...сосуда растворения к 1 зисталлов, что не обеспечивает необходимои равномерной концентрации растьора.Предложе 1 иы кристаллизатор, благодаря конструктивному объединению в одном аппара 1 е камеры для раствор: ння крнсталлоз и самого крксталлизатора путем последовательной установки за обоймои с кристаллодержателями кольцевой перегоьлдки, дисковой перегородки и фигурньх кольцевых диафрагм, позволяет интенсифицировать процесс роста кристаллов за счет омывания их рас твором равномерной концентрации,На чертеже изображен предложенный кристаллизатор. Он содеркит термостатирован. ный вращающийся корпус 1, по центру которого проходит ось 2 с обоймой 3. 11 а обойме закреплены крнсталлодсржа 1 елн 4. За обоймой последовательно установлены дисковая...

Номер патента: 273175

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Золотухин, Цветков, Шустов

МПК: C30B 29/22, C30B 7/00

Метки: вырашивания, искусственных, кальцита, кристаллов, оптического, шихты

...искусственных кристаллов оптического кальцита путем использования всех отходов от обогащения и обработки естественных кристаллов оптического кальцита, полученных из одного месторождения.Основным недостатком известного способа является невозможность обеспечения химической и оптической однородности выращиваемого кристалла.Для устранения этого предложено исходную шихту обогащать материалом из пирамид роста граней одной простой формы,П р и м е р. Из кристаллов месторождения Крутое вырезают, пластины, нормальные к оптической оси, плоскости пластин полируют. Пластины просматривают при помощи люминоскопа, в котором ультрафиолетовые лучи, образованные лампой БУВ, пропускают через фильтр из стекла УФС, поглощающий видимое излучение.Объем...

Номер патента: 394317

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Лебедь, Мосель, Муха, Титова, Яковлен

МПК: C01G 49/00, C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов, ферромагнитных, шихта

...расплавекристаллов с общей формулой з .Еео. А 1 1 п. Опь обладающих нченностью насыщения 4 зтМ, не болееузкой линией ферромагнитного рез(ф. м. р.) не более 1 э и полем анизо- не оолее 1 О э. Это достигается тК 1тИв известную шпхту на основе 1 еОз,ГезОз, А 1(ОН)РЬО, РЬР 2 вводят окдия, и разработанный состав шихтыследующее соотношение компонентов: Синтезированные монокрпсталлы имеют15 состав 1 е,з ттс 1 о,о А 1 ю,о 1 п о,зз Рез,75 Оснамагниченностью насыщения 4 тМ 400 гс,К,9 э, шир;ной линии ф.м.р. (измеренияИпроводятся на частоте 500 Мгтт), равной для20 лиска 0,7 э, лля сферы 1 э.П р и и е р. Исходные компоненты шихтыуказанного состава перемешивают путем виброомола, загружают в платпновьп тигельемкостью 250 слтз, закрывают платиновой25...

Номер патента: 425420

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Гаврилова, Козин

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, дигидрофосфата, калия, кристаллов

...пере сыщения.Это достигается тем, что в процессе выращивания в кристаллизационную камеру добавляют ненасыщенный раствор при комнатной температуре, а конденсат отво дят в количестве, равном количеству растворителя, добавленному с раствором.П р и м е р. Путем синтеза, например, по реакции КОН+НзР 04 = КНР 04+ Н,О из ранее приготовленной соли готовят пасы щенный раствор данной концентрации. Раствор перегревают выше температуры его насыщения на 1 - 2 С и заливают в кристаллизационную камеру с заранее укрепленными и нагретыми в нем затравками, 30 Одновременно с этим к кристаллизационной камере подсоединяют устройство для подпитки раствора и отвода конденсата. Вещество, с помощью которого производят подпитку, вводят в кристаллизационную...

Номер патента: 968105

Опубликовано: 23.10.1982

Автор: Штайнбрух

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов, этилендиаминтартрата

...продуктов. В отличие от всех известных способов, при которых прогрессирующие разложение лишь ограничивается или замедляется стабилизацией раствора для выращивания кристаллов с помощью смешения химического равновесия или значения рН, задача изобретения состоит также в том, чтобы с самого начала устранить причины для возникновения производных продуктов разложения и полимеризации без отрицательного влияния на процесс выращивания и на гомогенность вырашенных кристаллов,Предполагалось; что разложение ЭДТ- растворов для вырашивания кристаллов основывается на благоприятной (за счет тепла и света) реакции поликонденсации ЭДТ- продуктов расшепления. Предлагаемым способом посредством спектрохимических и химических исследований растворов и...

Номер патента: 1065507

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Клубович, Михневич, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, раствора

...пропеллеров.Кроме того, держатель установленс возможностью реверсивного вращенияНа фиг. 1 приведена схема предлагаемого устройства для выращиваниякристаллов из раствора; на Фиг 2 схема движения раствора относительнорастущего кристалла при вращениидержателя против часовой стрелкина Фиг. 3 - схема движения раствораотносительно растущего кристалла привращении держателя по часовой стрелке.Устройство .содержит кристаллнзатор 1 с раствором держатель 2, выполненный с возможностью реверсивного вращения с закрепленным на немрастущим кристаллом 3, зеркальносимметричные пропеллерные мешалки4, закрепленные на оси.держателя 2 65 по обе стороны от растущего кристаЛ ла 3.Устройство работает следующим образом.При вращении держателя 2 вместе с ним...

Номер патента: 1089178

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 7/00

Метки: блоков, виннокислого, выращивания, калия, косого, кристаллов, среза

...требуемым образом 1.Пьезоэлектрические резонаторы из крис О таллов виннокислого калия, как правило, ориентированы относительно граней кристалла под различными углами, что необходимо для достижения малого температурного коэффициента частоты. Обычно для того, чтобы вырезать нужного среза кристаллические пластины для резонаторов предварительно вырезают соответственно ориентированный прямоугольный блок, который затем распиливается на пластины. При этом способе получается много отходов кристалла, поэто О му выгодно выращивать кристаллические блоки, ориентированные под нужными углами к граням кристалла.Цель изобретения - облегчение получения кристаллов и улучшения их качества.Указанная цель достигается способом выращивания косого среза из...

Номер патента: 1096312

Опубликовано: 07.06.1984

Авторы: Войцеховский, Николаева, Якобсон

МПК: C30B 7/00

Метки: насыщения, раствора, температуры

...насыщения), раствор 1 в дворике растворения имеет более высокую концентрацию и, следовательно, более высокий показатель преломления по сравнению с окружающей массой раствора. При росте кристалла т.е. при температурах ниже точки насыщения (при концентрациях вьппе концентрации насыщЕния, концентрация раствора и показатель преломления в дворике кристаллизации ниже, чем в основной массе раствора. В насьпценном растворе, когда кристалл не растет и не растворяется, отсутствует различие в концентрациях, а следовательно, и в показателях преломления в основной массе раствора и в слое, примыкающем к кристаллу. чтобы часть очертаний предмета просматривалась через дворик кристаллизации. Искажения очертаний предметов или их линий при росте и...

Номер патента: 1474184

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Аветисян, Аракелян

МПК: C30B 15/20, C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, периодической, структурой

...с периодической структурой. Способ реализуетсяпутем возбуждения в объеме кристаллизуемого раствора или расплаваультразвуковой волны, волновой вектор которой параллелен направлениюкристаллизации, при этом поверхностирастущего кристалла и источникаультразвука служат стенками резонатора. Условия периодического возникновения стоячей ультразвуковой волныобеспечивают движение поверхностирастущего кристалла, которая является отражателем ультразвукового резонатора. 1 ил. ку выращиваемого кристалла и ультразвуковой излучатель таким образом, что они создают ультразвуковойрезонатор, причем одной из стенокрезонатора служит поверхность растущего кристалла, По мере ростакристалла происходит изменение длины резонатора, что, в свою очередь,приводит...

Номер патента: 1412378

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Асхабов, Ракин

МПК: C30B 7/00

Метки: насыщения, температуры

...30 точки насьпцения и опускают кристалл алюмо.-калиевых квасцов размером 5 мм в диаметре, укрепленный на проволочном кристаллоносце, Спай регистрирующей медь-константановой термопары ус танавливают на уровне центра кристалла. Холодный спай устанавливают в дьюаре с тающим льдом, ТермоЭДС медьконгтантановой термопары составляет 40 мкВ/град. Объектив 4 диаметром 4 см имеет фокусное расстояние 18 см. В фокусе объектива устанавливают круг., лую черную диафрагму 5 диаметром ., . 0,5 мм. 1 а экране 6 появляется яркое .изображение дворика кристаллизации во 5 круг растворяющегося кристалла. Тем" пературу раствора понижают в режиме естественной конвекции, По мере охлаждения регистрируют температуру, соответствующую исчезовеню изобра 50 жения...

Номер патента: 1622429

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...и может 5 ыть использовано в биохимии, кристаллографии и кристаллохимии при выращивании кристаллов в условиях невесомости,Цель изобретения - повышение надежности устройства, а также уменьшение его массы и габаритных размеров.На фиг.1 показано устройство для выращивания кристаллов белка в рабочем положении, продольный разрез; на фиг,2 - сечение Л - Л на фиг,1,Устройство состоит из двух выполненных в форме дисков неподвижных блоков 1 с соосными цилиндрическими камерами, заполненными белковыми и солевыми растворами, расположенного между ними и имеющего форму диска подвижного блока 2 с каналами буферного раствора, в которых установлены мембраны 3 ерметично уплотненные резиновыми кольцами 4 и гайками 5, двух запирающих прозрачных дисков 6,...

Номер патента: 1627600

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...29, как и кольцевая полость5, после заполнения соответствующимирастворами, герметично затворяются одно 45 типныгли затворами 19 при помощи уплотнительных колец 20, шайб 21 и резьбовыхвтулок 22 (фиг, 4). Затвор 19 представляетсобой втулку 37, закрытую с торцов тонкимиэластичными стенками 38, внутренний обьем которой заполняется буферным раствором (нейтральной жидкосгью).Эластичные стенки 38 закреплены на втулке 37 при полющи ниток 39 (фиг. 5), Зд счет 5 тонких эластичных стенок такой затвор позволяет легко компенсировать изменения давления и обьемон жидкостеи, закл:оченных в камерах и кольцевой полости, д зд счет объема жидкости, заключенной в затворе, 10 предотвращается высыхание жидкостей в камерах и кольцевой полости, 1 ри...

Номер патента: 1640219

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: B01D 63/00, C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...например стали, и гуммируется селиконовой резиной для получения эластичных камер белкового раствора.Эластичные камеры позволяют компенсировать температурные изменения давления внутри камер, изменения давления прикристаллизации.В таком положении камеры белкового 5 10 15 20 25 3035 ао45 50 ния более эластичной камеры белкового раствора.Крышка 10 затягивается гайкой 11, герметизируя камеры 3 белкового раствора.Камеры 7 буферного раствора, расположенные в прижимном диске 6,.имеют выход в полость корпуса 1, образуя общую дополнительную камеру 22 буферного раствора, в которой расположен конусный клапан 13 гидроразьема.В камеры 7 буферного раствора диска 6 предварительно вставляются фитили из стекловаты с выходом в общую камеру 22,...

Номер патента: 1647043

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Клубович, Кондрашов, Семенович, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, растворов

...и других техни кристаллов.Целью изобретения явля ние надежности работы устр щение его конструкциии.На чертеже изображен продольный разрез,Устройство включает к онный сосуд 1 и кристалл Средство спирального пере сталлодержателей 2, содер лерную мешалку 3, уста возможностью свободного в сительно горизонтальной ос креплена на консоли 4, Консо на штоке 5, установленном с вращения вокруг вертикальн вочные кристаллы б установл сти работы онструкции. зационный м с возможзакреплена новлена меи располодикулярно ешалки уста- Устройство ещение кривода вертиил.1647043 5Составитель В,Захаров-Черненко гулич Техред М,Моргентал Корре В,Гирняк Рада ор каэ 1380 Тираж 265 Подписное БНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при...

Номер патента: 1650797

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Азаров, Клубович, Кондрашов, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...и удаляют с его поверхности капельки раствора путем легкого встряхивания кристалла, Нагревают кристаллизатор с раствором и вазелиновым маслом до 48 С и выдерживают при этой температуре до полного растворения пара- СЬ зитных кристаллов (в течение 4 ч), Охлажда- (Я ют раствор до первоначальной температуры О роста 38 С и вводят в него кристалл. Пленка с ваэелинового масла на поверхности кристалла не наблюдается. Выращивают кристалл в течение 24 ч до достижения им размеров 15 мм. Исследование выращенного крисалла показывает, что он является визуально прозрачным, не содержит вклю- ф чений, оптических неоднородностей.П р и м е р 2. Выращивают кристалл КДР в тех же условиях, что и в примере 1, но без ваэелинового масла. В период растворения...