C30B 17/00 — Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу Накена-Киропулоса

Номер патента: 220961

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Белогуров, Радкевич

МПК: C30B 17/00

Метки: диаметра, кристалла

...темвыращ-нимаютысоту и ии после Известный способ контроля диаметра сталла, находящегося в тигле, в процессе ращивания его из расплава заключается сравнении величины поглощения радиоак ного излучения выращиваемым кристалло эталоном.Особенностью описываемого способа явл ся то, что выращиваемый кристалл пери чески поднимают относительно тигля на данную высоту и измеряют уровни расплав тигле до и после подъема. Это позволяет ределить диаметр кристалла в процессе вь щивания без использования сложного об дования. Расплав исходного матери тигле, представляющем собой ческой формы. В процессе ро периодически поднимают отн на небольшую высоту поряд расплава в тигле при подъе. нижается на величину, соот соте подь ем а и ди а м етру кр что...

Номер патента: 462393

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Петров, Туманов

МПК: C30B 17/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...независи- З 0 мого перемещения по вертикали, на внутренней из которых укреплен экран.Это позволяет, в связи с интенсивным охлаждением экрана, увеличить температурный градиент по длине кармана формы и помещенной в него затравки и предотвратить ее расплавление при заливке расплава в форму.На чертеже изображена схема описываемого устройства.Устройство включает керамическую форму 1 с карманом 2 в дне, в который помещают монокристаллическую затравку 3 требуемой ориентации. Форма установлена на опорном столе (не показано) внутри нагревателя 4. Под формой расположен водоохлаждаемый холодильник, выполненный из двух телескопических секций 5 и б. Внутренняя секция 5 снабжена укрепленным сверху экраном 7 из молибденовой трубки, охватывающим...

Номер патента: 1576598

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Белогуров, Маликов, Стадник

МПК: C30B 17/00

Метки: жидкой, кристалла, параметров, поверхности, раздела, фазы

...и жидкой Фазы Зизмеряют амплитуду колебаний резонансной частоты акустической системыв процессе роста кристалла и сравнивают ее с амплитудой колебаний резонансной частолы системы для кристалла, расходящегося в системе с плоской поверхностью раздела. При этомцем больше поверхность раздела кристалла и жидкой Фазы, тем меньше амплитуда колебаний. 45Для определения длины растущегокристалла измеряют резонансную частоту.акустической системы до и после перемещения поверхности разделатвердой и жидкой Фаз, При этом чем 50меньше резонансная частота системы,тем больше длийа кристалла (нижеуровень поверхности раздела твердойи жидкой фаз).Для определения Формы поверхнос- ути раздела кристалла и жидкой Фазыизмерения, амплитуды колебаний...

Номер патента: 768052

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Ломов, Мусатов, Папков, Суровиков

МПК: C30B 17/00, C30B 29/20

Метки: выращивания, киропулоса, корунда, методом, монокристаллов

...процесса. По мере ростакристалла расплав постепенно втягивается снизу внутрь обечайки силамиповерхностного натяжения, При определенных условиях уровень расплава между стенкой тигля и обечайкой можетравномерно распределяться по периметру и к моменту завершения процессакристаллизации понижаться до дна тигля, т,е, полностью переходить внутрьобечайки. Наличие расплава вокругобечайки способствует уменьшению температурного градиента на фронте кристаллизации, а равномерный уровеньрасплава благоприятствует выравниваниютеплового поля и уменьшению градиентаскорости кристаллизации по периметру,Тем самым устраняются условия захватакристаллом пузырей. Благодаря капиллярному эффекту малейшие зазоры между стенкой обечайки и поверхностьюрастущего...

Номер патента: 1132606

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Антонихин, Блецкан, Дерябин, Кузьмина, Макаров, Папков, Суровиков

МПК: C30B 17/00

Метки: выращивания, монокристаллов, тугоплавких

...на чертеже показаны помещенныйв тигель 6 формообразователь 13,представляющий собой цилиндр из молибдена.или вольфрама толщиной 0,10,5 мм и высотой 0,8-0,9 высоты тигля 6, часть выросшего от затравочного стержня 11 кристалла 14, отделенная от расплава 15 островыпуклымфронтом кристаллизации, обозначенным пунктирной линией. При сборкеописанного устройства его элементы1-13 должны располагаться соосно другдругу.Введение в устройство отражателя12 повышает его стойкость, увеличиваясрок службы всего устройства до 50 иболее процессов. Введение отражателя обеспечивает достижение стабильности теплового поля кристаллизационного узла через 5-6 процессов, в товремя как в известном устройстве вертикальный экран 2 выходит из строяраньшечем...

Номер патента: 1647045

Опубликовано: 07.05.1991

Автор: Цирульник

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, иодистого, кристаллов, цезия

...выращивания кристаллов, конкретно щелочногалоидных кристаллов иодистого цезия, и позволяет уменьшить пластичность кристаллов. В тигле расплавляют шихту соли иодистого цезия. Кристалл вытягивают из расплава на затравку, ориентированную вдоль оси 100 . На лазерных окнах, вырезанных из кристалла перпендикулярно оси роста, достигают предела текучести 1 кг/мм,дой, Рост кристалла осуществляют в воздушной атмосфере в вертикальной муфельной печи из платинового тигеля с расплэвом соли иодистого цезия, Печь закрывают керамической крышкой со смотровым окном. Перед началом цикла выращивания соль расплавляют, отжигают при 680 С. Через смотровое окно опускают кристаллодержатель с затравкой под крышку печи. Прогретую в течение 3 - 5 мин затравку...

Номер патента: 1538557

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Любинский, Неменов, Проценко, Радкевич, Эйдельман

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: активированных, выращивания, монокристаллов, щелочно-галоидных

...до 820 С и бокового - до 850 С. Через 2 ч после расплавления сырья в тигле соприкасают затравку с расплавом, оплавляют ее до удаления поверхностых дефектов и корректируют температуру донного нагревателя до достижения теплового равновесия,Затем соприкасают щуп с поверхностью расплава и включают систему автоматизированного радиального разращивания монокристалла до заданного диаметра (270-320 мм) с подпиткой неактивированной шихтой, После окончания разращивания по диаметру начинают автоматизированный рост по высоте с подпиткой шихтой, в которую вводят активатор концентрацией в шихте С 1, в течение времени 1, затем с концентрацией в шихте С 2 до окончания выращивания.Конкретные примеры различных вариантов режимов двухстадийной...

Номер патента: 1412383

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Буравлева, Чаркина, Чубенко, Эйдельман

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, иодистого, монокристаллов, цезия

...кристаллов при сохранении оптических свойств Способ включает нагрев шихты,содержащей иодистый цезий с добавкой 4-5 масВ бромистого цезия, После нагрева до плавления проводят выдержку в течение 1,0-1,5 ч. Нагрев и выдержку расплава ведут при непрерывном вакууми-гровании до давления 1 10 в , 510 г мм рт.ст а рост кристалла ведут в атмосфере азота при давлении 110 -1,10 мм ртст., Достигнут предел текучести 200-260 г/мм 2, 1 табл,1412383 условиях без добавления примеси бромистого цезия, улучшены при этом оптические свойства. формула изобретения Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия, включающий нагрев шихты, содержащей иодистый цезий с добавкой бромистого цезия, до плавления, выдержку и последующий рост кристаллов по методу...

Номер патента: 1264604

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Брюквина, Иванов, Фигура, Хулугуров

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, основе, фторида

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ОСНОВЕ ФТОРИДА ЛИТИЯ для лазерных элементов из расплава, содержащего фторид и гидроксид лития, в тигле, отличающийся тем, что, с целью удешевления процесса при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих F+2-центры в кристаллах, процесс проводят в тигле из никеля или стеклографита в атмосфере инертного газа при добавлении в расплав оксида бора в количестве 0,001 0,100 г/см2 поверхности расплава.

Номер патента: 1028100

Опубликовано: 09.08.1995

Авторы: Волкова, Исянова, Князев, Лобанов, Максимова, Щепина

МПК: C30B 17/00, H01S 3/16

Метки: лазеров, оптических, элементов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ ЛАЗЕРОВ на основе монокристаллов фторида лития, включающий выращивание монокристалла на воздухе из расплава исходного материала на затравку путем его охлаждения с последующим облучением монокристалла ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения лучевой прочности отптического элемента без снижения концентрации рабочих центров, исходный материал берут в виде мелкодисперсных частиц, которые получают предварительным выращиванием кристаллов фторида лития из расплава в вакууме, измельчением их на воздухе и отмучиванием.

Номер патента: 1589688

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Вааг, Карпов, Лызганов, Самбуева, Смольская, Юрьева

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, калия, монокристаллов, хлористого

Способ выращивания монокристаллов хлористого калия, включающий плавление шихты с добавкой соединения галогена, имеющего температуру испарения ниже температуры плавления хлористого калия, выдержку расплава и выращивание из него кристалла на затравку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коэффициента поглощения излучения на длине волны 10,6 мкм, в качестве добавки используют C2F4 в количестве 0,02 - 0,10 мас.%.

Номер патента: 1565084

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Иванов, Хулугуров, Чернышев, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, фторида

Способ выращивания кристаллов фторида лития для лазерных элементов из его расплава, содержащего ионы гидроксила, в стеклографитовом или никелевом тигле в инертной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью удешевления продукции при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих лазерно-активные F+--центры в кристаллах, ионы гидроксила вводят в расплав путем добавки паров воды в инертную атмосферу при их парциальном давлении 20 - 30 мм рт.ст.

Номер патента: 1575585

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Волочек, Иванов, Хулугуров, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристалла, лития, фторида

1. Способ выращивания кристалла фторида лития с примесью гидроксила для лазерных элементов, включающий приготовление шихты фторида лития с добавкой и вытягивание кристалла из расплава, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа при сохранении концентрации гидроксила, в качестве добавки используют соединение фтора, разлагающееся при температуре плавления фторида лития в концентрации 0,1 - 1,0 мас.%, а вытягивание ведут на воздухе.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NH4F.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NiF2.

Номер патента: 1319645

Опубликовано: 10.09.2013

Авторы: Исянова, Лобанов, Максимова, Цирульник

МПК: C30B 17/00, C30B 29/42, C30B 33/00 ...

Метки: монокристаллов, натрия, фтористого

Способ получения монокристаллов фтористого натрия, содержащих лазерноактивные -центры окраски, включающий вытягивание исходного вещества с добавкой гидроокиси натрия на вращающуюся затравку, остающуюся в расплаве, и облучение ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности монокристаллов и термической устойчивости -центров, в расплав дополнительно вводят азотнокислый натрий и фторид кальция при следующем содержании компонентов, мас.%: