C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1132606

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Антонихин, Блецкан, Дерябин, Кузьмина, Макаров, Папков, Суровиков

МПК: C30B 17/00

Метки: выращивания, монокристаллов, тугоплавких

...на чертеже показаны помещенныйв тигель 6 формообразователь 13,представляющий собой цилиндр из молибдена.или вольфрама толщиной 0,10,5 мм и высотой 0,8-0,9 высоты тигля 6, часть выросшего от затравочного стержня 11 кристалла 14, отделенная от расплава 15 островыпуклымфронтом кристаллизации, обозначенным пунктирной линией. При сборкеописанного устройства его элементы1-13 должны располагаться соосно другдругу.Введение в устройство отражателя12 повышает его стойкость, увеличиваясрок службы всего устройства до 50 иболее процессов. Введение отражателя обеспечивает достижение стабильности теплового поля кристаллизационного узла через 5-6 процессов, в товремя как в известном устройстве вертикальный экран 2 выходит из строяраньшечем...

Номер патента: 1640219

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Дуров, Козлов

МПК: B01D 63/00, C30B 7/00

Метки: белка, выращивания, кристаллов

...например стали, и гуммируется селиконовой резиной для получения эластичных камер белкового раствора.Эластичные камеры позволяют компенсировать температурные изменения давления внутри камер, изменения давления прикристаллизации.В таком положении камеры белкового 5 10 15 20 25 3035 ао45 50 ния более эластичной камеры белкового раствора.Крышка 10 затягивается гайкой 11, герметизируя камеры 3 белкового раствора.Камеры 7 буферного раствора, расположенные в прижимном диске 6,.имеют выход в полость корпуса 1, образуя общую дополнительную камеру 22 буферного раствора, в которой расположен конусный клапан 13 гидроразьема.В камеры 7 буферного раствора диска 6 предварительно вставляются фитили из стекловаты с выходом в общую камеру 22,...

Номер патента: 1640220

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Колесниченко, Кукоз, Лозовский, Тузовская

МПК: C30B 19/06, C30B 29/06, C30B 29/08 ...

Метки: легированных, летучей, примесью, слоев

...равна 2 - 3 мкм. Далее устанавливают рабочую температуру в печи 1300 С при градиенте температуры, направленном перпендикулярно плоскостям пластины и равном 15,С/см. Перекристаллизацию источника осуществляют в тецение 40 мин,1640220 Формула изобретения Способ получения слоев Я или бе, легированных летучей примесью, включающий формирование между двумя пластинами Я или бе зоны раствора-расплава уменьшенной толщины в периферийной области и последующее перемещение зоны через одну из пластин под действием градиента температуры, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью получения слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления, формируют зону толщиной в периферийной области 2 - 5 мкм. Составитель А....

Номер патента: 1345682

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Алябьев, Артемов, Буланов, Папков, Перов

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: лент, монокристаллических, сапфира

...Выход основной Фракции составляет 52%, а трудоемкость измельчения1 кг исходного материала составляетО, 1 Н/ч.Повторный нагрев отделенной хруп" ной фракции с последующим сбросом ее в воду, измельчением и просеиванием через набор сит увеличивает суммарный выход годного до 80%.После операции измельчения исходный материал загружают в тигель, при этом возможно испольэовать фракцию любого размера, а основную Фракцию загружают в подпиточный бункер. Камеру установки "Спектр с реэистивным нагревом вакуумируют приблизительно до 1 10мм рт.ст. и лоднимавт мощность до расплавления корунда в тигле. Предварительно, при достижении температуры в камере 1200 С в камерунапускают инертный газ Ат до давленияО,О атм. После расплавления корунда производят...

Номер патента: 1641898

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Телегенов, Черкасов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/04

Метки: кристаллов, оксидно-галогенного, соединения, теллура

...свидетельствует об иххорошей чистоте,П р и м е р 2, В кварцевый реактор емкостью 1 л загружают 350 гТеО, устанавливают кварцевую перегородку с отверстиями и заливают водный раствор НВг концентрацией40 мас.Х. Соотношение жидкой и твердой фаз 4, б: 1, 5. Реактор герметизируют фторопластовым затвором с капилпяром, соединенным с резиновой трубкой, которая отведена в кварцевуюемкость с водой. Подготовленный реактор помещают в печь сопротивления,где его нагревают до 80 С с температурным перепадом 5 С Время выдержкикварцевого реактора в стационарномрежиме составляет 5 сут. Исходнаяшихта при указанных параметрах растворяется и конвекционным движениемЗОпереносится в обьем раствора, гдеза счет температурного перепадаи испарения растворителя...

Номер патента: 1641899

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/30, C30B 7/10

Метки: калия, монокристаллов, стибиотанталата

...3,9-4,5 мм,Основные параметры процесса получеиия монокристаллов К БЬТаО представлены в таблице,Определение химического состава и идентификацию монокристаллов осу ществляли методом рентгеноспектрального и рентгеноструктурного анализа.В рентгеноструктурных исследованиях использованы методы Лауэ, Вейсенберга и порошка при СцК 0-излуче нин аУстановлено, что монокристэллы относятся к дитригональнопирамидальному (3 щ) классу тригональной сингонии с параметрами элементарной ячейки: а = 10,653+0,004, с= 11,597++0,005 А (в гексагональной установке).Изучение систематики погасанийрефлексов на вейсенбергограммах,симметрии лауэграмм с учетом изучения пироэффекта позволяет выбрать длямонокристаллов К БЬТа 0 полярнуюпространственную группу...

Номер патента: 1641900

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, оксида, сурьмы

...последовательности операций и проведения эксперимента аналогична примеру 1, Основные физико-химические параметры ведения процесса получения монокристаллов ЗЬ 20 з кубической модификации следующие: количество ЯЬС 1 з 40 г, концентрацияводных растворов НМОз и НгОг составляет 14 и 6 мас,;(, соответственно, объемное соотношение Ч нйозЧнгог= 3:1 Ч нио з + н гогЧ эьоз=3,5:1,1. температура 150 С,температурныйперепад 45 С,давление 12 атм. При установившемся стационарном режиме происходит образование монокристаллов оксида сурьмы с выходом 92,5 . Размеры кристаллов составляют 6- 6,5 мм.П р и м е р 3, Методика оформления, последовательности операций и проведение эксперимента аналогична примеру 1, Физико-химические параметры проведения...

Номер патента: 1641901

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Коневский, Кривоносов, Литвинов

МПК: C30B 29/20, C30B 33/02

Метки: качества, корунда, монокристаллов, профилированных

...в таблице данные имеют следующие обозначения: Т - температура отжига; Р - парциальное давление кислорода в зоне отжига; т 1 - время разогрева печи; х - время изотермической выдержки; тз - время снижения температуры; х 4 - время инерционного охлаждения; М - энергетические затраты по сравнению с прототипом; К - коэффициент скрытого брака.Печь нагревают в течение времени т 1 до температуры Т и выдерживают при этой температуре в течение времени г 2, после чего выключают нагрев, и печь инерционно остывает до комнатной температуры в течение времени гз . Затем извлекают из печи отожжейные образцы и визаульно контролируют наличие инородной фазы (помутнение кристаллов),При сравнении результатов отжига основными показателями...

Номер патента: 1213781

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Алябьев, Папков, Перов, Шевченко

МПК: C30B 15/34, C30B 29/20

Метки: выращивания, лент, монокристаллических, сапфира

...диаметру графитового нагревателя 5. Этот цилиндр вставляютвнутрь графитового нагревателя 5.Затем собирают устройство из графи"тоного нагревателя 5 с молибдено"ным цилиндром, пьедестала 4 и экранон 7. С помощью резистивиого нагрева графитового нагревателя 5 совставленным в него цилиндром подннмаот темйературу до2000 С и выдерживают в течение 0,5-1 ч. Приэтой температуре происходит интенсивная диффузия углерода в молибденовый цилиндр, взаимодействие егос молибденом с образованием слоя 6,карбида молибдена. При,этом давление паров углерода падает с 10 до.в1 0 " атм , т , е . уменьшается на три порядка .Спой 2 вольфрама на внешнюю поверхность молибденового тигля нано"сят при помощи плазменно-дуговойгорелки при 4 5000 С с использованием 3781...

Номер патента: 1643633

Опубликовано: 23.04.1991

Авторы: Бичурин, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, соединения

...градиента температуры 1,6-2,1 град/см, Получают мснокристаплы в виде удлиненныхксаганальных призм длиной 3-б мм. Выд кристаллов 83 - 90;4 2 табл. клава происходит образование манакристаллав Яс 2 ЯЬ 409. Полученные манокристаплы кристаплизуются в виде удлиненных гексагональных призм, длина которых колеблется от 1 до 3 мм, Указанная область получения манокристаппов Яс 2 ЯЬ 409 ограничена параметрами: ЯЬ 20 з:Яс 20 з= 1.2;1=620 С; Л 1= 1,6 град/см, СсзР = 18 мас.,4.П р и м е р 2. Исходные компоненты шихты ЯЬ 20 з и Яс 20 з, взятые в мапьнам отношении 1,5;2,4, помещают на дно автоклава, устанавливают перегородку и затем заливают водный раствор фтаристага цезия концентрацией 36 мас,0/ Отношение жидкой фазы к твердой составляет б:1. Автоклав...

Номер патента: 1644996

Опубликовано: 30.04.1991

Автор: Истомин

МПК: B01J 3/06, C30B 29/04

Метки: алмазов

...этотвзрыв усилен ускорением процесса в тысячураэ, за счет многоцентровой объемной детонации, вызванной ультразвуком; Оболочкакапсулы под воздействием кумулятивноговзрыва сжимается (схлопывается) внутрь сбольшой начальной скоростью, производясжатие предварительно нагретого электрическим током углеродсодержащего сырья.В целях безопасности обслуживающегоперсонала, а также для усиления еще болеевзрывного воздействия. на капсулу стакан13 с его содержимым помещают в емкость18 (фиг. 5), заполненную диэлектрическойжидкостью 19, например минеральным маслом или водой, Жидкость препятствует разлету продуктов взрыва взрывчатоговещества, тем самым усиливая их воздействие. на сжимаемую капсулу (увеличивает,время удеожания давления и температуры);а...

Номер патента: 1647042

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Ганин, Лиманов, Лифшиц, Мусатова

МПК: C30B 1/08, C30B 13/22

Метки: выращивания, монокристаллических, пленок

...поликремниевой пленкой 5, Размеры зоны нагрева определяют с одной стороны длиной и диаметромспирали источника 1, а с другой стороны - условиями фокусировки. Подложку 4, установленную нэ подложкодержателе 3 с вмонтированным в него нагревателем 7, перемещают со скоростью 5 10 м/с. При этом для компенсации ассиметрии теплового распределения в зоне нагрева собирающую линзу 2 смещают в направлении перемещения подложки 4 с держателем 3 на 1,5 10и, что удовлетворяет соотноше,Чнию Лх = А . Для осуществления смеащения собирательной линзы 2 в системе фокусировки последнюю закрепляют в каретке, установленной на направляющей типа "ласточкин хвост" (не показано). Величина смещения регулируется дифференциальным винтом. Переводной коэффициент А...

Номер патента: 1647043

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Клубович, Кондрашов, Семенович, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов, растворов

...и других техни кристаллов.Целью изобретения явля ние надежности работы устр щение его конструкциии.На чертеже изображен продольный разрез,Устройство включает к онный сосуд 1 и кристалл Средство спирального пере сталлодержателей 2, содер лерную мешалку 3, уста возможностью свободного в сительно горизонтальной ос креплена на консоли 4, Консо на штоке 5, установленном с вращения вокруг вертикальн вочные кристаллы б установл сти работы онструкции. зационный м с возможзакреплена новлена меи располодикулярно ешалки уста- Устройство ещение кривода вертиил.1647043 5Составитель В,Захаров-Черненко гулич Техред М,Моргентал Корре В,Гирняк Рада ор каэ 1380 Тираж 265 Подписное БНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при...

Номер патента: 1647044

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Архангельская, Батыгов, Лукишова, Полетимов, Щеулин

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: амплитудных, фильтров

...на фиг.3 - профиль пропускания амплитудного фильтра из монокристалла ЯГГ 2. Иа.Устройство для проведения процесса содержит неокрашенный образец 1 фторида щелочноземельного металла, легированного литием, калием или натрием, ампулу 2 с неокрашенным образцом, 3 - щелочноземельный металл 3, где АВ, ВС, СО - обозначение сторон кристалла, г - расстояние в образце кристалла вдоль градиента пропускания,П р и м е р 1. Изготавливают амплитудный фильтр из кристалла фторида стронция ЯгГ 2; Йа (концентрация фторида натрия (МаР). в шихте при выращивании кристалла 0,3 мольо) толщиной 1 мм с про.- филем пропускания, представленным на фиг.З 1/1 о, как функция г, где г - расстояние в образце вдоль градиента пропускания), длина волны А, на которой...

Номер патента: 1647045

Опубликовано: 07.05.1991

Автор: Цирульник

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, иодистого, кристаллов, цезия

...выращивания кристаллов, конкретно щелочногалоидных кристаллов иодистого цезия, и позволяет уменьшить пластичность кристаллов. В тигле расплавляют шихту соли иодистого цезия. Кристалл вытягивают из расплава на затравку, ориентированную вдоль оси 100 . На лазерных окнах, вырезанных из кристалла перпендикулярно оси роста, достигают предела текучести 1 кг/мм,дой, Рост кристалла осуществляют в воздушной атмосфере в вертикальной муфельной печи из платинового тигеля с расплэвом соли иодистого цезия, Печь закрывают керамической крышкой со смотровым окном. Перед началом цикла выращивания соль расплавляют, отжигают при 680 С. Через смотровое окно опускают кристаллодержатель с затравкой под крышку печи. Прогретую в течение 3 - 5 мин затравку...

Номер патента: 1650797

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Азаров, Клубович, Кондрашов, Толочко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...и удаляют с его поверхности капельки раствора путем легкого встряхивания кристалла, Нагревают кристаллизатор с раствором и вазелиновым маслом до 48 С и выдерживают при этой температуре до полного растворения пара- СЬ зитных кристаллов (в течение 4 ч), Охлажда- (Я ют раствор до первоначальной температуры О роста 38 С и вводят в него кристалл. Пленка с ваэелинового масла на поверхности кристалла не наблюдается. Выращивают кристалл в течение 24 ч до достижения им размеров 15 мм. Исследование выращенного крисалла показывает, что он является визуально прозрачным, не содержит вклю- ф чений, оптических неоднородностей.П р и м е р 2. Выращивают кристалл КДР в тех же условиях, что и в примере 1, но без ваэелинового масла. В период растворения...

Номер патента: 1650798

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Антощенко, Байганатова, Таурбаев

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкофазной, эпитаксии

...внутренней поверхности фильеры выполнено углубление, образующее с горизонтально острый угол. 4 ил. меру 6 и камеру 7 роста. Дном камеры 7 роста служит подложкодержатель 8 с размещенной в его углублении подложкой 9, Поршневая камера б и камера 7 роста сообщаются между собой при помощи фильеры 10, выходное отверстие которой выполнено в виде горизонтальной щели 11. На внутренней поверхности фильеры 10 выполнено углубление 12, образующее острый угол к горизонтали по всей ширине камеры 7 роста. Под подложкодержателем 8 размещена емкость 13 для отработанного расплакости 2 контеинера 1 поме мое количество расплавов, а подложкодержателя 8 - подл гомогениэации расплава при эпитаксии первый расплав с1650798ния подложки, что дополнительно...

Номер патента: 1650799

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Алексеев, Алесковский, Губайдуллин, Дрозд, Румянцева, Щекочихин

МПК: C30B 25/00

Метки: полупроводниковых, структур

...загрузки реактора 1 производят откачку из него аргона с помощью форвакуумного насоса 11, открыв при этом вентили 12, 13, 14. Затем реактор вакуумируют припомощи диффузионного насоса 15 до давления не выше 10 Па, при этом закрывают вентиль 14 при открытых вентилях 12, 13 и 16, Отключают форвакуумный насос 11 и напуск в него воздуха, открывают вентиль 14 при закрытом вентиле 16, Синтез многослойной периодически чередующейся структуры на поверхности партии образцов с толщиной каждого слоя по 10 нм и общей их толщиной 100 нм на основе соединений селенида цинка и селенида кадмия начинают с напуска металлоорганического соединения цинка, открывая вентиль 17, закрывают его и открывают вентиль 16. Затем подают селенистый водород, Для этого...

Номер патента: 1650800

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Воробьев, Скульский, Тибилов

МПК: C30B 25/14

Метки: газов, газофазной, подачи, реактор, эпитаксии

...примеру 1, толькооткрывается клапан 13, при этом сбросовыйпоток Мз = 100 см/мин, превышает величину И 1" = 90 см/мин, весь входной потокЙ 1 уходит в сбросовую линию 10, дополняясь чистым газом-носителем из линии 7,Этот дополнительный поток (100-М 1) поступает из дополнительной линии на ретродиффузионном участке навстречудиффундирующим парам ДМК, В зависимости от его величины меняется концентрацияпродиффудировавших против встречногопотока паров ДМК, Величина встречного потока (100 - й) и концентрация ДМК навыходе регулируются путем изменениявходного потока й с помощью вентиля 3. Экспериментальная зависимость. концентрации ДМК на выходе из канала отвеличины К 1 приведена на фиг. 2.П р и м е р 3, Прекращение подачилегирующей примеси...

Номер патента: 1656013

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Дыменко, Пополитов, Холов, Цейтлин

МПК: C30B 29/12, C30B 7/04

Метки: кристаллического, меди, моноиодида

...трубкой. В свою очередь трубка отведена в кварцевую емкость с водой, Подготовленный реактор помещают в печь сопротивления, где его40 нагревают до 80 С. Температурный пео . репад поддерживают равным 1 , время выдержки в стационарном режиме 4 сут. Исходная шихта растворяется и конвекционным движением раствора, вызванным45 температурным перепадом, тран спортируется в объем раствора. В результате реакции взаимодействия с водным раствором НВг и за счет суммарного действия температурного перепада и испарения растворителя через капилляр и резиновую трубку происходит быстрее пересыщение раствора растворенными формами монойодида меди с последуюющей его кристаллизацией по всему объему реактора. Выход кристалличес кого монойодида составляет 95,8 Е...

Номер патента: 1656014

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Бичурин, Бондарева, Дыменко, Ломонов, Пополитов, Телегенов

МПК: C30B 29/22, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов, оn

...р и м е р 2. В автоклав, футерованный фторопластом, помещаютхимические реактивы тетрабората литияи борной кислоты при их массовомсоотношении 2, 0: 1, О, затем заливаютэтанол (98 мас.7) и размещают перегородку для регулирования конвекциидля заданного температурного перепада, Отношение жидкой фазы к твердой3,0:1,0. Автоклав герметически закрывают и помещают в двухзонную печьсопротивления, где его нагревают дотемпературы (Т) 300 С (зона растворения) с температурным перепадом ( Т)о35 С. При данном нагреве давлениежидкой среды составляет 125 атм,20Процесс получения монокристаллов протекает по схеме, описанной в примере 1. Выход монокристаллов 98,1 Е,размеры до 5,7 мм.П р и м е р 3. В автоклав, футеро 25ванный фторопластом, помещают...

Номер патента: 970906

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Афанасьев, Будкевич, Вевиорский, Прокофьева, Соколов, Фролов

МПК: C30B 29/42, H01L 29/20

Метки: материал, полупроводниковый, свч, транзисторов

...хрома и кислорода, которые находяТся в структурно-связанном состоянии и в определенном соотношении . 40Отличие способа состоит в том, что примеси хрома и кислорода в виде глубоких акцептора и донора соответственно находятся в структурно связан ном состоянии при следующем соотно ,шенин компонентов, ат/смз:Арсенид галлия 4,42 10Хром (1-8) 106Кислород (1-10)10850Хром и кислород вводятся совместно в виде окиси хрома при компоновке шихты для получения высокоомного арсенида галлия методом Чохральского.Указанное количество хрома и кислоро да тождественно весовому проценту окиси хрома, вводимой в шнхту, и составляет О,02-0,067, по массе от исходного веса арсенида галлия,Указанное соотношение компонентов обеспечивает получение...

Номер патента: 1316323

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Войтович, Калинов, Михнов, Овсейчук

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: активной, кристаллов, лития, среды, фторида

...предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 13Изобретение относится к кванто" вой электронике и может быть использовано для создания активных элементов лазеров с перестраиваемым по частоте спектром излучения.Целью изобретения является расширение диапазона генерируемого лазером излучения на область 520-580 нм.П ри и е р. Оптически обработанный кристалл фторида лития (толщина 2 им, площадь отполированной грани 10 10 ииф) помещают во влагонепроницаемую оболочку (чтобы избежать воздействия на кристалл конденсирующейся при охлаждении из воздуха влаги). После этого кристалл охлаждают в термосе с сухим льдом. Применение в качестве охладителя сухого льда позволяет достигнуть температуры кристаллиэации углекислоты...

Номер патента: 1414015

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Грошенко, Еськов, Крутиков, Островский

МПК: C30B 15/00, C30B 29/28

Метки: выращивания, граната, кальций-ниобий-галлиевого, монокристаллов

...пихту вьппе температуры плавления КНГГ составляющей 1 ч 50 С. Затеи снижают давление над расплавом путем откачивания ростовой камеры до давления не более 0,1 мм рт,ст. на время 3 минь после чего камеру заполняют инертным газом и кислоро дом (Аг + 5 об.7 О ). Выращивание кристалла проводят при 1450 С в цент. ре тигля. Максимальная температура Ф О у стенок тигля составляет 1550 С. Вытягивание.кристалла осуществля;ют со скоростью 3 мм/ч при скорости вращения 30 об/мин,Кристаллы имеют диаметр 30-35 ммпри хорошем оптическом и структурном совершенстве.Дачные о режимах роста и качестве кристаллов сведены в таблицу.Как видно из таблицы, выдержкарасплава перед выращиванием при давлении значительно больше 0,1 юя.рт.ст.не приводит к снижению...

Номер патента: 1659535

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Антонова, Васильев, Веселинов, Кузнецов, Кунев, Малеев, Павлюк, Петров, Харченко

МПК: C30B 15/00, C30B 15/04, C30B 29/32 ...

Метки: молибдата, монокристаллов, свинца

...м едл е н н о (1-2 ч), что бы избежать термоудара. Перед началом процесса вытягивания расплавляют 2-3 мм затравки для удаления поврежденной обработкой части. Начинают вытягивать монокристалп (скорость вращения затравки 12 об/мин) со скоростью 0,25 мм/ч. Разращивают со сбросом температуры в 0,5 С/см до диаметра 25 мм и убирают сброс постепенно после 40 мм вытягивания, Кристалл в конце опыта резко отрывают от расплава и охлаждают со скоростью 30,/ч, Кристалл имеет слабо желтую окраску, оптически однородный, без блоков и макровключений. В нижней части кристалл имеет диаметр 35мм при длине 70 мм, вес 791 г. П р и м е р Э. Шихту, приготовленнуюметодом осаждения, нагревают со скоро 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 стью 150/ч. Процесс...

Номер патента: 1659536

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Бестаев, Жуков, Томаев

МПК: C30B 19/00, C30B 29/46

Метки: основе, полупроводниковых, соединений, структур

...нарващивание слоев на основе соединений А В в защитной атмосфере. Получают стрктуры с плотностью дефектов менее 10 см гомогенизации раствора-расплава. Использование чистого водорода способствует удалению окисной пленки с поверхности раствора-расплава и подложки, Затем прекращают подачу водорода и в системе создают вакуум. При достижении вакуума 10 -10 мм рт.ст. раствор-расплав приво.4дят в контакт с подложкой. После этого в системе вновь восстанавливают поток водорода и снижают температуру со скоростью 0,05 С/мин.В результате получены структуры РЬТеРЬо,ваяло,2 Те, у которых высота микронеровностей границы раздела не превышала 0,3 мкм, на границе раздела не было включений в виде пузырей и пустот, а плотность дефектов составляла...

Номер патента: 1663060

Опубликовано: 15.07.1991

Автор: Рыбкин

МПК: C30B 23/00, C30B 29/36

Метки: выращивания, карбида, кремния, кристаллов

...ЯС не фиксирована и зависит от температуры кристаллизации. Однако в любом случае зона активного испарения шихты или эона 10 сублимации в данном методе в несколько раз меньше по высоте, чем высота всей загрузки порошка ЯС,в контейнере, Это составляет одно иэ преимуществ предлагаемого метода, поскольку позволяет увеличить объем загрузки шихты ЯС иувеличить время кристаллизации. Последнее в свою очередь позволяет увеличить размеры выращивеамых кристаллов, используя перемещение кристалла и контейнера с шихтой в противоположныхнаправлениях10 В исходном положении (фиг.2) послеподьема со скоростью 250 - 300 С ч до2100 С температуры в зоне роста и создания ваккума(1 - 5) 10 ммрт.ст,впечидлякристаллизации ЯС создается осевое рас 5 пределение...

Номер патента: 1663061

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Веселы, Микишка, Слезак

МПК: C30B 25/08

Метки: газовой, затвор, реактора, эпитаксии

...манжетами и уплотнительной кромкой нижнего подшипника, Газораспределительная система выполнена так, что часть чистого газа поступает в пространство манжет штока, а оттуда через центр штока подложкодержателя в реактор, Манжеты штока не соприкасаются с агрессивными материалами, используемыми в процессе эпитаксии, и охлаждаются протекающим газом. Вторая часть газа подводится в зазор между экраном и фланцем и полностью пропаласкивается газом. Экран термоэкранирует фланец и обеспечивает подогрев верхней части подложкодержателя возвратным излучением. Это конструктивное решение позволяет использовать для уплотнения вращающихся валов дешевых и доступных манжет и одновременно препятстует осаждению продуктов реакции надэкраном, которые являются...

Номер патента: 1663062

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Анистратенко, Концевой, Оксанич

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, хрупких

...фотоупругости измеряют внутренние механические напряжения и фиксируют, что в результате обработки они уменьшились от 1,0 до 0,3 МПа.П р и м е р 2. Процесс проводят как в примере 1, но меняют тип пластины и коорОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР(71) Завод чистых металлоСССР(57) Изобретение относится к способам о работки хрупких материалов, преимуще венно полупроводниковых пластин позволяет уменьшить внутренние меха ческие напряжения в них. К поверхнос кристалла прижимают острием зонд сплава серебра и платины. Усилие прижат создают не менее 1 сН, а выдержку в так условиях проводят в течение 0,1 - 5,0 Достигают уменьшения внутренних меха ческих напряжений до двух раз без вне ния термических изменений в...

Номер патента: 1663063

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Будина, Назарова, Сясина, Шишацкая

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: кристаллических, оптических

...спектра.Полученные превышения пропускания сведены в таблицу для иллюстрации полученной разницы для конкретных длин1663063 Козффициент спектрального пропускания, %, после обработки Длина волны, нм Окон из лейкосапфира предлагаемым способо предлагаемым .способом известнымспособом известнымспособом 75838 б919294 47 72 7 б 90 92 124145 25150 38180 63200 71250 81 44 59 7277 84 При изучении микрофотографий окон излейкосапфира и фтористого магния, полученных с помощью электроного микроскопа с увеличением 20000, видно, что приобработке известным способом полированная поверхность имеет ярко выраженныймикрорельеф с сетью царапин, обусловленных обработкой абразивом большей твердости по сравнению с самимобрабатываемым кристаллом. При обработке...