C30B 7/06 — с использованием неводных растворителей

Номер патента: 415040

Опубликовано: 15.02.1974

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: 415040

...высокой степеньюпрозрачности, обнаруженной в экспериментах5 по прохождению луча рубиновского лазера.Состав простых и смешанных монокрпсталлов ацетилацетонатов переходных металловконтролируют определением у глерода, водорода и содержанием металлов.о Пример 1. Вьргщиваие простогомонокристалла Со (асас)2 1 г без,водного хлороформа. Стаканчик с растворомпомещают в эксикатор над прокаленным СаС 12,Эксикатор опускают в термостат, где поддер 5 живают постоянную темперетуру 20 - -22 СЧерез несколько дней выпадают голубые кристаллы состава СО (асас)" Оторье использ- ют в качестве затравки для выращивания более крупных монокристаллов,0 Кристалл - затравку прикр ненной оси моторчик;:, которь вращение через крышку экси щенном растворе Со(асас)...

Номер патента: 1583476

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: выращивания, метилбензальанилина, монокристаллов, нитро

...полного растворения и-нитрои -метилбензальанилина в кристаллизатор помещают затравочный кристаллэразмером 5 ф 3 "2 мм (получают предварительно путем выпаривания раствора этого ке состава), Затравку закрепляют на фторопластовой подложке и устанавливают на дно кристаллизатора. 1 О После этого медленно снижают температуру кристаллизатора до тех пор, пока не начнется рост затравочного кристалла, Это видно по образующимся граням. Температура начала роста 38 С 15,о На этом уровне ее поддерживают за . время выращивания с точностью 0,050 С.Отбор растворителя осуществляют следующим образом, Подбирают специальные фторопластовые прокладки между 20 кристаллизатором и крышкой и устанавливают зазор. Величину зазора подбирают...

Номер патента: 1633030

Опубликовано: 07.03.1991

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: выращивания, диоксидифенилсульфона, монокристаллов

...мешалка. Кристаллизатор помещают в жидкостный термостат, темпетура в котором поддерживаетсятоянной с точностью до 0,1 С.оЗатравочные кристаллы получаютпредварительно испарением из раство"ра, аналогично помещенному в кристаллизатор. Их помещают в перегретыйраствор на дно кристаллизатора наспециальной фторопластовой подложкетак, что направление роста кристалла.1633030 Продолжение таблицы перпендикулярно подложке. После этого медленно снижают температуру кристаллиэатора до тех пор, пока не начнется рост эатравочнаго криоталла, что видно по блеску образующихся граней. ТеМ- пературу во время опыта фиксируют и поддерживают постоянной.Так как крьппка охлаждается проточной водой, то на ней образуется кон ,денсат, который стекает в...

Номер патента: 1701755

Опубликовано: 30.12.1991

Автор: Поезжалов

МПК: C30B 29/54, C30B 7/06

Метки: ароматического, выращивания, монокристаллов, соединения

...что сильно растягивает время выращивания монокристаллов, а при температурах выше 40 С усиливается разложениевещества, цвет раствора изменяется, Этипримеси входят в кристаллическуа решеткуманокристэллэ, ухудшая его оптическое качество. Температура (35 - 40 С выбрана в достаточной мере условно, зависит от степениочистки исходных веществ и растворителейи является усредненной из большого количества экспериментов,Экспериментально было установлночто монокристалль 1 3-метокси-аксибензальдегида вырастают из смеси бензола иэтилового эфира в соотношении 1:1 в видетонких(да 0,1 мм толщиной) гексагонэльныхпластин. Добавка пропиленкарбоната приводит к разращиванию монокристалла втолщину.В приведенном примере рассматривалось влияние...