C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 852976

Опубликовано: 07.08.1981

Автор: Болховитянов

МПК: C30B 19/06

Метки: методомжидкостной, многослойныхполупроводниковых, структур, эпитаксии

...Чтобы подложки при поступательном движении кассеты не выпадали из нее, они запираютсяскобами 7 и 8. В корпусе имеется пространство 9 для дозировки раствора, соединенное с помощью малого отверстия 10 спространством 11 перед кассетой. В пространство 9 помещается поршень 12, который может перемещаться, Весь корпус закрывается направляющей 13 с блоком растворов 14, состоящим из нескольких емкостей 16 для растворов, В каждой емкостиимеется отверстие в дне. В направляющейтакже имеется отверстие, находящееся надпространством для дозировки раствора 9.Ниже кассеты в корпусе устройства находптся емкость 16 для сбора отработанного раствора. Скоба 7 одновременно является тяжем, с помощью которого осуществляется перемещение кассеты внутри собранного...

Номер патента: 678748

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Горина, Калюжная, Киселева, Максимовский, Мамедов, Строганкова

МПК: C30B 1/00

Метки: кристаллов

...перемешинанием расплава при 840 С, выдержку в 40течение 2 ч и снижение температурысо скоростью 30 ц/ч В интервале температур 840-600 С. Затем печь ныкйперают, Йетодом рентгенодифракционного1 епиза устанонленор что синтеэиРо 4ванный материал является однофазными гомогенным по составу, Выращинаниеведут по примеру 1, но со скоростьюОр 2 мм/чо ПолУчают кРисталлыр состоящие из одного или нескольких моно- я)кристаллических блоков, часто с выходом естественных монокристаллических блоков, часто с выходом естестВенной грани (100) на поверхностькристалла, За 4-5 сут, удается вырастить кристалл длиной 20-25 мм идиаметром 15-18 ич, По окончаниипРоцесса ВьрРащинаниЯ пповоДЯт Гомогенизирующий отжиг и течение 2 сут.В той же печи при 500"С.П р и и е...

Номер патента: 857308

Опубликовано: 23.08.1981

Авторы: Арефьев, Грачев, Колосов, Литвин

МПК: C30B 15/14

Метки: тепловой, узел

...и закреплен,ные на подставке тигля.Кроме того, по краям отверстийстаканов выполнены бортики, а наверхней части подставки выполненвыступ, с которым контактирует бортик внутреннего стакана.На Фиг, 1 приведен тепловой узел,общий вид; на Фиг. 2 - узел крепления подвижных экранов к подставкетигля,Тепловой узел состоит йз подставки 1 для тигля 2, укрепленной наштоке 3, соединенным с приводом 4,нагревателя 5, коаксиальных нагревателю цилиндрических неподвижныхэкранов 6, установленных на горизонтальном экране 7, и дополнительных экранов 8, закрепленных на подставку 2. Экраны 8 размещены в зазорах 9 между неподвижными экранами 6.Экраны 8 выполнены в виде стакановс отверстием в дне 10, по краям отверстий (фиг. 2) имеютсябортики 11,которыми экраны...

Номер патента: 859490

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Багдасаров, Лубе, Федоров

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, процессом, расплава

...монокристаллов из расплава,5 Устройство содержит тигель, 1 с расплавом 2, кристалл 3, преобразователь 4 аку-стической эмиссии в электрический сигнал,привод 5 перемещения кристалла, первыйнагреватель 6, второй нагреватель 7, источ 20 ники 8 и 9 питания, регуляторы О и 11мощности, подводимой к нагревателям, усилитель 12 импульсов акустической эмиссии,блок 13 измерения интенсивности имmульсов акустической эмиссии, регулятор 1425 скорости перемещения кристалла, электродвигатель5 привода кристалла,Способ осуществляется следующим обра859490 Формула изобретения 10 Составитель В. Федоров Техред А. Камышиикова Корректор Н, Федорова Редактор Л, Письман Заказ 2009 Изд.182 Гираж б 0 1 одписное1110 с 1 онск Государственного комитета...

Номер патента: 593349

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Авдиенко, Березина, Богданов, Мастихин, Сапожников, Шелопут

МПК: C30B 33/00

Метки: галогенидов, монокристаллов, растворов, таллия, твердых, термообработки

...при повышенной температуре. Отжиг кристаллов, содержащих 42 Т 0 Вг и 58 Те 1, проводится при 330 С на воздухе в течение 3-4 ч 11. Указанный способ преследует цель избавиться от термических напряжений, возникающих в кристаллах в процессе роста и обработки.Однако кристаллы твердых растворов галогенидов таллия, например кристаллы состава, ТССЕ ТЕ 1 (КРС-б) ТЕВг Т 11 (КРС) имеют еще и микронеоднородности, обусловленные Флуктуациями в процессе кристаллизации. Такие кристаллы нельзя использовать в качестве звукопроводов для акустооптических устройств, так как неоднородности приводят к,дополиительному механизму значительного затухания звука,(71) 3 Институт Физики полупроводников Сибирского отделенияЗаявительАН. СССРф 59 3349 Формула...

Номер патента: 867946

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Дунин-Барковский, Заднепровский, Лаптев, Лисицына, Самойлович

МПК: C30B 31/04

Метки: минералов, окрашивания, ювелирно-поделочных

...под действием градиента температуры проникают вдоль каналов или межкристаллитных границ в природный минерал, производя его окрашивание. Высокое давление ин тенсифицирует процесс, обеспечивая миграцйю ионовметалла на глубину, зависящую от температуры,и длительности процесса. Глубина проникновенияварьирует от десятых долей мил лиметра до значений порядка толщины образца. Окрашивание может быть разномерным по всей поверхности образца или неравномерным, что определяется расположением образца отно О сительно источника окраски.П р и м е р 1. Две плоско-параллельные пластины бесцветного халце дона толщиной 5 мм и диаметром 12.мм помещают в вакуумную печь типа З 5 СШВЛ,6, 2/16 М 01. Давление в вакуумной камере печи понижают до 10 10"мм...

Номер патента: 881158

Опубликовано: 15.11.1981

Автор: Насыров

МПК: C30B 33/00

Метки: металлов, монокристаллов, травитель, тугоплавких

...(111) и(100) монокристалловниобия и молибдена, а также болееподробно выявлять субграницы в.иссле. дуемых кристаллах,Формула изобретения Составитель В. РыцаревРедактор И. Мнтровка Техред Ж,Кастелевич Корректор Г. Назарова Тираж 336 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Заказ 9879/44 Филиал ППП "Патент", г. ужгород, ул. Проектная, 4 серной кислоты 46, 70 -ной азотнойкислоты 17, 48%-ной фтористоводородной кислоты 29, фторида,калия 5,2,остальное вода. Время травления 4045 с, температура 20-25 фС, Шлифы,отполированные и промытые в воде,переносят в травитель со смоченнойповерхностью. На протравленной поверхности хорошо выявляются дислокации, а также...

Номер патента: 883198

Опубликовано: 23.11.1981

Авторы: Малахова, Сытин, Циглер, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: подачи, порошкообразных

...до сеточки дозатора подбираются в соответ-55 ствии с величиной сыпучести подаваемого материалаПредлагаемое устройство позволяет осуществлять равномерную подачу порошкообразного материала в кристаллизационный аппарат, которая обеспечи" вается постоянной величиной колебаний бункера с дозатором, а также постоянным слоем порошка на сеточке доза- тора за счет свободного просыпания45 порошка из- бункера и дозатор через раструб конуса бункераДосыпка порошка в. дозатор происходит также постоянно ( по мере убывания порошка из дозатора ) через вибрирующий раструб конуса бункера, где порошок даже с очень плохой сыпучестью не зависает на стенках, а просыпается в дозатор.На,чертеже представлено устройство, продольный разрез,. 55Устройство...

Номер патента: 887630

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Блецкан, Кириченко, Курбанов, Пелевин, Соколов

МПК: C30B 15/14

Метки: нагреватель, сопротивления

...нагревателя впроцессе длительной эксплуатации, обус 10 ловленное уменьшением поперечного сечения в результате окисления поверхностикислородом, разрушение поверхности поддействием термоударов, испарения графита,вследствие чего такои нагреватель имеет15 малый срок службы (четыре - шесть месяцев в зависимости от атмосферы рабочейкамеры).Целью изобретения является повышениесрока службы нагревателя.0 Цель достигается тем, что нагревательные элементы выполнены из графитовогопорошка, засыпанного между тремя коаксиально установленными трубами из диэлектрического материала и электрически25 соединены слоем порошка, на котором установлено графитовое кольцо, а токоподводящпе кольца размещены в зазорах междутрубами,На чертеже показан предлагаемый...

Номер патента: 683065

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Дубовицкий, Половинкина

МПК: C30B 9/00

Метки: выращивания, монокристаллов, ориентированных, разъемный, тигель

...И. Однако этот тигель не обеспечивает воспроизводимости структурного совершенства монокристаллов, так как пля каждой операции кристаллизации используется новая затравка.Кроме того, неопределенность пространственноя ориентациии затравочного кристал ла затрудняет выращивание монокрнстал 2лов зюпзцпой ориентации и точной геометррич ес к,1 й ф ч м м.Н лс 1 ц,306)гтеиия является повышениеструктурно о совера 1. яства моиокристаллов поср аством многократного использоваиия одной и той же затравки, управпения процессом затравливания и уменьщения напряжений при кристаллизации.Эго постигается тем, что разъемныйтигель цля выращивания ориентированныхмонокристаллов вертикальной направлеянвйкристаллизацией расплава на затравхевыполнен из...

Номер патента: 799523

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Воробкало, Забродский, Зарубин, Ионов, Немиш, Шлимак

МПК: C30B 31/20

Метки: германия, легированного

...материал р-тяпа с большей степенью компенсации или даже материал п-типа, Исходя из изютопного состава естественного элемента гврмания,и сечений реакций Ц, можно рассчитать, что требуемый материал р-типа с К=90% получится в том случае, если, вырастить кристалл германия, состоящий на 63% аз естественного бе и:на 37% - от.изотопа 74(еВ этом материале изотюла 7 обе, дающего основную вримвсь, будет мвньше (21,2% 0,63=13,3%), так чтю .гребуемая коюцентрация (10" см - ) будет достигнута при большей дозе облучения (5,2 10 исм .Таким образом, предложенный способ позволяет получать новые аюлупрювюдниковые,материалы, обладающие однородным ,расп,ределвюием лримесей и в то же время с необходимыми аарамецрами: типом вро,водимости,...

Номер патента: 894024

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Кременчугский, Лингарт, Скляренко

МПК: C30B 13/00

Метки: границы, кристаллизации, положения, процессе, раздела, фаз

...амплитудный анализатор 1 О и таймер 1.Устройство работает следующим образом.Излучение из герметичной камеры 1 со смотровым окном 2 от области, примыкающей к границе раздела двух 20 фаз 3 и 4, с помощью оптической системы 5, спектрального фильтра б пре рывается модулятороми проецируется на линейку 8 пироэлектрических приемников. Линейка 8 пироэлектричес- г 5 ких приемников расположена перпенди " кулярно границе раздела фаз в проек" ции исследуемой зоны. Радиационные свойства поверхностей Расплавленной и твердой фаз 4 и 3 отличаются как30 Mо температуре, так и по спектральному составу. Поэтому на каком-то из чувствительных элементов линейки 8 пироэлектрических приемников, на который проецируется граница разде/ 35 ла фаз, величина сигнала...

Номер патента: 899738

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Бари, Гинзбург, Гришин, Миленин, Сахаров, Федорова

МПК: C30B 13/00

Метки: зонной, расплава, слива

...свободно расположенную на поцпоне и имеющующель в цне аля слива расплава и установленный поп ней тигель, привод горизонтального перемещения, снабженный толкателем с кулачками, вэаимоаействуюшими35с лодочкой и поццоном, инцукционный зонный нагреватель и крючок, соеаиненныйс поддоном, снабжено втулкой, свобоцнопосаженной на толкателе и соециненной с40крючк ом. На фиг. 1 показано устройство во время провеаения процесса зонной очистки;на фиг. 2 - то же, при совместном пере 45 мешении лоаочки и поддона с расплавленной частью материала перец провепением операции слива на фиг. 3 - то же, во время перемещения лодочки относительно поааоне и слива материала.Устройство включает лодочку 1 со56 щелью 2, свобоцно расположенную на поддоне 3, толкатель...

Номер патента: 899739

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Кременчугский, Лингарт, Скляренко

МПК: C30B 15/20

Метки: температуры

...расположен узкий электрод 7, на не,облучаемой - узкие электроды 8 и 9,У асположенные под углом к электроду 7,исследуемый объект 10, с фронтом 11кристаллизации и точками А и В, излучение от которых падает на пироактивныеучастки образованные электроаами,Устройство работает следующим образом.Излучение от двух точек вблизи фронта кристаллизации с помощью фикусирующей системы 2 проектируется на заземленный облучаемый электрод 7 приемника 3. Снимаемые с необлучаемых электродов 8 и 9 сигналы поступают на сумматор 4 и блок 5 вычитания, а затемна блок 6 умножения, где происходитумножение сигнала на постоянную величину - половинное значение температуры кристаллизации.Сущность способа заключается вследующем,В процессе кристаллизации, осуществляемом...

Номер патента: 899740

Опубликовано: 23.01.1982

Авторы: Миняйло, Шархатунян

МПК: C30B 15/22

Метки: диаметра, кристалла

...раз 2 .Однако при контроле диаметра кристалла данным способом выручитывать действие сил поверхностногонатяжения и вес гидростатического столба расплава, что усложняет контроль,11 ель изобретения - упрощение и повышение чувствительности контроля диаметра кристалла в процессе вытягивания егоиз сопла по методу Чохральского.Поставленная цель достигается тем,что контроль диаметра кристалла, вытягиваемого из расплава по методу Чохральс 1кого путем измерения параметров процесса, осуществляют измеряя в процессе выращивания момент сопротивления на валупривода и по его изменению судят об изменении диаметра кристалла.15Пример реализации предлагаемого способа изображен на чертеже.Кристалл 1 вращается с постояннойугловой скоростью И и...

Номер патента: 905342

Опубликовано: 15.02.1982

Авторы: Иванов, Капустин, Николайкин, Сигалов

МПК: C30B 25/14

Метки: газовой, осаждения, слоев, фазы

...смеси 8. выведенным за пределы камеры подвода газов 4 черезфланец 9, Камера 4 снабжена газораспределительным вводом 10. К камеревывода продуктов реакции 5 снизуприсоединены средства откачки в видедвух бустерных насосов 11 и форвакуумного насоса 12,Устроиство работает следующим об разом.Для загрузки подложек 3 поднимают камеру 4. Вместе с ней поднимаются камера 1 осаждения и индукционный нагреватель 6, освобождая доступ к дискам 2 подложкодержателя. Загрузив подложки, опускают камеру 4 и уплотняют ее относительно камеры 5. Затем вклюцают откацные насосы 11 и 2. После откачки устройства до необходимого давления (разряжения через газораспределительный ввод 0 подают водород и начинают нагрев подложкодержателя. В среде водорода при...

Номер патента: 912778

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Зайончковский, Кудряшова, Левина, Лихолетов, Мосевич

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, полировки, стронция, титаната, химической

...кристалла и не п достигать высокой чистоты обра верхности. Цель изобретения - повышение чистотьобработки поверхности.Поставленная цель достигаетсятем, что хямическую полировку монокрксталлов титаната стронция с плоскостью ф ориентации (100) осуществляют 7087 вес.%-ньтм водным раствором ортофосфорной кислоты, нагретым до 180200 оС, в течение 20-25 мин при вращении 70-80 об/мкн.П р к м в р. Проводят полировку поверхности монокристалла титанатв строяция сплоскостью ориентации 100) фос- форной кислотой разной концентрации при180 200 С, время обработки 20 25 мин.3Заметноепол иров ание 242 211 Удовлетворительпол ированиеХорошее полирование 0,170 0,135 0,165 0,105 Способ кристаллов тью ориент работкупо ортофосфор о т и я ч ацелью...

Номер патента: 912779

Опубликовано: 15.03.1982

Авторы: Быков, Ивченко, Кузнецов

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

....выдержать кристалл без растрескивания. Недостатком . гндроэкструзии является трудность первоначального уппотнения очка матрицы, особенно при сложном профиле экструдата.Известно устройство, реализую способ получения поликристалличес сцинтилляторов иэ ионных монокристаллов 21.В этом устройстве монокристаллическую заготовку помещают в канал контейнера, имеющего на одном конце матрицу, а на другом - жесткий плуни.ер. Нагретая до высоких температур заготовка под действием жесткого плунжера выдавливается через матрицу меньшего поперечного сечения. Полученное методом горячей экструзии иэделие имеет прочность по крайней мере вдвое превышаю. щую исходную, а оптические свойстваЬ 91277гаемом устройстве под действием жидкости высокого давления,...

Номер патента: 813984

Опубликовано: 30.03.1982

Авторы: Бокштейн, Клингер, Копецкий, Страумал, Швиндлерман

МПК: C30B 21/02

Метки: бикристаллов

...монокристалл олова на монокристалл германия (плоскость их контакта явится плоскостью будущей межфазной границы) и затем закладывают их в графитовую лодочку установки для направленной кристаллизации, причем один из концов каждого монокристалла находится на водоохлаждаемой державке,Затем проводят направленную кристал.лизацию при температуре 226 С, при этоммонокристалл олова (кроме затравочногоконца) расплавлен и находится в контакте с твердым монокристаллом германия,Скорость направленной кристаллизациисоставляет 10- см/с,П р и м е р 2. Берут монокристалл германия, ориентируют его оптическим методом (с точностью до 20), разрезают наплоские заготовки нужной ориентации.Нужную плоскость шлифуют механически и полируют затем химически в...

Номер патента: 926089

Опубликовано: 07.05.1982

Авторы: Зильберман, Исаков, Савинцев

МПК: C30B 33/00

Метки: ионных, контактного, кристаллов, плавления

...электростатического поля для системы ЕМО-Маей.Цилиндрические образцы из кристаллов ИаМО и КМО помещают в термостат и приводят в контакт. Образцы располагают между двумя плоскими 20 электродами, служащими для полученияоднородного электростатического поля.Электроды подключают к высоковольтному стабилизированному выпрямителю, Между образцом и электродом остав- р 5 ляют воздушный промежуток 1-2 мм. После прогрева до заданной температуры 2800 С с появлением жидкой фазы включают электростатическое поле. Наблюдение за процессом ведут с помощью микроскопа через наблюдвтельное окошко термостата. Изменяя величину напряженности электростатичес, кого поля, можно изменять и скорость протекания самого процесса.35При наличии внешнего...

Номер патента: 927863

Опубликовано: 15.05.1982

Авторы: Макарова, Николаев, Парамонов, Яремчук

МПК: C30B 33/00

Метки: галлий-гадолиниевого, граната, подложек, полировки, химической

...приповерхностной вязкой пленке за счет постоянного подвода свежей порции раствора, обеспечить тем самым лучшие условия диффузии продуктов травления и обеспечить воспроизводимость результатов.Применение для быстрого охлаждения орто.или пирофосфорной кислот при 70 - 100 С позволяет облегчить отмывку подложек от продуктов травления при одновременной ликвидации термоудара; применение температуры ниоЗО же 70 С не всегда компенсирует термоудар - подложки имеют тенденцию к растрескиванию, при температуре выше 100 С может наблюдаться растравливание дефектов.Использование частоты вибратора в пределах 20-200 Гц обусловлено тем, что при более низких пределах вязкая пленка не разрушается, а более высокие пределы не оказывают влияния на...

Номер патента: 623294

Опубликовано: 23.05.1982

Авторы: Дудник, Левинзон, Логинова, Нижегородов, Соколов, Шаповалов, Шершель

МПК: C30B 15/04

Метки: германия, легированных, монокристаллов, типа

...вытягивания монокристаллов, расплавляют шихту, выдерживают расплав 5 - 10 мин, и вытягивают монокристалл из расплава по Чохрольскому на затравку, ориентированную в направлении 31, со скоростью 2 мм/мин при скорости вращения затравки и тигля, соответственно, 30 и 5 обор,/мин.Получают монокристалл германия и-типа проводимости с концентрацией оптически активного атомарного кислорода 6,0 10 в ат, см - з. Однородность распределения оптически активного атомарного кислорода по объему монокристалла составляет (6 0,5) 10" ат, см -623294 Зависимость концентрации оптически активного атомарного кислорода от содержания двуокиси германия в борном ангидриде и соотношения борного ангидрида и двуокиси германия к расплаву германия показана в таблице....

Номер патента: 462393

Опубликовано: 15.06.1982

Авторы: Петров, Туманов

МПК: C30B 17/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...независи- З 0 мого перемещения по вертикали, на внутренней из которых укреплен экран.Это позволяет, в связи с интенсивным охлаждением экрана, увеличить температурный градиент по длине кармана формы и помещенной в него затравки и предотвратить ее расплавление при заливке расплава в форму.На чертеже изображена схема описываемого устройства.Устройство включает керамическую форму 1 с карманом 2 в дне, в который помещают монокристаллическую затравку 3 требуемой ориентации. Форма установлена на опорном столе (не показано) внутри нагревателя 4. Под формой расположен водоохлаждаемый холодильник, выполненный из двух телескопических секций 5 и б. Внутренняя секция 5 снабжена укрепленным сверху экраном 7 из молибденовой трубки, охватывающим...

Номер патента: 584446

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Миллер, Переляев, Швейкин

МПК: C30B 9/00

Метки: ванадия, двуокиси, монокристаллов

...4/5Типография, пр,Сапунова, 2 3фазы - двуокиси ванадия. Сравнительноневысокая температура процесса (800 -900 С) также снижает количество зародышей по всей массе расплава, В дальнейшем,по мере диссоциации, обеспечивается преимущественный рост незначительного числапоявившихся зародышей, причем растущиекристаллы ориентируются вдоль тигля вместе подачи неокислительного газа. Затемс целью полного разложения пятиокиси ванадия повышают температуру до 1000 -1050 С, прекращают подачу неокислительного газа, а в системе создают вакуум10 -- 10 -мм рт, ст, и процесс продолжаютеще 22 - 24 ч,На этой стадии скорость диссоциации пятиокиси ванадия значительно увеличивается, но в основном продолжается рост ужепоявившихся кристаллов двуокиси...

Номер патента: 941433

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Касяненко, Матвеева, Скропышев

МПК: C30B 33/00

Метки: исландского, кристаллов, обесцвечивания, окрашенных, природных, шпата

...в процентах от наи"более мощной линии в ультраФиолете).50При использовании известного способа основная энергия излучениясконцентрирована в линии 253,7 нм.При использовании предлагаемогоспособа ( в данном конкретном примере использованы лампы ДРШ с фильтром) исключены линии с )260 нм.В качестве фильтра используют частьоптической системы спектрометра СДЛ 3 4Конкретный вид фильтра не важен, гла вное, чтобы от с екали с ь ли нии с длиной волны, меньшей 260 нм. В частности, подобных результатов можно добиться при использовании стандартного фильтра, выделяющего только линию 312,6 нм.Обработке подвергают розовые кристаллы исландского шпата одинаковой толщины ( 10 мм), имеющие одинаковый спектр поглощения в исходном состоянии (фиг. 2, кривая 1)...

Номер патента: 941434

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Головей, Мудрый, Некрасова, Тешнеровский

МПК: C30B 33/00

Метки: выявления, дислокаций, монокристаллах, состав, тройных, халькогенидных

...в следующем соотношении, вес.3:Азотнокислый аммоний. 3Двухромовокислый калий 0,02Серная кислота ОстальноеОбразцы монокристалла тиогаллата кадмия с естественным сколом и вырезанные по плоскости (112шлифуют, полируют до достижения шероховатости поверхности 14 а класса и класса чистоты Р 1 У, Затеи образцы тщательно обезжиривают промывкой в этиловом спирте и погружают в приготовленный раствор, Образцы выдерживают в растворе в течение 10 мин при 2 Ф С. Затем промывают дистиллированной водой, просушивают и исследуют протравленную плоскость на металлографическом микроскопе ИИИ. На образцах четко выявляются дислокационные ямки травления.П р и м е р 2Для приготовления состава компоненты берут в следующем соотношении, вес.3:Азотнокислый...

Номер патента: 947233

Опубликовано: 30.07.1982

Авторы: Бароненкова, Борисова, Кондрашина, Фролова

МПК: C30B 33/00

Метки: 100, выявления, дислокаций, кремнии, плоскости, травитель

...предлагаемого травителя позволяет испольэовать его для выявлениядислокационной структуры эпитаксиальных слоев кремния, при использовании его для выявления дислокационной структуры в монокристаллах кремния повышается производительность процесса и экономится коемний и химический реагент. 1 ОП р и м е р. 1. Во фторпластовый стакан помешают 49-ого НГ 140 мл и Сг 033,3-ого раствора в воде 10 мл. Полученный травитель содержит 15 , НГ 526 г/л, СгО 23 г/л. Образецэпитаксиальную структуру с кристаллографической ориентацией (100)опускают в травитель и выдерживают 1,5 мин при постоянном помешивании. После этого образец промывают дистил.н Яэ данных таблицы можно сделать выйбд, что оптимальным составом травителя является раствор,...

Номер патента: 953018

Опубликовано: 23.08.1982

Автор: Боллманн

МПК: C30B 15/00

Метки: бесцветных, выращивания, молибдата, монокристаллов, свинца

...ограничена.Цель изобретения состоит в том, чтобыне только устранить возникновение изменения цвета в монокристаллах РЬМо 04, ноуже вначале предотвратить его изменением З 0атмосферы выращивания,В связи с этим преследуется цель предотвратить широкополосную область поглощения в РЬМо 04-монокристаллах, максимум которой лежит в пределах Л = 400 -430 нм, которая особенно при больших тол- з 5щинах слоя понижает проницаемость значительно ниже теоретического значения,заданного показателем преломления. Этимулучшается работоспособность соответствующих оптических или акустическо-оптичес 40ких структурных групп, особенно если онинагружены светом, длина волн котороголежит между 400 и 500 нм, как это соответствует, например, для лазера ионов...

Номер патента: 425420

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Гаврилова, Козин

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, дигидрофосфата, калия, кристаллов

...пере сыщения.Это достигается тем, что в процессе выращивания в кристаллизационную камеру добавляют ненасыщенный раствор при комнатной температуре, а конденсат отво дят в количестве, равном количеству растворителя, добавленному с раствором.П р и м е р. Путем синтеза, например, по реакции КОН+НзР 04 = КНР 04+ Н,О из ранее приготовленной соли готовят пасы щенный раствор данной концентрации. Раствор перегревают выше температуры его насыщения на 1 - 2 С и заливают в кристаллизационную камеру с заранее укрепленными и нагретыми в нем затравками, 30 Одновременно с этим к кристаллизационной камере подсоединяют устройство для подпитки раствора и отвода конденсата. Вещество, с помощью которого производят подпитку, вводят в кристаллизационную...

Номер патента: 958508

Опубликовано: 15.09.1982

Автор: Гернанд

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кристаллов, лития, монодоменных, ниобата, расплава

...кристаллов по методу Чохральского, задачей данного изобретения является указание простого метода для выращивания однодоменных кристаллов ниобаталития из расплава.В основу изобретения положен тотфакт, что мероприятия для реализацииоднодоменной структуры по известнымдо сих пор методам и дополнительныемероприятия не только усложняют процесс выращивания кристаллов ниобаталития, но также могут отрицательносказываться на качестве кристаллов,например в отношении оптической однородности и пропускания. Кроме того,однодоменность обеспечивается не повсей полезной длине кристаллов.Существо предлагаемого изобретениязаключается в том, что в противоположность к до сих пор распространеннойтеории однодоменные кристаллы ниобаталития могут...