Патенты с меткой «киропулоса»

Номер патента: 151673

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Беликович, Вайданич, Кулик, Лыскович, Спитковский

МПК: F27B 1/10

Метки: выращивания, киропулоса, кристаллов, методом, печь, шахтная

...от я печь имеет киаметром 40 - 502 - 3 мм) к перином нагревателещиваемых кристдлагаемая шахтная печь предназнов люминофоров Иа 1 Те и Сз 1(Те) дропулоса. Подобно известной, онаревателями. Донный нагревательтолщина которой в центре составлшается до 12 - 15 лм. Диафрагмаметром 40 - 50 мм. Применение дианомерную скорость роста кристаллоптически прозрачные кристаллыхорошими сцинтилляционными хара ерамиче мл. Т иферии , Благо аллов. Диа- чиям выращив 0 - 130 мл ковым и ическуюи к пер альное о оляет об воз мож;30 и выс чена для иаметром 12 снабжена бо имеет керам яет 2 - 3 мм имеет центр фрагмы позв ов, что дает диаметром 1 ктеристика ми кристалл тодом Ки ным наг фрагму, рии повь стие диа чить рав получить 60 мм с анияме- дон- диа- ифе- твер-...

Номер патента: 768052

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Ломов, Мусатов, Папков, Суровиков

МПК: C30B 17/00, C30B 29/20

Метки: выращивания, киропулоса, корунда, методом, монокристаллов

...процесса. По мере ростакристалла расплав постепенно втягивается снизу внутрь обечайки силамиповерхностного натяжения, При определенных условиях уровень расплава между стенкой тигля и обечайкой можетравномерно распределяться по периметру и к моменту завершения процессакристаллизации понижаться до дна тигля, т,е, полностью переходить внутрьобечайки. Наличие расплава вокругобечайки способствует уменьшению температурного градиента на фронте кристаллизации, а равномерный уровеньрасплава благоприятствует выравниваниютеплового поля и уменьшению градиентаскорости кристаллизации по периметру,Тем самым устраняются условия захватакристаллом пузырей. Благодаря капиллярному эффекту малейшие зазоры между стенкой обечайки и поверхностьюрастущего...