C30B 19/02 — с использованием расплавленных растворителей, например флюсов

Номер патента: 388780

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Папков, Попов

МПК: C30B 13/02, C30B 19/02

Метки: гсьсоюзная

...роста слоев при температуре 1050 - 1100 С составляет 0,9 - 1,2 мм/час. Полученные слои имеют высокую 5 однородность распределения алюминия и монокристалличность структуры. падая счезае ры доого или относи- ико Во Го бретения редме О Способ зонной плавки ратуры, отличающийся устранения нестабильнос кой з,оны, плавку ведут в температурь, изменяюще5 расстоянии, не больше фронта кристаллизации. прадиентом темпетем, что, с целью ти движения жид условиях градиента го направление надлины зоны о" Известен способ зоннои плавтом температуры (ЗПГТ), подл ине зоны.При этом в процессе движения зона изменяет свою форму, распадается на отдельныечасти и движется нестабильно,С целью устранения нестабильности движения жидкой зоны по предлагаемому...

Номер патента: 1578238

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Балюк, Полухин, Попов, Середин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/06

Метки: кремниевой, структуры

...на основе алюминия толщиной40 мкм. Перекристаллиэацию пластиныис очника путем перемещения расплавленной роны осуществляют в течение2 ч при температуре 1200 С в поле температурного градиента. Затем полученную структуру охлаждают до комнатнойтемпературы .и сошлифовывают слой толщиной 30 мкм со стороны выхода эоны. Полученная структура и-р состоит из пластины-подложки (и-слой) и перекристаллизованной на ней.пластины- источника (р -слой), Перекристаллизо-. ванный слой однороден по электрофизическим параметрам (разброс удельного сопротивления по площади не превышает 47). Плотность дислокаций в нем-2составляет 8 10 смПредлагаемый способ обеспечивает получение .кремниевых структур,в которых в перекристаллиэованных областяхотсутствуют...

Номер патента: 1604871

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Красин, Макарова, Николаев, Николаевский, Ющенко

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: структур, феррогранатовых

...зерна 1 мкм),ляют в ппатиновом девают до 900 С. При э1604871 Составитель А, ЛихолетовТехред Л,Олийнык Корректор И.Эрдейи Редактор А.Шандор Заказ 3435 Тираж 347 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 подложку погружают в раствор-расплав, находящийся в первом тигле, иосуществляют. травление подложки соскоростью 30 мкм/мин, Скорость ВраЩения подложки в растворе"расплаве сос"тавляет 100 об/мин, Через 0,3 минпосле начала травления подложку извлекают из первого раствора-расплаваи погружают в раствор-расплав, находящийся во втором тигле, при температуре 910 С. Выращивание слоя(УЕцТтпСа)...

Номер патента: 1624067

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Семенюк, Скобеева

МПК: C30B 19/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, пленок, теллурида, цинка

...С, Эту смесь загружают в ячейку кассеты, в другую помещают подложку из 2 п 5 е, Кассету устанавливают в кварцевый реактор, нагревают до 650 С при непрерывном пропускании водорода и выдерживают при этой температуре в течении времени, достаточного для насыщения раствора-расплава(20 мин), Контакт раствора-расплава с подложкой осуществляют поворотом кассеты на 180 вокруг своей оси, при этом раствор-расплав располагают над подложкой. Для осаждения пленки проводят охлаждение системы до 450 С. При этой температуре проводят отделение раствора-расплава с поверхности выращенной пленки путем возвращения кассеты в исходное положение. После охлаждения печи до температуры эвтектики подложку с осажденной пленкой извлекают иэ ростового реактора, В...

Номер патента: 1686041

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Балюк, Вахер, Габова, Крыжановский, Середин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/06

Метки: кремниевой, структуры

...р - и-переход большой площади и высоколегированные приповерхностные области, что позволяет создавать в дальнейшем хороший омический контакт.П р и м е р 2. На кремниевые пластины диаметром 76 мм наносят такой же фоторезист с добавкой диффузанта, как в примере 1, толщиной 1 мкм; на пластину-подложку и-типа фоторезист-диффузант, содержащий в качестве легирующего элемента фосфор, а на пластину-источник р-типа фотореэист-диффузант, содержащий бор. Затем формируют композицию пластина-подложка-источник, располагают ее в нагревательное устройство, где при 1000 С торца композиции методом капиллярного втягивания формируют алюминиевую зону толщиной 50 мкм, Для создания такой зоны берут навеску алюминия массой 560 мг, после чего повышают...

Номер патента: 1705425

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Зелимханов, Марасина, Пичугин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/40

Метки: галлия, нитрида, слоев, эпитаксиальных

...в заданном градиенте температуры, наложенном нормально к поверхности расплава. Время эпитаксиального осаждения составляет 3 ч и в течение этого времени поддерживают постоянный градиент температуры, равный 2 ОС/см. После эксперимента подложки и раствор-расплав разобщают, подложки со слоем очищают от остатков металлов в горячей царской водке и промывают в дистиллированной воде.Морфологию поверхности слоев исследуют в оптическом и растровом электронном микроскопах при различных увеличениях. Структурные характеристики исследуют электронографическим и рентгендифрактометрическим методами. Толщину слоев и однородность слоев по толщине измеряют интерференционным микроскопом МИИ.Выращенные эпитаксиальные слои нитрида галлия были...

Номер патента: 1836502

Опубликовано: 23.08.1993

Автор: Рандошкин

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: граната, доменсодержащий, магнитооптический, монокристалл, структурой

...что соответствует 3,25ц3,60, При х0,4 резко ухудшается магнитооптическая добротность монокристалла. При х2,3 не удается получить монокристалл достаточно высокого качества. При содержании висмута 0,4х = 2,3 в состав монокристалла необходимо вводить быстрорелаксирующие редкоземельные ионы с 0,7у2,7.Как следует иэ соотношения (1) и фиг, 1 в прототипе ууо, в то время как в заявляемом изобретении у у Быстродействие доменосодержащего монокристалла определяется скоростью насыщения при движении ДСч =(у/2 А/О) (2) где А - обменная константа, 0 - фактор качества, причем А и 0 должны иметь оптимальные значения. Как показывает опыт, для прототипа чБ10 м/с. Как следует из фиг. 2 при использовании заявляемого монокристалла можно получить ч )10...

Номер патента: 1088417

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Даровский, Зурнаджян, Лозовский

МПК: C30B 19/02

Метки: кремния, основе, структур

Способ получения структур на основе кремния методом зонной перекристаллизации градиентом температуры, включающий изготовление линейных углублений на поверхности подложки, заполнение их металлом-растворителем и перемещение линейных жидких зон сквозь подложку под действием градиента температуры, направленного перпендикулярно поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик получаемых структур, через подложку пропускают переменный электрический ток, направление которого параллельно линейным зонам.

Номер патента: 1496337

Опубликовано: 20.11.2005

Авторы: Гогин, Матвеев, Рязанов, Таширов

МПК: C30B 19/02, C30B 29/28

Метки: магнитной, монокристаллической, пленки, феррит-гранатовой, шихта

Шихта для получения феррит-гранатовой магнитной монокристаллической пленки с одноосной магнитной анизотропией, содержащая оксид иттрия, карбонат кальция, оксид германия, оксид железа (III), оксид бора и оксид свинца, отличающаяся тем, что, с целью увеличения подвижности цилиндрических магнитных доменов (ЦМД) и расширения температурной области совпадения коэффициента температурной зависимости напряженности поля коллапса ЦМД с коэффициентом температурной зависимости намагниченности насыщения феррита, в состав дополнительно вводят оксиды европия, туллия и галлия при следующем соотношении ингредиентов, мас.%: