Гавалешко

Способ зонной очистки изотопнообогащенного германия

Загрузка...

Номер патента: 1781331

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Гавалешко, Криган, Радевич

МПК: C30B 13/00, C30B 29/08

Метки: германия, зонной, изотопнообогащенного

...возможная длийа этогоучасткастаток обуслбвлен тем, что при "очйстке ма- в каждом конкретном примере реализациилых количеств йещества очень трудноспособа должна быть определена экспериобесйечить малость соотношенйя 1/1,от ко- ментальным йутем из условия, чтобы силыторого зависит эффективность глубокойповерхностного натяжения со стороны расочистки. Поскольку существует предел для 30 плавленной зоны не могли преодолеть силыуменьшения 1, то приходится увеличйвать 1 сцепления неоплавленного участка слитка сза счет уменьшения сеченйя слитка. Зф- поверхностью контейнера. Очевидно, что.фект, обусловленный действием сил"повер- эти силы сцепления зависят от веса неоп.) хностйого натяженйя, не позволяет, лавленного участка, однозначно...

Высокотемпературный резистивный нагреватель для горизонтальных электропечей

Загрузка...

Номер патента: 1713123

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Бойчук, Гавалешко, Микитчук, Миронюк, Смерека, Тарасюк

МПК: H05B 3/62

Метки: высокотемпературный, горизонтальных, нагреватель, резистивный, электропечей

...Градиент температуры по длине нагревателя достигается за счет конусообразной формы нагревательного элемента 5.Нагреватель работает следующим образом.При работе только .цилиндрического элемента 4 задается вертикальный градиент вследствие подачи разного напряжения на стержни 2. Если ток, протекающий через все стержни цилиндрического элемента 4, одинаковый, то вертикальный градиент задается смешением оси относительно элемента 5, а также неравномерным раси ределением стержней 2.Для проведения испытаний нагревателя внутренний диаметр цилиндрического элемента составлял. 40 мм, общая длина 500 мм, внутренний диаметр основания конусообразного элемента 70 мм, общее электрическое сопротивление нагревательных элементов цилиндрического нагревателя 5...

Способ выращивания монокристаллов н м т

Загрузка...

Номер патента: 1611999

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Гавалешко, Жовнир, Сочинский, Фрасуняк

МПК: C30B 13/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, монокристаллов

...изотермиат. долио,оо Твердый раствор не образуетсв Качество хорошее Оптимальный вариант То же Качества хорошее Качество паховМонокристалл без пор и включений Та же. Манокристалл бвэ пар и включений То жеКачество хорошее То же Качества плохое То же20 20 16 2 0,22 0,14 0,26 945 900 9 БО 956 бо 400 420 200 975 9 БО 993 958 0,10,050.150,05 8 9 10 11 ДендритныйпаликристаллРастрескиваниеманок исталла 25 993 923 200 0,15 12 ческой выдержкой в.течение 10 - 50 ч при температуре, превышающей на 20-30 К его температуру ликвидуса. Охлаждая ампулу с гомогенным расплавом до комнатной температуры, получают поликристаллический 5 слиток НдТ-хМпхТе.Для проведения направленной пере- кристаллизации поликристаллический слиток Нд 1-хМпхТе целиком...