C30B 29/12 — галогениды

Номер патента: 108078

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Жванко, Шамовский

МПК: C30B 11/06, C30B 29/12

Метки: монокристаллических, фосфоров, щелочно-галоидных

...способ получениямонокристаллических щелочногалоидных фосфоров позволяет получать новый вид сцинтилляторов соспектром люминесценции, смещенным в красную часть спектра.Это увеличивает эффективностьсцинтилляторов и позволяет использовать в существующих марках фотоэлектронных умножителей болееширокий круг солей, вкл 1 очая бромиды и хлориды щелочных металлов.Предлагаемый способ отличаетсяот общепринятых тем, что, с цельюсмещения люминесценции монокристаллических щелочногалоидных фосфоров в красную часть спектра,в качестве активатора используетсяне таллий, а индий.Выращивание монокристаллов попредлагаемому способу производится из расплавов полностью обезвоженных солей.Процесс осуществляется при высокой температуре в...

Номер патента: 149395

Опубликовано: 01.01.1962

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: 149395

...галлия и сестабилизированное напрям помещается в центре стоящей из держателя ам149395пулы 4, направляющего штока 5, соединенного через привод с электродвигателем 6, Температура в печи замеряется термопарой 7.При выращивании монокристаллов хлористого и бромистого таллия диаметром от 18 до 24 мм применяется скорость вытягивания 8 ммlчас.Ампулы изготовляются из пирексового стекла. Ампула, наполненная веществом, присоединяется к вакуумной системе и при вакууме 10 - з - 10 - 5 мм рт, ст, производится тщательное эвакуирование газов при температуре 170 - 190 в течение 4 - 6 час, После этого ампула за паивается при непрерывном откачивании и затемняется слоем асбеста, смешанного с жидким стеклом.Использование затемненных ампул вызывается...

Номер патента: 151297

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Аникин, Шушканов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: i1ата1т13-тхшне, виблиотенч, всесоюзная

...ется элок11 агревплавного следуи стабилсагреватедо комна способу были обесц(темно-фиолетовые вые) кристаллы флю отерь на растрескив По предлагаемому О пы разноокр ашенныелсные, голубые, розо та практически без п ече- зе- ориние. ен природныхита нагреваниечасосссссссся тем,астрескиваниянагревание ихированных ралением до 350 окрам до что, обес- про- ствоат,с. Обесцавтокласталловворе хорристогокислоты ечнвание ах, приме пдротерм ошо раство лития, хло под давлпроводитс яемых для льным сп римого эл истого ка нием 250 -в стальных синтеза крисобом в растстролита (хлольция, борной 350 атм,Известен способ обссцвечивания природных кристаллов нагреванием их до высоких температур.При этом способе происходит растрескивание кристаллов, особенно...

Номер патента: 168262

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Надгорный, Степанов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, щелочногалоидных

...степени поглощения ультразвука и при достижении 250 С дальнейшее охлаждение ведут практически мгногенно. Способ получения щелочногалоидныхсталлов выращиванием их из расплаваследующей термообработки, отличаютем, что, с целью придания кристаллуства поглощать ультразвук в заданнойни, в расплав вводят примеси галоидньлей двухвалентных металлов, и охлакристалла после отжига осуществляютременной скоростью. крин поигийся свойстепегх сождениес пеПодггисная груггга3 присоединением заявкиИзвестными способами щелочногалоидные кристаллы получают из расплава следующим образом. По окончании выращивания кристаллов их охлаждают до температуры отжига, отжигают, и дальнейшее охлаждение 5 ведут с постоянной скоростью. Получаемые этими способами...

Номер патента: 169063

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Аникин, Бутузов, Шушканов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: выращивания, монокристаллов, флюорита

...ра хлорис ивания монокристаллов флюийся тем, что, с целью упроческой схемы и получения с равномерным распределемонокристаллы выращивают юорита путем перекристалли.флюорита в гидротермаль.автоклаве при 450 в 4 С и 200 атм с использованием в ителя водного 45 - 50%-ного того лития. Подпиская гоуггпа Известен способ выращивания монокр лов флюорита кристаллизацией из рас в вакууме при высокой температуре.Описываемый способ отличается от известного тем, что монокристаллы флюорита выращивают на затравку флюорита путем пере- кристаллизации исходного флюорита в гидротермальных условиях в автоклаве при 450 - 480 С и давлении около 200 атл с использованием в качестве растворителя водного 45 - 500/,-ного раствора хлористого лития. При применении...

Номер патента: 171854

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02

Метки: аб, всесоюзядя, иот, латенчо, нсмя, резников, яи, •-6

...и( и )отиГ ( с(т Г) (х)) ( (бладающцхи 1) )(стал л а и ц посл. с тем, что,к( цц) тмикц)(:)- ( ) ь )(цй цр б Подпсн(л г/)(/(тп ЛГ д11 Отжиг, например моцокристаллов 1.)Р, поизвестному способу проводят в цзотермических условиях. При этом процесс требует достаточцо высокой температуры, большой выдержки при температуре отжига и медлецного охлаждения,Предлагаемый способ быстрого цизкотемпсратурцого отжига заключаетсл в использовании цецзотермцческой релаксации прибыстром нагревании. Прц этом уровець цапряжешш искусствеццо повышается за счетцаложецил ца остаточцые цапрякеция термоупругих цапряжеций (скорость, рассеяниеостаточцых напряжений возраста(от), температура, до Которой надо нагревать моцокристалл, понижается, допустимая скорость...

Номер патента: 180562

Опубликовано: 01.01.1966

Автор: Петров

МПК: C30B 23/00, C30B 29/12

Метки: фторидов

...дсодержа щокой упругоды, и потоконечномококачсствпмецим дляг которых1 ессй (в чаединений эт с соед стью и му оста счете к енцых отличае стц ости цх же э Предмет изобретен 15 Способ очпст%Г., отлчп(оНИ 51 ВЫСОКОПСдля выращцгаЛОВ, ВОЗГОЦ 51 ЮТ20 при ВысОки.; тфторцстого вод Зависимое от авт. свидетельствааявлецо 20.111,1965 (М 948218/26-25) Известен способ очистки фторидов, заключающийся в том, что порошкообразные фторцды для удаления гидротированной и адсорбированной влаги выдерживаются в течение длительного времени в потоке сухого фтористого водорода при высокой температуре.Предлагаемый способ очистки дает возмоткность получить более чистые фториды, а следовательно, и более однородные монокристаллы...

Номер патента: 193438

Опубликовано: 01.01.1967

МПК: C30B 11/06, C30B 29/12

Метки: 193438

...кристаллизации к основному реактиву добавляют 0,005 - 0,01 вес. % стабилизирующей примеси НдСе, после чего процесс кристаллизации ведут согласно известной технологии.Способ заключается в следующем.Перед началом кристаллизации в ампулу к основному реактиву (АдС 1) добавляют небольшое количество 0,005 - 0,01 вес. % хлористой ртути (НдС 1 е) квалификации х. ч., которая является стабилизирующей примесью. После этого ампулу с веществом запаивают. Процесс выращивания кристаллов проводят по существующей в промышленности технологии. 2На фиг, 1 показаны кривые спектра пропускания: 1 - чистого незасвеченного хлористого серебра и 2 - стабилизированного 0,005%НдС 1 в после его трехмесячной непрерывной5 засветки солнечным и искусственным...

Номер патента: 342661

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ордена, Павликов, Патг, Тресв

МПК: C30B 29/12, C30B 29/62, C30B 9/12 ...

Метки: монокристаллов, соединений

...с атомным номером, большим трех.Отличием предлагаемого способа является осуществление кристаллизации охлаждением нагретого до температуры 1200 - 1250 С раствора, содержащего 5 - 15 вес. % фтористого магния, со скоростью 300 - 800 С/мин. Это дает возможность получать манокристаллы фтористого магния игольчатой формы.По описываемому способу исходные компоненты смешивают, смесь плавят при температуре 1200 - 1250 С и после гомогенизации расплава охлаждают, Полученный твердый сплав обрабатывают горячей водой до полного растворения хлорида (или хлоридов), после чего осадок промывают и высушивают. Размеры игольчатых монокристаллов регулируют, изменяя скорость кристаллизации в диапазоне 300 - 800 С/мин,П р и м е р, Навески фтористого магния...

Номер патента: 403226

Опубликовано: 15.05.1974

Авторы: Гончаренко, Изобретени, Инский, Смушков

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02

Метки: величиной, малой, монокристаллов, напряжений, остаточных

...отжпга в пзотсрмичсских условиях при температуре близкой к Т плавления.Нсдостатки известного способа состоят в том, что дополнительный отжиг проводят в условиях высоких температур, близких к температуре плавления, что усложняет и удлиняет процесс.С целью устранения указанных недостатков дополнительную термообработку кристаллов с низкотемпературным пределом пластичности и изделий из них проводят при температуре от Тпор до 1"Т,:, - 100 С .Предложенный способ в полтора раза сокращает время проведения процесса, повышает его надежность и упрощает условия проведения отжига.П р и м е р. Чонокристальную булю изнатрия хлористого диаметром 140 мм вы сотой 8 б мм помещают в печь отжига.Температуру повышают со скоростью 10%ас до 450 С. При этой...

Номер патента: 1154383

Опубликовано: 07.05.1985

Авторы: Бугай, Выдай, Загарий, Цирлин

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: гамма-излучения, детекторов, мягкого, рентгеновского, термообработки

...высокое значение параметра пик/допина.Цель изобретения - увеличение параметра пик/долина детекторов рентгеновского и мягкого гамма-излученияи сокращение продолжительности термообработки.Поставленная цель достигается тем,что согласно способу термообработкидетекторов рентгеновского и мягкогогамма-излучения на основе монокристаллов иодистого натрия, активированных таллием, включающему отбор детекторов по задаваемому параметру, ихнагрев до температуры термообработки,выдержку и охлаждение, отбор ведут- гпо концентрации активатора (3-4)10(2-3) 10 мас.7., нагрев - до 80-90 С,а выдержку осуществляют в течение4-5 ч.Сущность способа заключается в том,что при концентрации активатора в основе детектора (3-4) 10 мас.Е наблюдается низкое значение...

Номер патента: 1604873

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Криштопов, Куличенко, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

...увеличения предела текуче- сти в 3 - 5 раз. 2 табл. сти электрического поля Е. Определяют по ней, что пороговая величина Епор электрического поля, при которой эта зависимость начинает отклоняться от линейности, равна 25 кВ/см. Измеряют по дислокационным ямкам травления скорости перемещения краевых дислокационных диполей Ч при напряженности электрического поля 140 кВ/см и устанавливают, что она равна 1 мм/с. Берут кристалл КС в виде пластины толщиной Ь, равной 2 мм. Определяют для него минимальную 1 мин и максимальную 1 макс длительность воздействия электрическим полем напряженностью 140 КВ/СМ, раВНуЮ СООтВЕтСтВЕННО тмин ==,23 с.Воздействуют на кристалл постоянным электрическим полем напряженностью 140 кВ/см в течение 5 с. Для...

Номер патента: 1641898

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Бичурин, Дыменко, Пополитов, Телегенов, Черкасов

МПК: C30B 29/12, C30B 7/04

Метки: кристаллов, оксидно-галогенного, соединения, теллура

...свидетельствует об иххорошей чистоте,П р и м е р 2, В кварцевый реактор емкостью 1 л загружают 350 гТеО, устанавливают кварцевую перегородку с отверстиями и заливают водный раствор НВг концентрацией40 мас.Х. Соотношение жидкой и твердой фаз 4, б: 1, 5. Реактор герметизируют фторопластовым затвором с капилпяром, соединенным с резиновой трубкой, которая отведена в кварцевуюемкость с водой. Подготовленный реактор помещают в печь сопротивления,где его нагревают до 80 С с температурным перепадом 5 С Время выдержкикварцевого реактора в стационарномрежиме составляет 5 сут. Исходнаяшихта при указанных параметрах растворяется и конвекционным движениемЗОпереносится в обьем раствора, гдеза счет температурного перепадаи испарения растворителя...

Номер патента: 1647044

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Архангельская, Батыгов, Лукишова, Полетимов, Щеулин

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: амплитудных, фильтров

...на фиг.3 - профиль пропускания амплитудного фильтра из монокристалла ЯГГ 2. Иа.Устройство для проведения процесса содержит неокрашенный образец 1 фторида щелочноземельного металла, легированного литием, калием или натрием, ампулу 2 с неокрашенным образцом, 3 - щелочноземельный металл 3, где АВ, ВС, СО - обозначение сторон кристалла, г - расстояние в образце кристалла вдоль градиента пропускания,П р и м е р 1. Изготавливают амплитудный фильтр из кристалла фторида стронция ЯгГ 2; Йа (концентрация фторида натрия (МаР). в шихте при выращивании кристалла 0,3 мольо) толщиной 1 мм с про.- филем пропускания, представленным на фиг.З 1/1 о, как функция г, где г - расстояние в образце вдоль градиента пропускания), длина волны А, на которой...

Номер патента: 1647045

Опубликовано: 07.05.1991

Автор: Цирульник

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, иодистого, кристаллов, цезия

...выращивания кристаллов, конкретно щелочногалоидных кристаллов иодистого цезия, и позволяет уменьшить пластичность кристаллов. В тигле расплавляют шихту соли иодистого цезия. Кристалл вытягивают из расплава на затравку, ориентированную вдоль оси 100 . На лазерных окнах, вырезанных из кристалла перпендикулярно оси роста, достигают предела текучести 1 кг/мм,дой, Рост кристалла осуществляют в воздушной атмосфере в вертикальной муфельной печи из платинового тигеля с расплэвом соли иодистого цезия, Печь закрывают керамической крышкой со смотровым окном. Перед началом цикла выращивания соль расплавляют, отжигают при 680 С. Через смотровое окно опускают кристаллодержатель с затравкой под крышку печи. Прогретую в течение 3 - 5 мин затравку...

Номер патента: 1656013

Опубликовано: 15.06.1991

Авторы: Дыменко, Пополитов, Холов, Цейтлин

МПК: C30B 29/12, C30B 7/04

Метки: кристаллического, меди, моноиодида

...трубкой. В свою очередь трубка отведена в кварцевую емкость с водой, Подготовленный реактор помещают в печь сопротивления, где его40 нагревают до 80 С. Температурный пео . репад поддерживают равным 1 , время выдержки в стационарном режиме 4 сут. Исходная шихта растворяется и конвекционным движением раствора, вызванным45 температурным перепадом, тран спортируется в объем раствора. В результате реакции взаимодействия с водным раствором НВг и за счет суммарного действия температурного перепада и испарения растворителя через капилляр и резиновую трубку происходит быстрее пересыщение раствора растворенными формами монойодида меди с последуюющей его кристаллизацией по всему объему реактора. Выход кристалличес кого монойодида составляет 95,8 Е...

Номер патента: 1316323

Опубликовано: 23.06.1991

Авторы: Войтович, Калинов, Михнов, Овсейчук

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: активной, кристаллов, лития, среды, фторида

...предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 13Изобретение относится к кванто" вой электронике и может быть использовано для создания активных элементов лазеров с перестраиваемым по частоте спектром излучения.Целью изобретения является расширение диапазона генерируемого лазером излучения на область 520-580 нм.П ри и е р. Оптически обработанный кристалл фторида лития (толщина 2 им, площадь отполированной грани 10 10 ииф) помещают во влагонепроницаемую оболочку (чтобы избежать воздействия на кристалл конденсирующейся при охлаждении из воздуха влаги). После этого кристалл охлаждают в термосе с сухим льдом. Применение в качестве охладителя сухого льда позволяет достигнуть температуры кристаллиэации углекислоты...

Номер патента: 1691434

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Быков, Гельфонд, Жаркова, Игуменов, Малобродская, Морозова, Стабников, Тюкалевская, Царев

МПК: C30B 23/02, C30B 29/12

Метки: покрытий, просветляющих, фторидных

...ведут в испарителе при Тдсп. 190 С:16)1434 3 Составитель 3. БезбородоваТех ред М ЫО ) ге нтал Корректор Ы, Шароши Редактор Ы Петрова Заказ 3 с 09 Тираж ПодписноеБН 41 ЛП 1 ЛОсудс 1 рсс в;.Оноо комлтета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР3035, Ыогва, )-35, Раушская наб., 4/5 11 рсп 1 заодстс 1 еш.; н ,ча)ельсий комбинатПатент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 давление в камере осакдения Р) 760 торр; время процесса(т) 10 мин.П р и м е р 2, Полуфенис) покрытия из гексафторацетилацетоната кальция 11) на лейкосапфире, Навеска 13 мг, Тппдл.500"С, Тисп.: - 160 С, Р =-торр, Х =- 10 МИН,П р и м е р 3. Получение покрытия из ексафторацетилацетона,а с гронция (1) на )ейкосапфире, Навеска 15 мг, Тппдп.550"С, Тисп200 С, Р =- 2 торр,т =- 10...

Номер патента: 1693136

Опубликовано: 23.11.1991

Автор: Мамаджанов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: изменения, минералов, окраски

...флюо 60 оита опускают в канал у-источника Со и облучаюту-излучением со средней энергией у-квантов 1,25 МэВ, интегральной дозой 7,8.10 Р, Нет заметно- го изменения в окраске, Термообработка при 40-45 С в течение 25 - 30 мин приводит к образованию светло-салатового цвета,П р и м е р 2. Серые, белые, серовато-белые или слабоокрашенные образцы природного Флюобитв опускают в канал у-источника Со и облучвют у-излучением со средней энергией у -квантов 1,25 МэВ, интегрвльной дозой (1,2-1,8) 10 э Р,Окраска бледно-зеленая и бледно-голубая, а после термообрвботки при 50-600 С в течение 30-35 мин - синевато-зеленая и синевато-голубая.П р и м е р 3. Серые, белые, серовато-белые или слабоокрашенные образцы природного флюо 60 оита опускают в канал у...

Номер патента: 1694716

Опубликовано: 30.11.1991

Авторы: Мельникова, Сафин, Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/02, C30B 33/04 ...

Метки: кристаллов, молекулярных, примесей, щелочно-галоидных

...электрод заменяли на плоский, Замена острийного электрода на плоский осуществлялась для прекращения введения электронных центров и осуществления дальнейших процедур очистки. Температуру в ячейке поднимали до 610 С, а через образец пропускали ток 10 мА (при больших1694716 Формула изобретения Способ очистки щелочно-галоидных кристаллов от молекулярных примесей путем введения электронных центров окраски, о т л и ч а ю щи й с я тем, что, с целью повышения степени очистки, центры вводят с помощью острийного электрода, после чего проводят отжиг кристалла при температуре на 10 - 15 С ниже температуры плавления при пропускании электрического тока не более 10 мА и одновременном облучении светом УФ-диапазона до исчезновения полос поглощения...

Номер патента: 1707088

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Мироненко, Непомнящих

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: детекторов, лилия, монокристаллических, основе, фтористого

...кристаллизация фтористсго лития с указанными концентрациями фтористого лагния и Окиси титана в присутии фсрмообразсвателя на затрэвочный кристалл псзвс яет гсл.чи-ь ориентированные однородные пс чувствительности мснокристэллические стержни, заданного фсрлссбразсвателем профиля благ даря ток у, что кристаллизация расплэза в отвр- тиЯХ фсрглссбразсвэтелд гсз оля,сни, ть долю переноса примеси з. счетс ге.ць, и приводит лишь к дффузиснпрпцгссз л рэс пседе 1 сния псил;и, а с= г сди тсс"-,е",лэГд- к х кон. ,-. .,"Эциочог;к -Ервокг а.,: ниЮ, ". другой стороны ограч. чивает процессы риффуэисннси агрегэции в кристалле, что способствует получению однородных по у вствительности мс;.Окристэллических стержнеи и детекторов из них, не...

Номер патента: 1710603

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: йодида, монокристаллов, свинца

...скорости конвективного движения раствора оказалась оптимальной для получения монокристаллов РЫ 2 заданного вы хода. Было найдено, что при В/ 14 см/с(Я - скорость конвективного движения раствора) массоперенос растворенных форм иодида свинца от границы шихта -40 45 50 55 раствор недостаточен, что лимитирует выход РЫ 2.смПри И/ 17 выход монокристалловсРЫ 2, как показали эксперименты, практически не зависит от этого параметра. Такимобразом, интервал 14 И/ 17 - являетсмсся оптимальнымдля получения монокристаллов иодида свинца с заданнымвыходом. Концентрация водного раствораСНзСООН составляет 16-20 мас,%, что всочетании с другими параметрами процессавполне достаточно для растворения шихтыРЫ 2 и образования насыщенного...

Номер патента: 1726570

Опубликовано: 15.04.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/12, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, свинца, хлорида

...многочислен ные зародыши, скорость образования которых превышает скорость их роста. Одной из характеристик, влияющих на скорость отвода растворяемого вещества от границы шихта-раствор, является скоро сть конвекционного движения раствора, При введении в кварцевый реактор перегородок, разделяющих зону растворения и роста, с диаметром отверстий 1-5 мм скорость конвективного движения раствора 15 при температуре 100-145 С, ЬТ 4-7 С изменялась от 12 до 16 см/с. Указанная величина скорости конвекционного движения раствора оказалась оптимальной для получения монокристаллов РЬС 2 заданного выхода. Было найдено, что при ЧЧ 12 см/с ЧЧ - скорость конвекционного движения раствора) массоперенос растворенных форм хлорида свинца от границы...

Номер патента: 1730220

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 31/08

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...течение 12 ч. Избыток цезия в образце после введения составил 0,005 мол Образец с избытком цезия прогревали в атмосфере аммиака (давление 2 атм) при 500 С в течение 6 ч, Прогрев, как показали опыты, можно осуществлять при иной температуре, в течение периода времени, достаточного для обесцвечивания образца. Определение гидрид-ионов осуществляли спектрофотометрическим способом на спектрофотометре Яресогб - М 40 по полосе поглощения с максимумом 246 нм, Результаты определения представлены в таблице.П р и м е р 2, Проводили получение монокристалла КВг, легированных гидридионами. Для этого взят промышленный монокристалл КВг; выращенный в Ленинградском оптико-механическом объединении (ЛОМО). Введение сверхстехиометрического количества калия...

Номер патента: 1730221

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...ч обработки концентрация брома в кристалле составила 10 см з. этот способ не позволяет получать монокристаллы бромидов с избытком брома.Цель изобретения - получение моно- кристаллов бромидов с избытком брома,Поставленная цель достигается тем, что бром вводят в монокристалл бромида электролизом самого монокристалла, используя плоский и острийный электроды, при подаче положительного потенциала на острийный электрод при температуре на 30 - 50 С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 мА.Как показали опыты, электролиз для введения брома целесообразно осуществлять при температуре на 30 - 50 С ниже температуры плавления, При более низких температурах может возникать неравномерность распределения брома в образцах.П р и...

Номер патента: 1730222

Опубликовано: 30.04.1992

Автор: Шапурко

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочно-галоидных

...МЭтот способ не требует использования атмосферы галогена, однако не позволяе 1 производить очистку кристалла, Цель изобретения - очистка монокримй сталлов от примесей.Поставленная цель достигается тем, что электролиз монокристалла, подвергаемого очистке, ведут при температуре на 30 - 50" С ниже температуры плавления кристалла и величине тока не менее 10 МА и после отключения тока кристалл выдерживают при указанной температуре не менее 30 мин,Заказ 1492 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Как показали опыты, электролиз для введения галогена целесообразно осуществлять...

Номер патента: 1466286

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Алешин, Божевольнов, Карелин, Шавер

МПК: C09K 11/61, C30B 29/12

Метки: кальция, кристаллов, основе, термолюминофор, фторида

...скорость 18 мм/ч; нрси 1 синтеза 3 ч. Создание фтор;и;уц,н,ей тмос3 1466286ф(эры осуществляют Продуктами пироли- известных люминофоров с разными акэа тефлона. гиваторами.После охлажденйя кристалл иэвле- Чувствительность к о/ - и р -иэлу кают иэ тигля и разрезают на таблет- чениям определяли при облучении обкй толщиной 1 мм, При необходимости раэцов источниками Рц и г Ка5 гЗ 9 ггф полученный кристалл может быть рас-. соответственно, фединг - сравнением тбрт в порошок с последующим таблети- светосумм после облучения источнированием его для полуения детекто- ком Ка через 0,5 ч и через 1 мес.ггпура Запасенную светосумму регистрироваоПри приготовлении термолюминес- . ли в интервале температур 20-320 СЪ о центного материала в виде...

Номер патента: 1767050

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Быстрова, Вистинь, Соболев, Федоров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: материал, монокристаллический, оптический

...- С, которая удовлетворяет следующему соотношению: С = (127,4 г - 84-127)1 мол.%,где г- ионный радиус редкоземельного элемента по системе Шеннона для координационного числа 8 или средний ионный радиус всех редкоземельных элементов, входящих в твердый раствор, А,Интервал концентраций для редкоземельного элемента, равный й 1 мол.%, был выбран потому, что, как видно из диаграмм состояния, отклонение равновесного коэффициента распределения примеси от единицы в этом интервале не превышает=.0,1%. Это обеспечивает равенство эффектианого коэффициента распределения примеси единице, отсутствие сегрегации и безъячеистый рост практически при любых скоростях кристаллизации.Таким образом, использование установленной экспериментальной...

Номер патента: 1773954

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Блинников, Кириленко, Лаворик, Нечипорук, Новоселецкий, Филоненко

МПК: C30B 13/26, C30B 29/12

Метки: веществ, зонной, плавкой

...вещества осуществляется зонной плавкой, включающей перемещение зоны расплава вдоль исходного материала в запаянной ампуле при воздействии на нее колебаний перпендикулярно направлению движения зоны расплава с величиной амплитуды 1 5,Сущность изобретения состоит в следующем. Очищаемое вещество помещается в кварцевую ампулу, которая откачивается (в случае необходимости - заполняется соответствующей атмосферой) и отпаивается. После этого ампула помещается внутрь кварцевой трубы, вдоль которой перемещается зонный нагреватель. Зонный нагреватель выполняется таких размеров. чтобы кварцевая труба, внутри которой находится ампула с очищаемым веществом, могла совершать небольшие крутильные колебания с частотой в несколько Гц. Частота подбиралась...

Номер патента: 1773956

Опубликовано: 07.11.1992

Авторы: Андрианова, Афанасьев, Ветров, Игнатенков, Рыжиков

МПК: C30B 29/12, C30B 29/20, C30B 33/00 ...

Метки: линз, оптических

...при изготовлении иэ них элементов Линзовой оптики. В оптически одноосных кристаллах, однако, существует единственное направление, при распространении вдоль которого луч света не разлагается на вышеуказанные компоненты. Это направление является осью кристалла, а заготовка оптической детали, плоскопараллельнэч пластинка, перпендикулярная этой оси, часто именуемая пластинкой 7.среза. Недостатком таких пластинок является то, что после придания поверхности пластины вогнуто-выпуклой формы лучи будут проходить вдоль направлений, отличных от оптической оси кристалла, что приведет к их разложению на компоненты и образованию двулучепреломления, тем большего, чем больше кривизна изготовляемых поверхностей, т.е, угол между направлением нормали к...