Блецкан

Номер патента: 1682416

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Антонов, Блецкан, Елсаков, Искорнев, Окунев

МПК: C30B 29/44, C30B 33/02

Метки: галлия, монокристаллов, термообработки, фосфида

...тигля, непосредственно в зоне расположения монокристаллов у их поверхностей.Кристаллы извлекают из камеры. Сверху и снизу каждого монокристалла отрезают по три пластины для исследования электро- физических свойств монокристаллов, после чего монокристаллы поступают на операцию резки на пластины для последующего изготовления из них подложек для эпитаксиального наращивания, До отжига плотность дислокаций в кристаллах оставляет на верхнем торце(1,2-1,5) 10 см, на нижнем1682416 Формула изобретения Способ термообработки монокристаллов фосфида галлия, включающий их нагрев в атмосфере газа, выдержку и последующее охлаждение, отл и ч а ю щи й с я тем, что, с целью улучшения структурного совершенства кристаллов, нагрев ведут до 750-800 С в...

Номер патента: 1132606

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Антонихин, Блецкан, Дерябин, Кузьмина, Макаров, Папков, Суровиков

МПК: C30B 17/00

Метки: выращивания, монокристаллов, тугоплавких

...на чертеже показаны помещенныйв тигель 6 формообразователь 13,представляющий собой цилиндр из молибдена.или вольфрама толщиной 0,10,5 мм и высотой 0,8-0,9 высоты тигля 6, часть выросшего от затравочного стержня 11 кристалла 14, отделенная от расплава 15 островыпуклымфронтом кристаллизации, обозначенным пунктирной линией. При сборкеописанного устройства его элементы1-13 должны располагаться соосно другдругу.Введение в устройство отражателя12 повышает его стойкость, увеличиваясрок службы всего устройства до 50 иболее процессов. Введение отражателя обеспечивает достижение стабильности теплового поля кристаллизационного узла через 5-6 процессов, в товремя как в известном устройстве вертикальный экран 2 выходит из строяраньшечем...

Номер патента: 839324

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Блецкан, Папков, Перов, Суровиков

МПК: C30B 15/34, C30B 29/16

Метки: выращивания, лент, монокристаллических, окислов, тугоплавких, формообразователь

...в котором пластины с верхними горизонтальными торцами разделены капиллярным зазором. В. этом случае фронт. кристаллизации имеет плоскую форму над торцами пластин и симметрично втянутую в зазор и оканчивающуюм ся гребнем. Центрами кристаллизации являются края ленты, и вершина .гребня в середине ленты. В процессе роста толщина плевки расплава. между фронтом кристаллизации и поверхностью торцов пластин колеблется нз-за вибрации затравки и колебания таких параметров, как температура, скорость вытягивания и т.д.Вследствие малой толщины этой пленки неизбежны соприкосновения локальных участков фронта кристаллизации с поверхностью торцов пластин.Участки ленты, соприкасающиеся с пластинами, примораживаются к ним и, вследствие непрерывного...

Номер патента: 1291309

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Алешин, Беловол, Блецкан, Мазун, Шкуренко

МПК: B23D 53/04

Метки: ленточноотрезной, станок

...на шкивы 2-4. Включается станция гидропривода 20, и подготадливаются к работе гидроцилиндры 11 и 18. При подаче рабочей жидкости в поршневую полость гидроцилиндра 11 его шток 12 перемещает цапфу 14 с кареткой 25, механизмом 6-9 регулирования положения регулировочного шкива в пространстве и регулировочным шкивом 4 в направляющих 13, Таким образом достигается требуемое натяжение пилы 5,Для осуществления поворота регулировочного шкива 4 вокруг оси 10 с целью обеспечения устойчивого положения пилы 5 на шкивах 2-4 и достижения равномерного распределения10 растягивающих напряжений по поперечному сечению пилы регулировочныйвинт 7 вворачивается или выворачивается, при этом вилка 8 с валом 23 ирегулировочным шкивом 4 поворачивается на...

Номер патента: 1073048

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Алешин, Блецкан, Буддо, Дементьев, Лозовский, Сапелкин

МПК: B23K 31/02

Метки: пайки

...это практически исключено, Так, например, дляпайки кремниевых трУб длиной 0,5 мс выгонкой :оны на противоположную поверхность потребоналось бы1000-1500 ч.Цель изобретения - повышение качества соединений.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу пайкиизделий, преимущественно иэ полупроводниковых материалов, по которому в паяемом зазоре размещаютприпой, производят нагрев до температуры выше температуры плавления припоя и выдержку соединения внеоднородном температурном поле свыведением компонентов припоя из соединения методом эонной перекристал 15 лизации градиентом температуры,паяемое изделие располагают плоскостью спая под углом 15-47 к градиенту температуры.На фиг.1 показана схема способапрототипа (1 вариант); на иг.2то...

Номер патента: 887630

Опубликовано: 07.12.1981

Авторы: Блецкан, Кириченко, Курбанов, Пелевин, Соколов

МПК: C30B 15/14

Метки: нагреватель, сопротивления

...нагревателя впроцессе длительной эксплуатации, обус 10 ловленное уменьшением поперечного сечения в результате окисления поверхностикислородом, разрушение поверхности поддействием термоударов, испарения графита,вследствие чего такои нагреватель имеет15 малый срок службы (четыре - шесть месяцев в зависимости от атмосферы рабочейкамеры).Целью изобретения является повышениесрока службы нагревателя.0 Цель достигается тем, что нагревательные элементы выполнены из графитовогопорошка, засыпанного между тремя коаксиально установленными трубами из диэлектрического материала и электрически25 соединены слоем порошка, на котором установлено графитовое кольцо, а токоподводящпе кольца размещены в зазорах междутрубами,На чертеже показан предлагаемый...

Номер патента: 331608

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселин, Веселкова, Данковский, Доброхотов

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов, направлении, ориентированных

...(111 моно- кристаллов кремния из расплава на затравке в виде правильной четырехгранной призмы.Описываемый способ отличается от известных тем, что используют затравку, имеющую форму трехгранной призмы, боковые грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями 11 12Это позволяет исключить образование. двойников в начальный период рос та, в связи с чем увеличзвается производительность процесса.П р и м е р. Монокристаллы кремния, ориентированные в направлении 111, вытягивают из расплава по способу Чохральского, Затравки в виде трехгранных правильных призм с высотой треугольника в поперечном сечении, составляющей 4 мм, вырезают из моно- кристаллов, ориентированных в направ-. лении 1111 таким образом, что боковые грани...

Номер патента: 331607

Опубликовано: 15.10.1978

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова, Сахаров, Фалькевич, Шашков

МПК: B01J 17/18

Метки: выращивания, кремния, монокристаллов

...относится к металлургии полупроводников.Известен слособ выращивания моно- кристаллов кремния из расплава на затравке, имеющей Форму четырехгран- б ной призма, ориентированной в направлении 100,Описываемый способ отличается от известного тем, что используют затравку с боковыми гранями, совпадаю щими с кристаллографическими плоскостями100 ).Это дает возможность повысить выход монокристаллов в связи с тем, что их рост происходит более устойчиво. 18По описываемому способу монокристаллы выращивают на затравке квадратного сечения площадью ЗхЗ мм, вырезанной иэ монокристаллических слитков, ориентированных в направлениях 1111 и 11003 . Вытягивание производят обычным путем. Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава на...

Номер патента: 453976

Опубликовано: 05.03.1976

Авторы: Блецкан, Копинец, Погорецкий, Салькова, Соскин

МПК: G03H 1/00

Метки: голограмм, записи, материал, полупроводниковый

...порядка 0,1 дж/см для сернистого германия, 0,05 дж/см- для йодистого висмута, 0,2 дж/см" для фосфорцстого кадмия, работающего в режиме свободной генерации, записываются профильные голографические решетки с высокой пространственной частотой (10 з мин/мм). Профиль решетки для каждого цз материалов различен.Голографическая решетка записывалась пз. лученцем рубинового лазера за времена порядка 10-"ек, и нс требовалась последующая обработка. Геометрические размеры кристаллов не изменялись при длительном хранении (2 месяца) так жс, как ц свойстьа решетки, Дцфракццонная эффективность в первом порядке составляет для сернистого германия 1 = (10+ 2) %, для йодистого висмута т 1 = = (12+-2) %, для фосфористого кадмия 11 = (15+ 2) % прц...

Номер патента: 418211

Опубликовано: 05.03.1974

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова

МПК: C30B 15/36, C30B 29/06

Метки: выращивания, границами, двойниковыми, кремния, кристаллов, плоскостям

...роста уменьшаются, а ниже плоскостей двойниковаиия растет кристалл с ориентацией 100. ии кристаллов ава ца затраво плоскостям ост кристаллов 10 еющего в попепо площади лографической двойникованиявсегда может 15 выращивание ю затравку с выми границаектора 122 в 20направлению орого она изгозводимо полущие в поперечделенных двой т изобретения ре ащивают вы ральскому на ения разме противопокристаллов кремния с и ио плоскостям (111), сечениях изменяющиес различной кристалСпосоо выращивания войниковыми граница меющих в поперечных я по площади у.астки Изобретение может быть испполучения сложных кристаллдвойниковыми границамиимеюречных сечениях изменяющиесяучастки с различной кристалориентацией.Известно, что при выращиванкремния кристаллизацией...

Номер патента: 396124

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Березенко, Блецкан, Мисюра

МПК: C30B 15/00, C30B 29/06

Метки: бездислокационных, кремния, монокристаллов

...криста,пов к 30 цд по Т 1 охрял моцокрцстд,пд Зд здт 3 В)и, н Т 51 ГИ ВД;)п 51 П,1 О ОТ.22 П22222202 нных моноЦЗ Р 1 СПЛЯем учдсткд цм дцямстроиссе выа 1)цзяццбеспечен;я капп нцех НВДП меныВ Пкрис ЛЯО кому с выряц 1)метром,ПОДДЕРЖДЦИЕ кого фронт т; о. с цеЦель изоб условий, обе бездислокаци в цаправлени создание теплоых х устойчивый рост кристаллов кремния 30СТЕНИ 51печивающнных мот11101. м,:т 1 Зобретгцие Относится к метяллургцц .10ПР О ВОДИ и КС и.Известны способы получецицпоццых моцокристаллов повытягввяц;ем из расплава,пов которых после затравливНиучасток мо:окрцсталла с диамедиасегрд затравки, ц поддержфЭОЦТ КРНСТЯЛ;1 ИЗДЦ)М 1. Д,51 ЗОГО Ц 15 П) ВЬРЩ 16 ВЦИЦ ОЕЗД 1 Ь,ОКЦЦОЦ)ЫХ МЬОХРСТ 1,1,1 ОВ У 1 ЯЗЯЦНОЙ ОРНЕПТ 3 ЦИЦ Ве,тцчпну...

Номер патента: 356873

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Березенко, Блецкан, Веселкова, Сахаров, Фалькевич, Шашков

МПК: C30B 15/36, C30B 29/06

Метки: 356873

...пло войникования проПолученные криторное строение. ора, полученного в 11221. Плоскостяскости 1122). изобретени ред ия двойниковых нием из расплава гранной призмы, ленин 1100, отл обеспечения одно всем граням ок у, боковые гра лографическими 15 Способ кремния в ку в виде ванную в тем, что,20 двойников пользуют являются ми 1110).кристаллов на затрав- ориентироичаюи 1 ийся временного таэдра, исни которойплоскостяполучен ытягива четырехнаправ цельюания по затравккристал Изобретение о и полупроводников.Известно, что при выращивании монокристаллов кремния вытягиванием из расплавов на затравку, имеющую форму четырехгранной призмы и ориентированную в направлении 11001, может происходить образование двойников, являющееся, как правило,...