C30B 11/02 — без использования растворителей

Номер патента: 113495

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Абрамов, Аветисов, Ильин, Скотников, Соколин

МПК: C30B 11/02, C30B 29/32

Метки: выращивания, монокристаллов, электроустановка

...клапаном с жесткои передачей от электрических часов.Конструкция печи поясняется чертежом.Электропечь состоит из корпуса 1, имеющего теплоизоляцию 2. Печь имеет в качестве нагревательных элементов силитовые стержни 3, Внутри электропечи заключен жаропрс)щяй, например из алунда, глухой в виде цилиндра экран 4, который имеет отверстия с керамическими трубками для впуска и выпуска сжатого воздуха. Внутри экрана проходит воздухопровод 5, в виде спирали, дающей возможность омывать и равномерно охлаждать стенки экрана воздухом.Расход сжатого воздуха, проходящего внутри спирали, обеспечивает программное регулирование температуры рабочего пространства печи.Таким образом, темп;ратура тигля б с расплавом, потоком воздуха в алундовом...

Номер патента: 121438

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Александров, Спендиаров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/54

Метки: антрацена, монокристаллов

...свойствами.С этой целью дополнительную очистку и выращивание кристаллов производят в одной ампуле,Ампула представляет собой стеклянную трубку, переходящую в капилляр, где образуется монокристаллическая затравка, После загрузки очищенного антрацена в ампулу, последняя вакуумируется и заполняется азотом или аргоном. В процессе очистки примеси оттесняются в сторону отпайки шейки ампулы, после чего ампула переворачивается капилляром вниз, очищенное вещество оседает и начинается процесс выращивания монокристалла в зонной печи.Рост монокристалла происходит на границе центрального и нижне. го нагревателей печи, а загрязненная примесями часть антрацена находится в зоне верхнего нагревателя печи и остается в твердом состоянии.По...

Номер патента: 149395

Опубликовано: 01.01.1962

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: 149395

...галлия и сестабилизированное напрям помещается в центре стоящей из держателя ам149395пулы 4, направляющего штока 5, соединенного через привод с электродвигателем 6, Температура в печи замеряется термопарой 7.При выращивании монокристаллов хлористого и бромистого таллия диаметром от 18 до 24 мм применяется скорость вытягивания 8 ммlчас.Ампулы изготовляются из пирексового стекла. Ампула, наполненная веществом, присоединяется к вакуумной системе и при вакууме 10 - з - 10 - 5 мм рт, ст, производится тщательное эвакуирование газов при температуре 170 - 190 в течение 4 - 6 час, После этого ампула за паивается при непрерывном откачивании и затемняется слоем асбеста, смешанного с жидким стеклом.Использование затемненных ампул вызывается...

Номер патента: 150495

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Большаков, Буленков, Федоров, Цирлин

МПК: C30B 11/02

Метки: полупроводниковых

...тигли. Нижняя часть каждого тигля имеет внешний шлиф, а верхняя часть - внутренний шлиф. Тигли устанавливают таким образом, что дно верхнего тигля служит крышкой нижнего. Батарею, состоящдо из трех-четырех тиглей с шихтой, помещают в кварцевую ампулу, после чего ампулу вакуумируют до разрежения, равного 10 -- 10 -и.и рз. ст, Ампулу запаивают и нагревают до температуры синтеза. Шлиф тиглей пропускает газ при откачке ампулы, но практически он непроницаем для конденсирующихся паров и жидкости, так как капилляры шлифа быстро забиваются конденсатом.При синтезировании из чистых компонентов сплавов системы Мд - с 1 - ,зЬ и М - 5 п - ЯЬ с длительной выдержкой при высоких температурах с применением виброперемешивания, на внутренней...

Номер патента: 165670

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Костин, Техническдй

МПК: C30B 11/02, C30B 29/34

Метки: выращивания, монокристаллов, слюды

...перегреве в центре печи(1440 С), перепаде температуры на расстоянии 150 мм до 1380 С и при движении систе мы тиглей по 1 мм в час снижение температуры в час будет равно 0,4 С.Способ предусматривает перемещение системы тиглей со скоростью, необходимой для поддержания заданной скорости охлаждения 25 или нагрева. Спосоо выры из расплав 0 тигля с распл одписнпя группо ЛБ 33 Известны способы выращивания монокристаллов елоды (фторфлогопита) из расплава путем медленного опускания тигля с раснлавом сквозь зону максимального нагрева. Процесс требует много вр(меня и ведется ступенями.В предлагаемом спосоое, основанном на кристаллизации опусканием тигля (или ряда тиглей) сквозь разо.ретую зону нагревателя (печи), используется промежуточный...

Номер патента: 168262

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Надгорный, Степанов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, щелочногалоидных

...степени поглощения ультразвука и при достижении 250 С дальнейшее охлаждение ведут практически мгногенно. Способ получения щелочногалоидныхсталлов выращиванием их из расплаваследующей термообработки, отличаютем, что, с целью придания кристаллуства поглощать ультразвук в заданнойни, в расплав вводят примеси галоидньлей двухвалентных металлов, и охлакристалла после отжига осуществляютременной скоростью. крин поигийся свойстепегх сождениес пеПодггисная груггга3 присоединением заявкиИзвестными способами щелочногалоидные кристаллы получают из расплава следующим образом. По окончании выращивания кристаллов их охлаждают до температуры отжига, отжигают, и дальнейшее охлаждение 5 ведут с постоянной скоростью. Получаемые этими способами...

Номер патента: 175480

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Аникин, Кочеткова

МПК: C30B 11/02

Метки: кристаллов, синтетическойслюды

...п подачи инертного газа в процессе опыта.После механической очистки внутренних стенок удаляют пыль тампоном, смоченным спиртом, и просушивают при температуре 60 - 70 С, Загружают шихту, состоящую цз ортоклаза, периклаза и фторцстого магния, с величиной зерен 0,05 - 1 лл, с содержанием окислов железа и влаги не более 0,1% 0,01% соответственно.Для удаления болыпей части имеющцхся в объеме тигля воздуха ц глагц в период загрузки шцхты производят неоднократное вакуум ировапие с последующим заполнением осушенным ц очищенным от кислорода газом (аргоном, азотом). Тигель в процессе вакуумировация прогревают до 120 в 1 С. После заполнения тигля шихт сго закрывают крышкой, цзготов де плоской тарелки с высоким верхнему краю которого процзв 5...

Номер патента: 197525

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гольдштейн, Карпенко, Тресв

МПК: C30B 11/02, C30B 29/16

Метки: выращивания, кристаллов, магния, окиси

...от известных тем, что в качестве исходного сырья ис. пользуют магнезию, содержащую не менее 90 вес. % активной окиси магния, в которю в процессе гидратации вводят не менее 6 мол.% избыточной воды. При расплавлении шихты наплавляют блок расплава объемом це менее 0,2 л 1 з, с отношением высоты к диаметру от 1:2 до 1:1 и перегревают расплав на 20 - 100=С выше температуры плавления окиси магния,Проведение процесса выращивания кристаллов при указанных условиях дает возможность получать друзы оптически прозрачных металлов 50 лтл длиной и 25 - 30 млт диаметром в количестве 25 - 30 вес. % закристаллизованного блока, Кристаллы могут использоваться в полупроводниковой технике, и в радиоэлектронике и расчетной технике. Прп увеличении...

Номер патента: 262860

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Институт, Киргинцев, Рыбин

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов

...способ,Исходный материал загружают в трубчатыйконтейнер 1 из графита или кварца в количестве, при котором распла загр) женного кдатериала занимает 40 - 70% объема внутренней5 полости контейнера. Контейнер устанавливают под углом 0 - 5 к горизонту и вращают со скоростью 300 - 400 об(иан. Выращивание производят на затравку 2, плотно входящую в полость контейнера. Расплав перегревают до 10 температуры не менее чем на 100 С вышетемпературы плавления кристаллизуемого материала, Затравку принудительно охлаждают для создания в твердой фазе начального осевого градиента температуры не менее 100 С 15 на 1 слд. В этих условиях происходит расслоение расплава по длине контейнера на а-расплав, примыкающий к затравке, и р-расплав, а-расплав...

Номер патента: 273176

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Багдасаров, Говорков, Ильин, Институт, Неклюдова, Седанов, Специальное, Федоров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/20

Метки: 273176

...введения примесей, изменения дислокационной структуры,Основным недостатком известного способаявляется недостаточно высокая прочность монокристаллов корунда.Для устранения этого предложено в процессе кристаллизации в монокристалл вращивать высокопрочную и более тугоплавкую арматуру со скоростью кристаллизации 4 - 1516 мм/час при температуре расплава 2050 -2150 С с последующим охлаждением до комнатной температуры в течение 3 - 5 час.П р и м е р. В кристаллизационный сосуд (например, лодочку, изготовленную из молибдена) помещают затравочный кристалл, за которым располагают арматуру, температураплавления которой выше точки, плавленияА 1,0 з. Свободное пространство в объеме лодочки заполняют шихтой и производят направ ленную...

Номер патента: 295579

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Барсукова, Кузнецов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/32

Метки: метатитанатасвинца, монокристаллов

...не менее 1350 С в течение 30 мин,затем со скоростью 2 град(мин расплав охлаждают до 1100 С, после чего нагрев выключают.Способ заключается в следующем. 30 Кристаллизацию РЬТ 1 Оз производят из расплава под давлением воздуха 110 в 1 атл в пластиковых ампулах. Исходной шихтой является предварительно прокаленная при температуре 1100 С смесь окислов РЬО и Т 102. Ампулу с шихтой помещают в установку, представляющую собой стальной сосуд высокого давления с внутренним нагревателем, В установку нагнетают воздух до давления 110 - 120 ат.и и ампулу нагревают до температуры 1350 С. Давление воздуха препятствует улетучиванию РЬО и нарушению стехиометрпи кристаллов, а также восстановленшо свинца до металла из его окиси, что возможно прп использовании...

Номер патента: 388779

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, исследования, кинетики, кристаллов, роста

...9 снабжензатворной крышкой 18 для предотвращения 10 выплескивания жидкой фазы из стакана приего вращении.Кристаллизационный стакан устанавливается на теплоизолирующей прокладке 14 на опоре 15 с ребристыми направляющими 1 б, 15 вращающейся на оси привода 17 со скоростью, достаточной для того, чтобы под действием центробежной силы жидкий расплав образовал вогнутую поверхность параболоида вращения требуемой кривизны.20 Устройство работает следующим образом.Трубчатый кристаллизатор с циркулирующим в нем хладагентом заданного расхода и температуры погружается в исследуемый расплавив. При этом выступы вилочки 7 на кор пупе кристаллизатора 2 входят в шлицы замка 8 корпуса кристаллизационного стакана, соединяя их в единый узел и одновременно...

Номер патента: 1599447

Опубликовано: 15.10.1990

Авторы: Бодячевский, Бойко, Данько, Катрич, Самсонов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/20

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...включают механизм, и контейнер перемещается со скоростьюпротяжки 8 мм/ч, В течение всего процЕсса уровень концентрат.и примесейпОддерживается на уровне, не превышающем уровень концентраций, достигнутый в ходе нагрева шихты. Процесскристаллизации проводится при постоянных значениях мощности нагрева и скорости перемещения контейнера, После 15окончания кристаллизации проводитсяотжиг путем снижения мощности от еезиачения в процессе кристаллизации(12,5 кВт) до нуля в течение 16 ч 20Полученный кристалл характеризуется отсутствием тиндалевского рассеяния и луче гелий-неонового лазера,Способ выращивания монокристаллов тугоплавки окислов, включающий нагрев и расплавление шихты в молибденовом контейнере в тепловом узле из углеграфитовых...

Номер патента: 1604865

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Буткевич, Коротаев, Линейцев, Хамитов, Чумляков

МПК: C30B 11/02, C30B 29/52

Метки: железа, меди, монокристаллов, никеля, основе, сплавов

...и 2%. кобальта. 15 Температура плавления сплава около 1200 С, Кристаллизацию осуществляют в аналогичных условиях.П р и м е р 5. Получают монокристаллы сплава на основе кобальта, со держащего 46% никеля и 7% титана.Температура плавления сплава около 1440 С,. Кристаллизацию осуществляют в аналогичных условиях.П р и м е р 6. Получают монокрис таллы сплава, содержащего 50% никеля и 50% титана. Температура плавления сплава около 1350 С, Кристаллизацию осуществляют в аналогичных условиях.Из данных таблицы видно,что выход годных модокристаллов по предложенному способу в 2-3 раза выше.Таким образом, способ получения монокристаллов сплавов металлов позволяет существенно повысить выход годных и, соответственно, повысить производительность...

Номер патента: 1624064

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Абдуллаев, Азизов, Алексеев, Алиев, Петрова

МПК: C30B 11/02

Метки: выращивания, монокристаллов

...канала.Получают соединение ТйпЯе 2. Готовые образцы размером 1 х 1 х 5 мм получают раскалыванием монокристаллического слитка по двум взаимноперпендикулярным естественным плоскостям кристалла, выращенно. го методом зонной плавки.Данный способ позволяет получать готовые образцы с минимаЛьной степенью де1624064 Составитель Н. ПономарегэТехред М,Моргентал Корректор С. Шекма Сеглян Редак Заказ 171 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открыт 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5и ГКНТ ССС зводственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород арина, 10 формации и с воспроизводимой заданной кристаллографической ориентацией 110). При этом время, в течение которого инертный газ прогоняется через систему при Р 1 = 0,2...

Номер патента: 1647044

Опубликовано: 07.05.1991

Авторы: Архангельская, Батыгов, Лукишова, Полетимов, Щеулин

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: амплитудных, фильтров

...на фиг.3 - профиль пропускания амплитудного фильтра из монокристалла ЯГГ 2. Иа.Устройство для проведения процесса содержит неокрашенный образец 1 фторида щелочноземельного металла, легированного литием, калием или натрием, ампулу 2 с неокрашенным образцом, 3 - щелочноземельный металл 3, где АВ, ВС, СО - обозначение сторон кристалла, г - расстояние в образце кристалла вдоль градиента пропускания,П р и м е р 1. Изготавливают амплитудный фильтр из кристалла фторида стронция ЯгГ 2; Йа (концентрация фторида натрия (МаР). в шихте при выращивании кристалла 0,3 мольо) толщиной 1 мм с про.- филем пропускания, представленным на фиг.З 1/1 о, как функция г, где г - расстояние в образце вдоль градиента пропускания), длина волны А, на которой...

Номер патента: 1473382

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Александров, Мартинсон

МПК: C30B 11/02, C30B 29/54

Метки: веществ, кристаллов, органических

...7 с отнерстием, через которое теплоотводящий элемент 5 соединен непосредственно или с помощью соеди-нения 8 с термостатирующей трубкой 9.П р н м,е р. В сосуд 1 загру- фф жают шихту нэ нафталина и вводят в нее теплоотводящий элемент 5. Через .термостатврующую рубашку 2 и тепло- отводящий элемент пропускают воду,ф /онагретую до 86 С т.е, на 5 С выше1473382 ние 1 О ч получают кристалл дифениласо степенью чистоты 99,999% диаметром 46 мм и длиной 170 мм.Таким образом, способ по изобретеноо позволяет повысить степеньчистоты на порядок и в три раза увеличить производительность процесса.Фо рмула изобретенияСпособ получения кристаллов органических веществ, включающий расплавление шнхты. с введенным в нее тепло-отводящим элементом, его...

Номер патента: 1700111

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Беляев, Гриднев, Пикунов, Сидоров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/52

Метки: магнитов, монокристаллических, постоянных

...скорости охлаждения более 100град/мин структура отливок не получаетсямонокристаллической из-за бокового теплоотвода и образования новых кристаллов отповерхности формы.При термомагнитной обааботке (ТУО)образцов нагрев осуществляют до 1240 -1260 С со скоростью 40 - 200 град,"мин, Принагреве со скоростью менее 40 град/мин вструктуре сплава успевает образоватьсяпроизвольно ориентированная у-фаза,При нагреве со скоростью более 200град/мин в заготовках возникают микротрещины, понижающие механическуюпрочность образцов, Дальнейшая ТМО проводится по следующей схеме: охлаждениена воздухе в магнитном поле 2 мин, изотермическая выдержка прл 800 С 12 мин, двух 1- ступенчатый отпуск ппи 650 О С 5 ч и при 550С 20 ч,В табл. 1 приведены...

Номер патента: 1707088

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Мироненко, Непомнящих

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: детекторов, лилия, монокристаллических, основе, фтористого

...кристаллизация фтористсго лития с указанными концентрациями фтористого лагния и Окиси титана в присутии фсрмообразсвателя на затрэвочный кристалл псзвс яет гсл.чи-ь ориентированные однородные пс чувствительности мснокристэллические стержни, заданного фсрлссбразсвателем профиля благ даря ток у, что кристаллизация расплэза в отвр- тиЯХ фсрглссбразсвэтелд гсз оля,сни, ть долю переноса примеси з. счетс ге.ць, и приводит лишь к дффузиснпрпцгссз л рэс пседе 1 сния псил;и, а с= г сди тсс"-,е",лэГд- к х кон. ,-. .,"Эциочог;к -Ервокг а.,: ниЮ, ". другой стороны ограч. чивает процессы риффуэисннси агрегэции в кристалле, что способствует получению однородных по у вствительности мс;.Окристэллических стержнеи и детекторов из них, не...

Номер патента: 1730216

Опубликовано: 30.04.1992

Авторы: Бондарь, Забелина

МПК: C30B 11/02, C30B 29/46

Метки: растворов, твердых

...быстро (в течение 2 ч) 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 повышаютдо значений, превышающих температуру ликвидуса соответствующего твердого раствора на 20 К (фиг. 2). После установления температуры в горячей зоне включают вибрацию и повышают температуру в холодной зоне до 650 - 670 К и выдерживают в таких условиях 3 ч, Затем температуру холодной зоны повышают до 900 - 920 К (с вибрацией ампулы) с повторной выдержкой в течение 2 ч. По окончании указанного времени выдержки расплав охлаждают со скоростью 100 К/ч без выключения вибрации до комнатной температуры. Для гомогенизации полученных сплавов проводят отжиг при 1170 К в течение 500 ч.Полученные после отжига слитки представляют собой гомогенные сплавы, однородные по всей длине, что...

Номер патента: 1733515

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Денисевич, Радучев, Штейнберг

МПК: C30B 11/02, C30B 29/22

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

...сверхпроводников в системе В 1 Зг-Са-Сц-О с одинаковой температуройперехода в сверхпроводящее состояние.Использование скоростей свыше 5 мм/чухудшает условия гомогениэации расплава.С момента изменения напряжения наиндукторе (т 4) скорость перемещения тигля устанавливают 0,01 - 0,8 мм/ч и поддерживают до полной кристаллизациирасплава, после чего увеличивают скорость.перемещения тигля до 10 мм/ч, реализуетсяотжиг полученного материала (область Ч).Уменьшение скорости перемещениятигля меньше 0,01 мм/ч не улучшаетсвойств полученных монокристаллов повоспроизводимости температуры переходав сверхпроводящее состояние Тс измененной при сопротивлении, близком к нулю, носущественно снижает Тс этих кристаллов.Увеличение скорости перемещения тигля...

Номер патента: 1767050

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Быстрова, Вистинь, Соболев, Федоров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: материал, монокристаллический, оптический

...- С, которая удовлетворяет следующему соотношению: С = (127,4 г - 84-127)1 мол.%,где г- ионный радиус редкоземельного элемента по системе Шеннона для координационного числа 8 или средний ионный радиус всех редкоземельных элементов, входящих в твердый раствор, А,Интервал концентраций для редкоземельного элемента, равный й 1 мол.%, был выбран потому, что, как видно из диаграмм состояния, отклонение равновесного коэффициента распределения примеси от единицы в этом интервале не превышает=.0,1%. Это обеспечивает равенство эффектианого коэффициента распределения примеси единице, отсутствие сегрегации и безъячеистый рост практически при любых скоростях кристаллизации.Таким образом, использование установленной экспериментальной...

Номер патента: 1603844

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Бондарь, Бурачас, Горишний, Кривошеин, Пирогов, Салийчук, Федорова

МПК: C30B 11/02, C30B 15/00, C30B 29/32 ...

Метки: висмута, германата, монокристаллов, структурой, эвлитина

...г, оксид германия Ое 021054,2 гдля получения требуемого соотношения, соответствующего Формуле ВцСезО 2 (масса загрузки смеси на одно выращивание для тигля диаметром 100 мм и высотой 100 мм составляет 4200 г).Собирают нижнюю часть кристаллизационного узла в соответствии с чертежом, засыпают в тигель 2 и упло 1 няют полученную гомогенную смесь - первичная загрузка, Затем устанавливают верхнюю часть кристаллизационного узла, включают ростовую установку (" КристалЛ") и нагревают смесь оксидов со скоростью 100 град/мин до 940 С, далее со скоростью 15 град/мин до 1175 С (температуру контролируют по показаниям термопары типа ТПП), Агрегатное состояние смеси, процессе повышения температуры наблюдается через смотровое окно 5 и при получении...

Номер патента: 1605587

Опубликовано: 23.11.1992

Авторы: Бороденко, Кухтина, Лисецкая, Носачев

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Метки: кристаллов, селенида, цинка

...режим, при котором проводят кристаллизацию шихты при скорости протагивания тигля через температурное поле 30 - 50 мм/ч. Затем, воэвра1605587 40 Таблица 1 тив тигель с помощью механизма перемещения в исходное положение, полученный слиток протягивают через температурное поле со скоростью 3 мм/ч. Коэффициент поглощения выращенного кзоисталла на длине волны 10,6 мкм 5,1 10 см,Выращенный кристалл загружают в кварцевую ампулу, сделанную по типу "песочных часов", засыпают металлическим селеном квалификации ос.чвакуумируют до 10мм рт.ст. и эапаивают, Ампулу помещают в шахтную печь и отжигают при 600 С в течение 120 ч. Селен переливают в свободный обьем ампулы, ампулу с кристаллом охлаждают в режиме 100 С в час.Коэффициент поглощения полученного...

Номер патента: 1783009

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Апинов, Икрами, Кузнецова, Сидоров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: выращивания, дифторида, марганца, монокристаллов

...аОЬеге Иеце. ОвнеТтесЬпс пеон, М 7, 1986, р.544.(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОЧИСТКИ ДОРОЖНЫХ ПОКРЫТИЙ(57) Использование:,относится к области машин для летнего и зимнего содержания городских территорий, преимущественно типа подметальных машин и скалывателей уплотненного снега. Сущность - содеркит рабочий орган в виде усеченной в радиальной плоскости симметрии отработавшей ресурс автомобильной шины 7, закрепленной на несущем диске 8 под углом к дорожному покрытию 11. Усеченная автомобильная ши на 7 установлена с наклоном оси вращения вперед и вбок с возможностью воздействия на грунтовые наносы и снег внешним периметром 13, снабжена приводным гидромотором 6 и связана с несущим диском 8 посредством внешних и внутренних радиальных пластин 14 и 15,...

Номер патента: 1429601

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Кудин, Моргацкий, Панова, Угланова

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: сцинтилляционного

...способу, имеют следующие размеры;диаметр 80 мм, длина 120 мм. Из них изготавливают детекторы диаметром 30 мм, длиной 90 мм. Процессы выращивания монокристаллов по способу, описанному в примере 1,проводят по различной загрузке соли иодистого натрия в ампулу; 4 и 8 кг для изготовления детекторов размером 63 х 250 мм)а также при различном давлении кислорода в ампуле: 0,1; 0,2; 0,3; 0,4; 0,6; 0,7 и 0,8 атм.Сцинтилляционные параметры детектОров размером 30 х 90 мм и 63 х 250 мм на основе монокристаллов ча(Т), выращенных согласно примеру 1, приведены в примерах 1 - 7 таблицы.П р и м е р 2. Соль иодистого натрия загружают в ампулу диаметром 90 и длиной 400 мм. Ампула снабжена отдельным отсеком для активатора и отдельным отсеком для примеси...

Номер патента: 1029649

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Карпов, Любинский, Смирнов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, щелочногалоидных

...величины пк, па, пг, Ьк, ЛТ 1, ЬТ 2 и зная величины Ч 1 и Чг, рассчитывают значенияи Чз. В. ростовую печь, в которой перегрев камеры плавления равен величине Н 41, помещают ампулу с расплавом таким образом, чтобы ее дно находилось на расстоянии йх от диафрагмы, Устанавливают скорость перемещения Ч 1. Включают механизм перемещения и в течение времени т опускают ампулу со скоростью Ч 1, Так как расплав в ампуле перегрет незначительно, кристаллизация его начинается в момент пересечения конусным дном ампулы изотермы кристаллизации, Фронт кристаллизации осуществляется выше верхнего среза охлаждаемойдиафрагмы при отводе тепла от фронта крибильное положение фронта кристаллизации в процессе последующего роста кристалла из...

Номер патента: 1431392

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Горилецкий, Неменов, Панова, Эйдельман

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, щелочногалоидных

...1 анаьТаким же способом при предлагаемьех,значениях технологических етараметровполучецье моцокристаллы йодистого цезия, н ИК-спектре пропусканил которыхотсутствуют 1 еолосы поглощения кислородсодержащих приееесей,Сравнительные данцьее способов по"лученил нысокопраэрачееьех моееокреесталлов по предлагаемому способу и прототипу представлены н табл,. следует из табл.1 способ ет выращивать нысокопрозкристаллы беэ исцользонасеечньех и агрессивных соеди гряэееяющих Окружающую сред нодительееьее затраты времен отонку расеыеана к нырашина док меееьше, чем у иэнестны н,ерозрачцости монокрис" ида калия, ныращенцых ех технологических пара-, ставлены в табл.2.следует, что выход за начения предлагаемых панодит к усложнению тех" цологического...

Номер патента: 415916

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Гуревич, Мустафина, Панова

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, сцинтилляционных

...позволяет использовать их при работе в сильных переменных полях ядерной радиации, ЬП р и м е р, Предварительно дегидрати- д рованную соль Йа при постоянном вакуу- ц мировании нагревают до расплавления.Затем в расплав добавляют 0,1 мол.ТП и 0,4 мол.ИаЮЭ и производят выращивание в вакуумированной герметичной ампуле при ее опускании в печи со скоростью -2 мм/ч, Получены монокристаллы 6 40 мм, Счетные характеристики счетчиков, изго- а товленных их этих кристаллов, после облучения в течение 1 ч гамма-радиацией мощностью 50 рад/ч не изменяются. к технологии интилляционй кристаллиГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕВЕДОМСТВО СССР(54)(57) 1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИКРИСТАЛЛОВ СЦИНТИЛЛЯЦМАТЕРИАЛОВ на основе йодидо.: ных металлов с активирующей добправленной...

Номер патента: 1807101

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Гриднев, Ростовцев, Рудницкий, Сидоров, Стукалов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/52

Метки: выращивания, магнитных, монокристаллов, сплавов

...на боковой поверхности формы не происходит. П р и м е р, Выплавляют сплавыНДК 35 Т 5, ЮНДК 40 Т 8 по ГОСТ исходные поликристаллдиаметром 24 мм. Загото180 101 Таблица 1Зависимость качества кристаллов и производительности технологического процесса и кратности использования огнеупорных форм от условий изготовления (выращивание на установке"Кристалл ЕМ", диаметр кристалла 24 мм) Кратность использования огне- упорных Количество Темпера- Скорость турный гра- выращива Магнитная Производи"паразитэнергия,кДж/м тельность тех, процесса выращивания моно ния,мм/минных" кристалловв верхней части отливки, шт диент град/ммсвойствам защигцают и помещакп в кер мические формы и окиси алюминия, собранные формы усганавливлют в тепловой узел...