Патенты с меткой «ниобата»

Номер патента: 393214

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Еременко

МПК: C01G 33/00, C01G 35/00

Метки: висмута, ниобата, порошкообразного, реактива, танталата

...материалы, применяемые в пироприемниках и пьезоэлементах.Известен способ получения ниобата и танталата висмута путем длительной прокалкц смеси окислов на воздухе при 1100 - 1200 С или в запаянных платиновых трубках в течение 60 - 70 час при 850 - 1150 С,Недостатки известного способа состоят в потерях висмута вследствие высокой температуры спекацня, агрессивности окиси висмута по отношению к материалу тиглей, а такие большой длительности спеканця.Цель изобретения - упрощение процесса ц получение чистых ВгИВО 4 ц ВгТд 01.Эта цель достигается благодаря тому, что в метанольные растворы, содсркдщие пентахлорид ниобия (тантала) и нитрат висмута вводят водный раствор аммиака при рН 7 - 8,0, а полученные порошки ниобата и танталата...

Номер патента: 475172

Опубликовано: 30.06.1975

Авторы: Дудник, Копылов, Кравченко

МПК: B01J 17/00

Метки: барийстронциевого, монокристаллов, ниобата, отжига

...пос15 бо контраста полосы роотсутствуют. я до отжига отжига имел сл та. После отжи различимы, либ ателя преломлен ле отжига 5 10 -дмет изобретени ов бариищий нагрев, ухе, отлиулучшения нагрева ве- С, выдержкус последую - 100 град/ Спос 0 стронци выдерж чающ одноро дут до 5 провод щим ох(61 ополнительное к авт. с Изобретение относится к способу отжига монокристаллов барий-стронциевого нио бата ВаБг ЛЬз 00, которые применяются в модуляторах и дефлекторах света.Известен способ отжига монокристаллов барий-стронциевого ниобата, включающий нагрев в атмосфере кислорода до 1400 С, выдержку при этой температуре в течение 10 - 12 час и последующее охлаждение кристалла. Такой отжиг приводит к уменьшению интенсивности окраски для окрашенных...

Номер патента: 568309

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Баркан, Сафронов

МПК: G03H 1/18

Метки: лития, монокристаллов, ниобата

...возникающей в кристал ле, измерялась с использованием излучения Не - йелаэера (633 нм).Кривая 1 изображает запись голограммы излучением аргонового лазера (дпинаволны 488 нм, плотность мощности21 Бт/см ), Кривая 2 изображает процессстирания голограммы излучением того желазераКривые, 3 и 4, 5 и 6, 7 и 8,9 и 10 изображают соответственно второй,третий, четвертый и пятый циклы записьстирание голограммы в одном и том жеместе кристалла.Как видно иэ фиг. 1, записывающестирающая характеристика не обладаетсимметрией. Воспроизводимость характеристики отсутствует,На фиг. 2 показана реверсивная характеристика шести последовательных цикловзапись (5 сек) - стирание (5 сек) в одном и том же месте кристалла; для исходного чистого кристалла - кривая...

Номер патента: 585753

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Айрапетян, Баркан, Ибрагимова, Маренников, Пестряков

МПК: G03H 1/18

Метки: голографической, кристалла, лития, ниобата, регистрирующей, среды

...сред путем термообработки (11. Голограммы, зарегистрированные на кристаллах ниобата лития, являются нестабильными, что позволяет использовать нх в указанных разработках. 1 ОПри разработке голографического запоминающего устройства (ГЗУ), содержащего в качестве регистрирующей среды монокристалла ниобата лития с концентрацией железа 0,3-1,0 весЛ, было установ лено, что регистрирующая среда обладает свойствами самостирания голограмм; процесс самостирания голограммы подчиняет ся экспоненциальному закону от времени, т, е, дифракционная эффективность запи санной голограммы экспоненциально убывает со временем; характерное время экспоненты T (время самостирания) резко убывает с ростом концентрации железа. Например, для кристалла с...

Номер патента: 586731

Опубликовано: 15.11.1978

Авторы: Айрапетян, Баркан, Ибрагимова, Маренников, Пестряков

МПК: G03H 1/18

Метки: голографической, кристалла, лития, ниобата, регистрирующей, среды

...распознавания и передачи информации; устройств пространственно-частотной фильтрации; оптоэлектронных корреляторов и некоторых других специализированных устройств.Известны спосо 5 ы о 5 работки голографических регистрируюших сред путем нагрева или освещения их. Голограммы, записанные на атнх материалах, устойчивы при комнатной и температуре, но легко стираются путем повышения температуры или при приложении магнитного поля 11.Голограммы, аарегистрированные на кристаллах нио 5 ата лития, являются нестабильными, что позволяет применять их в укаэанных разработках, При разработке голографического запоминающего устройства (1,3 У), содержашего в качестве регистрирующей среды монокристалл ниобата лития с концентрацией желева 0 3- 0,1 вес, Ъ...

Номер патента: 958508

Опубликовано: 15.09.1982

Автор: Гернанд

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кристаллов, лития, монодоменных, ниобата, расплава

...кристаллов по методу Чохральского, задачей данного изобретения является указание простого метода для выращивания однодоменных кристаллов ниобаталития из расплава.В основу изобретения положен тотфакт, что мероприятия для реализацииоднодоменной структуры по известнымдо сих пор методам и дополнительныемероприятия не только усложняют процесс выращивания кристаллов ниобаталития, но также могут отрицательносказываться на качестве кристаллов,например в отношении оптической однородности и пропускания. Кроме того,однодоменность обеспечивается не повсей полезной длине кристаллов.Существо предлагаемого изобретениязаключается в том, что в противоположность к до сих пор распространеннойтеории однодоменные кристаллы ниобаталития могут...

Номер патента: 998128

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Ишков, Козлов, Купин

МПК: B28D 5/00

Метки: анизотропного, лития, монокристалла, ниобата

...и последующее шлифование с выхаживанием и полирование, шлифование осуществляют под углом 60 - 80 к оптической оси монокристалла,Такое выполнение способа обеспечивает сниже ние требований к точности ориентации моно- кристалла относительно направления шлифования при одновременном уменьшении вероятное. ти появления микротрещин, что повышает ка. чество обработанной поверхности.На чертеже изображена зависимость между ве личиной угла ориентации оптической оси моно- кристалла при шлифовании и.вероятностью появления трецйн.олопов Составитель В. Техред Т, Фант Шанд орректор Л. Бокшан Тираж 587дарственного комитета СССРизобретений и открытийЖ, Раушская наб д. 4/5 писное иал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3 99Способ обработки...

Номер патента: 1011530

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Агулянский, Бабкин, Балабанов, Бессонова, Стангрит

МПК: C01G 33/00

Метки: лития, ниобата, разложения

...1 1 .Однако этот способ не предусматривает вскрытие смешанных окисных сое - динений ниобия, таких как ниобит лития,Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является способ разложения ниобата лития путем его сплавления при 500 С со смесью пиросульфата аммония и серной кислоты с последующим выщелачиванием плава водой. При этом пятиокись ниобия выпадает в осадок, а в раствор переходит сернокислый литий 2 1 .Цель изобретения - снижение температуры сплавления.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу разложения ниобата лития, включающему е го спла в- ление с соединением аммония, выщелачивание плава водой и разделение соединений ниобия и лития, в качестве соединения аммония при...

Номер патента: 1101413

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Веневцев, Новоселова, Туревская, Турова, Яновская

МПК: C01G 33/00

Метки: лития, ниобата

...углерода.Наиболее близким по технической 25сущности и получаемому результату кпредлагаемому изобретению являетсяспособ получения ниобата лития, заключающийся в смешении спиртовыхрастворов алкоголятов ниобия и лития, 30обработки полученного раствора концентрированным раствором аммиака, отделении осадка от раствора фильтрацией с последующей сушкой и проокаливанием осадка при 500-800 С 3,Цель изобретения состоит в снижении температуры прокаливания и ускорении процесса.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу полученияниобата лития, включающему смешениеспиртовых растворов алкоголятов ниобия и лития, обработку полученногораствора концентрированным растворомаммиака, отделение растворителя от 45осадка, сушку и прокалку,...

Номер патента: 1295352

Опубликовано: 07.03.1987

Авторы: Винокурцева, Воеводин, Морозов

МПК: G02B 6/10

Метки: волновода, кристалла, лития, ниобата, оптического, основе

...поляризуемости) и ксоответствующему увеличению его показателя преломления (ьп 0,3).35Кроме того, салициловая кислота позволяет получить дополнительный полирующий эффект при обработке поверхности кристалла в ее расплане, чтоприводит к уменьшению оптических потерь в волноводе до значенийкй дБ см,Выбор нижней границы температур-,ного интервала, в котором проводитсяобработка в расплаве салициловой кислоты, определяется температурой плавления кислоты (Т= 159" С); верхняяграница этого интервала определяетсятемпературой кипения кислоты (Т= 211"С). Выбор времени обработкив расплаве салициловой кислоты определяется тем, что при с 1 мин положительный эффект практически не заметен, а при с60 мин параметры ужесформированного волновода...

Номер патента: 1583479

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Педько, Сорокина

МПК: C30B 29/30, C30B 33/00

Метки: лития, монокристаллов, ниобата, травления

...существенно понизитьтемпературу травления, сократитьего время и получить четкие Фигурытравления. Монокристаллы ниобаталития обрабатывают расплавом КОНс добавкой ИаОН в количестве 35 мас.Епри 150+0,2 С в течение 5 - 7 с. Пос -ле травления образцы опускают встаканчик с кипящей дистиллирован -ной водой, через 1 мин стаканчикоснимают с плитки и охлаждают до 30 С.Затем образцы обтирают и исследуютпод микроскопом. Способ позволяетполучить большую инФормацию о реной структуре, а также выявить до -менные структуры отрицательного иположительного дисков поляризации, 1583479травления ведет к потере контрастности или искажеиию картины травления.На снимке видны домены обоих знаков Использование предлагаемого способа по сравнению с известным позволяет...

Номер патента: 1627601

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Карпеев, Купрюнин, Мелкумянц, Ракитин, Раков, Федоров

МПК: C30B 29/30, C30B 33/10

Метки: волнах, лития, ниобата, поверхностно-акустических, подготовки, подложек, фильтров

...1 Л ОИНЫ 5(ЛОК ТРДВ,(ЦИ 51Пг)и.)( г) I. 10 пц;ь 1 ожк и ( нио 6;т( .1 ития дидметроч 50 чм и толп(Но 1 мч с о;(ной стороны Илифуюг алманыч дбрдивм ло о 6 р( ц В ( н и 5 н (н (. й ч и к р о н р 0 В н Ост и Гл у нци 20 м кч. 11 оков;1 01 ь ил(еря к)т и; прфи,цгрдф(-профГол( гр н;1 пяти рд - ,изныл отрнкдк. 11 ц.ьо кку 06 рдбдтывдк; н рави (,е и ( У(П/ь нгр Ол,(ц 240 (:,И ци( 1 О чн. 1 ц,л ;1 о Ин( ркнцсь ,м 6 ипци ячцк Гр;н 1 ня,)81;) л(кч, 11 ылцл и)лложек в 0,(нук п 1 нлук(ию тгяц,учния фильтров нд поверкностпо-акусти искик Вцлндк 1(Н)".П(и, р 2 110.1 ожкирис цтдвливдк)т к( к (при л 1 ре. Иц ил 1(Н 5 к)т ВИ.1, и ст( и(.нь лилН(кц) 06 р;160 тки, сос:и( 1 р;Вит(,1 я,ЛПрдтурЛ И .ЬИт.ЬНОТЬ тр;ГкСиня 2104(:1 О(.1 11,11 ОБ)л 11 111 ;(л 1. )л 1...

Номер патента: 1638222

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Гольдфарб, Дикарев, Перелыгина, Петраков

МПК: C30B 29/30, C30B 33/12

Метки: лития, ниобата, сухого, травления

...типа на расстоянии 45 мм от потенциального электрода.Диаметр камеры 120 мм, Вакуумы тема обеспечивает уровень предв тельного разрежения в РРК не2,7 Па, Процесс травления 1.1111 ЬО про" водят при давлениях плаэмообразующего газа Р=40, 53, 66 Па и средних эначеИзобретение относится к обл ионики, в частности к методамовления приборов на твердомтеиспользованием ниобата лития.ечиваетсяповьппение скоростиения. Спо соб включает сухоеение в плазме высокочастотногода газообразного гексафторида5 Р при условии Т 700-39 4 Р,- температура ниобата лития, К;авление Баб 9 равное 406 Р 66 Па.гнута скорость травления 0,25 мкм/мин. 1 табл,В таблице приведены рез ы травления образцов 1 ЙЬОз при различных параметрах процесса: Р - д ение,.Па; И - среднее...

Номер патента: 1673518

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Зубков, Концевая, Переляев, Пинегин, Швейкин

МПК: C01G 33/00

Метки: бария, ниобата

...ячейки а=0,4160 ЕО,О 05 А: с 12,22210 005 А Выход продукта 100%П р и м е р 3 Берут 04469 г ВаСОз,0,7524 г МЬ 20;, 0,1025 г углерода. Прокаливание проводят при 1450 С в течение 24 ч.Согласно данным рентгенофазового анализа продукт является однофазным и соответствует тетрагональному ВазгчЬ;Од с параметрами элемента рнои ячейки, а=4, 160 0,005 А, С2221. О, 005 А Вы х Од продукта 100% П р и м е р 4 Количественные соотношения берут как и в пример 1 а процесс прокалки проводят при 1550" С Г 24 ч По результатам рентгенофазовоо анализа коНЕЧНЫй ПРОДУКТ ЯВЛЯЕТСЯ СЛаРСЬЮ ДВЧХ фаЗ Во 2 МЬ 50 д и ИЬС (5%). Образ 1 с полр 1 ости подплавлен.16735 18 Составитель В.НечипоренкоРедактор Н, Киштулинец Техред М.Моргентал Корректор Н.Король Заказ 2892...

Номер патента: 1724581

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Гостева, Заиканов, Крохин, Мельников, Титов, Улановская, Щелконогов

МПК: C01G 33/00

Метки: лития, ниобата

...исключительным свойством. В реакцию вступаютконцентрированные растворы, что предопределяет их объемы, а следовательно,уменьшает возможности введения посторонних примесей, Кроме того, чистота уксусной кислоты на два порядка выше, полимитирующим примесям: железо, кальций,магний, тяжелые металлы. Уксусная кислотаплотностью 1,049 (ледяная) обеспечиваетнеобходимое высокое качество конечногопродукта, разбавление ее до меньшей концентрации увеличивает пропорциональнообъемы растворов и соответственно пропорционально загрязняет водорастворимыми примесями.Растворение пентахлорида в водныхрастворах идет ступенчато с образованиемгидроокислов и гидроксихлоридов, поэтому экспериментально определено, чтодля выравнивания - гомогенности растворов...

Номер патента: 1660407

Опубликовано: 23.09.1992

Автор: Девятова

МПК: C30B 29/30, C30B 33/08

Метки: бария-стронция, ниобата, травитель

...1 Зерен осадка нет,чистая поверхность 1 О 2) Травление. Подготовленную дляобработки ппастнну выкладывают воткрытый торопластовый стакан, заливают слоем травителя толщиной 12 си и при перемешивании выдерживают в течение времени, предварительно определенного по контрольномуобразцу,3) Прекращение травления. По окончании необходимого времени образецвынимают из.травителя, тщательно промывают под струей деиониэованной во"ды с обеих сторон,4) Сушка. Тщательно отицтую пластину сушат либо под струей осушенно-.го воздуха нлп инертного газалибоцентрифугированием,П р и и е р. Пластину монокристаплнческого кремния с сформирован Сным слоем ниобата бария-стронция высушивают до постоянного веса на мик. роаиалитических весах с точностью(510) О" г,...

Номер патента: 1468025

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Ефремова, Космына, Левин, Машков

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: крупногабаритных, лития, монокристаллов, ниобата

...после охлаждения, и, следовательно, предотвращает электрический пробой и образование трещин.Высохшая пленка электроизоляционного лака, покрывающая монокристалл, защищает его поверхность от загрязнения, Имея высокую электрическую прочность (20-60 кВ/мм) пленка электроизоляционнаго лака предотвращает электрические пробои по поверхности монокристалла нескомпенсированного заряда, возникающего при хранении монокристалла в обычных условиях из-за небольших колебаний температуры, и, следовательно, предотвращает образование трещин в кристалле.Способ получения состоит из следующей последовательности операций;1468025- вытягивание кристалла из расплава на затравку;- послеростовой отжиг и охлаждение выросшего кристалла до температуры окружающей...

Номер патента: 1275931

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Коршикова, Коток, Моисеенко, Романова, Салийчук, Федорова

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Метки: выращивания, лития, монокристаллов, ниобата, танталата, шихты

...мельницы изорганического стекла загружают 2711,74 гпрокаленной при 1150 С.в течение 4 ч пятискиси ниобия и 712,48 г прокаленного при130 С в течение 6 ч углекислого лития иперемешивают на валках мельницы в течение 4 ч, Смесь исходных компонентов загружают в платиновые лодки и обжигают вкамерной печи при 1100 С в течение 5 ч,Выход готового продукта 98,8 О.Стехиометрический состав шихты следующий, мас.о,МЬ 63,2.0 (теор. 63,19)4,46 (теор. 4,46)Содержание микропримесей, мас,о/,А 1,Ге,М 9210; РЬ,К 1,Сг,Ч1 10Я 1 10; Мп 5 10 , Длительность процесса16 ч,П р и м е р 5. В барабан мельницы изорганического стекла загружают 2711,74 гпрокаленной при 1150 ОС о течение 4 ч пятиокиси ниобия и 712,48 г прокаленного при140 С в течение 5 ч углекислого лития...

Номер патента: 845506

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Баласанян, Вартанян, Габриелян, Казарян

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, лития, монокристаллов, ниобата

Способ выращивания монокристаллов ниобата лития из расплава шихты, содержащей кислородные соединения ниобия и лития, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности кристаллов при увеличении скорости выращивания, в шихту дополнительно вводят калий и компоненты берут в количестве, определяемом из соотношения окислов пятиокиси ниобия и окиси лития, мол.%, равном (51,0 - 51,4) : (48,6 - 49,0), и окиси калия (4 - 6) % от веса суммы окислов ниобия и лития.

Номер патента: 1746643

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Доценко, Ефрюшина, Зуев, Малых

МПК: C01F 17/00, C01G 33/00, C01G 35/00 ...

Метки: лантана, ниобата, основе, растворов, редкоземельные, содержащих, танталата, твердых, элементы

Способ получения танталата или ниобата лантана или твердых растворов на их основе, содержащих редкоземельные элементы, включающий прокаливание их сложного оксида, охлаждение и промывку образовавшегося продукта, отличающийся тем, что, с целью снижения энергоемкости процесса и его упрощения, в качестве сложного оксида используют бортанталат или борниобат лантана или твердые растворы на их основе, содержащие редкоземельные элементы, прокаливание ведут при 1100 - 1200oC, а промывку продукта ведут дистиллированной водой при 90 - 100oC в течение 3 - 4 ч.