C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 703936

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Аксентьев, Барабошкин, Волков, Докучаев, Захарьяш, Злоказов, Калиев, Кокшаров, Фотиев

МПК: C30B 29/32, C30B 9/14

Метки: бронз, вольфрамовых, монокристаллов

Способ получения монокристаллов вольфрамовых бронз для активных элементов датчиков рН птуем электролиза расплава смеси вольфрамового ангидрида и вольфрамата натрия, отличающийся тем, что, с целью повышения верхнего предела измерения рН щелочных сред, в расплав за 3 - 5 мин до окончания электролиза вводят вольфрамат лития в количестве 30 - 40 вес.% или вольфрамат магния в количестве 10 - 15 вес.%.

Номер патента: 421229

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Барабошкин, Калиев, Комаров, Скиба, Смирнов, Тарасова, Тетерев

МПК: C30B 29/16, C30B 9/14

Метки: двуокиси, монокристаллов, урана

1. Способ получения монокристаллов двуокиси урана электролизом расплавленных солей хлоридов щелочных металлов и хлорида уранила, отличающийся тем, что, с целью получения крупных хорошо ограненных кристаллов, в расплав вводят добавки четырехвалентного урана и фтора в весовом отношении 7 - 10.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при использовании микрокатода площадь не более 10-3см2 при 400 - 450oС и скорости нарастания тока 0,2 - 0,3 мА/ч.

Номер патента: 710128

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Березин, Жвирблянский, Фрейман

МПК: C30B 15/30

Метки: вытягивания, монокристаллов, расплава

1. Устройство для вытягивания монокристаллов из расплава, содержащее герметичную камеру с отверстием в верхней стенке, втулку, установленную в отверстии и соединенную с приводом вращения, тигель, расположенный в полости камеры по оси втулки, затравкодержатель, подвешенный в камере над тиглем на гибкой связи, присоединенной к намоточному барабану, и привод вращения барабана, отличающееся тем, что, с целью осуществления процесса в условиях вакуума, оно дополнительно снабжено вакуумно-плотным корпусом, герметично присоединенным к втулке, барабан установлен внутри корпуса, привод его вращения укреплен на наружной поверхности корпуса и гибкая связь выполнена в виде нити.2. Устройство по...

Номер патента: 774285

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Аксентьев, Бабенко, Барабошкин, Захарьяш, Злоказов, Калиев, Фотиев

МПК: C30B 7/12

Метки: монокристаллов, расплавленных, солей, электролизом

1. Способ получения монокристаллов электролизом расплавленных солей на затравочном кристалле, размещенном на катоде, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и одновременного получения множества кристаллов с идентичным составом и свойствами, в качестве катода используют пластину из индеферентного материала, на которой размещают затравочные кристаллы на расстоянии, определяемом конечными размерами получаемых монокристаллов, и процесс ведут при стационарном катодном потенциале на 3 - 10 мВ отрицательнее равновесного потенциала монокристалла.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют катод из стеклоуглерода.

Номер патента: 778371

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Дранкин, Жвирблянский, Шапиро, Шутова

МПК: C30B 15/32

Метки: затравочного, крепления, кристалла

Устройство для крепления затравочного кристалла в установке для выращивания кристаллов, содержащее затравкодержатель, соединенный гибким элементом с механизмом вращения и перемещения, отличающееся тем, что, с целью улучшения вертикальной ориентации затравочного кристалла, соединение затравкодержателя и гибкого элемента выполнено в виде сцепленных пластин с отверстиями, сопряженными в точке подвеса остроугольными кромками, одна пластина установлена на затравкодержателе с возможностью перемещения в горизонтальной плоскости, а другая пластина прикреплена к гибкому элементу.

Номер патента: 978615

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Бабенко, Барабошкин, Калиев, Фотиев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/14

Метки: бронз, ванадиевых, монокристаллов, оксидных

1. Способ получения монокристаллов оксидных ванадиевых бронз MxV12O30 типа , где 2 для М = Li, Na, Ag, Cu; x 1 для М = Ca, Sr, Ba и x 1,2 для М = К, кристаллизацией из расплава пятиоксида ванадия и оксидной соли металла, взятых в стехиометрическом соотношении на затравочный кристаллоксидной ванадиевой бронзы, отличающийся тем, что, с целью повышения качества монокристаллов и повышения...

Номер патента: 665425

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Аксентьев, Барабошкин, Калиев

МПК: C30B 29/22, C30B 9/14

Метки: выращивания, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов кислородсодержащих соединений путем электролиза расплава их солей на постоянном токе и зарождении монокристалла в капилляре, отличающийся тем, что, с целью ускорения и упрощения процесса, зарождение монокристалла в капилляре ведут при плотности тока 0,2 - 1,5 А/см2 до спада катодного потенциала, а затем осуществляют выращивание монокристалла при катодном потенциале на 3 - 20 мВ отрицательнее равновесного потенциала получаемых кислородсодержащих соединений.

Номер патента: 1380293

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Аллазов, Дарвойд, Дмитриев, Дубовицкая, Копецкий, Лисицкий, Мовсум, Мустафаев, Нисельсон, Райков, Смирнов, Третьякова

МПК: C30B 11/00, C30B 29/12

Метки: галогенидов, основе, растворов, таллия, твердых

Способ получения твердых растворов на основе галогенидов таллия, включающий загрузку исходных компонентов, содержащих галогениды металлов твердого раствора, их нагрев до температуры выше температуры плавления получаемого твердого раствора и направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса и его упрощения, в качестве исходных компонентов используют металлический таллий и по крайней мере один галогенид аммония, таллий берут в избытке 100 - 300 мол.% по отношению к галогенидам, помещают его сверху галогенидов и нагревают до температуры на 10 - 30oС выше температуры плавления твердого раствора, а кристаллизацию ведут перемещением...

Номер патента: 1443496

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Исянова, Лобанов, Ломасов, Максимова, Проворов, Симин, Цирульник

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: f-2-центров, кристаллах, лазерноактивных, лития, создания, фторида

Способ создания лазерноактивных F-2-центров в кристаллах фторида лития, включающий облучение -излучением дозой до 2 -108P и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности создания F-2-центров и их устойчивости, термообработку проводят в процессе облучения при 230 - 240oС.

Номер патента: 1565084

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Иванов, Хулугуров, Чернышев, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристаллов, лития, фторида

Способ выращивания кристаллов фторида лития для лазерных элементов из его расплава, содержащего ионы гидроксила, в стеклографитовом или никелевом тигле в инертной атмосфере, отличающийся тем, что, с целью удешевления продукции при сохранении концентрации ионов гидроксила, стабилизирующих лазерно-активные F+--центры в кристаллах, ионы гидроксила вводят в расплав путем добавки паров воды в инертную атмосферу при их парциальном давлении 20 - 30 мм рт.ст.

Номер патента: 1575585

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Волочек, Иванов, Хулугуров, Шнейдер

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, кристалла, лития, фторида

1. Способ выращивания кристалла фторида лития с примесью гидроксила для лазерных элементов, включающий приготовление шихты фторида лития с добавкой и вытягивание кристалла из расплава, отличающийся тем, что, с целью удешевления и упрощения способа при сохранении концентрации гидроксила, в качестве добавки используют соединение фтора, разлагающееся при температуре плавления фторида лития в концентрации 0,1 - 1,0 мас.%, а вытягивание ведут на воздухе.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NH4F.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве добавки берут NiF2.

Номер патента: 1137779

Опубликовано: 27.09.1999

Авторы: Бухарцев, Николаев, Орлов, Сидоров, Хвостанцев

МПК: B01J 3/06, C30B 7/10

Метки: высокого, давления, ячейка

Ячейка высокого давления, содержащая исследуемый образец, контейнер, нагреватель, рабочую термопару в зоне размещения образца, контрольный датчик давления и теплоизоляционную прокладку, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности измерения давления, она дополнительно содержит контрольную термопару и герметичную ампулу с гидростатической средой, в которой размещены контрольный датчик давления и термопара, при этом теплоизоляционная прокладка расположена между образцом и ампулой.

Номер патента: 961391

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Скаковский, Сушко

МПК: C30B 19/04, C30B 29/40

Метки: жидкостной, полупроводниковых, эпитаксии

Способ жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом изотермического смешивания, включающий приготовление двух насыщенных растворов, заливку первого раствора на подложки и последующее наращивание эпитаксиального слоя путем добавления второго раствора, отличающийся тем, что, с целью расширения числа получаемых материалов, снижения температуры наращивания и повышения однородности слоев, материал растворителя каждого из растворов выбирают так, чтобы растворимость полупроводникового материала в первом растворе была выше, чем во втором.

Номер патента: 824694

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, эпитаксии

Устройство для жидкостной эпитаксии, включающее камеру для расплава и источника его подпитки, подложкодержатель, установленный на вертикальном валу, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью получения толстых слоев с высокой однородностью свойств и увеличения скорости процесса, подложкодержатель выполнен в виде стакана с плоским дном, внутри которого установлена камера с возможностью осевого перемещения, имеющая в дне щель со скосом в одном направлении и выступы с наружной стороны, обеспечивающие зазор между дном и подложкой.

Номер патента: 913753

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Богданов, Кутузов, Мезенцева, Нечепуренко, Шелопут

МПК: C30B 7/00, H01L 41/16

Метки: лития, основе, приборов, пьезоэлектрических, слоев, соединения

Способ получения слоев для пьезоэлектрических приборов на основе соединения лития, включающий нанесение слоя на подложку, отличающийся тем, что, с целью получения слоев иодата лития толщиной 1 - 10 мкм, в качестве подложки используют монокристалл йодата лития, ростовую грань которого (100) покрывают слоем золота толщиной 500 - 1200 , и нанесение слоя ведут в насыщенном водном растворе йодата лития при 39 - 41oС и рН 1,9 - 2,1.

Номер патента: 1179699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Залетин, Лях, Ножкина, Рагозина

МПК: C30B 23/00, C30B 29/12

Метки: дийодида, кристаллов, ртути-hgj2

Способ получения кристаллов дийодида ртути - HgJ2, включающий статическую сублимацию дийодида ртути из его источника в зону осаждения в вакууме при температурном перепаде по длинам ампулы, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов и повышения их качества, исходный дийодид ртути берут в количестве 0,55-0,75 г/см3 объема ампулы, дополнительно вводят свободный йод в количестве 0,01-0,03 мас.% от веса HgJ2, а процесс ведут при температурном градиенте в зоне осаждения 8-12 град/см и давлении (5-10) 10-3 Торр.

Номер патента: 1028006

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Залетин, Ножкина, Чанышева

МПК: C01G 13/00, C30B 29/12

Метки: дийодида, ртути

Способ очистки дийодида ртути, включающий его многократную сублимацию в вакуумированной ампуле при наличии градиента температуры между зоной испарения и зоной конденсации, отличающийся тем, что, с целью повышения частоты материала и упрощения процесса, перед сублимацией осуществляют проплавку дийодида ртути в атмосфере инертного газа при температуре выше температуры плавления не более чем на 50oC, а сублимацию ведут трех-четырех при температуре в зоне конденсации 90-110oC.

Номер патента: 1577405

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Копылов, Кравченко, Куча, Некрасов, Чернушич

МПК: C30B 29/32, C30B 33/10

Метки: композиция, монокристаллов, силленитов

1. Композиция для обработки монокристаллов силленитов, содержащая полирующий порошок, травитель и воду, отличающаяся тем, что, с целью повышения стойкости полированной поверхности монокристаллов к мощному лазерному излучению, композиция дополнительно содержит комплексообразователь, например трилон Б, и вещество, предотвращающее гидролиз травителя, например хлорид аммония, а в качестве травителя используют хлорид цинка при следующем соотношении компонентов, мас.%:Полирующий порошок - 0,1 - 5,0Трилон Б - 0,5 - 5,0Хлорид аммония - 1,0 - 15Хлорид цинка - 1,0 - 50Вода - Остальное2. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит...

Номер патента: 1450428

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Голов, Матвеев, Молгачев

МПК: C30B 15/36, C30B 29/02

Метки: алюминия, выращивания, кристаллов

Способ выращивания кристаллов алюминия из расплава на затравку, ориентированную по оси <111> в вакууме не ниже 1 10-5 мм рт.ст., отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты кристаллов, выращивание ведут одновременно на затравку, ориентированную по оси <110> и параллельно присоединенную к затравке, ориентированной по оси <111>, со скоростью не более 60 мм/ч.

Номер патента: 845506

Опубликовано: 27.02.2000

Авторы: Баласанян, Вартанян, Габриелян, Казарян

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, лития, монокристаллов, ниобата

Способ выращивания монокристаллов ниобата лития из расплава шихты, содержащей кислородные соединения ниобия и лития, отличающийся тем, что, с целью повышения оптической однородности кристаллов при увеличении скорости выращивания, в шихту дополнительно вводят калий и компоненты берут в количестве, определяемом из соотношения окислов пятиокиси ниобия и окиси лития, мол.%, равном (51,0 - 51,4) : (48,6 - 49,0), и окиси калия (4 - 6) % от веса суммы окислов ниобия и лития.

Номер патента: 503463

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Бочкарев, Грайвер, Грибов, Иванов, Татаринов

МПК: C01B 33/02, C30B 29/06

Метки: кремниевых, подогрева, стержней

Способ подогрева кремниевых стержней при получении кремния в аппарате водородного восстановления хлоридов кремния за счет тепла, получаемого от газа-носителя, например, водорода, отличающийся тем, что, с целью повышения качества готового продукта, нагрев водорода ведут в дуговом плазмотроне.

Номер патента: 1522654

Опубликовано: 20.03.2000

Авторы: Борздов, Букин, Козлова, Пальянов, Ран, Хохряков, Шарапов

МПК: C01B 31/06, C30B 33/00

Метки: алмаза

Способ обработки алмаза, включающий контактирование его при 600-1800oC с шаблоном, выполненным из материала, растворяющего углерод при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения четкости рисунка на алмазе, наносимого с помощью шаблона, упрощения процесса и расширения области применения, процесс ведут в закрытом объеме в присутствии графита, который берут в количестве 0,26-500 г/дм3.

Номер патента: 1445280

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Геталов, Сербуленко, Яковлева

МПК: C30B 29/16, C30B 33/10

Метки: граней, кристаллов, парателлурита, селективный, травитель

Селективный травитель для граней {110} кристаллов парателлурита, содержащий углекислую соль щелочного металла и воду, отличающийся тем, что, с целью упрощения и сокращения времени травления, в качестве соли травитель содержит углекислый натрий и дополнительно гидроокись калия при следующем соотношении компонентов, мас.%:Углекислый натрий - 2-5Гидроокись калия - 10-20Вода - Остальное

Номер патента: 1508611

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Богомолов, Исаенко, Позднякова, Пыльнева

МПК: C30B 29/22, C30B 7/08

Метки: калия, монокристаллов, пентабората

Способ получения монокристаллов пентабората калия, включающий приготовление насыщенного водного раствора пентабората калия растворением борной кислоты и калийсодержащего соединения в воде и выращивание монокристаллов на ориентированную затравку при снижении температуры раствора, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности процесса, увеличения полезного объема кристаллов и их прозрачности, перед растворением борную кислоту прокаливают, в качестве затравки берут изометричные кристаллы с неповрежденными швами двойникования и выращивание ведут при рН раствора 7,4-7,8.

Номер патента: 1579088

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Богомолов, Дульцев, Исаенко, Позднякова, Пыльнева

МПК: C30B 29/22, C30B 7/08

Метки: выращивания, затравочных, калия, кристаллов, пентабората

Способ выращивания затравочных кристаллов пентабората калия, включающий нагрев насыщенного водного раствора и кристаллизацию путем снижения температуры при спонтанном зарождении на кристаллоносце, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов изометричной формы с развитой поверхностью (001), в качестве кристаллоносца используют вертикальную поверхность, которую помещают в раствор после его нагрева, и выращивание ведут при рН раствора, равном 6-7.

Номер патента: 1345685

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Геталов, Сербуленко, Яковлева

МПК: C30B 29/16, C30B 33/10

Метки: граней, кристаллов, парателлурита, селективного, травления

Способ селективного травления граней {110} кристаллов парателлурита с удаленным нарушенным поверхностным слоем в водном растворе соединения щелочного металла при комнатной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения точности ориентации граней {110} методом световых фигур, травление осуществляют в 20-50%-ном водном растворе углекислого калия в течение 30-60 мин.

Номер патента: 1468021

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Букин, Ткаченко, Цейтлин

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: кристаллических, щеток

Способ получения кристаллических щеток из аналогов природных драгоценных камней, включающий плавление шихты, содержащей материал щетки и растворитель, выдержку при температуре кристаллизации материала щетки, извлечение щетки и очистку ее от растворителя, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, повышения его производительности и увеличения прочности щетки, в качестве растворителя используют материал с удельным весом большим, чем удельный вес материала щетки, очистку ведут размещением щетки на поверхности пористой керамики или порошка из тугоплавкого материала, разогретых до температуры, соответствующей температуре кристаллизации материала щетки, и после очистки щетку с одной...

Номер патента: 1469918

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Букин, Гуров, Цветков

МПК: C30B 15/02, C30B 29/20

Метки: монокристаллов, основе, хризоберилла

1. Способ получения монокристаллов на основе хризоберилла, включающий расплавление при нагреве исходной шихты, введение в расплав ориентированной затравки и рост кристалла, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов -модификации, после расплавления нагрев продолжают до 1950 - 1960oC, затем проводят охлаждение и рост осуществляют при температуре расплава 1840 - 1847oC.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что охлаждение ведут до 1875 - 1880oC, после чего в расплав вводят затравку, нагретую до 1670 - 1770oC.

Номер патента: 1290762

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Белов, Денькина, Исаенко, Якушев

МПК: C30B 29/16, C30B 7/02

Метки: выращивания, иодата, лития, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов иодата лития путем изотермического испарения водного раствора, содержащего добавку, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности и лучевой стойкости монокристаллов, в качестве добавки берут трилон Б в количестве 0,1-0,5 мас.%.

Номер патента: 1473378

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Бобков, Вшивкова, Маслов

МПК: C30B 29/14, C30B 9/12

Метки: калия, монокристаллов, титанила, фосфата

Способ получения монокристаллов фосфата калия - титанила KTiOPO4, включающий кристаллизацию на затравку из расплава раствора на основе K6P4O13 и вытягивание монокристалла при охлаждении расплава раствора, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости роста и улучшения качества монокристаллов, вытягивание производят со скоростью 0,075-0,09 мм/ч при вращении монокристалла со скоростью не менее 30 об/мин, при этом температура расплава раствора понижается от температуры 1050-1080oC с начальной скоростью охлаждения 1,0-1,25 град/сут, которую увеличивают на 0,2 - 0,5 град/сут, до температуры не ниже 980oC.