C30B 29/10 — неорганические соединения или композиции

Номер патента: 136057

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Петров

МПК: C30B 29/10, C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...ия монокрист щийся тем, араметров в п травкс прида Ррхности ж 1 Д 1 выращиван,отличаюлогических пистальной зсительно пов Спосо ных кисло ства техно ла, монок жение отн крис 1 алл.истале дви- ивают Существующие методы выращивания монокристаллов имеют ряд недостатков, одним из которых является то, что форма движения кристалла (вращение или покачивание кристалл 1 затора) не обеспечивает надежную гермитизацию и не позволяст выращивать кристаллы в ускоренном режиме в формах.Зля обеспечения постоянства технологических параметров в процессе образования монокристалла предлагается способ, в котором моно- кристальной затравке придают возвратно-поступательное движение относительно поверхности жидкой среды, пз которой выращивают кристалл. При...

Номер патента: 252289

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Горюнова, Орлов, Соколова, Цветкова, Шпеньков

МПК: C30B 29/10, C30B 9/06

Метки: меди, монокристаллов, основе

...и олово 45-1, что соответствует 30 20%-ному весовому содержанию тройного соединения в олове.Количество фосфора на 1 - 1,5 вес, % больше, чем следует, если исходить из формулы соединения. Это необходимо для того, чтобы скомпенсировать потери фосфора на окисление в процессе синтеза.Навеску вышеуказанных элементов помещают в кварцевую ампулу диаметром 25 лья. Эвакуированную до остаточного давления не ниже 10 з торр и запаянную ампулу помещают в печь. Вначале производится быстрьш нагрев до температуры 400 - 450 С, затем после часовой выдержки с вибрацпонным перемещением - быстрьш подьем температуры до Т,., =1050+ 50 С. После часовой выдержки при максимальной температуре расплав медленно (20+5 С/час) охлаждается до температуры 400 С....

Номер патента: 392971

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Ордена

МПК: C30B 29/10, C30B 9/04

Метки: 392971

...в воде. ЭФфект улучшения свойств порошка ФторамфиболовоЦ го асбеста достигается эа счет дис-,пергирования поликристаллическогослитка в каком-либо растворителе,например в воде. П р и м е р. Исходные компоненты, например фториды натрия, лития и магния, карбонаты натрия и лития, окись магния и окись кремния и т.п., в качестве которых используют как химические реактивы, так и технические продукты, сушат или прокаливают.Шихту предлагаемого состава перемешивают, а затем плавят в высокотемпературных печах в графитовых тиглях. Расплав охлаждаю со скоростью 10- 20 С/мин. Поликристаллические слитки, содержащие 70-90 основного продукта - синтетического амфибола типафторрихтерита (Й а Мць 51 В Оф ) или литиевого протоамфибола (1.1 Ид 51Г) и...

Номер патента: 421875

Опубликовано: 30.03.1974

МПК: C30B 29/10, C30B 33/04

Метки: 421875

...с)рыми устаиовлеиы фотоэлектрические л;ггикц стспсищ прозрачности кристалла, соеди ,ссинс с системой автоматического регулир дция цдгрева, а в резонаторе рясположецы ; ЕГЛОИЗОЛП)УоиИС ПРОК,35)ДКР ДЛ 5 РДЗС 3 с(- ия кристалла.Пд серт(О Е ПОКяэяцд ПрЕдЛЯГ;ЕМяя уетяИс)3 Г .0.3 содержит высокочасттцый генератор 7.резонатор 2, В который помецают кристдл,сы 3, окна 4, фотоэлектрические датчики 5, ьк.почеише в схему б автоматического регу,3 ОВДИИ 53, 3 Л )ЗЛРУК)Ц ЦРОКЛДДКИ 7,В исходим положении обрдодтывде)ый . р(сстялл 3 псомещдют в резонатор 2 иа тепло;.033 рт Оиис пр)окл;.ки 7. По,ости)кепи 3 )езопаторе;С 3 сии УО-тс ) гключдют систеятомдтическог регулирования, котрдя ,; (; О Очере. Вкю д ст всочастти ы й ( ,с,Р Р ОР . П ) ц ЭТО;(ОП 3 ОС...

Номер патента: 1075600

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Давтян, Налбандян, Шархатунян

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: калия, монокристаллов, пентабората, травления, химического

...травление ме 34 3ханически либо химически полирован -ных пластин.,ЬЩз. МнокристаллыЬд 10 з полируют-.з ВИ, затем опускают в воду при 75 С на 3,5 с. Получалась дислокационная картина травления монокристаллов 1.д 10. Однакоприведенные составы полирующихрастворов не полируют кристаллпецтабората калия и не дают четкойизбирательной картины травления.Известен также способ выявлениядислокационной структуры, заключающийся в полировке монокристалла 25Ьд 10 в НьО + ННОЕ + К.СгО, затемв химическом травлении в НО ++ МаОН.Однако при действии указанныхсоставов полирующего и травильногорастворов на гранях монокристаллапентабората калия не наблюдаетсяэффекта полировки и травления. Кнастоящему времени составы полирую "щего и травильного...

Номер патента: 1612000

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Иванцов, Николаев

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: монокристаллов, натрия, нитрита, травитель

...1 - 2 с и высушиваются в потоке теплого воздуха от тепловентилятора, Поверхности обработанных образцов исследуют в оптическом микроскопе МБИУ 4,2 и электронном просвечивающе. микроскопе УЭМ, Исследования показали, что дислокационные ямки травления выявляются после обработки травителем лишь на поверхностях 301). При лроведении нескольких поочередных травлений основания призматических образцов шлифуются на мелкой наждачной бумаге и полируются на слегка влажной фильтровальной бумаге.Глубина ямок травления, оцененная поневому контрасту в электронном микроопе, составляет в среднем 2,5-3,0 мкм.Кристаллографическая ориентация поверхностикристалла Результаты обработки Состав т авителя,мас,Этиловый спирт15 Эффективное травление выходов...

Номер патента: 1629246

Опубликовано: 23.02.1991

Авторы: Кривошей, Скоробогатов, Углова

МПК: C01C 3/20, C30B 29/10

Метки: полиродана

...(15-25 С).Результаты опытов приведены в табл, 1, Начальная температура в интервале 15- 25 С практически не влияет на выход целевого продукта реакции, Практически полное завершение реакции происходит за время, не превышающее 0,5 ч. Реакционную смесь помещают в экстрактор Сокслета и экстрагируют ацетоном до отрицательной реакции экстракта на роданид-ион и бром. Получают порошок желто-оранжевого цвета, температура разложения которого равна 360 С.Найдено, мась: С 19,99 - 20,23; й 23,85-23,90; Я 54,90 - 55,00.(Я СИ)хВычислено, мас,С 20,69, й 24,13, Я 55,17.ИК-спектр, см: 620, 1140, 1227, 1380, 1520, 1606, 2235.Порошок полиродана помещают в одно из колен О-образной трубки, в другое колено которой помещают 1 - 2 мл хлорной кислоты с...

Номер патента: 1633032

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Лаворик, Нечипорук, Новоселецкий, Филоненко, Шахрайчук

МПК: C30B 29/10, C30B 31/06

Метки: гетероструктур, полупроводниковых

...7 ч, затем производятснижение температуры до комнатной эа5 ч.Рентгеновские исследования, приведенные иа дифрактометре ДРОН-З, показывают наличие слоев СдхЕп, хСеР наповерхности обоих монокристалловСс 1 СеР и ЕпСеР, Это значит, что. одновременно получают две гетерострукту 45ры:Сдк 7 п, хбеРг - СЙСеРг ,Сйх Еп, хСеРг - ЕпСеР,причем последнюю гетероструктуру по 50 лучить по известному способу не представляется возможным.Монокристаллы, используемые для получения гетероструктур, получают следующими методами и имеют следующре характеристики: ЕпсеР методом5 Бриджмена, р-тип проводимости, поверхностное сопротивление 1 О Ом.см;СЙСеР методом химических транспортных реакций, и-тип проводимости, поверхностное сопротивление более О Ом.см. Слои...

Номер патента: 1663063

Опубликовано: 15.07.1991

Авторы: Будина, Назарова, Сясина, Шишацкая

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: кристаллических, оптических

...спектра.Полученные превышения пропускания сведены в таблицу для иллюстрации полученной разницы для конкретных длин1663063 Козффициент спектрального пропускания, %, после обработки Длина волны, нм Окон из лейкосапфира предлагаемым способо предлагаемым .способом известнымспособом известнымспособом 75838 б919294 47 72 7 б 90 92 124145 25150 38180 63200 71250 81 44 59 7277 84 При изучении микрофотографий окон излейкосапфира и фтористого магния, полученных с помощью электроного микроскопа с увеличением 20000, видно, что приобработке известным способом полированная поверхность имеет ярко выраженныймикрорельеф с сетью царапин, обусловленных обработкой абразивом большей твердости по сравнению с самимобрабатываемым кристаллом. При обработке...

Номер патента: 1701759

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Крылюк, Куликовская, Раренко

МПК: C09G 1/02, C30B 29/10, C30B 33/08 ...

Метки: композиция, кристаллов, поверхности, полировки, полупроводниковых, химико-механической

...1. В качестве твердой фазы использовали ультрадисперсные порошки немодифицированного кремнезема размером 20-38 ОА с поверхностью, содержащей группы 9 ОН, Химически активный компонент - моноэтилендиамин.Гидрофильный характер аминоэтоксиазросила (АЭА) позволяет очень легко вводить его в водные среды и получать стабильные водные дисперсии Е = Я - О - СНг - СНг - ИНг.Продукты, образующиеся при полировке, удаляются с поверхности за счет хорошей абсорбцион ной способности, обусловленной сильноразвитой поверхностью АЭА, а также благодаря комплексообразованию за счет наличия аминогрупп, что позволяет избежать "замазывания" дефек.тов поверхности и обеспечить высокую эфФективность на протяжении всео процесса,При приготовлении полировальных...

Номер патента: 1452223

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Андреев, Воеводин, Грибенюков, Зуев

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00, G02F 1/35 ...

Метки: излучения, монокристалла, оптического, параметрического, преобразователя, частоты

...сечений моно- кристалла ЕпСеР 1, имеет азимутальный Угол Ч " 0 ипи90 , что экви- валентно у, Оф из-за физической неразличимости направлний х и у в кристалле 2 аСеР (это также следует иэ выражений для эффективной нелинейной восйриимчивости для трехчас"тотного параметрического взаимодействия).Пересечение плоскостей ( ОО) и(010) - на чертеже эти плоскостинредставленм сечениями кристаллаЕпСеР с контурами, обозначенными соответственно точками АВГМ ЕМ,Р и ГМ,СИ 3 - аредставляеФ собой отрезокоптической осн кристалла с, обозначенный отрезком РР, относительно которого проводился отсчет углов синхрониэма О . Разметка эквивалентных направлений синхронизма АА, А, и А и измерение угловых отклонений этих направлений относительно оси роста...

Номер патента: 1778202

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/10, C30B 7/10

Метки: бромистого, выращивания, монокристаллов, свинца

...многочисленные зародыши, скорость образования которых превышает скорость их роста, Одной из характеристик, влияющих на скорость отвода растворяемого вещества от границы шихта-раствор, является скорость конвекционного рвижения раствора, При введении в кварцевый реактор перегоророк, разделяющих зону растворения и роста, с диаметром отверстий от 1 до 4 мм, скорость конвекционного движения раствора при температуре 110-145 С, ДТ 3-6 изменялась от 14 до 18 см/сек.оУказанная величина скорости конвекционного рвижения раствора оказалась оптимальной рля пплучения моно- кристаллов РЬИг заданного выхода. Было найдено, что при14 см/сек (И - скорость конвекционного движе 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 6ния раствора) массоперенос растворенных Форм...

Номер патента: 1535077

Опубликовано: 20.02.1996

Авторы: Беляева, Королихин, Котова, Рубаха

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: кристаллов

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ - Li 103 , включающий приготовление исходного водного раствора соли Li103 с добавкой кислоты, фильтрацию раствора и рост кристаллов при выпаривании растворителя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества кристаллов, в качестве добавки кислоты берут Н3РО4 или D3РО4 и перед фильтрацией раствор выдерживают не менее 2 ч при температуре toС, определяемой из интервала t1 < t < tкип, где t1 - температура роста кристаллов; tкип - температура кипения раствора.

Номер патента: 1309621

Опубликовано: 20.03.1996

Автор: Рубаха

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: liio3, выращивания, кристаллов

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ -LiIO3, основанный на методе испарения, включающий испарение растворителя из исходного раствора LiIO3 и HIO3, приготовленного при температуре t0, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности и снижения себестоимости кристаллов, рост кристаллов проводят при температуре t, связанной с кислотностью исходного раствора соотношением 1,5 - 0,007 (t - t0), где

Номер патента: 1294027

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Денькина, Исаенко, Якушев

МПК: C30B 29/10, C30B 7/02

Метки: liio3, выращивания, иодата, лития, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов иодата лития -LiIO3 из нейтрального исходного раствора иодата лития, включающий регенерацию затравки и последующий рост при изотермическом испарении раствора при температуре 60 - 65oC и поддержании постоянной его степени пересыщения, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром 50 - 70 мм с высокой оптической стойкостью, используют исходный раствор иодата лития, общее содержание микропримеси в котором не превышает 10-5%, регенерацию затравки осуществляют при подъеме температуры со скоростью 10 - 15oC/сутки и рост ведут при степени...

Номер патента: 813979

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Кузнецов, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 29/10, C30B 9/06

Метки: рубидия, тетраиндида

1. Способ получения тетраиндида рубидия путем нагревания в вакууме смеси рубидия и индия до температуры, превышающей температуры ликвидуса, с последующей кристаллизацией охлаждением, отличающийся тем, что, с целью получения монокристаллов, рубидий и индий в смеси берут в мольном соотношении 0,15 - 0,02 : 0,85 - 0,98, охлаждение ведут со скоростью 20 - 40 град/час, а полученный продукт помещают в жидкий галлий, находящийся под слоем трансформаторного масла, извлекают кристаллы и очищают их от расплава.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кристаллы очищают с помощью резиновых пластин и пластилина.

Номер патента: 1069457

Опубликовано: 27.11.2000

Авторы: Климин, Кузнецов, Мелехов, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 11/02, C30B 29/10

Метки: cs3sb, соединения

Способ получения соединения Cs3Sb, включающий его синтез из цезия и сурьмы, смешиваемых в стехиометрическом соотношении, в тигле, помещенном в стальной контейнер при нагревании, кристаллизацию из расплава охлаждением и извлечение продукта, отличающийся тем, что, с целью получения продукта в виде монокристалла, синтез ведут в вакууме в тигле из молибдена при его периодическом подогреве от комнатной температуры до 350 - 400oС, охлаждение ведут направленно со скоростью 0,5 - 10 град/час.

Номер патента: 1110222

Опубликовано: 20.12.2000

Авторы: Лебедева, Орлов, Чунтонов, Яценко

МПК: C30B 29/10, C30B 9/06

Метки: индия, металла, монокристаллов, соединения, щелочного

Способ получения монокристаллов соединения щелочного металла и индия, включающий нагрев смеси исходных компонентов в вакуумированной ампуле и последующую кристаллизацию расплава, отличающийся тем, что, с целью возможности получения кристаллов CsIn3 увеличенных размеров, исходные компоненты берут при соотношении In и Cs в смеси в мольных долях 0,83 - 0,88 : 0,12 - 0,17, нагрев ведут в ампуле, оснащенной воронкой, размещенной под поверхностью расплава основанием вниз, а кристаллизацию проводят со скоростью 7 - 17oC/ч вытягиванием ампулы вверх.

Номер патента: 1450438

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Арзуманян, Журавлева, Нестерова, Павлов, Циглер

МПК: C30B 29/10, C30B 33/00

Метки: монокристаллов, полирования, состав

Состав для полирования монокристаллов, включающий этиленгликоль и неорганическую кислоту, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности полирования монокристаллов -йодноватой кислоты с высоким классом чистоты поверхности, в качестве неорганической кислоты он содержит 24,5-25,7%-ную азотную кислоту, а дополнительно включает раствор насыщенной йодноватой кислоты и алмазный микропорошок при следующем количественном соотношении ингредиентов, %:Этиленгликоль - 9-1124,5-25,7%-ная азотная кислота - 65,5-69,5Раствор насыщенной йодноватой кислоты - 6-8Алмазный микропорошок - Остальное

Номер патента: 1695709

Опубликовано: 10.07.2003

Авторы: Денисевич, Радучев, Штейнберг

МПК: C30B 11/02, C30B 29/10, C30B 29/36 ...

Метки: бора, боридов, карбида, карбидов, металлов, монокристаллов, тугоплавких

Способ получения монокристаллов карбидов или боридов тугоплавких металлов и карбида бора, включающий индукционное плавление шихты в водоохлаждаемом тигле и выращивание монокристаллов при температуре 0,8-1,0 температуры плавления соединения в атмосфере защитного газа гарнисажным методом, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве шихты используют предварительно переплавленную и измельченную до дисперсности 0,1-3 мм исходную шихту или ее смесь с исходной шихтой, взятой в количестве не более 15 мас.%.