C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 958509

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Руденко, Скропышев

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллов, обесцвечивания, окрашенных, природных

...(0,25 мм), В результате получены три группй по пять кристаллов, по одной пластинке от каждого кристалла. Кристаллы пер- вой группы подвергают. термической обработке по известному способу - с изотермическим отжигОм при 300-350 фС, кристаллы;второй и третьей групп .по предлагаемому способу с изотермическим отжигом при 400 и 500 С, Термическую обработку производят на воздухе в муФельной печи. Средняя сйорость нагрева составляет 9 С в минуту. Для установления временной зависимости процесса на каждой Фиксированной температуре проводят серию последовательных изотермических отжигов общей продолжительностью до25, ч. Для контроля характера изменения светопропускания при термообработке. снимают спектры оптического поглощения кристаллов в...

Номер патента: 958510

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Аксенова, Дроздова, Коляго

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, парателлурита, селективного, травления

...ямки селективного травления,контролируя их плотность и распределение.П р и м е р 1. Из ориентированного кристалла парателлурита вырезают образец в виде шайбы так, что 60плоскости срезов перпендикулярныоси110 . Производят химическуюполировку этих плоскостей, промываюти высушивают образец. Помещают образец в травитель - в концентриро ванную хлорную кислоту НСОА и выдерживают в ней при 50 С 10, 30 и 60 мин,Результаты наблюдают на микроскопеМп - 2 н/п "Карл Цейс" при увеличении 100 хх. При травлении10 мин развиваются плохо различимые,узкие, сильно вытянутые ямки селективного травления, которые сливаютсядруг с другом в желоба. При травлении 30 - 60 мин эти желоба смыкаютсядруг с другом, образуя волнистыйрельеф (фиг, 1),П р м е р 2 , Образец,...

Номер патента: 962340

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Кивенко, Пометун, Шварцман

МПК: C30B 15/10

Метки: двуокиси, кремния

...градиенте вдольформообразователя меньше 0,2 град/ммплотность заготовки выравниваетсянастолько, что усадка будет происходить равномерно по всей заготовке ине удается сгладить те шероховатости, которые возникают в заготовкевследствие вращения формообраэователя, При термической обработке вдольвсей высоты тигля образуются наплаэы материала или волнообразная поверхность.При температурном градиенте Ьольше 1,35 град/мм происходит неравномерная усадка при термической обработке этой заготовки, Неравномернаяусадка ведет к тому, что в нижнейцасти заготовки у кромок тигля толщина становится значительно меньше,эта часть отрезается, причем чембольше отличается температурный градиент от 1,35 град/мм тем большебрак, тем большую .долю...

Номер патента: 966122

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Зайцева, Иванов, Финкель

МПК: C30B 33/00

Метки: залечивания, кристаллах, трещин, щелочно-галоидных

...субзерен значительно меньших разориентапий (до нескольких 1 О мин), йругим признаком полученнбй.границы бикристалйа является также восстановление оптического контакта между двумя изогнутыми половинками после их отжига, хотя это и не является абсолютно .достоверным признаком появления кристаллографической границы зерен. Это явление наблюдается, например при схлопывании трещин в щелочногалоидных кристаллах после сдавливания, Поскольку не сухо ществует критериев для определения механической прочности "собственно границы зерна", (например, разрушение может в зависимости от условий испытаний проходить вдоль границы или по телу зерна) авторы ограничиваются известными диагностическими признаками, на основании которых и сделано утверждение о...

Номер патента: 968105

Опубликовано: 23.10.1982

Автор: Штайнбрух

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов, этилендиаминтартрата

...продуктов. В отличие от всех известных способов, при которых прогрессирующие разложение лишь ограничивается или замедляется стабилизацией раствора для выращивания кристаллов с помощью смешения химического равновесия или значения рН, задача изобретения состоит также в том, чтобы с самого начала устранить причины для возникновения производных продуктов разложения и полимеризации без отрицательного влияния на процесс выращивания и на гомогенность вырашенных кристаллов,Предполагалось; что разложение ЭДТ- растворов для вырашивания кристаллов основывается на благоприятной (за счет тепла и света) реакции поликонденсации ЭДТ- продуктов расшепления. Предлагаемым способом посредством спектрохимических и химических исследований растворов и...

Номер патента: 968106

Опубликовано: 23.10.1982

Автор: Крамаренко

МПК: C30B 15/20

Метки: кристаллизатора, программного, температуры

...цель достигается тем,что задатчик температуры снабжен функциональным кулачком кинематически связанным с регистратором сигнала, при этомразвертка кодируюшего цилиндра представляет собой прямоугольный треугольник.На чертеже представлена схема устройства для программного регулирования температуры кристаллизаторов.,Устройство содержит электродвигатель1, редуктор 2, маску З,.функциональныйкулачок 4, регистратор 5, усилитель 6,реле 7, электродвигатель 8, редуктор .9,муфту 10, контактный термометр 11, ролик 12, рычаг 13 и шкалу 14.Устройство работает следующим обра 40зом.На выходном валу электродвигателя 1находится редуктор 2, имеющий два выходных вала. Один вал вращает полый цилиндр, на поверхостп которого укрепленамаска...

Номер патента: 270076

Опубликовано: 07.11.1982

Автор: Шефталь

МПК: C30B 23/00

Метки: аморфной, монокристаллических, пленок, подложке

...отличается от известных тем, что подслой наносят на часть поверхности подложки, а .монокристаллическую пленку осаждают на подслой с переходом на подложку. Это.позволяет получить беэдисло 10 кационные пленки с заданной кристаллографической ориентацией.Получение монокристаллическойпленки описываемым способом осуществляют в два этапа,1 этап. Вещество напыляется на,свежие сколы растворимых кристаллов,например Каб КВг и др., в результате получаются тонкие 400-1000 Ао монокристаллические слои этого вещества. Затем слои легко отделяютсяот водорастворимой подложки и наносятся на стекло простым подхватыванием с вода. Сцейление такой пленкисо стеклом достаточно хорошее.11 этап. Стекло с механически нанесенной на него монокристаллической пленкой...

Номер патента: 971922

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Белицкий, Ковалевский, Прилепо, Урсуляк

МПК: C30B 9/00

Метки: кристаллов, раствора, роста, скорости

...состоящий из компонентов раст-ворителя и кристаллообразующих компонентов нагревают до температуры на 30 - 100 С зОвыше температуры начала кристаллизации,при этой температуре раствор выдерживаютдо полной гомогенизации и в него вводяткапилляр, через который подают инертныйгаэ. 25Скорости подачи газа регулируют такимобразом, чтобы через раствор проходило 5 -10 пузырьков в минуту, Давление в системеподачи газа регистрируют микроманометром,Далее раствор охлаждают до температурыниже температуры кристаллизации, содаваязаданное пересыщение, При этом на внутренних стенках капилляра образуются зародыши кристаллов, которые при своем ростеизменяют его внутренний диаметр. За счет35этого происходит увеличение максимальногодавления в газовой пузырьке....

Номер патента: 971923

Опубликовано: 07.11.1982

Авторы: Доливо-Добровольская, Перелыгин

МПК: C30B 33/00

Метки: дислокаций, кристаллах

...3 4производится экспрессное определение присутствующих в кристалле типов дислокаций. В случае преобладания того или иного типа по всему объему кристалла или в части его исследователь может прогнозировать возможные отклонения в физических свойствах кристалла(например, легкость скольжения, неоднород. ность электрофизических параметров),П р и м е р. Определяют типы дислока. ций в кристаллах германия, ориентированного по плоскости (1).Производят шлифовку по стандартной методике, затем химическую полировку шлифоваль.1 ных поверхностей по стандартной методике. Соотношение скоростей травления для германия в полирующем травителе следующее: травитель СР - 4, скорость полировки участков без дислокаций Чп в 100 мкм/мин; скорость травления участков...

Номер патента: 973676

Опубликовано: 15.11.1982

Автор: Кибизов

МПК: C30B 33/00

Метки: алмаза, веществ, двойникования, дендритах, плоскостей, структурой, четности, числа

...(111) дендрита 1 делаютцарапину перпендикулярно направлениюроста С 211 ) и затем растягивающимусилием производят разлом, обеспечим вающий качественный скол, При рассмотрении сколов либо невооруженнымглазом, либо.в лупу обнаружено, чтово всех случаях получаются сколыдвух типов: либо в виде двух взаимно наклонных плоскостей 2, пересекающихся в плоскостях двойникованияВ и образующих с одной стороны скола впадину, а с другой - выступ; либо в виде двух параллельных плоскосЗ 5 тей 3, образующих одну общую наклонную плоскость. Если скол представляет собой одну наклонную к.направлению роста плоскость, как показанона дендрите 4, то число плоскостей40 двойникования Д четное. Если жескол образуется в виде впадины -выступа, как показано на...

Номер патента: 949979

Опубликовано: 07.12.1982

Авторы: Брантов, Татарченко, Хлесткин, Эпельбаум

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, кристаллических, ориентированных, слоев

...верхнего тигля по капиллярному зазору между пластиной питателя и подложкой-кристаллом проникает в нижний тигель, НедоСтатком устройства является то, что работа его верхней части возможна при использовании предварительно подготовленных подложек, при этом площадь контакта подложки с расплавом вследствие его затекания в щель между питателем и подложкой определяется площадью пластины питателя, вдоль которой протягивается подложка. Значительная величина зоны контакта расплава с подложкой приводит к ухудшению 25 качества выращиваемого слоя вследствие загрязнения расплава примесями.Цель изобретения - снижение загрязнения примесями выращиваемых сло- ЗО ев за счет уменьшения зоны расплава, контактирующего с подложкой, и увеличение...

Номер патента: 983154

Опубликовано: 23.12.1982

Авторы: Аксенова, Дроздова, Коляго

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, парателлурита, селективного, травления

...0013,Готовят травильный раствор, длячего в концентрированную азотнуюкислоту добавляют О,01-0,05 вес.пермангената калия и перемещаютраствор до получения однородной фиолетово-роэовой окраски. В приготовленный раствор погружают пинцетомкристалл и выдерживают его в растворе 10-60 мин, После этого кристалл,извлекают, промывают, высушивают иизучают протравленную поверхностьпод микроскопом, наблюдая ямкиселективного травления, контролируяих число и распределение. 40П р и м е р 1. Из ориентирован.ного монокристалла парателлурита вырезают образец в Форме шайбы так,что плоскости срезов перпендикулярны оси 001. Производят химическую 45полировку этих плоскостей, проьываюти высушивают образец. Помещают образец в .концентрированную хлорную...

Номер патента: 990892

Опубликовано: 23.01.1983

Автор: Евланова

МПК: C30B 33/00

Метки: лития, метаниобата, монокристаллов, травления

...иазотной кислот, при этом процесс ве"дут в смеси, содержащей 1 об.ч. пла;15 виковой и 3,2-4 об.ч. азотной кислотпри комнатной температуре в течение18-20 ч.Травление в течение времени менее18 ч дает менее четкую картину травления, а при травлении более 20 ччеткость картины травления также падает из-за появления вуалирующегослоя. П р и м е р 1. Образецс полированными поверхностями размером5 х 5 х 2 мм погружают в травнтель состава 1 об.ч. НР н 3,2 об.ч. ННОпри комнатной температуре на 18 ч. З 0 По окончании процесса образец про- Составитель А. Коломийцев .Редактор Н. Рогулич ТехредЙ.Гергель Корректор М. Шароши Р Заказ 67/41 Тираж 368 Подпи сиое ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж,...

Номер патента: 992617

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Копылов, Кравченко, Куча, Соболев

МПК: C30B 29/22

Метки: висмута, германата, материал, монокристаллического, основе, силиката, электрооптический

...ческую пленку, состав ветствует эмпирическо В 18 СеМ 9 р 210 р, Полуво ние в полученной плен ны 633 нм на 25 меньтаваПример 4 Ан ру 3 из шихты, содерж В)0 92,896; 510 2, выращивают монокрист ку, состав которой со пирической формуле В Полуволновое напряжен монокристаллической п волны 633 нм на 22 м ,пленке состава В 2 51П р и м е р 5, Ана ру 2 из шихты, содерж В 2 03 97,886; 5 Од 2, готовят расплав и мет ского выращивают моно которого соответствуе ФОРМУЛЕ В 11 зиа 651 Вао,о волновое напряжение и нокристалла на длине меньше, чем у монокри В 12 5102 р,Как видно из приве ров, предлагаемое реш по сравнению с извест 35 снизить полуволно электрооптических мон ких материалов на осн или германата висмута венно уменьшить управ...

Номер патента: 996530

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Каргин, Малахова, Сытин, Циглер, Чиркин

МПК: C30B 11/10

Метки: подачи, порошкообразного

...дозатора поддерживается постоянным (до уровня отверстийтрубы), что обеспечивает равномернуюподачу порошкообраэных материалов вкристаллизационный аппарат в течениевсего процесса кристаллизации. Соединение свободного конца Г-образного сердечника электромагнитного вибратора сдозатором уменьшает энергозатраты напередачу колебаний системы бункер -дозатор, так как центр тяжести системы находится выше точки приложениясилы, возбуждающей колебания системы. На чертеже представлено устройство, общий вид в разрезе.Устройство включает в себя корпус 1 с перегородкой 2, на которой жестко укреплен сильфон 3, в полости которого установлен дозатор 4 с сеточкой 5, во внутренней полости дозатора 4 закреплен бункер 6, снабженный трубой 7 с отверстиями 8 в...

Номер патента: 998599

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Бронштейн, Казимиров, Лебедев, Любимов

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, методом, монокристаллов, процесса, чохральского

...тока индукторе, и. сигнала, Опропорциональные весу кристалла, измеренные в промежутках между прерываниями тока индуктора, сравнивают их ипо результату сравнения корректируютразность сигналов, пропорциональныхвесу кристалла. Йли тигля с расплавоми весу кристалла заданной формы.На чертеже изображена схема устройства для реализации предлагаемого способа.Устройство содержит кристалл 1, вытягиваемый из расплава 2, образованного путем разогрева шихты индуктором3, динамометрический датчик 4, измеряющий текущий вес тигля с расплавом,сумматоры 5-71 задатчик 8 текущего46веса кристалла заданной формы, интеграторы 9 и 10, прерыватели 11-13.Устройство работает следукицим образом,При выращивании кристалла 1 иэрасплава 2 непрерывно измеряют...

Номер патента: 998600

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Апинов, Икрами, Рейтеров, Шишацкая

МПК: C30B 33/00

Метки: окон, оптических, полирования

....эмаль к стеклянной колбе источника или приемника ВУЧ излучения соответствует кривой 2. Отсутствие крутого подъема С(А ) от границы пропускания окне и 3 ЗЕ наличие полос поглощения по всей спектральной кривой 1 объясняется эффектом светорассеяния на поверхностных микро- неровностях, наличием в приповерхностном нарушенном (трешиноватом) слоев следовполировочной пасты и промывочных жидкостей, используемых при обработке окон, наличием тончайших адсорбированнцх пленок воды из атмосферы, образующихся при хранении окон. Несе-лективное поглощение в спектре припаОО фяных окон (кривая 2) объясняется по-глощением распылившейся в процессегазовыделения во время пайки и приплавившейся к поверхности окна тончайшей пленки из стеклоэмали,Обработка...

Номер патента: 998601

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Кудряшова, Лихолетов, Мосевич, Смирнова

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, поверхности, состав, стронция, титаната

...как четыре токсичных и огнеопасных растворителя заменяются однимбезвредным и безопасным в работе водным раствором щавелевой кислоты и перекиси водорода,1 Ф П р и м е р, Очистку поверхностимонокристаллов титаната стронция посленарезки их на пластины, шлифовки и полировки проводят в кипящем водномрастворе щавелевой кислоты и перекисиводорода,Составы растворителей и диэлектрические характеристики НК, изготовленныхиз монокристаллических пластин титанатастронция обработанных этими раствора,ми, представлены в таблице,1,6-40,5О, 37-2,25Остальное Диэлектрические характеристики НК Тавгенс диэлектрических потерь Составраствора Содержание, мас,% Управляемостьмкость,пф Щавелеваякислота 1,63 Перекисьводорода 2,25 45 10"ф 3, 33 Вода Ос тальное...

Номер патента: 1000477

Опубликовано: 28.02.1983

Автор: Измаилов

МПК: C30B 33/00

Метки: кристаллографической, монокристаллов, ориентации, оцк-решеткой

...неподвижных монокристаллов в полихроматическом излучении для выявления симметрии характерных точек и их ориентировки 11.Указанный способ ориентации кристаллов отличается трудоемкостью, для его реализации требуется сложное дорогостоящее оборудование. иболее близким к предлагаемому явспособ определения анизотропии крис- в том числе и с ОЦК-решеткой, пуменения микротвердости по Кнупу. пособом можно выявить направление ьшей твердости на кристаллографиплоскостях 2. Однако в общем случае известный способ не позволяет выявить кристаллографическую плоскость или кристаллографическое направление с низкими миллеровскими индексами.Цель изобретения - идентификациякристаллографических плоскостей и направлений с низкими индексами...

Номер патента: 1006552

Опубликовано: 23.03.1983

Авторы: Матросов, Цветков

МПК: C30B 33/00

Метки: бериллия, монокристаллов, окиси, основе, травления, химического

...селективное травление проводятв расплаве едкого калия при 360400 С в течение 5-20 мин.П р и м е р 1. Выявляют дефекты кристаллической структуры монокристалла хризоберилла, выращенного 10 в направлении 0101.Образцы в виде пластин толщиной1,0-1,5 мм, вырезанных из этогокристалла, в направлении, перпендикулярном оси вытягивания, т.е. в 15 плоскости (010), повергают химической полировке в расплаве метафосфата натрия при 900 С в течение 30 мин.Высокое качество полировки дает ровную, гладкую поверхность пластин.Затем в течение 10 мин проводятселективное травление в расплаве 1(ОНпри 360 С. Травители содержат в платиновых тиглях, образцы погружают втравители с помощью держателей, иэ 2 д готовленных иэ платиновой проволоки.Требуемой температуры...

Номер патента: 1019032

Опубликовано: 23.05.1983

Авторы: Десяткова, Федорова

МПК: C30B 33/00

Метки: ванадия, монокристаллов, полировки, раствор

...ортофосфорной кислоты менее 10 мас.ивинной кислотыменее 3 мас.% на поверхности кристаллов образуется окиснаяпленка, При увеличении концентрацииортофосфорной кислоты более 15"и винной ЗО более 5% идет неравномерная полировкаповерхности.Концентрации водного раствора дляполировки следующие, мас.%; азотнаякислота ДО; ортофосфорная ислота;10-15; винная кислота 3-5.Результаты обработки монакристаллов ванадия в растворах разных составов40 представлены в таблице.10190321 о о. ффЧ О х хЯфи О ОО О тч еч ОО г 1 еЧ г 1 фч ф"132 40-15 мин при перемешивании. Затем ромывают водой. Обрабатывают 19 моокристаллов ванадия; 6 монокристаллов,адия ориентации 111; 7 монокрисаллов ориентации 1103; 6 монокристалов ориентации 100, При съемке на ентгеновском...

Номер патента: 1021682

Опубликовано: 07.06.1983

Авторы: Волынец, Демиденко, Денисов, Денкс, Дудельзак, Рыжиков, Терентьева

МПК: C30B 29/34

Метки: «и—или», алюмосиликата, катодохромный, материал, основе, фото, щелочногалоидного

...впределах 0,05 и0,70.В конкретных содалитах в отличиеот указанной химической формулычасть элементов (йа, А 1, 51 и Х) может быть заменена другими легирующими добавками или они могут быть введены дополнительно. В частности,для обеспечения высоких Фотохром- .ных характеристик материал можетиметь в составе добавки 50 , 55 е Те , ИОУ. 1Ионолитный материал изготовляютсогласно способу, включающему рекристаллизационное прессование исходного содалитового порошка дополучения из него монолита с плотностью не менее 99 от теоретическойплотности содалита, имеющего тождественный химический состав с изготавливаемым поликристаллическим содалитовым материалом. Условия рекристаллизационнога прессования (температура прессования 800-1200 ОС,...

Номер патента: 875890

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Дугин, Крайзман, Шолохович

МПК: C30B 9/06

Метки: выращивания, метаниобата, монокристаллов, расплав, свинца, сегнетоэлектрических

...температу.ры. Кристаллы отмывают от раствори,теля 101-ным раствором КОН или йаОН. При сравнении примеров 3-8 и 10-12 видно, что наиболее целесообразно использовать в качестве растворителя для РЬО и МЬ 20(1:1) расплав из РЬО и"Ч 2 О в отношении 2;1, так как при использоваНии расплава из РЬО и Ч Ов в соотношении 1:1 хотя ирастут орторомбические (сегнетоэлектрические ) кристаллы РЬ ЙЬ 20, но они менее прочные и при закаливании растрескиваются перпендикулярно оси С.Размерыкристаллов,мм Примечание Кристаллическаяструктура Несегнетоэлектрическая, ромбоэдричес- кая Несегнетоэлектрическая,ромбоэлектрическая 5 х 0,4 х 0,4 Сегнетоэлектрическая, орто,".ромбическая 3 875Иэ примера 1 и 2 следует, что при содержании в исходном расплавв менее 60 мол А...

Номер патента: 1033584

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Иванова, Медведев

МПК: C30B 33/00

Метки: камней, них, природных

...для изделий, работаЗ 5 ющих на просвет при наличии бездефектных областей размером 50 50 50 мм П р и м е р 3, Приполированные и неполированные кабошоны размером4 9 мм иэ грязно-серого, табачно зеленого и табачно-серого нефрита,не отвечающего требованиям ОСТа 41,117.7 б, помещают в тигли иэ окисиалюминия и засыпают гранитным стеклом, Подготовленные автоклавы при мер 11 загружают в печь и выводятна режим со средней скоростью 50 С/ч.Автоклавы выдерживают на режиме:Т 500 С, Р 1000 атм НО + 10 Нтрое суток, после чего в;первой се-рии опытов охлаждают со средней скоростью 50 С/ч, во второй серии закайливают со скоростью 10000-1000 С/ч.После автоклавяой обработки исследу,емые образцы приобретают молочнозеленую, светло-зеленую, белую...

Номер патента: 1049577

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Евстюхин, Крапивка

МПК: C30B 29/62

Метки: металлов, монокристаллов, сферической, формы

...газа, сначала не плоской подложке, сплавляя кусочки до полусферической формы, которые зетем 55 размещают в конические лунки подложки и проводят повторное оплевление при скорости кристаллизации не более 2 мм"с,после чего монокристаллы обжигают притемпературе 0,75-0,8 Тпл.Двухстадийность процесса оплавлениянавесок обеспечивает получение шариковс незначительным отклонением от сферичности и исключает контакт расплавленногометалла с подложкой, При этом в ходепервого оплавления получаются полусферыс монокристаллической структурой, таккак кристаллизация расплавленного металла происходит на монокристаллическомслое, контактирующем с водоохлаждаемойподложкой, а скорость кристаллизациименьше 2 мм/с не проводит к появлениюновых центров...

Номер патента: 1054461

Опубликовано: 15.11.1983

Авторы: Комиссарчик, Мейкшанс

МПК: C30B 23/02

Метки: пленок, термоэлектрических

...охлаждения свежеосажденных пленок со скоростью 200-:300 град/ч и отжига пленок при 620 К,Параметры пленок, полученных известным способом, составляют: коэффици-.ент термо-ЭДС сС) 200 мкв/град.,удельная электропроводнссть(б)850 омсм , параметр мощноститермоэлектрических пленок(о, б), определяющий эффективность термоэлектрического споссба преобразованияэнергии ф 31 мВ/град 2 ом.см.Однако в полученных пленках, как ус 30 .тановлено экспериментально, возникаютзначительные термические напряжения, вызванные различием коэффициентов линейного расширения подложки и пленки, Знак ,термических напряжений, пропорциональных ЬйТ , определяется тем,какой из коэффициентов линейногорасширения:,.подложки или пленкибольше, где Ь Р - разность коэффициентов...

Номер патента: 1055784

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Аникин, Быковский, Ливинцев, Неволин, Фоминский

МПК: C30B 31/20

...после лазерного облучения.15Из фиг. 1 видно,что для тех об,разцов, на которые напыляют пленкиникеля больше 200 А после облучения,лазерным. излучением с потоком мощнос-.ти, равным 510 Вт/смд ток пассивации уменьшается более, чем в 9 раз.Уменьшение тока пассивации свиДетельствует о значительном увеличении коррозионной стойкости стали Х 25в растворе серной кислоты после обработкиРезультаты измерения микротвердости образцов стали Х 25 до и послеобработки представлены в табл. 1.Из табл 1 видно, что использование предлагаемого способа .позволя 30ет увеличить микротвердость сталиХ 25 в несколько раз.П р и м е р 2 . На полированныеобразцы .стали Х 25, имеющие размеры1 х 1 см и толщину 1 мм, напыляют мо-:либден. Напыление производят в вакууме 10...

Номер патента: 1055785

Опубликовано: 23.11.1983

Авторы: Мининзон, Никитенко, Пополитов, Стоюхин

МПК: C30B 33/00

Метки: монокристаллов, термообработки

...люминесценции по,площади скола монокристалла, что связано с 65 ухудшением условий диффузии йода на всю глубину монокристацла.Опыт показал, что для монокристаллов объемом 5 мм вполне достаточно термообработки в течение 6-8 ч, При этом достигается равномерность эффекта активации по всей глубине монокристалла. Время термообработки меньше б ч приводит к нестабильным результатам, которые связаны с йеравномерной активацией образцов. Время термообработки больше 8 ч не усиливает эффекта активации экситонной люминесценции. Следователь но,отжиг в течение 6-8 ч является Оптимальным.Увеличение скорости охлаждения монокристалйов после отжига до зна чений, больших 60 град/ч сопровождается появлением в них дислокацийи зачастую, приводит к их...

Номер патента: 427557

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Вагин, Лапидус, Николаева, Скворцов

МПК: C30B 25/02

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...не наблюдается ухудшения структуры нарастающего слоя при концентрациях водяных паров вплоть до2110 мол.%. Наоборот, значительноуменьшается количество дефектовупаковки. Во избежание заметноговлияния на скорость роста гидролиза 60паров четыреххлористого кремния во-дяные пары следует вводить непосредственно в реакционную камеру, Поскольку при температурах 1160, СоводянывпаРы при точке росы выше 65-50 о С окисляют кремний, необходимопосле процесса роста производитьотжиг при 1250 ф С для удаления остатков влаги из газовой фазы. Продолжительность отжига определяетсягеометрией реактора, расходом водорода и не превышает 1-5 мин, т.е.времени, принятого по суцествующейтехнологии.П р и м е р 1. Эпитаксиальныеслои кремния акцепторного типа...

Номер патента: 1059028

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Данилов, Одарич, Рубан

МПК: C30B 1/02

Метки: гранатов, структур, эпитаксиальных

...виде квадратных пластин с размером ребра 7 мм.Образцы разделены на 3 группы и лодвергнуть 1 обработке: первая группа - в окиси гал" лия при различных режимах; вторая - в окиси алюминия лри различных режимах; третья. - в окиси кремния при различных режимах. Контроль парамет. ров после обработки (измерение гра диента показателя преломления в диф. Фуэионных слоях и толщина этих слоев проведен отдельно в каждом образце элипсометрическим методом.П р и м е р 1, Обработка в порошке оксида галлия. Структуру ЖИГ на подложке ГГГ помещают в мелкощюсперсный порошок окиси галлия (в кераммическом тигле 1, тщательно утрамбовывают порошок в тигле и устанавливают его в отжиговую печь. Температуру поднимают по 150-200 оС/ч до 1100 ОС, далее пленку...