C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 1382052

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Андреев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34

Метки: выращивания, группового, кристаллов, профилированных

...каждый Формообразовательхотя бы в одной точке Затравку доводят до соприкосновения с основныминаиболее высокими Формообраэователями 4 и оплавляют ее до контакта сдополнительным более низким Формообразователем 5. Образовавшийся расплав стекает по капиллярам в тигель.Затем включают механизм подъема вытягивающего устройства (на чертеже 1не показана) и начинают кристаллизацию При этом одновременно с основными изделиями, Форма которых задается основными формообразователямирастет монокристаллический отражательный экран, Форма которого задается дополнительным Формообраэователем 5, Отражательный экран повышает температуру внутренней стенки изделия, выравнивает ее по сечению иэ"делия, тем самым улучшает качествоиэделия за счет снижения...

Номер патента: 1443488

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Бутинев, Литвинов, Пищик

МПК: C30B 15/34, C30B 15/36

Метки: выращивания, кристаллов, профилированных

...вытягиваюший ме"ханиэи.Повышают температуру тигля 1 по заданной программе до начала планле ния прокладок 8. По мере оплавления последних поверхность затравки 4, свободно установленной на них, плав-.но и медленно сближают с Формообразователем 7. После полного оплавления прокладок 8 затравка 4 ложится на формообразователь 7 и полки 3, После контакта затравки 4 сполками 3 делают выдержку для стабилизации тепловых условий на Фронте кристаллизации и начинают вытягивание кристалла известным способом. При этомтяги 2 самоцентрируются на затравке4 за счет смещенного центра тяжестии наличия шарниров 5, фиксируя затравку 4 и растущий кристалл в заданном положении.П р и м е р. Выращивание сапфировых (А 10 з) тиглей цилиндрическойформы с наружным...

Номер патента: 949984

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Гектин, Чаркина, Ширан

МПК: C30B 29/12, C30B 33/04

Метки: монокристаллов, щелочногалоидных

...По мереповышения температуры за сцет рекомбинации комплементарных центров ихсодержание в облученном кристалле стечением времени уменьшается. Обработка монокристаллов ХаС 1 и КС 1 путем их изотермического отжига притемпературах 150-200 С приводит кполному исчезновению электронных 10(Р, М, К, И) центров, выявляемых оптическими методами, Однако дырочныецентры (7) и дислокационные диполи,образующиеся под действием ионизирующего облучения, при этих температурах устойчивы. Йзотермический отжиг монокристаллов при температурахвыше 200-250 С снимает все наведенные облучением деФекты, Варьированиетемпературы и времени отжига кристалла изменяет спектр деФектов кристаллической решетки, возникших в процессе воздействия на монокристалл...

Номер патента: 1412383

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Буравлева, Чаркина, Чубенко, Эйдельман

МПК: C30B 17/00, C30B 29/12

Метки: выращивания, иодистого, монокристаллов, цезия

...кристаллов при сохранении оптических свойств Способ включает нагрев шихты,содержащей иодистый цезий с добавкой 4-5 масВ бромистого цезия, После нагрева до плавления проводят выдержку в течение 1,0-1,5 ч. Нагрев и выдержку расплава ведут при непрерывном вакууми-гровании до давления 1 10 в , 510 г мм рт.ст а рост кристалла ведут в атмосфере азота при давлении 110 -1,10 мм ртст., Достигнут предел текучести 200-260 г/мм 2, 1 табл,1412383 условиях без добавления примеси бромистого цезия, улучшены при этом оптические свойства. формула изобретения Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия, включающий нагрев шихты, содержащей иодистый цезий с добавкой бромистого цезия, до плавления, выдержку и последующий рост кристаллов по методу...

Номер патента: 1471546

Опубликовано: 07.01.1993

Авторы: Виноград, Гуревич, Ковалева, Козлов, Любинский

МПК: C09K 11/55, C09K 11/61, C30B 11/06 ...

Метки: иодида, основе, сцинтиллятора, цезия

...комнатной температуры со скоростью 10 /чаВ таблице представлены свойства кристаллов, полученных по изобретению и данные сравнительных примеров.Из представленных в таблице дан ных следует, что величина послесвечения кристаллов, полученных по изобретению, в 2-9.раз ниже, а интенсивность радиолюминесценции в 2-2,5 раза выше аналогичных характеристик ЗО кристаллов, полученных известным способом. При этом кристаллы не имеют посторонних включений.Повышение скорости нагрева при термической обработке поглотителя выше 15 град/ч приводит к его спеканию, в связи с чем при его дальнейшем применении возможно образование кислород-содержащих примесей в кристалле и повышение интенсивности послесвечения, Снижение скорости нагрева ниже 5 О/ц...

Номер патента: 1309836

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Буташин, Каминский, Милль, Писаревский, Сильвестрова, Ходжабагян

МПК: C30B 29/22, H01L 41/18

Метки: материал, пьезоэлектрический

...лантаноида Ьп,включающий дополнительно оксид элемента М, о т л и ч а ю щ и й с я тем,что, с целью расширения диапазона рабочих частот и повышения температурной стабильности, он дополнительно содержит оксид галлия Са при соотношении компонентов в соответствии с эмпирической формулой Ьп Са МО,; где 0,5 сх е 1.,0.2, Материал по п.1, о т л и ч а ющ и й ся тем, что он содержит лантаноид иэ группы, включающей Ьа, Ы и Рг нли их смесь", и дополнительно оксид элемента группы, включающей Бэ., Се, Т 1, Ег, Бп, НГ, ИЬ, Та и БЬ. Поглощение продольныхупругих волн, дб/см,при частоте Температура фазового пео рехода, С Материал Пример 10 МГц 1000 МГц, 14701470 0,90 0,50 Составитель В. БожевольновРедактор Л, Курасова Техред И,Попович Корректор А....

Номер патента: 575807

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бирман, Иванов, Нагорная, Смирнов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллизацией, кристаллов, направленной, расплава

...края.2. Устройство по и.1, о т л ч а ю щ е е с я тем, цто высота лодильника равна 0,2-0,3 диамето пулы. чем перемешивание расплава в ампуле имеет слабую интенсивность.Цель изобретения - повышение скорости роста и качества кристаллов вследствие улучшения условий конвективного перемешивания расплава в области фронта кристаллизации.С этой целью холодильник выполнен в виде цилиндра с внешним диаметром, равным 0,2 - 0,4 внутреннего диаметра печи, и толщиной 0,05-0,15 диаметра ампулы и установлен в зоне нагревателя на расстоянии 1-2 диаметров ампулы от его нижнего края. Высота холодильника равна 0,2-0,3 диаметра ампулы.575807 Редактор Т,Шаргано хред М.Моргентал Кор 1.Филь Заказ 1088 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по...

Номер патента: 1789577

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Ангерт, Голубович, Кудрявцева, Новопашина, Тюшевская

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов, шихты

...начинается спекание шихты, котороеможет приводить к необратимому захватуеще неудаленных ОН - групп в объеме шихты при закрывании пор при спекании. Винтервале температур 830 в 8 С происходит синтез фазы эвлитина Вцбез 02. По результатам рентгенофазового анализа наэтой стадии наблюдается также присутствие фазы силленита В 46 езОа и Ое 02, При900-950 С достигаются полнота синтеза изначительное (в 1,5-1,6 раза) уплотнениематериала; плотность таблет шихты В ГО после такой термообработки достигает 90%от плотности расплава ВГО.Выше температуры 950 С начинаетсяподплавление шихты (т пл. ВГО = 1050 С).П р и м е р 1, Смесь просушенных порошков оксидов германия ОеОг и висмутаВ 20 з, взятых в стехиометрическом соотношении 2:3, смачивают...

Номер патента: 1789578

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бондаренко, Бондарь, Бурачас, Кривошеин, Мартынов, Пирогов

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Метки: висмута, выращивания, германата, монокристаллов

...затравку, разращивание верхнего конуса, рост при постоянном диаметре, отделение кристалла от расплава и последующее его охлаждение, согласно изобретению, разращивание верхнего конуса осуществляют в пределах телесного угла 130 - 160.В основе предлагаемого способа лежат следующие физические явления. Телесный угол разращивания верхнего конуса соответствует определенной скорости снижения температуры расплава в ходе разращивания и, следовательно, определенным тепловым условиям на фронте кристалл и за ции. Кон к ретн ы й хара кте р этих условий определяет характер роста Р-, Я- и К-граней. Поскольку, как показал предварительный анализ для достижения поставленной цели необходимо исключить преимущественный рост Р-граней, но обеспечить...

Номер патента: 786110

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Аракелов, Белабаев, Бурачас, Дубовик, Назаренко, Саркисов, Тиман

МПК: C30B 15/00, C30B 15/14, C30B 29/30 ...

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов

...следящей системы,Постоянное вмешательство следящейсистемы в процесс выращивания обусловливает основной недостаток известного способа и устройства автоматического управления процессом ростамонокристаллов, так как постоянноевмешательство приводит к искусственным колебаниям температуры расплава,связанным с самим управлением. В своюочередь, колебания температуры отрицательно сказываются на оптическойоднородности кристалла и снижают выход годных кристаллов,Применение кристаллов ниобата лития в квантовой электронике предъявляет к качеству кристаллов повышенные требования, особенно к однородности структуры кристалла по высоте.Искусственные колебания температурырасплава, возникающие в процессе автоматического управления процессомроста,...

Номер патента: 845508

Опубликовано: 23.01.1993

Авторы: Бындин, Литвинов, Носов, Пищик, Шоршин

МПК: C30B 15/34

Метки: кристаллов, профилированных

...окружности гнезда для затравкодержателей, в верхней цасти камера снабжена каналом для размещения затравкодержателей и подачи их на диск,в нижней части камера снабжена приемником полученных кристаллов, асредство подпитки расплава выполнено в виде бункера, установленноговне камеры и соединенного с тиглемтурбопроводомПенал для размещения затравкодержателей снабжен Фиксатором в нижнейчасти, на котором установлен наборзатравкодержателей,незда поворотного диска выполнены в виде тангенциальных газов сцентрирующими выступами, имеющими коническое углубление,На Фиг, показано устройство, продольный разрез, на Фиг,2 - сечениеА-А на Фиг,1, на Фиг,3 - сечение Б-Бна Фиг,2; на Фиг,4 - вид В на Фиг 3;на Фиг. 5 - сечение Г-Г на Фиг.1;на Фиг,б - сецение...

Номер патента: 1253182

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль, Скоробогатов

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...водоохлаждаемого индуктора 5 с помощьютраверс 8 устанавливают тигель 7, боковая часть которого выполнена в виде многогранной призмы, грани кото"рой представляют собой набор из нескольких пластин, установленных сзазором параллельно друг другу ипоследовательно соединенных, а донная его часть выполнена иэ секций,установленгак с зазором относителнно друг друга, Тигель 7 устанавливают так, чтобы его кромка находи"лась на одном уровне с кромкой верхнего витка индуктара 5. Объем тигля7 и дополнительный объем между,тиглем и индуктором 5 заполняется ис"ходным порошкообразным сырьем, Ьункер 9 заполняется сырьем тогО жесостава. Увеличением мощности, под3водимой от источника б индукционного нагрева к индуктору 5, повышает ся температура тигля 7...

Номер патента: 1496332

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, окислов, тугоплавких

...Промоскаль Изобретение относится к техноложбы тигля,эана схема устройция монокристаллов ов, на фиг. 2 горизонтальный - разрез А-А на во включает герметичнуюток 2 для вытягиваниялов, имеющий возможност вертикального вращения и перемеще ния (механизмы вращения и перемещ нйя не показаны), затравку Э, пр соединенную к штоку, иа которую в тягивают монокристалл 4, ицдуктор ехацизмом 10 подачи сырьщую трубу 11 . 2 (фиг. 2) вь гогранной призмь состоят из неско установленных с о друг другу и п иненных. К месту ей пластины с по й в каждой гран дополнительная149Устройство работает следующим образом.В герметичной камере 1 внутри ицдуктора 5 неподвижно устанавливают тигель 7 с помощью траверс 8. Объем тигля 7 и дополнительный объем между...

Номер патента: 1457463

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Балакирев, Коваленко, Промоскаль, Стрювер

МПК: C30B 11/00, C30B 29/22

Метки: выращивания, кристаллов, оксидов, сложных

...в центре, Надотверстием устанавливают трубу 11,служащую для подачи сырья иэ бункераПлавным увеличением мощности падвадимой от источника 12 идукционног(1нагрева к идукгарушихту нягре,вают и доводят пО расплавления, Необходимый уровень расплава получаютпутем дополнительной подачи шихтыиз бункера 7.После наплавления трубу11 отводят в сторону, доводят -асплавда температуры затравленил,. Онускаот .в него вращаощуюся затравку 9 и прова"дят затравление. Плавным изменением скорости опускания тигля 3 в пределах0,02-0,2 мм/ч по зависимости, представленной на фиг. 2, асущестнлиотразращиванне кристалла да заданногопоперечного размера (примерно 35 мм),После раэращивания коррекцию поперечного размера кристалла осуществляют изменением...

Номер патента: 1165095

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль, Скоробогатов, Стрювер

МПК: C30B 15/14, C30B 29/28

Метки: монокристаллов, окислов, сложных

...ратура всего тигля и, следовательно, всего обьема расплава в целом. Это влечет за собой уменьшение эффективности его конвективного перемешивания и, как следствие, увеличение толщины диффузионного слоя вблизи фронта кристаллизации, что благоприятствует скопЛению в этом слое примеси скоэффициентом вхождения меньше единицы, Вследствие эффекта концентрационного переохлаждения скопление такой примеси в диффузионном слое ведет к 25ячеистому росту монокристалла, резкоухудшающему его оптическую однородностьНаиболее близким техническим решением является способ выращивания монокристаллов, включающий плавление исходного материала, затравливание на затравку, ее разращивание до заданного диаметра изменением температуры расплава и последующее...

Номер патента: 1123326

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Асланов, Коваленко, Промоскаль, Скоробогатов, Стрювер

МПК: C30B 15/10, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов

...электромагнитного поля в придонной части тигля, как 25и в приведенном аналоге, значительноослабляется путем взаимодействияэлектромагнитных полей, создаваемыхтоками, протекающими в индукторе идне тигля, Величина индукционноготока, протекающего в верхней частитигля, по сравнению с нижней, будетзначительно выше, что и приводит кее перегреву и, как следствие, куменьшению эффективности конвекциив расплаве. Это влечет за собойуменьшение передачи тепла от тигляк расплаву за счет конвективного механизма и разрушения тигля в процессе выращивания, начинающееся в еговерхней части.Целью изобретения является повышение надежности устройства за счетувеличения срока службы тигля.Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для выращивания...

Номер патента: 1793014

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Рандошкин, Чани

МПК: C30B 29/28

Метки: знака, параметров, пленки, подложки, рассогласования, решетки, эпитаксиальной

...видиподлокки относительно неподвикного раствора-расплава. В случае синтеза монокристаллических материалов в виде твердыхрастворов типа ферритгранатов(ЫВ)з(ГеОа)в 012, где замещение внутрипар ионово-В 1 и Ге-Оа осуществляетсяпрактически неограниченно, имеет местозаметное влияние скорости роста Х на величины приведенных коэффициентов распределения 10К(1 о/В)- (-в 1 ВЬ(ба)ж (Ре 1 тгде в квадратных скобках указаны концентрации компонентов в твердой (т) и жидкой(ж) фазах соответственно,Для величин коэффициентов распрееления всегда выполняются соотношения;К( ц/В ) 1;К(.а/Ге)1,Кроме того, при увеличении скоростироста значения К(1 ц/В) и К(Са/Ре) всегдастремятся к единице.Таким образом., на периферии пленкиконцентрации (Бг и (РеЪ всегда выше...

Номер патента: 1478680

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Кобзарь-Зленко, Комар, Кулик

МПК: C30B 11/00, C30B 29/48

Метки: кристаллов, соединений

...снижения содержакислорода.На фиг.1 и 2 покаэаньпускания кристаллов сульи кадмия соответственно,1 - спектры кристаллов, пбез дезоксидации, кривыекристалллов, полученных,цацией. ния примеси кислорода. В графитовый тигель загружают исходную загрузку и навеску тиокарбамида или селенокарбамида в случае сульфидов и селенидов соответственно. Ростовую камеру герметизируют, вакуумируют и заполняют аргоном. Вкаочают нагрев, посл дезоксидации проводят вакуумировани и заполнение ростовой камеры инерт ным газом, После расплавления соединения проводят кристаллизацию направлепной кристаллизацией. Дезоксидация позволяет уменьшить содержание приме" си кислорода па 2 - 3 порядка и повысить коэффициент пропускания. 2 вл,Ф оксида цинка, смешивают в...

Номер патента: 1228526

Опубликовано: 15.02.1993

Авторы: Дубовик, Назаренко

МПК: C30B 15/14, C30B 29/22

Метки: выращивания, монокристаллов, оксидов, расплава, сложных

...1 б в керамическом диске 15, после че.о привод вытягивающего механизма отключают. В камере 7 охлаждения монокристалл 20 выдерживают 2 ч, затем охлаждают до комнатной температуры со скоростью 50 Кч, а в области температур, в которой существует аномалия термического расширения кристаллов лантангаллиевого силиката (850- 700 К), со скоростью ЭО К/ч.При этом платиновый экран 10,крышка 17 и керамические экраны 8, 9 прорези 11, выполненные в экране 8, а также удаленный верхний виток, на указанное расстояние обеспечивают выравнивание теплового поля в камере 7 охлаждения, повышают ее инерционность при охлажчденни и обеспечивают линейный температурный градиент по длине кристалла в области аномалии термического расширения 3 град/см.Для...

Номер патента: 1798394

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Икрами, Парамзин, Халимов

МПК: C30B 13/00, C30B 29/12

Метки: кальция, кристаллического, фторида

...жеемния. 1 ил. 2 табл.1798394 3рости выше 80 мм/ч - эффективность очистки уменьшается,Поскольку существенные отличия, аименно; скорость протяжки 8-80 мм/ч череззоны плавления больше одной, температурный градиент между которыми 80100 С/см, а вакуум 10 -10 мм рт,ст. визвестных решениях не обнаружены,П р и м е р. В тигель, предназначенныйдля зонной плавки. помещали фторид кальция, полученный по известному способу, Горизонтальную перекристаллизацию.производили в печи СГВВ.100.250/22 ИТ. Градиент температур между зонами составлял 80-100 С/см относительной 15ширины зоны нагрева 10-25 мм, расстояниемеждч зонами составляло 80 мм, В зоненагрева создавали вакуум 10 мм рт,ст. и-5температура плавления 1480"С, тигель протягивали через 6 зон...

Номер патента: 1798395

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Калугин, Куценогий, Петров

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, кремния, кристаллов, расплава

...с нижней опорой 17, приводом 19 кассета устанавливается в положение выращивания, После затравливания и выращивания монокристалла, приводом 21 затравкодержатель 7 поднимается в верхнее положение, приводом 19 кассета 9 поворачиваются в положение перегрузка, при этом как только ось гнезда совпадает с осью выращивания, срабатывает фиксатор 18, удерживая кассету в этом положении, При этом автоматически сраба 1798395тывает самозапирающееся захватное устройство 14, удерживая кристалл от падения, а приводом 21 кристалл 22 опускается в опору 15 нижнего корпуса кассеты 9, таким образом кристалл оказывается зафиксированным по оси выращивания, При дальнейшем повороте кассеты 9 происходит излом шейки кристалла и его отделение от затравки. Затем если...

Номер патента: 1798396

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Курлов, Петьков, Редькин, Россоленко

МПК: C30B 15/28, G05D 27/00

Метки: автоматическом, выращивания, кристаллов, расплава, режиме

...следуюьцие размеры: диаметр - 50 мм, высота - 50 мм, толщина стенки - 3 мм. Тепловая зона была выполнена в виде труб из спеченной окиси алюминия, также использовался платиновый конический экран, Расплав находился при температуре 1160 С, В расплав опускали платиновую пластину диаметром 30 мм и толщиной 1 мм на глубину 2 мм от поверхности расплава. Температуру Тп пластины измеряли при помощи Рс-РЯтермопэры. После затравливания и формирования перетяжки выращивание проводили в автоматическом режиме. При этом перемещение пластины при выращивании кристалла осуществляли таким образом, чтобы расстояние между пластиной и поверхностью расплава сохранялось постоянным. Выращивание проводили при скорости вытягивания 5 мм/час и скорости вращения...

Номер патента: 1798397

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Никорич, Симашкевич, Соболевская, Сушкевич

МПК: C30B 19/06, C30B 29/48

Метки: полупроводниковых, слоев, соединений, эпитаксиальных

...пена 100-150печь возврание, при этоампулу извлния ампулыподложку сиз ампулы иводой или сности выращтеля.Изобретение может бьследующим образом,Берут навески Еп, Те, 5учения твердого раствора,.Милюков Тираж Подписное сударственного комитета по изобретениям и открытиям 113035, Москва, Ж. Раушская наб., 4/5КНТ СССР роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. ужгород, ул,Гагарин ва ЕпЯео,яТео,1, Количество соли хлорида-4цинк. Ампулу откачивают до 10, тор и отпатвердого раствора и 95 мол.хлоридэ цинка, Навески: Р(Еп С 2) = 4,68 (г); Р(Еп) = 0,0118 + 0,1063-0,11811(г); Р(Те) = 0,0231(г); Р(Зе)= = 1,285 (г).В чистую кварцевую ампулу загружают обезвоженную соль ЕпС 2, селен, теллур, цинк. Ампулу откачивают до 10 тор и...

Номер патента: 1799402

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Волынчиков, Дереченик, Згурский, Ковалевский, Олтушец, Харитончик, Яцук

МПК: C30B 35/00

Метки: осаждения, структур, техники, тонкопленочных, электронной

...смесей на выходе из реактора.Осаждение тонкопленочных структур осуществлялось в установке ИзотронМ с вакуумным агрегатом АРВ - 160 и расходомером типа В-15 и Рагтег 125-Яег ез фирма ЯИп 1 сег Еес 1 г 1 с ЧаП Соарапу на линияхдихлорсилана. моносилана, арсина, фосфина, диборана. Общее давление парогазовой смеси в реакторе поддерживалось в пределах 40120 Па, Скорость подачи газовой или парогазовой смеси через реактор поддерживалась на уровне 60.140 дм /ч. Отходы отработанных токсичных и агрессивных газов и парогазовых смесей в процессе осаждения тонкопленочных структур все время откачиваются из реактора и через специальный патрубок вводятся в оросительную колонку противопотоком распыляемому через форсунку раствору-абсорбенту, который...

Номер патента: 1429601

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Кудин, Моргацкий, Панова, Угланова

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: сцинтилляционного

...способу, имеют следующие размеры;диаметр 80 мм, длина 120 мм. Из них изготавливают детекторы диаметром 30 мм, длиной 90 мм. Процессы выращивания монокристаллов по способу, описанному в примере 1,проводят по различной загрузке соли иодистого натрия в ампулу; 4 и 8 кг для изготовления детекторов размером 63 х 250 мм)а также при различном давлении кислорода в ампуле: 0,1; 0,2; 0,3; 0,4; 0,6; 0,7 и 0,8 атм.Сцинтилляционные параметры детектОров размером 30 х 90 мм и 63 х 250 мм на основе монокристаллов ча(Т), выращенных согласно примеру 1, приведены в примерах 1 - 7 таблицы.П р и м е р 2. Соль иодистого натрия загружают в ампулу диаметром 90 и длиной 400 мм. Ампула снабжена отдельным отсеком для активатора и отдельным отсеком для примеси...

Номер патента: 1029649

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Карпов, Любинский, Смирнов

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: монокристаллов, щелочногалоидных

...величины пк, па, пг, Ьк, ЛТ 1, ЬТ 2 и зная величины Ч 1 и Чг, рассчитывают значенияи Чз. В. ростовую печь, в которой перегрев камеры плавления равен величине Н 41, помещают ампулу с расплавом таким образом, чтобы ее дно находилось на расстоянии йх от диафрагмы, Устанавливают скорость перемещения Ч 1. Включают механизм перемещения и в течение времени т опускают ампулу со скоростью Ч 1, Так как расплав в ампуле перегрет незначительно, кристаллизация его начинается в момент пересечения конусным дном ампулы изотермы кристаллизации, Фронт кристаллизации осуществляется выше верхнего среза охлаждаемойдиафрагмы при отводе тепла от фронта крибильное положение фронта кристаллизации в процессе последующего роста кристалла из...

Номер патента: 1801991

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Курлов, Петьков, Редькин

МПК: C30B 15/00, C30B 15/34, C30B 29/32 ...

Метки: выращивания, гадолиния, кристаллов, молибдата, ориентации

...скоростью 20-50 об/мин до достижения толщины кристалла более 15 мм, при вытягивании кристалл вращают со скоростью 90-110 об/мин. Получают кристаллы длиной до 60 мм, шириной 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества, 2 табл. ращивании составляла 40 об/мин. При этом толщина кристалла 25 мм, После разращивания скорость вращения увеличили до 100 об/мин - толщина кристалла осталась прежней. Длина участка разращивания составила 15 мм, Было выращено 12 кристаллов молибдата гадолиния 90 ориентации длиной 50 - 60 мм, шириной до 32 мм, толщиной 25 мм хорошего качества, Из каждого кристалла вырезали 6 элементов шириной 10 мм, толщиной 11 мм, длиной 40 мм,В табл,1 приводятся значения толщин выращиваемых кристаллов в зависимости От толщины кристалла...

Номер патента: 1801992

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Вотяков, Ковнер, Мерзляков, Семенов, Широбоков

МПК: C30B 23/08

Метки: молекулярно-лучевой, эпитаксии

...так и относительнога перемещения. Вал 12 манипулятора подложкодержателя снабжен приводам 13. В нижней части транспортной магистрали 2 размещен привод 14 манипулятора-доставщика 15, с помощью которого осуществляется захват и передачаподложкодержателя на вал 12 манипулятора подложкодежателя,Работа линии установки осуществляется следующим образом: Каретку 4 с подложкоде ржателями 5 устанавливают в загрузочную камеру 1. Производят откачку камеры 1. После чего открывают.шиберный затвор 3, расположенный между загрузочной камерой 1 и транспортной магистралью 2, Каретку перемещают в транспортную магистраль 2 и останавливают напротив выбранной позиции рабочей камеры 6, шиберный затвор закрывают, Привод 9 выбранной. рабочей камеры отводит...

Номер патента: 1801993

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Коновалова, Цветков

МПК: C30B 29/14, C30B 33/10

Метки: калия, кристаллов, кт, оро, титания, травления, фосфата, химического

...фиг,1). На обоих рисунках (см. фиг.2 и фиг.З) область 11 относится к сектору роста грани (110), о чем говорит расположение ростовых полос, параллельных этой грани. Таким же образом определяется, что область 1 - сектор роста грани (10). Помимо этого, поверхности делятся на два участка, между которыми обозначивается довольно четкая граница (А и Б). Один из них (Б) покрыт частыми и тонкими полосками(штриховкой). На другом (А) ростовые полосы шире и расположены с большими промежутками либо совсем отсутствуют. Поверхность 11,Б кроме того имеет ямки и борозды травления (фиг,4). Бороздки и направление, трассируемое ямками, параллельны полосам. Приурочен- ность борозд и ямок травления к ростовым полосам свидетельствует, что они являются...

Номер патента: 1431392

Опубликовано: 15.03.1993

Авторы: Горилецкий, Неменов, Панова, Эйдельман

МПК: C30B 11/02, C30B 29/12

Метки: кристаллов, щелочногалоидных

...1 анаьТаким же способом при предлагаемьех,значениях технологических етараметровполучецье моцокристаллы йодистого цезия, н ИК-спектре пропусканил которыхотсутствуют 1 еолосы поглощения кислородсодержащих приееесей,Сравнительные данцьее способов по"лученил нысокопраэрачееьех моееокреесталлов по предлагаемому способу и прототипу представлены н табл,. следует из табл.1 способ ет выращивать нысокопрозкристаллы беэ исцользонасеечньех и агрессивных соеди гряэееяющих Окружающую сред нодительееьее затраты времен отонку расеыеана к нырашина док меееьше, чем у иэнестны н,ерозрачцости монокрис" ида калия, ныращенцых ех технологических пара-, ставлены в табл.2.следует, что выход за начения предлагаемых панодит к усложнению тех" цологического...