C30B 29/16 — оксиды

Номер патента: 48277

Опубликовано: 31.08.1936

Автор: Беркфельд

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: искусственных, камней, цветных

...исходить взамен окиси непо. средственно из тонких фракций так называемого микроналюминия", применяемого при термитной реакции Гольд- шмидта и изготовляемого путем распыления металлического алюминия.Материалом в этом случае должен служить исключительно только алюминий высококачественного состава (99,97%).При применении окиси алюминия засыпаемая в закрытый стакан горелки пудра окиси, падая по нижнему конусу стакана, передается в трубку для плавки, двигаясь непосредственно в токе кислорода, вводимого в стакан и оттуда в трубку.Падающая в потоке кислорода пудра окиси у нижнего конца трубки вводится в атмосферу водорода, где и происходит горение и дальнейшая плавка окиси.Расплавленные капельки окиси, выходя из зоны пламени, падают и...

Номер патента: 164016

Опубликовано: 01.01.1964

Авторы: Обуховский, Сысоев

МПК: C30B 29/16, C30B 9/12

Метки: л10нокристаллов, окислов, тугоплавких

...и сложных окислов и других соединений, растворимых в криолите; выращивание может проводить. ся при более низких температурах, чем температуры плавления кристаллизуемых соединений; возможно выращивание кристаллов стехиометрпческого состава; благодаря без.градиентномр принципу выращивания исключаются термические напряжения в кристаллах и несовершенства кристаллической 5 решетки; возможно выращивание монокрпсталлов сложных соедшенпп; отсутствуют принципиальные затруднения в получении мопокристаллов больших размеров; растворитель пе вносит существенных искажений в 10 физические и оптические свойства кристаллов; легнрующие примеси равномерно распределяются по кристаллу; криолит является технически доступным материалом крупнотоннажного...

Номер патента: 197525

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Гольдштейн, Карпенко, Тресв

МПК: C30B 11/02, C30B 29/16

Метки: выращивания, кристаллов, магния, окиси

...от известных тем, что в качестве исходного сырья ис. пользуют магнезию, содержащую не менее 90 вес. % активной окиси магния, в которю в процессе гидратации вводят не менее 6 мол.% избыточной воды. При расплавлении шихты наплавляют блок расплава объемом це менее 0,2 л 1 з, с отношением высоты к диаметру от 1:2 до 1:1 и перегревают расплав на 20 - 100=С выше температуры плавления окиси магния,Проведение процесса выращивания кристаллов при указанных условиях дает возможность получать друзы оптически прозрачных металлов 50 лтл длиной и 25 - 30 млт диаметром в количестве 25 - 30 вес. % закристаллизованного блока, Кристаллы могут использоваться в полупроводниковой технике, и в радиоэлектронике и расчетной технике. Прп увеличении...

Номер патента: 291874

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Золотухин, Короленко, Цветков, Шустов

МПК: C30B 29/16, C30B 33/00

Метки: двойников, исправления, механических

...по спайности из кристаллов.Описываемый способ позволяет исправить 10 двойники в заготовках, не ограниченных плоскостями спайности, пригоден для выправления объема с множеством двойниковых пластин.Это достигается тем, что сжатие осущест вляют в направлении оптической оси.Сжатие производят в слабо пластичных прокладках, например асбестовых, до полного исчезновения двойников, которое наступает при давлениях порядка 30 в 1 кг/сл. 20Например, из кристалла оптического кальцита вырезают заготовку в форме куба с ребром 20 для на поляризационную призму системы Глана, Две противоположные грани куба являются базовыми - они нормальны оптиче ской оси кристалла.Базовые грани заготовки подвергают сжатию гидравлическим прессом силой 400 кг,...

Номер патента: 402506

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: 402506

...ведут при концентрации водного раствора фтористого калия 10 - 40 вес.% и фтористого натрия концентрацией 2 - 10 вес.%,П р и м е р 1. 50 г порошкообразного ЯЬеО загружают на дно реактора, куда заливают 400/О-ный водный раствор КР и 10 ф,-ный водный раствор ХаР.Реактор герметизируют, ставят в печь и нагревают до температуры 540 С, вследствие чего в нем создается давление в 1765 атм. Температурный перепад по высоте реактора составляет 30 С. Время выдержки в режиме 8 суток, В результате в верхней зоне реактора кристаллизуются кристаллы окиси сурьмы модификации сепармонтита, причем выход монокристаллов 40 г.Пример 2. Шихту состава ЯьОт в количестве 50 г загружают в реактор, куда заливают смешанныи водный раствор КГ (Скг= =30 вес.",о) и а...

Номер патента: 429838

Опубликовано: 30.05.1974

Авторы: Волова, Гвоздиков, Красникова, Овечкин, Шаа

МПК: C30B 11/12, C30B 29/16, C30B 29/62 ...

Метки: 429838

...чов двуокиси титана путем окисления хлоридов титана, растворенных в распл галоидных солей щелочных металлов, температуре 750 - 950 С с последующим делением полученных кристаллов из рас ва, отличающийся тем, что, с целью вышения прочности кристаллов и уменьше коррозии аппаратуры, окисление ведут в ным паром.2. Способ по пчто водяной паргазом, взятым в ал- суб- аве способу окисторый подают ым в количе 20 25 вы- пла- по- ния уры происхо ьтате взаимо водяным па в хлористого вны, чем эле еи из эвтек- субхлорида 61) Зависимое от авт. сви(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НИДВУОКИСИ Изобретение относится к способам получения нитевидных кристаллов, в частности, двуокиси титана и может найти применение в химической промышленности, а также в производстве...

Номер патента: 1490167

Опубликовано: 30.06.1989

Авторы: Коган, Сокол, Шулаев

МПК: C30B 23/02, C30B 29/16

Метки: пленок

...состав и кристаллическую структуру пленки исследуют на электронном микроскопе ЭМВл. Электронно-графическим анализом показывают, что пленка диоксида ниобия монофазна по составу и эпитакспальна по структуре.Термическую устосиальной пленки оце1490167 25 лице. Температураподложкиград, К Давление кислорода, Р,Торр 5 1 О 1 10 1100 1100 5 103 10810 1100 1100 1100 1 10 1000 1 10 1 1 О 1050 1150 1 10 1 10 1200893 ходивших при нагреве непосредственно в колонке электронного микроскопа. Нагреву подвергают двухслойные элементы пленка-подложка толщину коФ5 торых берут соответственно 50 и 10 нм, Такой элемент получают при отделении пленки с помощью желатины от подложки, когда вместе с пленкой отрывается тонкий слой слюды.10При нагреве до температур...

Номер патента: 1560644

Опубликовано: 30.04.1990

Авторы: Данчевская, Ивакин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: кристаллической, люминесцирующей, окиси, цинка

...и заливают 200 см 17.-ного водного раствора 2 пС 1. Концентрация ЕпС 1 равизобретения - повьппение интенсивности люминесценции, Окись цинка обрабатывают в парах воды при 380-450 Си давлении 100-300 атм в,присутствиихлорида цинка в количестве 0,05-5,003от массы окиси цинка. Получена кристаллическая окись цинка с высокой интенсивностью люминесценции в зеленойобласти спектра. 1 ил., 1 табл. на 2 Е от веса 2 пО. Вкладыш помещают в автоклав объемом 1 л, который нагревают до 400 С и выдерживают при данной температуре 24 ч. Затем автоклав охлаждают до комнатной температуры, вскрывают и выгружают продукт. Конечный продукт представляет собой кристаллическую окись цинка с размером зерен .2-8 мкм и габитусом бипирамицы, люминесцирующую в...

Номер патента: 1594221

Опубликовано: 23.09.1990

Автор: Степанцов

МПК: C30B 29/16, C30B 33/00

Метки: кристаллический, материал, оптический

...полученного кристаллического оптического материала в плоскости оптичес1594221 Составитель В.БезбородоваРедактор Н.Рогулич Техред АКравчук Корректор С,Черни Заказ 2814 Тйраж 348 Подписное 5 НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 13035, Иосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5П,.оизводственно"издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 ких осей под углом 30 о к границе сращивания направляют. луч света, наблюдают его расщепление на границе сращивания на обыкновенный и необыкно 5венный лучи и измеряют угол расщеплеония, который оказывается равным 38Ма монокристалле кальцита максимальный угол расщепления равен б 4оП р и м е р 3 Два оптически одноосных кристалла сапфира...

Номер патента: 1606541

Опубликовано: 15.11.1990

Авторы: Галстян, Долуханян, Кузьмина, Никитенко, Регель, Скуратов, Стоюхин

МПК: C30B 29/16, C30B 31/22

Метки: монокристаллов, оксида, цинка

...с энергией 110 МэВ и дозой 1,3 10 4 ион/см, Затем образец отжигают на воздухе при 850 ОС в течение 6 ч с последующим охлаждением со скоростью 100 град/ч.Заказ 3529 Тираж 348 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 Основные параметры высокоомного слоя соответствуют примеу 1,.П р и м е р 3, Монокристалл оксида цинка, выращенный гидротермальным методом сз концентрацией примеси лития б 10 см,имллантируютионамикислоро. дасэнергиейот 00 кэВдо 110 мэвидоэой 1,3 10 ион/см . Затем образец отиигают на воздухе при 850 С в течение 6 ч с последующим охлаждением со скоростью 100 град/ч....

Номер патента: 839324

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Блецкан, Папков, Перов, Суровиков

МПК: C30B 15/34, C30B 29/16

Метки: выращивания, лент, монокристаллических, окислов, тугоплавких, формообразователь

...в котором пластины с верхними горизонтальными торцами разделены капиллярным зазором. В. этом случае фронт. кристаллизации имеет плоскую форму над торцами пластин и симметрично втянутую в зазор и оканчивающуюм ся гребнем. Центрами кристаллизации являются края ленты, и вершина .гребня в середине ленты. В процессе роста толщина плевки расплава. между фронтом кристаллизации и поверхностью торцов пластин колеблется нз-за вибрации затравки и колебания таких параметров, как температура, скорость вытягивания и т.д.Вследствие малой толщины этой пленки неизбежны соприкосновения локальных участков фронта кристаллизации с поверхностью торцов пластин.Участки ленты, соприкасающиеся с пластинами, примораживаются к ним и, вследствие непрерывного...

Номер патента: 1641900

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, оксида, сурьмы

...последовательности операций и проведения эксперимента аналогична примеру 1, Основные физико-химические параметры ведения процесса получения монокристаллов ЗЬ 20 з кубической модификации следующие: количество ЯЬС 1 з 40 г, концентрацияводных растворов НМОз и НгОг составляет 14 и 6 мас,;(, соответственно, объемное соотношение Ч нйозЧнгог= 3:1 Ч нио з + н гогЧ эьоз=3,5:1,1. температура 150 С,температурныйперепад 45 С,давление 12 атм. При установившемся стационарном режиме происходит образование монокристаллов оксида сурьмы с выходом 92,5 . Размеры кристаллов составляют 6- 6,5 мм.П р и м е р 3, Методика оформления, последовательности операций и проведение эксперимента аналогична примеру 1, Физико-химические параметры проведения...

Номер патента: 1668495

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Кузьмина, Лазаревская, Никитенко, Стоюхин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: лазеров, монокристаллов, оксида, цинка

...выращенном в данных условиях, возрастает по сравнению с исходным образцом, полученным без добавления металлического цинка в шихту, в 3 раза.П р и м е р 2. Технология выращивания соответствует режимам примера 1, но шихту вводят 2,3 мас.% металлического цинка, Усиление ЭФЛ составляет около 2.П р и м е р 3. Технология выращивания соответствует режимам примера 1, но в шихту вводят 4 мас,% металлического цинка. Интенсивность ЭФЛ меньше, чем у исходных монокристаллов, выращенных без добавления цинка в шихту.На графике показаны спектры фотолюминесценции при лазерном возбуждении (ЛГИ) и Т=80 К кристаллов ЕпО, полученных гидротермальным методом из необогащенной (кривая 1) и обогащенной ионами цинка среды: кривая 2 - с добавкой 2,3 мас.%...

Номер патента: 1673651

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Комарова, Кузьмина, Лазаревская, Никитенко, Стоюхин, Цур

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, окрашенных, оксида, цинка

...из печи и затем открывают и извлекают из него вкладыш, Вкладыш раскрывают, вынимают выращенный кристалл,промывают его дистиллированной водой от 10следов щелочного раствора, высушивают ивзвешивают,Получают прозрачный кристалл оксидацинка краСно-оранжевого цвета, ограненный двумя моноэдрами, призмой, пирамидой, массой 3,4 г.П р и м е р 2. Основные параметры ростасоответствуют примеру 1. Для окрашиваниякристалла в красно-оранжевый цвет используют оксид марганца в концентрации 200,01 масПолучают прозрачный слабоокрашенный в красноватый цвет монокристалл оксида цинка.П р и м е р 3. Режимы роста соответствуют примеру 1, концентрация оксида марганца в растворе 3 масПолучают непрозрачный темно-красного оттенка монскристалл оксида...

Номер патента: 1682413

Опубликовано: 07.10.1991

Авторы: Абдрафиков, Бичурин, Новоселов, Пополитов

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: германия, диоксида, модификации, тетрагональной

...Чыс: Чн 2 о 2 =-: 9.0; 1,2.Подготовленный к эксперименту реактор герметически закрывают и гюмещают в печь сопротивления с двумя нагревателями. Реактор нагревают до 150 С, вследствие чего внем создается давление порядка 11,2 атм,Температурный перепад между зонами растворения и роста поддерживают равным4 С, время выдержки в стационарном рекиме 8 сут, Процесс протекает аналогичнопримеру 1, Выход монокристаллов = Ое 0292,4%, их размеры находятся в пределах от1,35 до 1,4 мм.П р и м е р 3, Методика и технологияперекристаллизации диоксида германиятетрагональной мсдификации аналогичнапримерам 1 и 2, Физико-химические параметры ведения процесса следующие: концентрация водного раствора ОС) 1,5 мас. и Н 202 2 мас, , температура 160 С, давление...

Номер патента: 1713995

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Башмаков, Викторов, Матвеев, Новиков

МПК: C30B 15/10, C30B 29/16

Метки: оксидов, плавления, тигель

...не возникает отрицательных обратных связей: случайное перекрытие участка пористой поверхности жидкостью не вызывает нарастания под ней давления, а приводит лишь к перераспределению потока газа в соседние участки поверхности,Заявляемое техническое решение основывается на явлении устойчивости жидкости над газовой прослойкой, образованной электрохимическим переносом газа.Отличие заявляемого тигля от известного состоит в том, что заявляемый тигель,выполнен с дополнительным внутренним покрытием из электродного материала.В известном тигле расплав. выполняет одновременно роль внутреннего электрода, поэтому контакт между расплавом и стенками тигля необходим, т.е, образование сплошной газовой прослойки между ними невозможно; Реализовать...

Номер патента: 1723211

Опубликовано: 30.03.1992

Авторы: Дыменко, Пополитов, Цейтлин, Яшлавский

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: висмута, монокристаллов, оксида

...висмута, Значение температурного перепада также является существенным с точки зрения достижения цели изобретения. Понижение температурного перепада (ЬТ 20 С) приводит к уменьшению пересыщения, необходимого для роста кристаллов, а следовательно, к увеличению длительности процесса получения монокристаллов оксида висмута. Увеличение же значения температурного перепада ( ЬТ30 С) способствует интенсивному массопереносу исходной шихты(В 20 з) в верхнюю зону реакционного пространства автоклава. Это обстоятельство приводит к высокой скорости зародыше- образования по сравнению с ростом кристаллов ВгОз, которые имеют малые размеры, Так, например, при ЬТ = 32 С и при прочих равных параметрах размер монокристалловоксида висмута составляет не...

Номер патента: 1747544

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Дыменко, Орипов, Пополитов, Цейтлин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/10

Метки: монокристаллов, оксида, тантала

...существенны с точки зрения достижения цели изобретения, т,е. до получения максимального выхода монокристаллов оксида тантэ ла, Значение температурного перепадатакже является существенным с точки.зрения достижения цели изобретения. Понижение температурного перепада ( ЛТ20 С) приводит к уменьшению пересыщения, не обходимого для роста кристаллов, а следовательно, к увеличению длительности процесса получения монокристэллов оксида тантала (Ч). Увеличение значения температурного перепада ( ЛТ30 С) 35. способствует интенсивному массопереносуисходной шихты Та 205 в верхнею зону реакционного пространства реактора.Это обстоятельство приводит к сильнойскорости зародышеобразования по сравне нию с ростом криСталлов Та 205 и последниеимеют малые...

Номер патента: 1806224

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Дербенева, Райская

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: монокристаллов, рутила

...окончания распыления продолжают перемешивэние в гечение 5 мин., фф лассе чего лоаученную сусленсию отфиаатровывают на воронке Бюхнера и отжатый осадок ТКОНк НтО отжигают е камернои (Д печи при температуре 900 .фС в течение 1,5 ч. Пудру ТО 2 просеивают через сито й 0,056, Выход мелкой фракции 85-90%, Частицы изометрической формы. Содержание фракции размером 0,31,2 мкм = 78%. Из полученной пудры выращивают монокристаллы рутила методом Вернейля со скоро1806224 Таблица 1 Та стью 3 мм/ час при соотношении газов Н 2:02 = 1:2 с ориентацией оптической оси к оси роста 0.Затем монокристаллы отжигают при 1400 ОС в течение 24 ч в печи с продувкой кислорода. Кристаллы рутила не содержат пузырей и непроплавов, Выход качественных...

Номер патента: 1809846

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Конюшко, Малочко, Шадрин

МПК: C30B 29/16, C30B 7/00

Метки: диоксида, олова, основе, пленок, полупроводниковых, раствор

...в воде, растворяют 0,2 г ЯЬС 3, доводят объем до 50 мл. Далеекак в примере 1. Полученная пленка имеетследуощие характеристики:р=72 Ом см5 ТКС= 1,9 /Т=79 о Раствор сохраняет свои свойства не менее1 года.Состав раствора:10 ЯпС 204 100 гНг 02 18 гЯЬСз 4,1 гИ-оксид третичного амина 0,16 гН 20 до 1 л.15 П р и м е р 4. 6 г ЯпС 204 растворяют в 5мл 30 % раствора Н 202 в воде, растворяют0,38 г ЯЬСз и 0,5 мл 4 ораствора й-оксидатретичного амина в воде, доводят растворводой до 50 мл. Далее как в примере 1,20 Полученная пленка имеет следующие характеристики,р = 63 Ом смТКС = 1,6Т= 78 %Раствор сохраняет свои свойства не менее,.чем 1 годСостав раствора:Яп С 204 120 гН 202 . 30 г30 ЯЬСз 7,5 гИ-оксид третйчного амина 0,2 гН 20 до 1 л.П р и м е р 5. 6...

Номер патента: 1529777

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Дмитриев, Зуев, Кащеев, Кийко, Макурин, Перепилицын

МПК: C30B 29/16, C30B 9/12

Метки: бериллия, выращивания, монокристаллов, оксида, шихта

Шихта для выращивания монокристаллов оксида бериллия из раствора-расплава, содержащая соединение бериллия и в качестве растворителя V2O5 и PbF2, отличающаяся тем, что, с целью повышения скорости роста и выхода монокристаллов изометрической формы, в качестве соединения бериллия шихта содержит смесь Be(OH)2 и BeСО3, взятых в соотношении, мас.%:Be(OH)2 - 66,7 - 71,5BeСО3 - 28,5 - 33,3и в количестве 16 - 24 мас.% по отношению к растворителю, соотношение компонентов в котором равно, мас.%:V2O5 - 60 - 70PbF2 - 30 - 40

Номер патента: 421229

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Барабошкин, Калиев, Комаров, Скиба, Смирнов, Тарасова, Тетерев

МПК: C30B 29/16, C30B 9/14

Метки: двуокиси, монокристаллов, урана

1. Способ получения монокристаллов двуокиси урана электролизом расплавленных солей хлоридов щелочных металлов и хлорида уранила, отличающийся тем, что, с целью получения крупных хорошо ограненных кристаллов, в расплав вводят добавки четырехвалентного урана и фтора в весовом отношении 7 - 10.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что процесс ведут при использовании микрокатода площадь не более 10-3см2 при 400 - 450oС и скорости нарастания тока 0,2 - 0,3 мА/ч.

Номер патента: 1445280

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Геталов, Сербуленко, Яковлева

МПК: C30B 29/16, C30B 33/10

Метки: граней, кристаллов, парателлурита, селективный, травитель

Селективный травитель для граней {110} кристаллов парателлурита, содержащий углекислую соль щелочного металла и воду, отличающийся тем, что, с целью упрощения и сокращения времени травления, в качестве соли травитель содержит углекислый натрий и дополнительно гидроокись калия при следующем соотношении компонентов, мас.%:Углекислый натрий - 2-5Гидроокись калия - 10-20Вода - Остальное

Номер патента: 1345685

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Геталов, Сербуленко, Яковлева

МПК: C30B 29/16, C30B 33/10

Метки: граней, кристаллов, парателлурита, селективного, травления

Способ селективного травления граней {110} кристаллов парателлурита с удаленным нарушенным поверхностным слоем в водном растворе соединения щелочного металла при комнатной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения точности ориентации граней {110} методом световых фигур, травление осуществляют в 20-50%-ном водном растворе углекислого калия в течение 30-60 мин.

Номер патента: 1290762

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Белов, Денькина, Исаенко, Якушев

МПК: C30B 29/16, C30B 7/02

Метки: выращивания, иодата, лития, монокристаллов

Способ выращивания монокристаллов иодата лития путем изотермического испарения водного раствора, содержащего добавку, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности и лучевой стойкости монокристаллов, в качестве добавки берут трилон Б в количестве 0,1-0,5 мас.%.

Номер патента: 778363

Опубликовано: 27.05.2002

Авторы: Зелигман, Малахова, Сытин, Циглер

МПК: C30B 11/10, C30B 29/16

Метки: вернейля, выращивания, кристаллов, методом, окислов, тугоплавких

Способ выращивания кристаллов тугоплавких окислов методом Вернейля, включающий подачу кислорода по внутренним, центральному и соседнему с ним каналам и последующее чередование раздельных потоков водорода и кислорода, отличающийся тем, что, с целью обеспечения более широкого фронта кристаллизации и увеличения за счет этого диаметра выращиваемых кристаллов, скорость истечения кислорода по внутренним каналам поддерживают равной 0,5 - 3,0 м/с, а в каждом последующем внешнем потоке в 1,5 - 4,0 раза большей.