Жовнир

Способ выращивания монокристаллов н м т

Загрузка...

Номер патента: 1611999

Опубликовано: 07.12.1990

Авторы: Гавалешко, Жовнир, Сочинский, Фрасуняк

МПК: C30B 13/02, C30B 29/48

Метки: выращивания, монокристаллов

...изотермиат. долио,оо Твердый раствор не образуетсв Качество хорошее Оптимальный вариант То же Качества хорошее Качество паховМонокристалл без пор и включений Та же. Манокристалл бвэ пар и включений То жеКачество хорошее То же Качества плохое То же20 20 16 2 0,22 0,14 0,26 945 900 9 БО 956 бо 400 420 200 975 9 БО 993 958 0,10,050.150,05 8 9 10 11 ДендритныйпаликристаллРастрескиваниеманок исталла 25 993 923 200 0,15 12 ческой выдержкой в.течение 10 - 50 ч при температуре, превышающей на 20-30 К его температуру ликвидуса. Охлаждая ампулу с гомогенным расплавом до комнатной температуры, получают поликристаллический 5 слиток НдТ-хМпхТе.Для проведения направленной пере- кристаллизации поликристаллический слиток Нд 1-хМпхТе целиком...

Устройство для непрерывного измерения угловых перемещений

Загрузка...

Номер патента: 1270562

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Бондарев, Гусенко, Жовнир, Мещерский, Неверов

МПК: G01B 17/00

Метки: непрерывного, перемещений, угловых

...входного преобразователя 2 бегущую поверхностную акустическую волну в звукопроводе 4, представляющем собой кольцевой резонатор бегущей волны, н которой происходит синфазное сложение вращающихся поверхностных акустических волн при выполнении условия:2 ЯВ ь =па500 )где В - средний радиус кольца 10звукопровода 4;9 о - резонансная длина поверхностной акустической волны нзвукопроводе 4;55и - целое число.Режим резонанса достигается изменением частоты генератора 1 колеба 62 1ний, Для оптимального взаимодействияприемника 6 с поверхностной акустической волной необходимо выполнениеусловийп = Я и 2 :где И - число ячеек замкнутой кольцевой встречно-штыревой решетки 7;- период встречно-штыревой ререшетки .7;2 и В,/БУгде В - средний радиус...

Устройство для акустоэлектронного измерения линейных перемещений

Загрузка...

Номер патента: 1173185

Опубликовано: 15.08.1985

Авторы: Бондарев, Драков, Жовнир, Логайко, Мещерский, Неверов, Федорова, Шиленко

МПК: G01B 17/00

Метки: акустоэлектронного, линейных, перемещений

...акустической 25,волны, Излучатель 4 предназначен для подключения к генератору 10 электрических колеба.ний. Шины 11 и 12 емкостного токосъемника7 подключают к входу усилителя 13.Устройство работает следующим образом.С помощью генератора 10 электрическихколебаний и излучателя 4 на поверхности 9пьезоэлектрической пластины 1 возбуждаютповерхностные акустические волны. Поглотите.ли 2 и 3 обеспечивают создание режима бегущей поверхностной ультразвуковой волны.Электрическое ноле бегущей поверхностнойакустической волны индуцирует переменныеэлектрические сигналы на встречно-штыревойрешетке приемника, Съем выходного сигнала40осуществляется емкостпым токосъемником 7,металлические шины 11 и 12 которого расположены над решетками 8.Выходной...

Устройство для непрерывного измерения угловых перемещений

Загрузка...

Номер патента: 1099101

Опубликовано: 23.06.1984

Авторы: Бондарев, Жовнир, Кожарский, Костюченко, Мещерский

МПК: G01B 17/00, G01B 21/22, H03H 9/25 ...

Метки: непрерывного, перемещений, угловых

...которых соединены скольцами 9 и 10 соответственно, аповерхность решетки образует с поверхностью звукопровода зазор о",величина которого соизмерима с длинойповерхностной акустической волны Период встречно-штыревой решетки равен длине дуги 7 , определяемой из соотношенияьг а /К где Р р - средний радиус встречноштыревой решетки, равныйсреднему радиусу звукопровода Вв , т,е. Рр: Р 5М - чис 1 о периодов (пар,электродов) в решетке.Оптимальное взаимодействие приемника с поверхностной акустической 10 волной обеспечивается при равенстве периода 7 длине поверхностной акустической волны, 3 , т.е. Т = 1 . Длина поверхностной акустической волны определяется соотношением: 3Ч(1 , 15 где Ч - скорость поверхностной акустической волны, зависящая от...

Способ диагностики острого аппендицита

Загрузка...

Номер патента: 1097909

Опубликовано: 15.06.1984

Авторы: Жовнир, Силаев, Яглинский

МПК: A61B 10/00, G01N 33/48

Метки: аппендицита, диагностики, острого

...После фикса ции биоптат заключают в парафин ииз него приготавливают гистологичес.кие срезы, Гистологические срезымогут быть приготовлены и методомзамораживания без фиксации. В последующем срезы окрашивают гематоксилин-эозином или гистохимическимикрасителями. Срезы исследуют под микроскопом и определяют содержание вслизистой лимфоидных, плазматических клеток и внутриэпителиальныхлимфоцитов. При показателях лимфоидных клеток 46-657, плазматическихклеток 36-55% и внутриэпителиальныхлимфоцитов 0,4-1,2% ставят диагноз д острого аппендицита,. По характеругистологических нарушений судят отяжести патологического процесса.П р и м е р 1, Больной поступилс жалобами на резкие боли в правойполовине живота с диагнозом острогоаппендицита, с высокой...

Грунтовая эмаль

Загрузка...

Номер патента: 291887

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Жовнир, Зайцев, Рында

МПК: C03C 8/06

Метки: грунтовая, эмаль

...оборудований Заявите РУНТОВАЯ ЭМАД шликер, содержащий (в вес фритты 100 и песок 40 ям для защииготовляюГрануля Кварцев Глина ли для чугуна Оз, 1 чагО, СаО ысокими темпе сталлическая 0,2 50Бура крВода т более низкую 40 С. Это достиуказанные комствах (вес. % ): Помол шликерана сите 0075 15 - О Описываемая эмжига 820 - 840 С, 240 С. Прочность крытия 35 700 000 осуществляют до осадк20%.ль имеет тетермическуюсцеплениякг/смг. мпературу об устойчивость гр нтового пооснова До 3 15 - 20 14 - 20 До 2 5,6 в ,4 2 3 Предмет 6 ретения ючающая ЯОг, А 1 гОз, МО, МпОг, отличаю- снижения температуит указанные компотчествах (вес, %):основа До 3 15 - 2014 - 20 До 2 5,6 - 8,4 содержащей(в 48,4 14,6 15,7 5 тОг ВгОз МагО СаО мо СаРг 1110 МпОг 3,5 7,8...

Способ очистки технического метанола

Загрузка...

Номер патента: 185872

Опубликовано: 01.01.1966

Авторы: Власов, Гранжа, Жовнир, Кочергин, Северодонецкий

МПК: C07C 29/80, C07C 31/04

Метки: метанола, технического

...высокую степень его чистоты, предлагают перед ректификацией обрабатывать его двухосновными органическими кислотами, например винной, ади пиновой, глутаровой или янтарной, с последующей ректификацией без доступа углекислого газа и паров воды. В результате очистки элекгропроводность метанола понижается на один порядок: от 1 - 310 - о до 110- 1/олг см. оты, применяемые при должны удовлетворять ла вые кисанола,ребованраствоь оченьуре кипрт. ст.)чно хообы обе технического метаификацни, от,гича чистки от примесей получения метанола ты, технический м ией обрабатывают ескими кислотами, овой, глутаровой и огчийся основвысоетанолдвух- наприли янряться в метаноле; 20 малой упругосттно пара ения метанола (при дав Урошо диссоциир спечить удалени...