C30B — Выращивание монокристаллов

Номер патента: 113874

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Романов

МПК: C30B 15/16, C30B 29/06

Метки: кремния, плавления

..."15 к вертикали над окнами 9 и 10 из кварца, эти потоки лучистой энергии концентрируются на вершине кучки кремния 14 так, что дейсттельные изобраЖения к)ят 61)св элект)ических дуг няклядывяютс 51 ОднО ця другое и фс"- сируются в виде светящегося пятна 17, несколько .мещеццого отцос)Тс.1- цо оси вращения массы кремция.Для уменьшеция потери лучистой энеЬ)гии вогнутое зеркало 1,3 и плоские зеркала 15 и 1 б выполнены из металла или с внецп)им покрытием из металла, а потери тепла за счет излучения его расплавом кремния цредо,- врашаются экранами 5 и 6.Внутри камеры 1 оси потоков уистой энергии находятся в одной плоскости, перпендикулярной к плоскости слоя 18 расплавленного кре;- ния.Лучистая энергия, концентрируемая на вершине кучки...

Номер патента: 116815

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Каленов, Стожаров

МПК: C30B 1/04

Метки: кристаллических, тел

...из соответствующей защитной атры близкой к температуре их ка кристалла. Для изготовления крупных кристаллических тел (изделий) выращивают обычно из соответствующих растворов крупные кри таллы, из которых затем вытачивают изделия требуемой величины,Недостатком такого способа является сложность и длительность выращивания кристаллов, а также значительнь 1 е технологические отходы при обработке их.По предлагаемому способу образованис крупного кристалла осуществляется спеканием мелких кусков кристаллического вещества. Процесс спекания заключается в следующем. Куски спекаемого кристалла полируются так, чтобы образовалась небольшая выпуклость, затем их накладываот друг на друга и нагревают в вакуумной или защитной атмосфере, например,...

Номер патента: 116935

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Витовский, Земцов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава

...устанавливаемая вне высокотемпературной зоны печи, ниже кольца, мало зависит от колебаний температуры верхней горячей зоны печи, что позволяет вести процесс без нарушения его скорости, при устойчивом положении изотер. мической поверхности кристаллизации.3) Изотермическая поверхность кристаллиза обращенная в случае отсутствия кольца выпуклостью книзу, ст тся обращенной кверху, в результате чего нарастание нового слоя алла начинается в середине сосуда и идет к периферии.Это обстоятельство позволяет получа стые (без включений) кристаллы, даже не пользуясь безук стыми исходными материалами. ции,ановикрист ть более чи оризненно чи1116935 Устройство позволяет, кроме того, вести кристаллизацию при зна;ительном перегреве расплава, что...

Номер патента: 117452

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Бутузов

МПК: C30B 29/18, C30B 7/10

Метки: выращивания, кварца, монокристаллов

...монокристаллы. .С этой целью вьцэатциваниемоъто кристаллов ведут на затравкак, изготовляемых из многих одинаково ОрИЕНТИрОВНННЫХ И МСХЭНИЧССКНскрепленных меэкду собою пластов кварца.Автоклав объемом 9.4 г на 75 заполняют водным БЧЬ растворомсоды. В автоклав помещают квар цевые затравки, вырезанные параллельно большому ромбоэдру. затравки составлены из мгтогнх пластов кварца, скрепленных между собою платиновой проволокотт и прикрепленных к металлической пластинке из нержавеющей стали.растворения тетхапература зоны ЮСТЗСкорость роста в указанных условиях колеблется для разных частей крт-тсга.г 1.па в пределах 1,11,:1 п:.2 в сутки. Составные загравктт растут только в одну сторону. Кристаллы. нметоньттт больптхткз площадь, весит от 350...

Номер патента: 117540

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Падуров, Селезнев

МПК: C30B 1/02, C30B 29/18

Метки: двойниковых, монокристаллов, сростков

...левые способ получения монокриста перекристаллизации при повыш при нагревании двойниковых уры около 575 они превращаю дении эти монокристаллы снова ричем в решетке кварца возни ностью предлагаемогопроизводят во вращаюриентировкой оси вра особациюющей а.переалловочно оба является то,электрическом поля по отноше.сп ем ни не тол метод может быть приме таллам других веществ,к кристал и зобретен едм Способ п их перекрист ся тем, что рическом пол отношению к лучения монокристаллов из д лизации при повышенной тем ерекристаллизацию производ с соответствующей ориентиро си кристалла.1 оиниковых сростков путем пературе, отл и ч а ю щи йт во вращающемся электкой оси вращения поля по Предлагаетсясростков путем ихИзвестно, чтокварца, до...

Номер патента: 117541

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Румянцев

МПК: C30B 1/02

Метки: кристаллов, перекристаллизации

...способа по п, 1, отл и ристаллу сообщают вместо вращения винтовое частности кристаллов, тличающийся тем, статическом поле при ля.чающееся тем, чперемещение,Изобретение относится к спосооам перекристаллизации кристаллов,обладающих пьезоэлектрическими свойствами.Отличительной особенностью предлагаемого способа ято, что перекристаллизацию ведут в электрическом статическопри вращении или кристалла, или электрического поля.Кроме того, перекристаллизацию можно также производить присообщении кристаллу винтового перемещения,Сущность способа заключается в следующем, Кристалл, общий пьезоэлектрическими свойствами, помещают в статическообразовавшееся между соответствующими электродами, и вращабо сам кристалл, либо электроды (или то и другое...

Номер патента: 117544

Опубликовано: 01.01.1958

Авторы: Сизов, Шубников

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04

Метки: кристаллизации, углерода

...затр ов проей.верды хиваемомере и,нных в себя устройс ью индукто ой в форме х с катода а распыляе енным с вые ествления в кой частоы для фокусиктромагнитной иц, с целью их ответствующеи осущысо тво для ра токов полусфе 2) с эл 1 ых час мками с способа заключается в том, что по- твердые модификации кристаллов и мет изооретен 1.Гпособ к твердый углер вакуумной или сталлизуют пар ре, на аноде. 2. Устройст с я тем, что, с тода, применяющийся тем, что ливаемый катод в мере, и далее криных в той же камеристаллизации углерода, о т л и ч а ю од распыляюг, помещая его на нак заполненной нейтральным газом к ы углерода на затравках, расположе во для о целью ф т катод ществления способа по п. 1, отл и ч а ю щ ееусирования потока частиц, распыляемых...

Номер патента: 120330

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Горюнова, Дерябина, Радауцан

МПК: C30B 29/46, C30B 33/02

Метки: арсенид, гомогенизации, индия, растворов, селенид, системы, твердых

...изобретения Способ гомогенизации твердых растворов системы арсенид индия - селенид индия (1 пАз - 1 п,Без) методом диффузионного отжига, о тл ич а ю щ и й с я тем, что, с целью сокращения продолжительности отжига, его осуществляют в атмосфере инертных газов или водорода под давлением, например, в 200 - 800 кг/слР и при температуре 450 - 700. Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Р. Б. Кауфман Гр, 16Информационно-издательский отдел.Объем 0,17 п. л. Зак. 2188 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Петровка, 14.выдержкой один-два часа при этой температуре. После синтеза получают слитки с явно выраженной дендритной кристаллизацией. Для получения...

Номер патента: 121237

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Бутузов, Добровенский

МПК: C30B 15/22

Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава

...для его осуществления поясняются чертежом, на котором изображена блок-схема автоматического регулирования процесса кристаллизации по заданной программе.В тигле 1 находится расплав вещества 2 с температурой несколько ВьШе ТЙМПераТуры КРИСТЯЛЛИЗЯЦИИ И Поддержнвае.110 ПОСТоянной С ПО- мощью соответствующего нагревания.ГА 121237 Предмет изобретения1. Способ регулирования процесса выращивания монокристаллов из расплава путем поддержания определенного температурного режима на границе жидкой и твердой фаз (расплав - кристалл) изменением тока жидкости в холодильнике, охлаждающей верхний конец выращиваемого кристалла, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью улучшения процесса кристаллизации, границу расплав - кристалл удерживают на...

Номер патента: 121438

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Александров, Спендиаров

МПК: C30B 11/02, C30B 29/54

Метки: антрацена, монокристаллов

...свойствами.С этой целью дополнительную очистку и выращивание кристаллов производят в одной ампуле,Ампула представляет собой стеклянную трубку, переходящую в капилляр, где образуется монокристаллическая затравка, После загрузки очищенного антрацена в ампулу, последняя вакуумируется и заполняется азотом или аргоном. В процессе очистки примеси оттесняются в сторону отпайки шейки ампулы, после чего ампула переворачивается капилляром вниз, очищенное вещество оседает и начинается процесс выращивания монокристалла в зонной печи.Рост монокристалла происходит на границе центрального и нижне. го нагревателей печи, а загрязненная примесями часть антрацена находится в зоне верхнего нагревателя печи и остается в твердом состоянии.По...

Номер патента: 122478

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Муратов

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...больше диаметра получаемого монокристалла.Высота ампул для монокристаллов размером 40 Х 40 составляет 200 - 250 лм, Нижнюю часть ампул оттягивают на конус с углом 100 - 120, причем толщина стенок конуса у самого носика - не более 1,0 им.К верхней части ампулы припаивают шлиф из стеклянной трубки меньшего диаметра с внутренним отверстием 8 - 20 яд и толщиной стенок 1,5 - 2,0 мм,После засыпки в ампулу соли, ампулу по всей ее поверхности обклеивают листовым асбестом толщиной 1,0 - 1,5 мл, предварительно смоченным глиняной водой, содержащей до 20% глины из шамота или огнеупора с добавкой 10 - 20% корундового порошка и поваренной соли из рас чета 30 - 50 г/л. После этого ампулу загружают в печь без предварительной сушки термостойкого слоя....

Номер патента: 124131

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Романенко, Терентьева, Тучкевич

МПК: C30B 13/14

Метки: зонной, контейнер, плавки, полупроводниковых

...кремний, смачивая кварц при последующем охлаждении расплава до комнатной температуры и затвердевания его, приводит к сцеплению частиц кремния со стенками тигля и растрескиванию как слитка, так и тигля ввиду различия коэффициентов термического расширения.Предлагаемый контейнер исключает этот недостаток применением обмазок из окисей бериллия или циркония, или тория, которыми покрывают стенки тигля, обеспечивая тем самым увеличение срока его службы в десятки раз. Для этого мелкорастолченную окись какого- либо из указанных материалов смешивают с 4%-ныл крахмалом до сметанообразного состояния и наносят эту смесь в виде тонкой пленки на поверхность тигля. После высыхания первого слоя наносят второй и сушат его в течение 24 час. Далее...

Номер патента: 134430

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Волпянский, Голуб

МПК: C30B 13/30

Метки: зонной, зоны, плавки, полупроводниковых, процессе, расплавленной, ширины

...при этом фотоэлектрические импульсы усиливаются усилителем 5. Между отверстиями 3 в диске 2 находятся магниты 6, которые, проходя в поле катушки 7, индуцируют магнитные импульсы, распределяющиеся по врмени между фотоэлектрическими импульсами. Магнитные импульсы, будучи усилены усилителем 8, подаются на вибропреобразователь Фотоэлектрические импульсы из усилителя 5 попадают на ограничитель амгГлитуды по нижнему уровню 10, затем в усилитель 11 и далее на логаригрмический амплитудо-временной преобразователь 12, Вибропреобразователь 9, замыкаясь попеременно на контакты 13 и 14, снимает поочередно фотоэлектрические и экспоненциальные магнитные импульсы. С вибропреобразователя 9 импульсы поступают на ограничитель амплитуды 15, принимая...

Номер патента: 126269

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Кокошкин, Миргаловская, Скуднова, Шэнь

МПК: C30B 29/40, C30B 31/04

Метки: алюминия, антимоната, проводимости, типа, электросопротивления

...Нелегироваттньтй антимонид алюминиэт обычно имеет р-тип проводимости. Добавка селена И тентлучра несколько увеличивает сопротивлентте антимонида алюминия.В описываемом способе предлагается регулировать сопротивление и тип проводимости антимонида алпомигтття, применяемого в качестве точечных диодов, путем легирования его серой, которую вводят в определенном количестве в качестве донорнотт примеси. Введение серы в большем количестве позволяет получать антимонид адтюмиттхтя жи-типа.Введением серы в антимонид алюминия тхтожно регулировать его сопротивление в интервале 1+1 О 4 ом. см. причем материал гт-ТиПа имеет высокое сопротивление в Широком интервале концентрации серы.На образцах, полученных из расплава с содержанием серы, 0,5...

Номер патента: 126998

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Недзвецкий

МПК: C30B 13/20

Метки: бестигельной, зонной, плавки, слитков

...нагреве слитка.Сущность предлагаемого способа состот в том, что прн Верт 1 ль - ной зонной плавке слитка 1 (см. чертеж) применяют подпорныйндухтор 2, располагаемый ниже нагревательного устройства, создающего зону 3. Нагревательное устпойство выполнено в виде плавильного пндукторя 4, таемого токам достато во высокой частоты (выше 3 - :5.нггц), при которой отсутствует заметное действие электродинацически; сил ча расплаВленпый матерна." Поле подпорного индуктора 2 Оказывает давление на расплавленную зочу о стремится ее прподнять. Ток это.о индуктора должен иметь такую вел;чину. чтобы создавалсь элокрод.1- амические силы, достаточные для поддержания зоны пр выделен в слитке и расплаве минимального количества тепла. При невыполе;...

Номер патента: 127030

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Баранов, Горюнова, Прочухан

МПК: C30B 33/02

Метки: гомогенизации, интерметаллических, полупроводниковых, растворов, соединений, твердых

...образующих. твердый. Способ гомогенизации тв герметаллических соединени получения однородных тверд водят. при температуре выше ниже температуры тугоплав раствор,ердых раствор й, отличаю ых растворов, температуры п кого компоне Существующий в настоящее время способ гомогенизации твердых растворов после закалки проводится как диффузионный отжиг при медленном повышении температуры сначала до температуры плавления легкоплавкого компонента и в дальнейшем до ее значений; соответствующих значениям, находящимся ниже линии солидуса на диаграмме состояний сплава. Для некоторых твердых растворов такая технология закалки и отжига оказывается непригодной; так как гомогенизации не удается провести (например, для системы 1 пЯ - АВЬ) даже при отжнге,...

Номер патента: 127411

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Хохлов

МПК: C30B 13/04

Метки: зонной, металлов, перекристаллизации, сплавов

...зоннои перекрпсталлизацни металлов и спла.вов не имеет этих недостатков. Сшипеть его состоит в том, что в про.цессе зонной очистки сплавов происходит не плавление зоны в массетвердого слитка, а кристаллизация зоны в оошей массе расплавленногометалла, Достигается это тем, что для расплавления металла применяют трубчатую нагревательную печь, а для зонной крисгаллизации впечи имеется подвижный холодильник в виде змеевика с циркулирующей в нем водой,Для создания жидких зон заданных размеров требуется одна печьс любым нагревателем и набором змеевиковых охладителей с переменным шагом ико, раз 1)ывы межд, нитками которых и определяют размеры зоны.На чертеже показан участок труочатой электропечи в разрезе.Проволочный нагреватель 1 создаст в...

Номер патента: 129338

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Нашельский

МПК: C30B 11/12, C30B 29/40

Метки: компонентов, летучих, полупроводниковых, содержащих

...ДЛЯ Оснсствлсн.Яописываемого способа.ерметическп закры 1 у 10 КВарцсВу 10 амп 5.1 у 1 Г 50.,ОшаОт в дв 5 ххаМСРНУО ПСЧЬ 2.,550 ДОЧКУ 3 С 5 Сталгн 5 ССКИ.5 П КОМПОПСНТамн ИИКТЫСтаН 2 ВЛИВ 2 ОТ В ОДНОМ КОНЦЕ 2 МПУЛЫ, ЛСТУЧИС КОМПОНСНТЫННХТЫ - 15ДРУГОМПроцесс синтезироВания полупрОБОдникОБОГО Всщсства НаИнГО снаГреВ 2 лодокп с мсталлпсскими 1(03 попсптами Б Отдслсн 1 и 5 псчп ДОТСЫПСР 2 ТУРЫ, НССКОЛЫ 0 ПРЕВЫШВЮЩСИ ТОЧКУ,5 ПКБИД 502 Синтсзпд 5 СМО.систсмы. Затем нагреваОт Отдслспис д псчи до полу 1 сния В ампуле даВления паров нсметаллического компонента, равного 5 аг,. При этомпроисходит синтез дашого летучего компонента с компонентам 1, находяшимися в лодочке. После некоторой выдержки времени нагрев отделения 6 печи дОВОдят до уровня,...

Номер патента: 130185

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Никитина, Романенко

МПК: C30B 15/22

Метки: замера, расплава, тигле, уровня

...(стрелкогг Лотмечено направление к двигателю).Пластина изготавливается из графита пли тугоплавкого металла,например тантала, и,.ти из полупроводникового материала, аналогичного находящемуся в тигле. Токоподвод к пластине осуществляется припомощи гибкой, узкой танталовой ленты через вакуумные вводы Б, я кряспляву - через растущий кристалл 6 или же через конденсаторнуюпластину 7, аналогичную пластине 2. Со штоком жестко связан дер:катель 8 термопяры, предназначенной для замера температуры расплава и пе соприкасающейся с последним.Ло 139185При гизменении урозня раз;1.1 азь 1 меняется емкость конденсат 01)а, ЧТО 3 СВОЮ Оь 1 ЕРЕДЬ ВЫЗЫВ 11 ЕТ СИГНВЛ, КОТОРЫИ ПОДаЕТСЯ На ОДНУ ИЗ Оомоток, а 1 втОматически Включающих при этом дВига 1...

Номер патента: 132410

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Беленова, Малышев

МПК: C30B 15/20

Метки: выращивания, монокристаллов, печь

...2 кварцевого кожуха 3. Через пробк 1 пропущен свооодно перемещающийся в ней кварцевыйшток 4, Зазор между ним и цилиндрической частью пробки составляет 5,ик, Проникновение сквозь зазор 2 - 3 мг)час летучего компонентакомпенсируется из его запаса, находящегося в холодном конце5 печи.Разогрев тигляб осуществляют при помощи индкционной обмотки 7. В труоку 8, введенную через холодный конец 5, вставлены термопары, замеряюшие температуру расплава, Для уравновешиваниявнутреннего давления паров летучей компоненты на пробку 1 прилленена охлаждаемая ппужина 9, сила давления которой на 15 - 207 опревышает силу давления паров.Для наблюдения за поверхностью расплава, находящегося в тигле б, предусмотрено окно 10, выдвинутое за пределы рабочего...

Номер патента: 132613

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Васильева, Степанов, Хаимов-Мальков, Шефталь

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава, ускоренного

...печи в не обогреваемую нижнюю часть, где соосно с тиглем установлен сосуд 2, заполненный легкоплавким металлом или сплавом (олово, сплав Розе или Вуда),Стенки сосуда охлаждаются током протекающей жидкости (вода, антифриз) или охлажденного газа, Сосуд имеет широкий слив 3, рас. положенный немного ниже его верхнего края, и приемник 4 для вытекающего из слива металла,Для успешного действия устройства расплав перегревается значительно выше температуры плавления, примерно на 200 и более. Горячий тигель с расплавом опускается в охлаждяемый сосуд с легкоплав. ким металлом и плавит последний, что приводит в результате интенсивного теплообмена к резкому охлаждению растущего кристалла прп одновременном перегреве расплава. Вытекающий из...

Номер патента: 132614

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Васильева, Степанов, Хаимов-Мальков, Шефталь

МПК: C30B 11/00

Метки: выращивания, кристаллов, расплава, ускоренного

...и повышает чистоту кристалла.На фиг. 1 изооражено устройство в разрезе; на фиг. 2 - кольцоохл адитель.Тигель 1 с расплавом укреплен на подставке 2, при помощи которой может перемещаться из обогреваемой верхней камеры 3 трубчатой вертикальной печи в ненагреваемую нижнюю камеру 4. Камеры печи разделены массивным металлическим кольцом-диафрагмой Б, внутри которого по трубам циркулирует охлаждающая жидкость (вода, антифриз и др,) или охлажденный газ. Ось кольца-диафрагмы совпадает с осью тигля, а величина зазора между стенками нагретого тигля н кольцом должна быть минимальной (порядка 0,3 - 0,5 м,я).Тигель с расплавом опускается в охлаждающее кольцо-диафрагму, что позволяет производить сильное локальное охлаждение растущего кристалла с...

Номер патента: 132615

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Беляев, Витовский, Добржанский, Карпенко

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллизатор, кристаллов, раствора

...сосуда 1 - растворение кристаллизуемого вещества и прием конденсата; промежуточный сосуд 2 служит проводником раствора и затвором против попадания зародышей во внутренний сосуд 3, Во внутреннем сосуде происходит рост кристалла на подвешеннойг на нити 7 затравке 8,132 б 15Кристаллизатор снабжен магнитной мешалкой 9 для механического перемешивания раствора в сосуде 3.Выращивание кристаллов из раствора происходит так. Кристаллизатор заполняется насыщенным при заданной температуре раствором. Уровень заполнения кристаллизатора показан на чертеже. На дно между стенками сосудов 1 и 2 вводится избыток кристаллического вещества 6, заведомо больше веса кристалла, котоый желательно получить. За счет некоторого повышения температуры в донной...

Номер патента: 133238

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Воронов, Дашевский, Титова

МПК: C30B 15/12

Метки: вытягивания, монокристаллов, полупроводниковых, тигель

...трубкой 3. Во внутренний сосуд 1 помещается навеска материала с примесью в нужной концентрации, которая должна быть равназаданной концентрации в выращивасмом кристалле, поделенной накоэффициент распределения. Во внешний тигель помещается чистыйматериал или материал с примесями выбранной концентрации, Соединительная трубка 8 имеет такую длину и диаметр, при которых можнопренебречь днффузней примеси из внутреннего сосуда во внешний, Поддержание постоянной концентрации примеси в расплавс достигаетсяподпиткой материалом из внешнего тигля. Размеры сообщающихся сосудов и пх соотношение определяются по формуле, в зависимости отприроды лсгирующей примеси.Путем соответствующего подбора формы внешнего тигля осуществляется программнос питание...

Номер патента: 134030

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Балдин, Башенко, Добровольская, Копейкин, Недзвецкий, Ратников, Щербаков

МПК: C30B 13/20

Метки: бестигельной, вертикальной, зонной, индукционной, кремния, плавки

...для эффективного использования возможностей индукционного нагрева,Установка состоит из плавильного ламно вого генератора, подпорного машинного генератора, печи и пульта управления, выполненных в виде отдельных блоков.На фиг. 1 изображена схема лампового генератора; на фиг, 2 - схема рабочей камеры 15 и вакуумной системы печи установки.Ламповый генератор собран по,простой одноконтурной схеме на мощном генераторном триоде типа ГЦбез выходного согласующего трансформатора, Частота генератора 5 Мги, 20 мощность - до 15 квт. Ламповый генераторсостоит из генераторной лампы Л, колебательного контура С, И, разделительного конденсатора С, петли связи индикатора мощности П, кондейсатора обратной связи Сс, сопротив ления гридлика Й, фильтров:...

Номер патента: 136057

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Петров

МПК: C30B 29/10, C30B 7/00

Метки: выращивания, монокристаллов

...ия монокрист щийся тем, араметров в п травкс прида Ррхности ж 1 Д 1 выращиван,отличаюлогических пистальной зсительно пов Спосо ных кисло ства техно ла, монок жение отн крис 1 алл.истале дви- ивают Существующие методы выращивания монокристаллов имеют ряд недостатков, одним из которых является то, что форма движения кристалла (вращение или покачивание кристалл 1 затора) не обеспечивает надежную гермитизацию и не позволяст выращивать кристаллы в ускоренном режиме в формах.Зля обеспечения постоянства технологических параметров в процессе образования монокристалла предлагается способ, в котором моно- кристальной затравке придают возвратно-поступательное движение относительно поверхности жидкой среды, пз которой выращивают кристалл. При...

Номер патента: 136328

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Шашков, Шушлебина

МПК: C30B 29/36, C30B 9/06

Метки: выращивания, карбида, кремния, монокристаллов

...его осуществляют под вакуумом, обеспечивающим необходимое для роста монокристаллов карбида кремния пер- сыщение раствора. Известен способ выращивания монокристаллов карбида кремния В атмосфере аргона посредством их кристаллизации из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщении кремния карбидом кремния, за счет уменьшения температуры расплава,С целью получения более чистых и совершенных монокрпсталлов карбида кремния предлагается способ пх выращивания из расплава кремния, насыщенного углеродом при пересыщенпи расплава карбида кремния, за счет преимущественного испарения кремния в вакууме прп постоянной температуре расплава 1600 вместо 2500 в известном способе). Для осуществления процесса бекетовский монокристаллический...

Номер патента: 136888

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Добровенский, Ловцов, Малинин

МПК: C30B 13/30

Метки: бестигельной, зонной, плавки, процесса

...полученного путем сравнения степени поглощения расплавленной зоной радиоизлучения со степенью излучения на эталон, Способ позволяет стабилизировать процесс вертикальной зонной плавки,На чертеже показана схема автоматического регулироцесса вертикальной бестигельной зонной плавки,Радиоактивный источник 1 ",-излучения размещается в свинцовом контейнере 2, из которого т-лучи Баправляются на расплавленную зону 3 обрабатываемой заготовки 4. Пройдя через защитную кварцевую трубку 5, индуктор б и расплавленную зону Зпучок; -излучения попадает на люминесцентный кристалл 7 фотоэлектронного умножптеля 8.Поглощение, -излучения в кварцевой трубке 5 и индукторе б является величиной постоянной, а поглощение в расплавленной зоне 3 изменяется в...

Номер патента: 137107

Опубликовано: 01.01.1961

Автор: Костенко

МПК: C30B 15/22, G01D 5/24

Метки: выращивания, монокристаллов, процесса, расплава

...регулятора, применяемого для осуществления способа,Изменение скорости роста мдатчика Д, представляющего со137107 двух полуцилиндрических обкладок, между которыми опускается кварцевая или стеклянная ампула. Перемещение границы расплав- кристалл, находящейся посередине конденсатора, вызывает изменение суммарной емкости его вследствие перераспределения диэлектриков с разными диэлектрическими постоянными (в кр Ф в распл.), Величина емкости конденсатора влияет на резонансную частоту двухтактного генератора, обозначенного в виде преобразователя При Напряжение частоты с преобразователя Пр, и напряжение частоты задатчика 3 подаются на смесительный каскад (преобразователь Пр), с которого снимается напряжение промежуточной частоты, Это...

Номер патента: 137893

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Дубровский, Мельник, Одинец

МПК: C30B 7/12, H01L 21/316

Метки: защиты, кремния, кристаллов

...окисление кремния в чистой обессоленной воде с применением кремниевого катода. Спосоо обеспечивает необходимуо чистоту и достаточнуо толщину оксидного покрытия,Практическое осуществление способа заключается в следуощем. Надне сосуда из органического стекла монтируют кремниевый катод высокой степени чистоты, после чего параллельно ему на расстоянии 5 - 10лл в специальной ячейке закрепляют кремниевый анод, подлежащийпокрытию оксидной пленкой. Вода, используемая для электролиза, предварительно очищается ионнообменным способом и имеет удельное сопротивление 1 - 1,5 лгол. сл,После того как электрохимическая ячейка собрна электроды подаот ток напряжением 20 - 30 в. В137893 вания ток непрерывно падает (особенно сильно в...