Патенты с меткой «феррит-гранатов»

Номер патента: 1238154

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Вайсман, Горобец, Ильчишин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменных, магнитной, насыщения, пленке, скорости, стенок, тонкой, феррит-гранатов

...Н;", гоставляет порядка 0,3 от величины основоо магнитного поля Н, по линии нулевого градиента. Вводят и увеличивают задержку между импульсамц генераторов 7 и 8 до получения на нулевой отметке окуляра микроскопа 6 55 полосового домена 10 (фиг. 4 а). Фиксируют величину задержки(фиг. 4 в) между импульсами генераторов 7 и 8. Увеличивают задержку до перемещения полосового домена 10 (фиг. 46) на контрольную отметку окуляра. Фиксируют величину задержКи 12. Скорость насыщения о определяют по формулеЧ -а2где Е - расстояние, на которое переместился полосовой домен;1 - время задержки между импульсамиосновного и дополнительного магнитных полей, соответствующее положению полосового домена в фиксированном участке пленки;12 - время задержки между...

Номер патента: 1364964

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Зюзин, Рябочкина

МПК: G01N 24/00

Метки: кристаллографических, методом, направлений, пленках, резонанса, феррит-гранатов, ферромагнитного

...100, являющегося осью 50 трудного намагничивания. В результате кривая азимутальной зависимости резонансного поля будет периодической с периодом 2 й/3, Проекции направлений внешнего магнитного поля, соот ветствующие максимумам зависимости Нр( Д, ца плоскость пленки будут, таким образом, совпадать с направлениями (2111121,(121, а соответствующие минимумам - с направлениями 2 111, 112 1, Г 121, Оси 1113 и 100 3 лежат в плоскостях Г 1101, перпендикулярных плоскости пленки, причем оси 11 1 , составляют угол 71 с нормалью к плоскости пленки, а оси 100- угол 55 , Таким образом, зная расположение осей Г 1121 и С 123 в плоскости пленки (111), легко определяются необходимые кристаллографические направления.П р и м е р. Для определения...

Номер патента: 1444887

Опубликовано: 15.12.1988

Авторы: Барьяхтар, Кузин, Редченко

МПК: G11C 11/14

Метки: коэрцитивной, монокристаллических, пленок, силы, феррит-гранатов

...сигнал пропорционален смещению доменных границ происходящего под воздействием импульсов магнитно- ЗО го поля, т.е. амплитуда импульсов сигнала на выходе фотоэлектронного умножителя пропорциональна величине смещения доменных границ. Зависимость относительного смещения доменных гра- З 5 ниц Х от величины амплитуды поля Н имеет два участка с существенно различным наклоном, При этом точка излома на графике зависимости Х=2 (Н) оказывается однозначно связана с коэрци тивной силой Нс пленки. Как слева, так и справа от точки излома амплитуда фотоотклика при линейном увеличении амплитуды импульсов магнитного поля изменяется также линейно. Одна ко в момент, когда амплитуда импуль" сов переменного магнитного поля достигает значения коэрцитивной...

Номер патента: 1539839

Опубликовано: 30.01.1990

Авторы: Барьяхтар, Гришин, Кузин, Мелихов, Редченко

МПК: G11C 11/14

Метки: коэрцитивной, монокристаллических, пленок, силы, феррит-гранатов

...оба режима движения 3 обратимый и не 45 обратимый. При достижении полем смещания величины объемной коэрцитивности Н, ДГ только деформируется в объеме пленки, а при достижении полем смещЕния значений Н ДГ начинает дви" гаться как целое.Обратимся к форме магнитооптического сигнала, отражающего реальный характер смецения ДГ во времени под действием пилообразного импульса однородного магнитного поля смещения Из фиг. 3 видно, при достижении по- лЕм смещения значения объемной коэрцитивности Н, появляется магнитооптический сигнал, обусловленный упругим деформированием ДГ, закрепленных на поверхности пленки. С дальнейшим ростом поля смецения процесс обратимого движения ДГ продолжается до тех пор, пока величина поля смецения не достигнет...

Номер патента: 1597401

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Логинов, Рандошкин

МПК: C30B 19/04, C30B 29/28

Метки: выращивания, пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных

...этого температуру снижают до значения Т= 865-900 Со расплав помещают подложку из гад ний-галлиевого граната с ориентаци К 1597401(111) диаметром 20 мм, предварительно прогретую до той же температуры, Под- е ложку приводят во вращение со скоростью 120-180 об/мин. Наращивание пленок проводят в течение 1-30 мин, после чего подложку извлекают из раствора-расплава, приводят ее в ускоренное вращение для стряхивания капель раствора-расплава и охлаждают.Параметры пленок скорость движения доменных стенок, коэффициент опти- СР ческого поглощения гленок, выращенных при разных составах раствора-расплава и температуре роста, даны в таблице,1597401 Ф ор м у л а и з о б р е т е и и я СоставСодержание компонентов, мол.7) Вьоа Тт Оа Реоа Сатори т, фС...

Номер патента: 1633031

Опубликовано: 07.03.1991

Авторы: Грошенко, Недвига, Пронина

МПК: C30B 19/00, C30B 29/28

Метки: пленок, феррит-гранатов, эпитаксиальных

...слоем расплава и происходит растворение остатков основного раствора-расплава.Вследствие этого при дальнейшем перемещении подложки в холодную зону печипредотвращается кристаллизация паразитного переходного слоя.Отсутствие остатков раствора-расплава на поверхности пленки определяют визуально. Отсутствие переходного слоя определяют по характеру кривой намагничивания материала пленки. При наличии переходных слоев на кривой намагничивания пленки наблюдают характерные "ступеньки". При отсутствии переходных слоев, то есть при равномерном химическом составе пленки, кривая гистерезиса имеет гладкий вид.На полученных пленках(УЪВ 1)(ГеСа) О 2 наблюдают отсутствие остатков раствора-расплава как на поверхности, так и в местах крепления к...