C30B 19/06 — реакционные камеры; лодочки для поддерживания расплава; держатели подложек

Номер патента: 823474

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Белобоков, Васильковский, Мурнев, Томашевский

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостнойэпитаксии, полупроводниковыхматериалов, термообработки

...сприводными валами 9 и 11 и расположены в термостатирующей щели 18.Посредством приводов 10 и 12 осуще"ствляется поворот йриводных валов Я9,11.и вместе с ними подвижных частей кассеты. Так осуществляется поочередный .перенос к гнездам основания кассеты эпитаксиальных растворов,находящихся в гнездах подвижных час-" у тей кассеты. После заполнения гнездкассеты осуществляется эпитаксия очередного слоя полупрбводниковой монокристаллической структуры. Тепловаятруба 3 с нагревателем 6 защищенатермоизолирующим устройством 7, герметично соединенным с ее Фланцем.Тепловая труба 1 с нагревателем 5защищена теплоизолирующим устройством 8, герметично соединенным с еефланцем. По периметру соединенияфланцев тепловых труб 1 и 3, образуется...

Номер патента: 852976

Опубликовано: 07.08.1981

Автор: Болховитянов

МПК: C30B 19/06

Метки: методомжидкостной, многослойныхполупроводниковых, структур, эпитаксии

...Чтобы подложки при поступательном движении кассеты не выпадали из нее, они запираютсяскобами 7 и 8. В корпусе имеется пространство 9 для дозировки раствора, соединенное с помощью малого отверстия 10 спространством 11 перед кассетой. В пространство 9 помещается поршень 12, который может перемещаться, Весь корпус закрывается направляющей 13 с блоком растворов 14, состоящим из нескольких емкостей 16 для растворов, В каждой емкостиимеется отверстие в дне. В направляющейтакже имеется отверстие, находящееся надпространством для дозировки раствора 9.Ниже кассеты в корпусе устройства находптся емкость 16 для сбора отработанного раствора. Скоба 7 одновременно является тяжем, с помощью которого осуществляется перемещение кассеты внутри собранного...

Номер патента: 1059031

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Голубев, Новиков, Шмарцев

МПК: C30B 19/06

Метки: электрожидкостной, эпитаксии

...более тугоплавкого компонента, вкладыш выполнен в форме цилиндра, диаметр которого меньше диаметра.токоподвода подложкодержателя.Кроме того, с целью получения слоев с уменьшающейся концентрацией более тугоплавкого компонента, вкладыш выполнен в форме цилиндра с отверстием в центре й диаметром, равным диаметру токоподвода.Наличие диэлектрического вкладыша позволяет создат неоднородный контакт к .подложке - токоподвод тем самым осуществляют лишь к участкам, находящимся вне вклацыша. Это в свою очередь позволяет перераспределить рабочий ток по площади подложки и, следовательно, получить изменение состава по поверхности слоя. В частности, для достижения дополнительных целей токоподвод осуществляют к подложке с помощью кольцевого либо...

Номер патента: 807691

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Григорьев, Демин

МПК: C30B 19/06

Метки: электрожидкостной, эпитаксии

...боковых стенок тигля, заметным радиальным градиентам температуры раствора-расплава, через который пропускаются электрический ток, а следовательно, к неоднородным толщинам и неоднородному легированию выращиваемых слоев. Получаемые прессованием порошка при высоких температурах изоляторы иэ нитрида бора имеют шероховатую поверхность, и, как правило, не отвечают требованиям полупроводниковой чистоты. Кроме того, использование пластин и колец в качестве изоляторов сопряжено с существенными сложностями изготовления ячейки для проведения процесса выращивания. Так, например, пластину изолятора необходимо герметично крепить к графитовому блоку для того, чтобы исключить возможность затекания раствора-расплава в зазор между изолятором и...

Номер патента: 869386

Опубликовано: 07.08.1984

Авторы: Демин, Кузнецов, Румянцев

МПК: C30B 19/06

Метки: электрожидкостной, эпитаксии

...осаждение на подложку. Кроме того, использование больших объемов галлия в качестве токоподводовможет привести к растворению подложки, вытравливанию в ней отверстия вместо контакта, приводящеек касанию галлия из держателя с раст 55вором-расплавом, а следовательнок прекращению роста пленки. Отсутст"вие крепления подложки к подложко 386 2держателю не позволяет сбрасыватьналипший раствор-расплав с подложки, что ведет к неконтролируемомуосаждению растворенного компонентана выросшую пленку после охлаждения подложки,Целью изобретения является повышение однородности выращенных слоевпо толщине и электрофизическимсвойствам.Цель достигается тем, что держатель подложки выполнен в виде цилиндра с отверстием в центре и установлен с возможностью...

Номер патента: 807693

Опубликовано: 07.03.1988

Автор: Заргарьянц

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, многослойных, структур, эпитаксии

...неоднородный растворн в результате ухудшается однородность свойств.Целью данного изобретения является повышение однородности растворарасплава за счет эффекта перемешивания во время его заливки на подложку,Указанная цель достигается тем,что в емкостях размещены подвижныеЬ-образные перегородки, в вертикаль- .ных стенках которых выполнены сквозные отверстия, а на внутренней поверхности каждой емкости, обращеннойк вертикальной стенке перегородки,выполнены пазы и в боковых стенкахкорпуса выполнены, выемки со скосами.Наличие сквозных отверстий в вертикальной стенке перегородки в случае совмещения с пазами в стенке емкости обеспечивает одновременное поступление раствора-расплава к подложке, установленной на подложкодержателе, с разных...

Номер патента: 1638218

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Ложкин, Малкин, Тимина

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкофазной, эпитаксии

...подвижной подставки 11, в качестве которой используют, например, винт. Затем загружают емкости 2 исходными растворами-расплавами, Устройство нагревают до температуры гомогенизации расплава и после выдержки охлаждают до температуры начала эпитаксии. При этом поршень 8 при помощи штока 13 поднимают, заполняют раствором-расплавом камеру 6 роста через канал 7, поршень 8 опускают, На поверхности подложки 1 О создаютслой раствора-расплава переменной толщины в соответствии с рельефной поверхностью 9 поршня 8. Производят наращивание пленки.Для получения пленок с различным рельефом и различными электрическими свойствами импользуют поршень 8, имекщий участки с различным типом рельефов (фиг. 2). Например, дополни тельный поршень 8 имеет два...

Номер патента: 1638219

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Барисс, Силамикелис

МПК: C30B 19/06

Метки: многослойных, полупроводниковых, структур

...отработанного расплава. Корснабжен крьппкой 1 со сем. Перемещение контейнвляют штоком 18.Устройство работает сл углубление й 9, совмеи углубле; сатор 8. Наконтейнер 1 щают исход- в-р асппавов, 3. Устройверху размещают поршни1638219 10 1 Э ство закрывают крьппкой 17, помещают в реактор и выдерживают при заданной температуре для получения растворарасппава 11. Затем температуру пош- жают и приступают к выращиванию эпи 5 таксиапьных слоев. Для этого штоком 18 контейнер 1 перемещают, Крышка 17 контактирует с поршнем 3 первой емкости 2. Раствор-расплав 11 через от верстие 10 поступает в камеру 19 роста, размещенную над подложкой 6. Избыток расплава 11 поступает в емкость 16. После выращивания первого слоя контейнер 1 перемещают до...

Номер патента: 1640220

Опубликовано: 07.04.1991

Авторы: Колесниченко, Кукоз, Лозовский, Тузовская

МПК: C30B 19/06, C30B 29/06, C30B 29/08 ...

Метки: легированных, летучей, примесью, слоев

...равна 2 - 3 мкм. Далее устанавливают рабочую температуру в печи 1300 С при градиенте температуры, направленном перпендикулярно плоскостям пластины и равном 15,С/см. Перекристаллизацию источника осуществляют в тецение 40 мин,1640220 Формула изобретения Способ получения слоев Я или бе, легированных летучей примесью, включающий формирование между двумя пластинами Я или бе зоны раствора-расплава уменьшенной толщины в периферийной области и последующее перемещение зоны через одну из пластин под действием градиента температуры, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью получения слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления, формируют зону толщиной в периферийной области 2 - 5 мкм. Составитель А....

Номер патента: 1650798

Опубликовано: 23.05.1991

Авторы: Антощенко, Байганатова, Таурбаев

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкофазной, эпитаксии

...внутренней поверхности фильеры выполнено углубление, образующее с горизонтально острый угол. 4 ил. меру 6 и камеру 7 роста. Дном камеры 7 роста служит подложкодержатель 8 с размещенной в его углублении подложкой 9, Поршневая камера б и камера 7 роста сообщаются между собой при помощи фильеры 10, выходное отверстие которой выполнено в виде горизонтальной щели 11. На внутренней поверхности фильеры 10 выполнено углубление 12, образующее острый угол к горизонтали по всей ширине камеры 7 роста. Под подложкодержателем 8 размещена емкость 13 для отработанного расплакости 2 контеинера 1 поме мое количество расплавов, а подложкодержателя 8 - подл гомогениэации расплава при эпитаксии первый расплав с1650798ния подложки, что дополнительно...

Номер патента: 1707090

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Гусейнов, Раджабли, Эминов

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкофазной, эпитаксии

...многократного использования устройства, так как для извлечения подложки вместе с выра ценным слоем из ампулы последнюю необходимо либо разбить, либо разрезать в области расположения пробки, приваренной к ампуле.Цель изобретения - исключение попадания на подложку частиц нерастворенного вещества и окисной пленки и многократное использование устройства.Укаэанная цель достигается тем, что е Устройстве для жидкофазной эпитаксии, со:.,: дщем из кварцевой ампулы. пробки, емкое и с раствором-расплавом и держателя подложки, держатель подложки выполнен в аиде воронки и прижима е форме перевернутого стакана, охватывающего воронку, причем узкое основание воронки выполнено зубчатым. а между держателем подложки и пробкой ампулы установлен...

Номер патента: 1798397

Опубликовано: 28.02.1993

Авторы: Никорич, Симашкевич, Соболевская, Сушкевич

МПК: C30B 19/06, C30B 29/48

Метки: полупроводниковых, слоев, соединений, эпитаксиальных

...пена 100-150печь возврание, при этоампулу извлния ампулыподложку сиз ампулы иводой или сности выращтеля.Изобретение может бьследующим образом,Берут навески Еп, Те, 5учения твердого раствора,.Милюков Тираж Подписное сударственного комитета по изобретениям и открытиям 113035, Москва, Ж. Раушская наб., 4/5КНТ СССР роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. ужгород, ул,Гагарин ва ЕпЯео,яТео,1, Количество соли хлорида-4цинк. Ампулу откачивают до 10, тор и отпатвердого раствора и 95 мол.хлоридэ цинка, Навески: Р(Еп С 2) = 4,68 (г); Р(Еп) = 0,0118 + 0,1063-0,11811(г); Р(Те) = 0,0231(г); Р(Зе)= = 1,285 (г).В чистую кварцевую ампулу загружают обезвоженную соль ЕпС 2, селен, теллур, цинк. Ампулу откачивают до 10 тор и...

Номер патента: 1306175

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Алексанов, Бондарь, Галченков, Семенов

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкофазной, эпитаксии

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ многослойных полупроводниковых структур, содержащее корпус с крышкой, контейнер с емкостями для исходных расплавов, снабженными поршнями с толкателем, подвижный держатель для размещения подложек, имеющий второй толкатель, камеру роста и каналы для подачи и вывода расплавов из камеры роста, отличающееся тем, что, с целью увеличения производительности, держатель выполнен многосекционным для вертикального попарного размещения подложек рабочими сторонами друг к другу, контейнер установлен под держателем, крышка снабжена выступами для удаления излишков расплава, а оба толкателя жестко соединены между собой.

Номер патента: 824694

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, эпитаксии

Устройство для жидкостной эпитаксии, включающее камеру для расплава и источника его подпитки, подложкодержатель, установленный на вертикальном валу, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью получения толстых слоев с высокой однородностью свойств и увеличения скорости процесса, подложкодержатель выполнен в виде стакана с плоским дном, внутри которого установлена камера с возможностью осевого перемещения, имеющая в дне щель со скосом в одном направлении и выступы с наружной стороны, обеспечивающие зазор между дном и подложкой.

Номер патента: 774293

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Литвин, Марончук

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, кассета, полупроводников, эпитаксии

Кассета для жидкостной эпитаксии полупроводников, выполненная в виде этажерки с установленными горизонтально и параллельно друг другу подложками, разделенными прокладками, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности и улучшения условий заливки и удаления раствора-расплава из зазора между подложками, кассета выполнена в виде каркаса с горизонтальным сечением в форме правильного шестиугольника, в центре и в вершинах которого установлены вертикальные стержни, и вписанного в окружность радиусом, равным диаметру подложки плюс радиус центрального стержня, а в качестве прокладок использованы шайбы, размещенные на стержнях.

Номер патента: 938642

Опубликовано: 20.06.2005

Автор: Гамазов

МПК: C30B 19/06

Метки: жидкостной, эпитаксии

Устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом сдвига, включающее подвижной контейнер с емкостью для раствора цилиндрической или прямоугольной формы, установленной на подложкодержателе, имеющем ячейку для подложки, отличающееся тем, что, с целью улучшения однородности толщины получаемых слоев, в нижней части емкости выполнен вырез, имеющий в сечении форму сегмента.

Номер патента: 1137784

Опубликовано: 27.04.2006

Авторы: Лозовский, Майстренко

МПК: C30B 19/04, C30B 19/06

Метки: жидкостной, полупроводниковых, селективной, структур, эпитаксии

1. Способ селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающий формирование на поверхности подложки микрорельефа, нагрев и приведение ее в контакт с расплавом и последующую перекристаллизацию в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и улучшения однородности легирования легколетучими примесями, легирующую примесь вводят непосредственно перед контактом подложки с расплавом путем конденсации ее паров из источника, температура которого выше температуры подложки.2. Устройство для селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающее контейнер, имеющий емкость для расплава с отверстием в дне, емкость для источника...