Криштопов

Номер патента: 1604873

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Криштопов, Куличенко, Смирнов

МПК: C30B 29/12, C30B 33/00

Метки: кристаллов, щелочно-галоидных

...увеличения предела текуче- сти в 3 - 5 раз. 2 табл. сти электрического поля Е. Определяют по ней, что пороговая величина Епор электрического поля, при которой эта зависимость начинает отклоняться от линейности, равна 25 кВ/см. Измеряют по дислокационным ямкам травления скорости перемещения краевых дислокационных диполей Ч при напряженности электрического поля 140 кВ/см и устанавливают, что она равна 1 мм/с. Берут кристалл КС в виде пластины толщиной Ь, равной 2 мм. Определяют для него минимальную 1 мин и максимальную 1 макс длительность воздействия электрическим полем напряженностью 140 КВ/СМ, раВНуЮ СООтВЕтСтВЕННО тмин ==,23 с.Воздействуют на кристалл постоянным электрическим полем напряженностью 140 кВ/см в течение 5 с. Для...

Номер патента: 1352099

Опубликовано: 15.11.1987

Автор: Криштопов

МПК: F04F 10/00

Метки: сифон

...элемент 4 имеет капиллярную структуру и расположен в патрубках 1 и 2 между входным отверстием 3 и несмачиваемым участком 5, а последний выполнен в виде выступа 6 1 фиг. 2) на внутренней поверхности выпускного патрубка 2. Выступ 6 может быть образован двумя трубками 7 н 8 (фиг. 3), вставленными одна в другую, при этом на верхнем торце внутренней трубки 8 выполнено несмачиваемое покрытие 9.Сифон работает следующим образом.Жидкость из сосуда, смачивая влагопро- о водяций элемент 4, выделяется в виде капель на его наружном конце. Движению капель но внутренней поверхности патрубка 2 препятствует кольцевой несмачиваемый участок 5. Накапливаясь перед ним, жидкость образует кольцеобразный мениск. По мере накопления жидкости перед...

Номер патента: 1286826

Опубликовано: 30.01.1987

Автор: Криштопов

МПК: F04F 10/00

Метки: варианты, его, сифон

...причем диаметр сливного отверстия в верхней диафрагме больше диаметра остальных спивных отверстий. из которых выполнено сливное отверстие 10, по периметру которого выполнено несмачиваемое покрытие, а влагопроводящий элемент 4 подведен к каж" дой иэ диафрагм 9, причем диаметр сливного отверстия в верхней диафрагме больше диаметра остальных сливных отверстий.Устройство по первому варианту работает следующим образом.Жидкость из сосуда, смачивая влагопроводящий элемент 4, выделяется в виде капель на его наружном конце, Дальнейшему движению капель по внутренней поверхности патрубков 1 и 2 препятствует кольцевой несмачиваеиий участок 5, Накапливаясь перед ним, жидкость образует кольцеобраэный мениск. По мере накопления жидкости перед...

Номер патента: 1101394

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Баскарев, Криштопов, Смирнов, Сорокин

МПК: B65H 3/06

Метки: листового, подачи, полос, поштучной, стопы

...2 валковой подачи со скоростью, равной линейной скорости вращения валов. После того, как полоса вошла в валки и поводок 12 вышел в точку 1 про 55лисно-цепным контуром 10 цепной передачей 17, имеющей передаточное отношениетой же кратности, что и длины цепей обоихмеханизмов 7 и 8 и обе они выполнены ввиде прямоугольных контуров. Штанга 4снабжена роликом 18 периодически, взаимодействующим с направляющей 19, смонтированной на корпусе устройства с цельюфиксации штанги 4 в крайнем верхнем положении.10 Кулисно-цепной контур 10 кинематически связан через цепную передачу 20 и механизм 2 валковой подачи с приводом 3технологического оборудования.На корпусе устройства смонтирован упор1521 взаимодействующий с клапаном 22 длясброса вакуума с...