Матричный накопитель

ш 752483 ОПИСАНИЕ ИЗОБЕЕтЕНИЯ Союз Соеетских Социалистических Республик) Дополнительное к авт. свид-ву 1) 2697090/18-2 2) Заявлено 18,12. М, Кл.з б 11 С 17/00 аявкиприсоединением 23) Приоритет43) Опубликовано 30.07.80. Бюллетень245) Дата опубликования описания 30.07.80 сударстеенныи комите СССР(71) Заявитель краинской ССР дена Ленина институт кибернетики 54) МАТ Р И Ч Н Ы Й Н ИТЕЛЬ В качестве элементов памяти в таком накопителе можно использовать практически любые материалы, которые имеют по крайней мере два устойчивых состояния проводимости. Это, например, могут быть стеклообразные полупроводники, обладающие эффектом переключения и памяти, полупроводниковые диоды, включенные встречно диодам накопителя, плавкие металлические перемычки и другие.Однако в таком накопителе при записи информации через элементы приходится пропускать значительный ток, а это приводит к тому, что питающие напряжения приходится увеличивать, и мощность, рассеиваемая на каждом резисторе накопителя, может доходить до нескольких десятых долей ватта и больше. Резисторы в данном случае занимают большую площадь, что снижает плотность информации в накопителе.Цель изобретести рассеивания еля. Эта одерж торах я, при соот екторниацель достигается тем, что накопитель ит ключи, выполненные на транзипо числу разрядных шин накопите- этом эмиттер транзистора соединен ветствующей разрядной шиной, кол - с выходной шиной, а база - с зы 30 Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к постоянным запомиющим устройствам на основе больших тегральных полупроводниковых схем.Известны матричные накопители 1, 2.Один из известных матричных накопителей 1 содержит числовые и разрядные шины, элементы связи, входные и выходные шины, транзисторы, последовательно соединенные с элементами памяти, 10Недостатком этого накопителя, в котором запоминающие элементы включены в цепь коллектора транзистора, является низкая плотность информации, а накопители, где запоминающие элементы включе ны в цепь эмиттера или базы транзистора, хотя и обеспечивают более высокую плотность информации, но не позволяют производить запись на напряжениях, которые требуются для большинства известных в 20 настоящее время запоминающих элементов. Наиболее близким техническим реш м к изобретению является матричный опитель 2, содержащий числовые и ядные шины, элементы связи, элеме огласования, выполненные на резисто дни выводы которых соединены с вход ми шинами, и выходные шины. ния - уменьшение мощно- в режиме записи накопидругим выводом соответствующего резистора.Матричный накопитель представлен на чертеже.Накопитель содержит числовые шины 1, разрядные шины 2, элементы 3 связи,. ключи, выполненные на транзисторах 4, выходные шины 5, элементы согласования на резисторах 6, входные шины 7,Работает накопитель следующим образом.В режиме записи информации выбранная числовая шина 1 подключается к шине нулевого потенциала, а остальные числовые шины - к источнику высокого потенциала либо отключаются от внешних цепей. На выбранную входную шину 7 подается потенциал записи, а на остальные - нулевой потенциал, При этом транзисторы 4, подключенные к выбранной числовой шине 1, переходят в режим насыщения, а остальные находятся в режиме отсечки. В соответствии с записываемой информацией на выходные шины 5 подается ток записи или нулевой потенциал, В первом случае ток записи через выбранный транзистор 4, находящийся в насыщении, попадает на соответствующую разрядную шину 2, а затем через элемент 3 связи - на выбранную числовую шину 1. Таким образом происходит запись, Во втором случае ток, протекающий через выбранный резистор 6, стекает через коллекторный переход транзистора 4 на выходную шину 5 и запись не происходит.В режиме считывания, так же как и при записи, выбранная числовая шина 1 подключается к нулевому потенциалу, а остальные - к источнику потенциала высокого уровня или отключаются от внешних цепей. На выбранную входную шину 7 подается потенциал высокого уровня, а на остальные - нулевой потенциал. При этом в зависимости от состояния проводимости элементов 3 связи, находящихся на пересечении выбранных числовой 1 и разрядных шин 2, ток выбранных резисторов 6 через эмиттерные переходы транзисторов 4, разрядные шины 2 и проводящие элементы связи 3 стекает на выбранную числовую шину 1 либо, если элементы связи 3 не проводят,через коллекторные переходы поступает навыходные шины 5 накопителя. В первомслучае на выходных шинах 5 устанавливается потенциал низкого уровня, а во вто 5 ром - высокого.. В сравнении. с известным накопителем вданном накопителе удается снизить мощность, рассеиваемую.при записи, а следовательно, уменьшить площадь, занимаемую10 резисторами. В накопителе-прототипе токзаписи проходит через элемент связи только через резисторы, а в предложенном накопителе основная часть тока записи поступает на элементы связи через транзисторы15 и ток резисторов составляет всего 1/(+ 1)часть тока записи, где Р - коэффициентпередачи тока базы транзисторов, Приэтом сопротивление резисторов может бытьувеличено в р раз и мощность, которую они20 рассеивают, враз меньше, чем в накопителе-прототипе, во столько же раз можетбыть уменьшена и их площадь,Обычно в интегральных схемах )20, и,следовательно, можно рассчитывать по25 крайней мере на 20-кратный выигрыш поплощади этих резисторов и мощности, рассеиваемой ими в режиме записи. Формула изобретения30Матричный накопитель, содержащий числовые и разрядные шины, элементы связи,элементы согласования, выполненные нарезисторах, одни выводы которых соедине 35 ны с входными шинами, и выходные шины,отличающийся тем, что, с цельюуменьшения мощности рассеивания в режиме записи накопителя, он содержит ключи,выполненные на транзисторах по числу раз 40 рядных шин накопителя, при этом эмиттертранзистора соединен с соответствующейразрядной шиной, коллектор - с выходнойшиной, а база - с другим выводом соответствующего резистора,45 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе1. Авторское свидетельство СССР506060, кл, б 11 С 11(34, 1976.2. Патент США3671948, кл. 340 в 1,50 опублик, 1974 (прототип).Техред А, Камышникова Редактор И. Грузова Типография, пр. Сапунова, 2 Заказ 1454/13 Изд, Мо 393 Тираж 673 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5