G11C — Запоминающие устройства статического типа

Страница 21

249424

Загрузка...

Номер патента: 249424

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: G11C 11/10

Метки: 249424

...неразрушающего считывания с записью при совпадении однополярных импульсных полей вокруг разрядной и числовой обмоток.На фиг. 1 и 2 дано запоминающее устройство.Устройство содержит многоотверстную плату 1 из ферритового материала с прямоугольной петлей гистерезиса, в которой в качестве 10 элементов запоминания использованы участки платы вокруг двух отверстий 2. Разрядные оомотки 3, служащие как для запис 11, так и для съема записанной информации, пропущены последовательно через два отверстия каж дого горизонтального ряда. 1-1 а поверхностиплаты имеются вертикальные пазы 4, проходящие меяду отверстиями каждого числа. В указанных пазах размещены числовые обмотки 5, служащие как для записи, так и для оп роса записанной...

Полупостоянное запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 249425

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Давыдов, Иванов, Косое

МПК: G11C 17/02

Метки: запоминающее, полупостоянное

...чтения, по обмотке б трансформатора, и на обмотке 11 находится сигнал другой полярности. е устройство бмотками опем, что, с цевости, виткивиде прямооянное запоминающеой связью между о ия, отличающееся т ения помехоустойчи и связи выполнены в двумя окнами Полупостс индуктивнроса и чтенлью повышиндуктивноугольника с ПОЛУПОСТОЯННОЕ ЗАПО Изобретение относится к ои вычислительной техники.Известны полупостоянные запоминающие устройства с индуктивной связью между обмотками опроса и чтения, в которых на выходе запоминающей матрицы при наличии витка индуктивной связи получают сигнал кода 1, а при отсутствии витка - код О, В этих устройствах для повышения помехоустойчивости, например, с целью получения разнополярных сигналов кодов 1 и О,...

Триггер на униполярных транзисторах

Загрузка...

Номер патента: 250997

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Атанов, Васильев, Катман, Сапронов, Силантьев

МПК: G11C 11/40

Метки: транзисторах, триггер, униполярных

...управ.20 ляемый электрод которого подсоединен в данную точку.Напряжение питания триггера выбираетсяиз условия: Е = (2 - 3) С,р, где У,р -напряжение, при котором транзистор овается.Эти условия определяют необходимость идостаточность того, чтобы при открывании запирающих нелинейных элементов - транзисторов 7 и 8 или управляемых диодов триггер ЗО оставался в том же устойчивом состоянии,Заказ 3922/10ЦНИИПИ Комитета Тираж 480елам изобретений и открытий при СовеМосква Ж, Раушская наб., д, 4/5 Подписное1 инистров СССР шография, пр. Сапунова котором он находился до подачи сигнала открывания или закрывания нагрузки.Сопротивления нагрузки выбираются из ус. ловия обеспечения максимального быстродействия триггера, т, е. Рв = Р = Р 2 = Я...

Аналоговое запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 251002

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Черчесов

МПК: G11C 27/00

Метки: аналоговое, запоминающее

...б, Напряжение с интегрирующей емкости поступает навход эмиттерного повторителя 3, кроме того,к ней подключается напряжение запоминаниячерез ключ 7.В квадрате 5 показана схема генератораопорной частоты на транзисторе Ть который,с целью жесткой привязки фазы опорной ча 20 стоты к запускающему импульсу, работает вимпульсном режиме. Транзистор Т, выполняет роль ключа, который в момент подачи запускающего импульса на несколько микросекунд срывает колебания генератора опорнойчастоты, шунтируя его контур. После закрывания транзистора Т колебания возникаютпод влиянием ударного возбуждения, ужесфазированные с импульсом запуска,Схема работает следующим образом.30 При замыкании ключа 7 емкость б заряжается до амплитудного значения...

Запоминающее устройствоin плт1: ; т1: о. ” 1т. хннчк;: ая библиотека

Загрузка...

Номер патента: 251003

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Андреева, Дубровский, Золотайко, Лашевский, Хавкин

МПК: G11C 11/06, G11C 5/12

Метки: библиотека, запоминающее, плт1, устройствоin, хннчк

...соответствующих обмоток первой половины второго модуля, например, при помощи плоскихшлейфов.20На фиг. 1 изображено запоминающее устройство с условно раздвинутыми пластинамимодуля; на фиг. 2 и 3 - сечения модуля запоминающего устройства по А - А и Б - Б соответственно. 25Запоминающее устройство состоит из модулей 1 емкостью, например, на 512 чисел, содержащих кассеты 2 с запоминающими элементами на многоотверстных ферритовых пластинах Л 30 В середин ком мутацио на одной ст имно перекр неперекреще воды соедин ложенных к единяются н виде шлейф Предмет изобретенияЗапоминающее устройство с запоминающими элементами на многоотверстных ферритовых пластинах, состоящее из кассет, образующих модули, от,шчающееся тем, что, с целью повышения...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 251004

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Торотенков

МПК: G11C 11/00

Метки: запоминающее

...и диодов, подключенных к этому же ключу, связана с разрядной обмоткой, включенной в противоположное плечо мостовой схемы, Это позволяет уменьшить помехи при считывании 25 информации.На чертеже приведена схема одного разряда запоминающего устройства.Диодыадресного коммутаторпоследовательно с адресными о 30 Диодыадресного коммутатора объединяются по группам адресными шинами 5, связанными с разрешающими ключами 6. При этом каждая группа диодовсостоит из,двух половин, одна половина группы подключена к четным адресным обмоткам, связанным с разрядной обмоткой 7, включенной в одно плечо мостовой схемы, а другая половина группы подключена к нечетным адресным обмоткам, связанным с разрядной обмоткой 8, включенной в противоположное плечо мостовой...

Регистр сдвигавсесоюзйдяп. 4тентко-

Загрузка...

Номер патента: 251006

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бурченко, Конарев, Кривул, Специальное

МПК: G11C 19/06

Метки: 4тентко, регистр, сдвигавсесоюзйдяп

...предложенного регистра изображена на чертеже и содержит запоминающие элементы 1 с неразрушатошим считыванием, например трансфлюксоры с обмотками входцы. ми 1 т", и 1 т выходными Ж, и,считывания тти, накопители 2, клапаны 3 и ключ 4. Импульсы считывания, поступающие на вход а трднсфлюксоров 1, заряжают накопитель 2 запоминающего элемента, находящегося в иезаблокированном состоянии.Продвигающ;1 е импульсы подаются на вход б регистра сдвига с частотой, значительно меньшей частоты считывающих импульсов.Продвигающие импульсы открывают кла:тдны т, происходит разряд заряженного накопипгеля через двд запоминающих элемецга, при 1 см трацсфлюксор, от выходных сигналов кото 1 ого зарядился данный накопитель, блокируется, а следу 1...

Ля библиотека

Загрузка...

Номер патента: 251007

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Вса, Родичев, Ховский

МПК: G11C 11/14

Метки: библиотека

...технические затруднения, в перспективе же эта задача разрешима, а следовательно, предлагаемый способ может найги практическое применение.Экспериментальная проверка описываемого способа переключения тонкой магнитной пленки была проведена ца установке.Для создания управляющего импульсного магнитного поля была изготовлена,полосковая линия. Нижняя полоска шириноц 20 лгл составлена из продольных шинок шириной 1,5 лы, вырезанных из фольгированного гетинакса, Толщина медной фольги 0,05 лл. Верхняя полоска составлена цз 27 медных проволок, диаметром 0,07 льи, равномерно распределенны: ца расстоянии 19 лл. Полосковая линия была нагружена на,сопротивление 75 ол.Импульс тока от генератора однократных импульсов передавался кабелем РКдлиной...

Оптоэлектронное постоянное запоминающееустройство

Загрузка...

Номер патента: 251100

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Военна, Денисов, Ещин, Медведев, Мескнн, Равич

МПК: G11C 11/42, G11C 17/00

Метки: запоминающееустройство, оптоэлектронное, постоянное

...и- область является общей для всех излучателей, р - л-переходы имеют конфигурацию пятен. Электрические контакты от р-областей элементарных излучателей объединены входными шинами:по столбцам матрицы,Матрица фотоприемников 2 выполнена на крвмниевой пластине с р - п-структурой. Базовая (прозрачная) область 3 матрицы является общей и подключена к точке схемы с постоянным электрическим потенциалом. Электрические контакты коллекторных областей 4 элементарных фотоприемников расположены с наружной стороны матрицы и, в соответствии с кодами храстимых чисел, с помощью проводящих перемычек (5) подключены к выходным (разрядным) шинам матрицы фотоприемников. Элементарные фотоприемники, подключаемые к одной разрядной шине, образуют строку...

Регистр сдвига

Загрузка...

Номер патента: 251248

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бурченко, Кокаргв, Кривул, Специальное

МПК: G11C 19/06

Метки: регистр, сдвига

...элемент памяти регистра записана 1,Считывающие импульсы, подаваемые на шину Л, проходят последовательно через все счигывающие обмотки элементов памяти, В выходной обмотке первого запоминающего элемента возникает э.д.с., когорая через диод 8 заряжает накопитель 10. Продвигающие импульсы подаются по шине 12 с частотой, зпачитечьно меньшей частоты считывающих импульсов. Продвигающие импульсы открываот ключ 11, подключающий шину 12 к накопителям, вследствие чего происходит разряд накопителя через два элемента памяти (через продвигающую обмотку 7 первого элемента и входную обмотку 6 - второго, включенные встречно).При этом первый элемент памяти, от выходных сигналов которого зарядился накопитель 10, блокируется, а следующий за ним элемент...

Триггер со счетным входом на контактных реле

Загрузка...

Номер патента: 251615

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Быков

МПК: G11C 11/50

Метки: входом, контактных, реле, счетным, триггер

...новая цепь: диод 10, диод 11, конденса.тор 9, нормально открытый контакт 12, конденсатор 3 заряжается по этой цепи, Поскаль.ку основная часть тока заряда конденсатора 20 3 израсходована по цепи включения реле 2,напряжение на конденсаторе 9 за счет тока дозарядки конденсатора 3 увеличивается незначительно и, следовательно, на обмотке реле 1 не возникает разности напряжений, 25 требуемой для срабатывания реле. Последующий заряд конденсатора 9 до положительного напряжения источника питания идет через резистор 13Итак, от первого импульса сра30 2, триггер пришел в состояние28615 Предмет изобретения Врос 1 с 3 з орос Е Составитель В. СуховРедактор Л. А. Утехина Техред А. А, Камышникова Корректор Л. В. Анисимо Подписноенистров СССР...

Регистр сдвига

Загрузка...

Номер патента: 251617

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Глинтерник, Шубарев

МПК: G11C 19/00

Метки: регистр, сдвига

...и обра вия - обеспечивается тем, что в регистресдвига шины тактовых сигналов подключеныко входам установки триггеров в нуль и черезинверторы - ко входам вентилей ввода информации в триггеры регистра,На фиг. 1 показана схема тргистра сдвига. На фиг, 2 -граммы.Схема (см. фиг. 1) состоит из инверторов 1и 2 общих для всех разрядов, основных триггеров 3 - 5, дополнительных триггеров б - 8,вентилей 9 и 10 ввода информации в триггеры3 - 8. Каждый триггер состоит из элементовИ - ИЛИ - НЕ 11 и инверторов 12.Шины тактовых сигналов Т, и Т, соединены со входами записи нуля триггеров 3 - 8(входы элементов 11) и инверторами 1 и 2соответственно, Выход инвертора 1 соединенсо входами вентилеи 9 (схемы И), а выходинвертора 2 - со входами вентилей 10...

На тиристорахlt; л i si-iaqpr

Загрузка...

Номер патента: 251621

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Либерман, Научно, Опытно, Чернихов, Элемент

МПК: G11C 11/39

Метки: si-iaqpr, тиристорахlt

...питания, Такое включение тиристоров и нагрузки обеспечивает приложение к цепи двух встречно соединенных тиристоров 2 и 3 (параллельно тиристору 3 подсоединена нагрузка 5 1) напряжения в проводящем для тиристора 2направлении в течение времени, равного времени /6 периода одной фазы питающего источника (300 эл. град.). В течение оставшейся т/, части периода напряжение, приложенное 10 к этой цепи, равно нулю.При отсутствии сигнала управления на управляющем электроде тиристора 2 (вход б) напряжение источника приложено к тиристору 2 и ток по нагрузке не протекает.15 При появлении сигнала управления в видепостоянного напряжения на управляющем электроде тиристора 2, тиристор 2 переключается и логический элемент память переходит в другое...

Способ изготовления каркаса для запоминающихматриц

Загрузка...

Номер патента: 251624

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Вецпер, Нестеров, Острецова, Ошарин, Шахнов

МПК: G11C 5/04

Метки: запоминающихматриц, каркаса

...матриц Пр едм е з о бр ете ни Способ изготовле ющих матриц на ц пленках, основаннь ложку диэлектричес присоединением заявкиПриоритет Изобретение относится к технологии изготовления оперативных запоминающих устройств электронных вычислительных машин.Известны способы изготовления каркасов для запоминающих матриц на цилиндрических 5 магнитных пленках, основанные на укладывании на подложку диэлектрических пленок с размещенными на них управляющими шинами и формообразующих нитей и последующим удалением формообразующих нитей. 10Однако такие способы достаточно сложны.Предложенный способ отличается тем, что диэлектрические пленки огибают вокруг формообразующих нитей и в промежутках между формообразующими нитями скрепляют, напри мер,...

Способ изготовления интегральных ферритовых элементов памяти

Загрузка...

Номер патента: 251712

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Аграновский, Беккер

МПК: G11C 11/08

Метки: интегральных, памяти, ферритовых, элементов

...вания порошка, спекания пластин и их охлаждения.Предложенный способ отличается от известных тем, что охлаждение пластин проводят в нейтральной газовой среде при давлении, превышающем атмосферное, Это позволяет ускорить и улучшить процесс изготовления элементов памяти,В высокотемпературную печь, помещенную в камеру, устанавливают стопками ферритовые пластины и проводят, как обычно, спекание. После изотермической выдержки из камеры откачивают воздух и напускают в нее любой инертный газ, например углекислый газ, аргон и др. Общее давление остаточного воздуха и нейтрального газа несколько превышает атмосферное давление (например, 1,1 атм). Затем проводят охлаждение печи по ускоренной программе, поскольку ферритовые пластины охлаждаются...

Способ изготовления пленочных магнитныхматриц

Загрузка...

Номер патента: 251713

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ивашкин, Мар, Марковский, Переплетчиков, Тер, Шестаков

МПК: G11C 11/14

Метки: магнитныхматриц, пленочных

...провод,ники образуют перепад по толщине высотой в 10 - :15 мклт.Г 1 ри вакуумном осаждении последующих изоляционных слоев получить надежное сцепление последних с нижележащими на подложке невозможно из-за,напряжений в местах перепадов по высоте.Согласно предложенному способу, проводящие слои получают путем приклеивания фольги с помощью органических лаков (клеев) при нагревании матриц и в присутствии магнитного поля в плоскости подложки,Это позволяет отказаться от накладного шлейфа на гибком диэлектрическом основании, обеспечивает точность совмещения шин (обмоток) с магнитными элементами и получение всех управляющих шин (обмоток) с малым омическим сопротивлением и высокоомным изоляционным слоем (не менее 50 мголт).- Р+05 мм Составитель В....

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 251936

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Трофимов

МПК: G11C 11/06

Метки: запоминающее

...4 гг + 1 числа.В п редложенном устройстве обращение кодному адресу осуществляется в два этапа:считывания и предварительной записи.20 Перезапись информации в каждом гг числепри считывании информации пз гг + 1 числа.При подаче ня первом этапе в обмотку 4 гг числя импульса тока считывания 1,сердечнши2 этого числя переводятся в состояние О, а25 сердечники 1 - в состояние 1. Выходнойсигнал, соответствующий хранимой информации в прямом коде, снимается с обмоток б. Наэтапе предварительной записи в обмотки 5 подаются импульсы тока записи 1 соответству25193 ь Предмет изобретения 15 Составитель Ю, Д. РозентальРедактор Л. А, Утехина Тсхрсд А. А. Камьшникова Корректор Р. И, Крючкова Заказ 109119 Тираж 480 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам...

Триггер со счетным входом

Загрузка...

Номер патента: 253132

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Белинские, Институт

МПК: G11C 11/40

Метки: входом, счетным, триггер

...чей импулысов на входы 13 и 14,В исходном положении оба транзистора закрыты смещающим напряжением. Импульсом,поданным на вход 13, сердечник трансформатора смещается к вершине петли гистерезиса.25 При подаче отрицательного импульса на счетный вход он может поступить на базы обоихтранзисторов. Однако условия прохожденияимпульса через обмотки 5 и б неодинаковы.Импульс:почти беспрепятственно может пройз 0 ти через ту обмотку, в которой он создает мат. В. Юшин а(ктор Б. С, Нанкина обрек каз 28 Ти,рая 480 НИИПИ Комитета по делам изобретений и от Молева, Раушокая наПодписноетий при Совете Министров СССРд. 4/5. Типография24 Главполипрафпрома, Мооква, Г, ул. Маркса - Энгельса, 4,нитное поле, смещающее петлю тистерезиса сердечника в том же...

Регистр сдвига на импульсно-потенциальных элементах

Загрузка...

Номер патента: 253133

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Скобелев

МПК: G11C 19/00

Метки: импульсно-потенциальных, регистр, сдвига, элементах

...кола О.В течение импульса длительностью тч на выходе инвертора 7 происходит перезарял конденсатора емкости 10 инвертора 8, После окончания импульса на выходе инвертора 7, т. е. после смены потенциала от У до Уь инвертор 8 выдает импульс длительностью ть Этот импульс поступает на инвертор 4 и переводит триггер второго разряда регистра из состояния 1 в состояние О, при этом на выходе ипвертора 3, а следовательно, и на входе вентиля бпроисходитсмена напряжения от Ь ло У. Вентиль б формирует импульс, который поступает на инвертор 1 и устанавливает триггер первого разряда регистра в состояние 1, Произошел последовательный сдвиг параллельного кода 01 на один разряд.При поступлении второго импульса сдвига происходит установка триггера первого...

Способ считывания информации

Загрузка...

Номер патента: 253141

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Голубев

МПК: G11C 11/02

Метки: информации, считывания

...ь состсяппе 1 током, подаваемым в шину записи О, При этом нулевос состояше запоминакщего сердечника не меняется.В шину записи 0 невыбранных зон передциклом обращения к выбранной зоне подаетсяТОК 1 з, ПОЛЯРНОСТЬ КОТороГО ПРОТИВОПОЛожиаполярности тока записи О 14. Под деиствиемтока 1 з коммутирующие сердечники элементозпамяти невыоранных зон медленно переключаются в состояние с 0, а состояние запоминающих сердечников не меняется,Это позволяет последовательно соединипчисловые шины зон памяти ЗУ на феррптовыхпарах и подклточить их к общим для всех зонключам дешифратора. При этом числовой ток, 253141проходящий по числовым цинам элементов памяти невыбрацных зон, нс изменит хранимую в них информацию.1 яоме ТОГО,...

Способ выборки информации

Загрузка...

Номер патента: 253142

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Брик

МПК: G11C 11/06

Метки: выборки, информации

...линейки, Если ампер- витки токабольше тока опроса, то выходные импульсы выбранной линейки возрастут еще больше,Токами 1 в дополнительных обмотках 2 удобно управлять при помощи триодов 3 - б, включенных инверсно относительно выходных триодов 7 - 10 дешифратора 11 выбора числовых линеек, как это показано на фиг. 1.Если последовательно соединенные дополнительные обмотки 2 сердечников каждой числовой линейки нагрузить на резистор 12, то в цепи последовательно соединенных дополнительных обмоток 2 сердечников выбранной числовой линейки в момент считывания будет протекать импульс тока, амплитуда которого определяется величиной резистора 12. Этот ток протекает через резистор 12 и дополнительные обмотки 2 всех сердечников выбранной числовой...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 253143

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Левшин, Максаков

МПК: G11C 11/02

Метки: запоминающее

...запись информации в него, УспгИтели 4 считы ванпя ооеспечпвают съем информации с накопителя, Логические элементы 6 соединены с формирователями 2 выборки числовых линеек, фораИрователями 3 записи, усилителямп 4 считывания и управляют их работой. Выход 10 формирователя 6 считывания соединен с проводом 7, который последовательно прошивает все сердечники трех числовых линеек (. На вход В формирователя 6 считывания поступает сигнал, являющийся признаком выполнения 15 запомипающГм устройством поразрядных ло и еских операций.Прп поразрядном выполнении устройствомлоГических ОперациЙ дизъюнкц 11 и и коныонкцип в одну:.1 з трех числовых линеек 1 по всем 20 разрядам записывается обычным способомпризнак выпол 1 яемой Оператспи (для Опе...

Запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 253145

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Едигар, Степан

МПК: G11C 7/02

Метки: запоминающее

...3. ооласти вычислик запоминающим Запоминающее устройство, содержащее накопитель с числовыми обмотками и разрядны ми шинами и усилители считывания с входными трансформаторами, имеющими по две первичные обмотки для компенсации помех, отличающееся тем, что, с целью улучшения компенсации помех, разрядные шины выпол иены в виде двух мостовых схем, включенныхпоследовательно с источником разрядного тока записи. Изооретение относится ктельной техники, а именноустройствам.Известны запоминающие устройства, содержащие накопитель с числовыми оомотками и разрядными ши ами и усилители считывания с входными трансформаторами, имеющими по две первичные обмотки для компенсации помех.Однако в таких запоминающих устройствах компенсация помех недостаточна...

Способ прошивки долговременного трансформаторного запоминающего устройства

Загрузка...

Номер патента: 253146

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Ярмолович

МПК: G11C 17/02

Метки: долговременного, запоминающего, прошивки, трансформаторного, устройства

...и вторичными обмотками.Для улучшения компенсации помех в пеопрашиваемых сердечниках предлагается группировать сердсчпики в виде матрицы, ка)кдыстолбец которой прошивают последовательносоединенными вторичными обмотками в соответствии со значениями половины всех возможных комбинаций 2"-разрядного кода, группируОт сердечники каждого столбца по принципу разбиения на ортогональные подмножества кодов и соедппяот вторичные обмотки соответствующих разрядов каждой группы посхеме ИЛИ на входе усилителя считывания.1-1 а чертеоке представлена одна из возмокпых схех долговременного трансформаторногозапоминаоцего устройства,Сердсчники 1 запоминающих трансформаторов прошиты вторпчпымп обмотками 2 в соотСпоссо прошивки долговременного трансформаторного...

Криогенное запоминающее устройство

Загрузка...

Номер патента: 253147

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Андреев

МПК: G11C 11/44

Метки: запоминающее, криогенное

...тепло, выделяюшсеся при прохокдении тока через проводник 4 и диод 2, можнов значительной степени уменьшить за счетуменьшения тока следующими средствами.1. В запоминающем элементе используются 0проводник 4 малых габаритов, те 1 т;Оизол иция 6 и сверхтэоводн 1(и 5 с тЛыхи тсплоп)эовод 1 тостями и теплоемкс:тямп, годбпра;тсянаилучшая конфигурация проводника 4, свсрхпроводников 5 и теплоизоляции 6. Тяк, в случае тонкопленочного запоминающего элементафиг. 7), технология изготовления прсводпика 4 проста, габариты невелики, но ттукснбольшой зажигающий ток, разрушакшэийсверхпрсводимость, а таккс необходима 40оольшая длина проводника 4 по сравпс;1 цю сптрпн 011 пленкп. Если п)эоводн 11 к п 1 эсдс Гавитьв виде витка (фиг. 8), то габариты...

Блок разъемных сердечников

Загрузка...

Номер патента: 253870

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Лукь

МПК: G11C 11/02

Метки: блок, разъемных, сердечников

...запоминаюаторов, увеличено за счет вышного зазора 5. Предмет изобретения Блокнающи объеди О нитопрнитопр повыш нающе няющи Изобретение относится к отельной техники, а именно к Щ устройствам.Известен блок разъемных сердечников для запоминающих устройств, состоящий из обоймы, объединяющей сердечники с разомкнугым магнитопроводом, и пластины, замыкающей магнитопровод.Однако известный блок разъемных сердечников помимо запоминающих сердечников содержит замкнутый магнитопровод, объединяющий сердечники, наличие которого увеличивает индуктивность кодового провода и тем самым снижает быстродействие и к.п,д. запоминающего устройства.Цель изобретения - повышение быстродействия и к.п.д. запоминающего устройства достигнута тем, что магнитопровод,...

Устройство для записи и воспроизведения цифровой информации на магнитном носителе

Загрузка...

Номер патента: 253871

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Затейтйо, Корж, Порицкий, Тынский

МПК: G11C 7/00

Метки: воспроизведения, записи, информации, магнитном, носителе, цифровой

...генератора 1 поступает на вход фазового манипулятора Т, на второй вход которого подается поток цифровой информации с частотой следования двоичных символов, равной частоте генератора 1.Фазовый манипулятор 2 осуществляет относительную фазовую манипуляцию колебания генератора 1, т. е. изменяет фазу выходных колебаний на 180 при поступлении на вход импульсов, соответствующих символам единиц.Манипулированное по фазе напряжение подается в тракт записи-воспроизведенпя 3, где производится запись, воспроизведение и усиление воспроизводимого сигнала.Воспроизведенный сигнал поступает на автокорреляционный детектор 4 и на инерционный корректируемь.й синхроканал, который осуществляет:Тираж 480 Подписно лам изобретений и открытий при Совете Министров...

Опто-электронный регистр сдвига

Загрузка...

Номер патента: 253949

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Олексенко, Свечников, Сити, Техйичес, Шарадкин

МПК: G11C 13/04

Метки: опто-электронный, регистр, сдвига

...слой между электропюмицесцентцым ц фоторезистивным слоями, дополнительный электролюминесцентный слой с экраццрующцм слоем и др.Эквивалентная электрическая схема устройства (см. фпг. 3) содержит дискретные фото- резисторы 7 ц дискретные участки 8 электро- люминофоров. Оптическая связь соединяет каждый участок 8 люминофора це только с фоторезцстором, электрически связанным с ним, ц образующим элементарный запоминающий оптрон, но и с ближайшими соседними фоторезцсторамн.Регистр работает следующим образом, В исходном состоянии возбуждающее напряжение от внешнего источника через внешний коммутатор ц клемму 9 поступает только на одну шину питания. Элементарные оптроцы, подсоединенные к данной шине, помцяг записанную в нцх...

254564

Загрузка...

Номер патента: 254564

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Кузнецов, Уральский

МПК: G11C 11/40

Метки: 254564

...И - ИЛИ на диодах 1, 2 и резисторах 3, основных транзисторов 4, 5 и дополнительных транзисторов б, 7 в цепи обратной связи. В схеме триггера имеются входы 8, 9, 10, 11 и выходы 12, 13. При поступлении на вход 8 низкого уровнянапряжения и наличии на входе 10 высокогоуровня напряжения транзистор 4 левогоплеча триггера закрывается, и на базу тран 5 зистора 7 правого плеча поступает напряжение высокого уровня.При этом транзистор 5 открывается, закрывая транзистор б н отключая входную диодную логическую схему левого плеча триггераО от шины источника питания,При другом наооре входных сигналов (высокий уровень напряжения на входе 8 и низкий уровень напряжения на входе 10) откроются транзисторы 4 и б и закроются транзи 5 сторы 5 и 7, т. е. от...

Устройство для разбраковки магнитных элементов со сложным магнитопроводом

Загрузка...

Номер патента: 254570

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Викторов, Ойхман, Сачко

МПК: G11C 5/00

Метки: магнитных, магнитопроводом, разбраковки, сложным, элементов

...в четырех вертикальных положениях Ю (любое положение биакса скруглением вверх), и на лотке после отсекателя остаются биаксы в 12 положениях, Лопасть подъема 10 обеспечивает плавный подьем биаксов (два положения 1) до вертикаль 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 ного .положения П, а биаксы, наодящиеся в положении(положение биакса скруглением от стенки лотка при горизонтальной оси отверстия записи), ввиду касания радиусом подняты быть не могут и остаются после прохождения в прежней ориентации или падают с лотка.Таким образом, после прохождения профилированной лопасти на лотке по-,прежнему осталось 12 ориентированных положений биакса, но изменяется их состав и при прохождении отсеивателя,11, состоящего из двух направляющих, биаксы,...