Запоминающий элемент

ОПИСАН И ЕИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Йаюа Советских п 1) 752477 Социалистических Республик61) Дополнительное к авт, свид-ву22) Заявлено 12.12,77 (21) 2554314/18-2 1) М Кязб 11 С 11 динением заявки Ъе с п Государственный комит(45) Дата опубликования описания 30.07.80(088.8) ло делам изобретений и открытий) Авторы изобретени Н, Алфер В. Н. Гладков, В. И, Рыбальченки А, А, Щербинин 71) Заявител 54) ЗАПОМИНАЮЩИ М обеспечение цпп в запося те дены вывод бпполя - с м, что шина которного шиной ет быть уменьщпй элемент оси и диод ой биполяр шиной запи Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при создании интегральных полупроводниковых запоминающих устройств.Известен запоминающий элемент, содержащий биполярный транзистор, база которого соединена с затвором полевого транзистора, сток которого соединен с коллектором биполярного транзистора, исток которого и эмиттер подключены к соответствующим шинам управления 1.Такое включение позволяет исключить резисторы, а следовательно, получить хорошие динамические и энергетические характеристики, однако нельзя обеспечить не- разрушающее считывание информации.Наиболее близким техническим решением к данному является запоминающий элемент, содержащий биполярный транзистор, база которого соединена со стоком полевого транзистора, затвор которого соединен с коллектором биполярного транзистора, эмиттер которого подключен к числовой шине, исток полевого транзистора подключен к разрядной шине 21.Однако такой запоминающий элемент обеспечивает хранение информации только в динамическом режиме работы за счет перезаряда емкости коллекторного перехода биполярного транзистора. Целью пзооретенпя являетсястатического хранения пнформаминающем элементе.Поставленная цель достигает5 в запоминающий элемент ввесмещения и резистор, первыйрого соединен с коллекторомтранзистора, а второй выводсмещения.10 Кроме того, шина смещениясоединена с разрядной шиной,шает количество выводов.Дополнительно в запоминаюмогут быть введены шина зап15 катод которого соединен с базного транзистора, а анод - с си.На фиг. 1 изображена электрическая схемазапоминающего элемента; на фиг. 2 - 20 пример интегрального исполнения.Запоминающий элемент содержит биполярный транзистор 1, полевой транзистор 2, числовую шину 3, разрядную шину 4, резистор 5, шину смещения 6, диод 7 и шину 25 записи 8, которым соответствуют в интегральном исполнении область числовой шины 9, резистивная область 10, ограниченная по периметру областью 11, коллекторная область 12, истоковая область 13, канал поле вого транзистора 14, ограничивающая ка752477 1 нал область 15, базовая область 1 б, эмиттерная область 17 и изолирующий слой диэлектрика 18.Введение резистора 5 обеспечивает положительную обратную связь между эмитте ром биполярного транзистора 1 и затвором полевого транзистора 2 за счет падения напряжения на резисторе при протекании тока через коллектор биполярного транзистора, например при положительном импульсе 10 напряжения на его базе, что вызывает уменьшение потенциала на затворе полевого транзистора и увеличение протекающего через него тока. В результате чего оба транзистора переходят во включенное со стояние.Для переключения элемента в непроводящее состояние необходимо на базу биполярного транзистора 1 подать отрицательный импульс или на затвор полевого трап зистора 2 - положительный. При этом процесс развивается в обратном направлении и оба транзистора запираются.В режиме хранения потенциал на разрядной 4 и числовой 3 шинах выбирают таким, 25 чтобы протекающий через транзисторы ток во включенном состоянии обеспечивал надежную работу с учетом возможных помех и изменения температуры, обычно этот ток не превышает 10 мкА. 30При считывании повышается потенциал на разрядной шине и понижается на числовой таким образом, чтобы ток, протекающий во включенном транзисторе, превышал на 2 - 3 порядка ток хранения. Если в эле менте записана единица, то ток разрядной шины 4 увеличивается, а если - ноль, то этот ток будет иметь значительно меньшую величину, что фиксируется соответствующим устройством. 40Для записи ноля, т. е. перевода элемента в выключенное состояние, потенциал на числовой шине повышается, а на разрядной понижается так, чтобы смещение на эмиттерном переходе вызвало бы прекращение инжекции.Для записи единицы дополнительно повышается потенциал на шине записи так, что эмиттерный переход смещается в прямом направлении и включает транзистор,Данная конструкция запоминающего элемента позволяет выполнять электронное обрамление с использованием стандартной технологии биполярных транзисторов на том же кристалле. Формула изобретения 1. Запоминающий элемент, содержащий биполярный транзистор, база которого соединена со стоком полевого транзистора, затвор которого соединен с коллектором биполярного транзистора, эмиттер которого подключен к числовой шине, исток полевого транзистора подключен к разрядной шине, отличающийся тем, что, с целью обеспечения статического хранения информации в элементе, он содержит шину смещения и резистор, первый вывод которого соединен с коллектором биполярного транзистора, а второй вывод - с шиной смещения,2. Запоминающий элемент по п. 1, отл и ч а ю щ и й с я тем, что, шина смещения соединена с разрядной шиной.3. Запоминающий элемент по п. 1, о т л ич а ю щи й с я тем, что он содержит шину записи и диод, катод которого соединен с базой биполярного транзистора, а анод - с шиной записи.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1, Заявка Великобритании1406391, кл. Н ЗТ, опубл. 1975.2. Патент США3753248, кл, 340 в 1, опубл. 1973 (прототип).752477 ух тг иРл,Яставитель Ю, Ушаков едактор 3. Ходакова Техред А. Камышникова Корректоры: Л, Слепаяи О. Иоанесян аказ 1454/11 Изд, Ма 393 Тираж 673 Подписно НПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Типография, пр. Сапунова,