Запоминающая матрица

пц 752475 ОП ИСАН И ЕИЗОБРЕТЕНИЯК АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик(51) Я Кл аб 11 С 11/22 667055 18-24 аявлено 26.09.78 (21 присоединением зая тоударствеиный комитет (23) ителетень28 по делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретения К И. Сидоренко, ЮИ. Кудренкотехнический инстоциалистической амофалов, Я. В. Мартынюк,Л, П, Гермаш и Е. Киевский ордена Ленина по летия Великой Октябрьской пак(71) Заявитель волю ци м. ЩАЯ МАТР 4) ЗАПОМ 43) Опубликовано 30,07.80 45) Дата опубликования о Изобретение относится к запоминающим устройствам и может быть использовано для хранения и неразрушающего считывания двоичной информации.Известны запоминающие матрицы 1, 2. 5 Одна из известных матриц содержит две керамические пластины: пластину возбуждения и запоминающую пластину с системами шин, соединенные между собой и с подложкой, и дополнительные электроды ком пенсации на каждый разряд Ц.Недостатками этой матрицы являются низкая технологичность изготовления и малый эффективный объем памяти вследствие применения двух керамических пластин. 15Из известных матриц наиболее близким техническим решением к изобретению является запоминающая матрица, содержащая подложку и сегнетопьезоэлектрическую пластину, на двух противоположных гранях ко торой расположены управляющие и компенсирующие электроды 2.К недостаткам этой матрицы относятся низкая технологичность вследствие необходимости изготавливать сегнетоэлектриче скую пластину и подложку переменной толщины с целью их соединения и уменьшение эффективного объема памяти матрицы изза применения электродов компенсации.Цель изобретения - увеличение емкости З 0 запоминающеи матрицы и повышение технологичности ее изготовления.Поставленная цель достигается тем, что матрица содержит металлические прокладки, расположенные между сегнетоэлектрической пластиной и подложкой и прикрепленные к ннм. При этом целесообразно толщину металлических прокладок выполнять либо больше толщины электродов, обращенных к подложке, либо равной толщине этих электродов и при этом на металлические прокладки наносить дпффузпонноактпвные, а на электроды - дпффузпоннопассивные по отношеншо и подложке пленки.На чертеже изображена запоминающая матрица.Запоминающая матрпца содержит сегнетопьезоэлектрическую пластину 1, подложку 2, металлические прокладки 3, 4, 5, управляющие электроды 6 - 9, компенсирующие электроды 10 - 13, которые образуют запоминающие элементы 14 и элементы 15 компенсации. Устройство также содержит управляющие шины 16 - 19, компенсирующие шины 20 и 21.Металлические прокладки 3, расположенные под контактными площадками шин 18 и 19, служат выводамп электродов 8, 9, 12 и 13. Управляющие электроды 6 и 7 объединены шинами 16 и 17, управляющие электроды 8, 9 и компенсирующие электроды 12, 13 - шинами 18 и 19, а компенсирующие электроды 10 и 11 - шинами 20 и 21.В результате спекания пластина 1 механически жестко соединена с подложкой 2 за счет приварки металлических прокладок 3, 4, 5 к подложке.Устройство работает следующим образом.Сегнетопьезоэлектрическая пластина 1 под управляющими электродами 6 и 8 заполяризовапа постоянно, а под управляющими электродами 7 и 9 поляризация пластины может изменяться в зависимости от записываемой информации.Запись информации осуществляется подачей импульсного напряжения поляризации соотвстствующей полярности и длительности на управляющие шины, например шину 19. Шина 17 подключается к общей точке матрицы, На все остальные шины в режиме записи подаются напряжения, исключающие ложную запись в невыбранных элементах.При считывании информации напряжение считывания поступает в управляющую шину 16, одновременно с ним в компенсирующую шину 20 подается такое же по форме, но противоположное по знаку напряжение, Шины 17 и 21 подключены к общей точке устройства, В результате двойного преобразования энергии: электрической в механическую и механической в электрическую, на выходных шинах 19 появляются импульсы напряжения с полярностью, зависящей от записанной информации, При такой системе считывания выходной электрод 9 и электрод 13 компенсации подключают к одной управляющей шине 19,Каждый компенсирующий электрод, например 13 (см. чертеж), по форме представляет периметр управляющего электрода. Такая форма компенсирующего электрода позволяет, с одной стороны, практически свести к нулю на выходной шине 19 помеху в режиме считывания информации за счет остаточной поляризации элемента компенсации, задаваемой напряжениями помехи при записи информации, так как площадь электрода компенсации много меньше площади управляющего электрода, а с другой стороны, сохранить одинаковые емкостные связи для запоминающих и компенсирующих элементов и при этом устра 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 нить помехи, передаваемые с входа заломинающего элемента на выход через ем костные связи, так как в режиме считывания на управляющую 16 и компенсирую. щую 20 шины подают противофазные на. пряжения считывания одинаковой амплиту. ды, т, е. на выходной шине 19 наводятся помехи, обусловленные емкостными связями, одинаковые по амплитуде и противопо-, ложные по знаку, которые компенсируют друг друга.Технико-экономические преимущества предлагаемого устройства заключаются в том, что предлагаемая конструкция дает возможность существенно уменьшить размеры матрицы, например до 5,2)(4,6 мм прп емкости 256 бит, что значительно больше емкости серийно выпускаемой матрицы, имеющей емкость памяти 8 бит при размерах 2 К 3,5 мм. Кроме того, такая конструкция позволяет исключить операцию точного совмещения сегнетопьезоэлектрической пластины с подложкой и применять групповую интегральную технологию изготовления таких запоминающих матриц,Формула изобртсния 1. Запоминающая матрица, содержащая подложку и сегнетопьезоэлектрическую пластину, на двух противоположных гранях которой расположены управляющие и компенсирующие электроды, о тл и ч а ющ а я с я тем, что, с целью увеличения емкости запоминающей матрицы, она содержит металлические прокладки, расположенные между сегнетоэлектрической пластиной и подложкой и прикрепленные к ним.2, Матрица по п. 1, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что толщина металлических прокладок больше толщины электродов, обращенных к подложке.3. Матрица по п. 1, отличающаяся тем, что толщина металлических прокладок равна толщине электродов, обращенных к подложке, причем на металлические прокладки нанесены диффузионноактивные, а на электроды - диффузионнопассивные по отношению к подложке пленки.Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство по заявке Мо 2179197/18-24, кл, 6 11 С 11/22, 1975.2. Авторское свидетельство СССР Мо 488257, кл. 6 11 С 11/22, 1973 (прототип).752475 едактор И. Грузова аказ 1454/10 Изд.393 Тираж 673 ПодписноеНПО Поиск Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5 ография, пр,ова, 2 Составител Техред А