Постоянное запоминающее устройство

О П И-С А и И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Соцнаанстнчесннх Республнк, Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытий(71) Заявитель Московский институт электронной техники(54) ПОСТОЯННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО Изобретение относится к области вычислительной техники, в частности к микроэлектронным запоминающим устройствам, и может быть использовано в устройствах обработки двоичной инФормации в качестве постоянной памяти подпрограмм, табличных данных, генера- торов символов, функций и преобразователей кодов. 30 Известны постоянные зайоминающие устройства (ПЗУ), в которых в качестве запоминающих элементов используются диоды. Такие ПЗУ содержат диодноматричный накопитель с горизонтальными и вертикальными шинами, элементы совпадения, нагрузочные резисторы, эле" менты управления и инверторы.Недостатки таких ПЗУ заклюЧаются 20 в наличии большого числа резисторов, что ограничивает инФормационную ем,кость;в значительной зависимости характеристик ПЗУ от разброса параметров компонентов; в наличии большого 25 количества элементов, что приводит к ухудшению веса-габаритных характеристик; в сложной технологии изготовления, а также в большом количестве выводов из диодно-матричного на- .З 0 копителя, что является ограничениемувеличения информационной емкости иувеличивает количество паянных соединений, следовательно, понижает егонадежность.Известны ПЗУ, содержащие диодноматричный накопитель, выходные диодныесборки, резисторы, защитные диоды,диоды для варьирования разрядности,диоды для Форсированного установленияисходного состояния, адресные и разрядные шины,Недостатками таких ПЗУ являютсяналичие большого числа резисторов,что ограничивает информационную емкость, большая рассеиваемая мощность,сложная технология изготовления, значительная зависимость характеристикустройства от разброса параметровкомпонентов, большое количество выводов из диодно-матричного накопителя,что, в свою очередь, увеличивает количество паяных соединений при сборке ПЗУ, понижает его надежность, атакже ограничивает увеличение информационной емкости. Известны также ПЗУ, в которых информация заносится в технологическол 1процессе с помощью диодов, включаемых в пересечение горизонтальных и вертикальных шин (диодно-матричный накопитель).Такие ПЗУ содержат адресный дешифратор первой группы, диодно-матричный накопитель, состоящий из щ секций (числовых блоков), адресные входные) и разрядные (выходные) шины шифратор, группы инверторов (вентилей 1 Лдреснь 1 е шины накопителя, соединяющие аноды диодов, соединены с соответ 10 стнующими выходами адресного дешифратора перной группы, разрядные шины накопителя, соединяющие катоды диодов, соединены с первыми входами соответствующих инверторов, вторые входы 15 инверторов каждой секции подключены к соответствующей шине управления, выходы одноименных иннерторов подключены к соответствующим входам шифратора. 20Недостатками таких ПЗУ являются наличие большого количества выводон из диодно-матричного накопителя (для информационной емкости 25 б бит количество выводов равно 32, а при 25 информационной емкости 1024 бит количество выводов равно 64), что, в свою очередь, унеличивает количество паяных соединений при сборке ПЗУ, понижает его надежность, а также ограничивает увеличение информацион-, ной емкости; наличие большого количества иннерторов, что усложняет технологию изготовления устройства и ухудшает его веса-габаритные характеристики, большая рассеиваимая мощность,35наличие значительных перепадов потребляемого тока во время считыванияинформации, что приводит к возникновению в шинах питания помех, снижающих помехоустойчивость, и, следовательно, надежность Функционированияустройства, значительная зависимостьхарактеристик ПЗУ от разброса параметров компонентов, что снижает устойчивость работы при изменении рабочихрежимов и температуры окружающейсреды.Цель .изобретения - повышение надежности и увеличение информациончойемкости постоянного запоминающего устройства.Поставленная цель достигается тем,что ПЗУ содержит дополнительный адресный дешифратор, формирователи выборки строки и слова на транзисторах с инфекционным р-и переходом, считы вающие формирователи на транзисторах с инжекционным р-и переходом, узел согласования на диодах Шоттки, приэтом выходы адресного дешифратора соединены с соответствующими базамитранзисторов с инжекционным р-и переходом формирователей выборки строки, коллекторы которых соединены ссоответствующими адресными шинами,к которым также подключены катодыдиодов Шоттки накопителя, аноды которых подключены к разрядным шинам накопителя, которые соединены с соответствующими базами транзисторов синжекционным р-и переходом считывающих формирователей и анодами диодовШоттки узла согласования, причем катоды одноименных диодов Шоттки узласогласования подключены к коллекторам соответствующих транзисторов синжекционным р-ипереходом Формирователей выборки слова, базы которыхсоединены с соответствующими ныходами дополнительного адресного дешифратора, при этом коллекторы соответствующих транзисторов с инжекционным р-ипереходом считывающих Формирователейобъединены и являются выходами устройства, эмиттеры всех транзисторовс инжекционным р-и переходом подключены к шине нулевого потенциала, а инжекторы - к общей выходной шине,На чертеже приведена электрическаясхема постоянного запоминающего устройства.ПЗУ содержит адресные дешифраторы1, 2, выходы адресного дешифраторапервой группы 1 соединены с соответствующими базами транзисторов с инжекционным р-и переходом 3 формирователей 4 для выборки одной строки,коллекторы транзисторов с инжекционным р-и переходом 3 соединены с соответствующими адресными шинами 5матричного накопителя б, состоящегоиэ в секций, к адресным шинам 5 подключены катоды диодов Шоттки 7 матричного накопителя б, аноды диодов 7соединены с соответствующими разрядными шинами 8 накопителя б, разрядныешины 8 накопителя б подключены к соответствующим базам транзисторов с инжекционным р-и переходом 9 считывающихформирователей 10, к которым подключены аноды диодов Шоттки 11 элемента.12 согласования, катоды одноименныхдиодов Шоттки 11 элементов 12 согласования объединены и подключены к .коллекторам соответствующих транзисторовс инжекционным р-и переходом 13 формирователей 14 для выборки слова,базы транзисторов с инжекционным р-ипереходом 13 подключены к соответствующим выходам дополнительного адресного дешифратора 2, коллекторы транзисторов с инжекционным р-и переходом 9 считывающих формирователей 10одноименных секций объединены и явля-ются выходом устройства, при этомэмиттеры всех транзисторов с инжекционным р-и переходом подключены кшине нулевого потенциала, а инжекторы - к общей выходной шине,Информационная емкость ПЗУ опреде ляется следующим выражениемО=ищгде и - количество адресных шин в накопителе, 752482щ - разрядность двоичного слова,определяемая числом секцийн накопителе,количество разрядных шин нодной секции.ПЗУ работает следующим образом.Для выбора необходимого слова набазу транзистора с инжекциойнйм р-ипереходом 3, к коллектору которогоподключена соответствующая адреснаяшина 5, с выхода адресного дешифратора 1 подается высокий уровень напряжения (на остальные базы транзисторовс инжекционным р-и переходом 3 подается низкий уровень напряжения), приэтом на этой шине устанавливаетсянизкий уровенй напряжения,В этом слу" 15чае выбирается необходимая адреснаяшина. Выбор соответствующих разрядных шин производится путем подачинизкого уровня напряжения с дополнительного адресного дешифратора 2 на 20базу соответствующего транзистора синжекционным р-и переходом 13 ,наостальные базы транзисторов с инжекционным р-и переходом 13 подаетсявысокий уровень напряжения). В результате н каждой из щ секций напересечении выбранных адресных и разрядных шин выбираются необходимыезапоминающие элементы. Если в пересечении адресной и разрядной шин имеет- ЗОся диод, то соответствующий транзистор с инжекционным р-и переходом 9считывающих Формирователей 10 запирается и на соответствующем выходеПЗУ устанавливается высокий уРовеньнапряжения, а если диод отсутствует,то на выходе ПЗУ будет низкий уровеньнапряжения. Таким образом, на выходахПЗУ считывается щ разрядное слово,Таким образом, в предлагаемомустройстве уменьшается количествовнешних выводов, что позволяет увеличить информационную емкость, упрощается технология его изготовления и .улучшается несо-габаритная характеристика, повышается надежность Функционирования устройства, из-за малоготока потребления по инжекторам устройство рассеивает сравнительно малую мощность ,поскольку при обращениик ПЗУ потребляемый ток практически ос тается постоянным, то помехи, генерируемые на шинах питания, получаются очень малыми, что важно с точки эре ния надежности функционирования уст. ройства, из-эа малой зависимости характеристик ПЗУ от разбросов параметров компонентов, .оно может функционировать н большом диапазоие рабочей температуры (-бО С с Т й 125 С)устройство обладает малой энергией переключения,Формула изобретенияПостоянное запоминающее устройство, содержащее адресный дешифратор матричный накопитель, выполненный иэ запоминающих модулей на диодах Шоттки, и адресные и разрядные шины, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности и информационной емкости устройства, оно содержит дополнительный адресный дешифратор, формирователи ныборки строки и слова на транзисторах с инжекционным р-и переходом, считывающие формиронатели на транзисторах с инжекционным р-и переходом, узел согласования на диодах Шоттки, при этом выходы адресного дешифратора соединены с соответствующими базами транзисторов с инжекционным р-и переходом формирователей выборки строки, коллекторы которых соединены с соответствующими адресными шинами, к которым подключены катоды диодов Шоттки накопителя, аноды которых подключены к разрядным шинам накопителя, которые соединены с соответствующими базами транзисторов с инжекционным р-и переходом считывающих Формирователей и анодами диодов Шоттки узда согласования, причем катоды одноименных диодов Шоттки узла согласования подключены к коллекторам соответствующих транзисторов с инжекционным р-и переходом формирователей выборки слова, базы которых соединены с соответствующими выходами дополнительного адресного дешифратора, при этом коллекторы соответстнукщих транзисторов с инжекционным р-и переходом считывающих формирователей объединены и являются выходами устройства, эмиттеры всех транзисторов с инжекционным р-и переходом подключены к шине нулевого потенциала, инжекторы - к общей выходной шине.752482 Составитель Ю. Розентальеселовская Техред Н. Граб Корректор И. Демчик анто иал ППП "Патент , г. Ужгород, уп. Проектная,аказ 4775 25ЦНИИПИ Государпо делам113035, Москв Тираж 662венного комитетазобретений и откЖ, Раушская Подписное ССРтийб д. 4/5